「insulating substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(192ページ目) - Weblio英語例文検索

A gate electrode 15 of the MISFET comprises a first part extending on the surface of an element separation insulating layer 13 that has been polished to the same height as the surface of an element formation region of a silicon substrate 11, and a second part which extends from the first part and is embedded, through a gate oxide film, in a gate trench 16 formed inside an element formation region 14.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴのゲート電極１５が、シリコン基板１１の素子形成領域の表面と同じ高さに研磨された素子分離絶縁層１３の表面上に延びる第１の部分と、第１の部分から延長し、素子形成領域１４の内部に形成されたゲートトレンチ１６内にゲート酸化膜を介して埋め込まれた第２の部分とを有する。 - 特許庁

In the semiconductor device, there is prepared a semiconductor substrate 1 in which a gate electrode 3a is formed on a top face of an element formation region 150 through a gate insulating film 2a, a first source-drain region 5 is formed, and an impurity region 5p is formed having the same impurity concentration as the first source-drain region 5 in a front surface of a scribing region 160.例文帳に追加

本発明に係わる半導体装置では、素子形成領域１５０の上面にゲート絶縁膜２ａを介してゲート電極３ａが形成され、また第一のソース・ドレイン領域５が形成され、またスクライブ領域１６０表面内に第一のソース・ドレイン領域５と同等の不純物濃度を有する不純物領域５ｐが形成された、半導体基板１を用意する。 - 特許庁

A high electric field is impressed between a polysilicon layer 103 and a high melting point metal layer 105, after forming a gate insulation film 102, the polysilicon layer 103, a barrier metal layer 104 and the high melting point metal layer 105 on a silicon substrate 101, whereby an insulating film 107, formed in a boundary between the polysilicon layer 103 and the barrier metal layer 104, is made to conduct.例文帳に追加

シリコン基板１０１の上に、ゲート絶縁膜１０２、ポリシリコン層１０３、バリアメタル層１０４、高融点金属層１０５を形成した後、ポリシリコン層１０３と高融点金属層１０５との間に高電界をかけることにより、ポリシリコン層１０３とバリアメタル層１０４との界面に形成される絶縁膜１０７を導通させる。 - 特許庁

To provide a coating liquid for a silica-based film with a low dielectric constant, forming an insulating film having a dielectric constant as low as 3 or less and excellent not only in resistance to oxygen plasma during the microphotolithography processing but also in mechanical strength, chemical resistance such as alkali resistance and crack resistance and to provide a substrate having formed thereon such a silica-based film with a low dielectric constant.例文帳に追加

誘電率が３以下と小さく、しかもマイクロフォトリソグラフィ加工時の酸素プラズマ耐性に優れるとともに機械的強度、耐アルカリ性などの耐薬品性、耐クラック性に優れた絶縁膜を形成できるような低誘電率シリカ系被膜形成用塗布液、およびこのような低誘電率シリカ系被膜が形成された基材を提供する。 - 特許庁

Wiring patterns 111, 112, 113 are fixed on an insulating substrate 1, a connecting terminal 5 composed of a light emitting diode 2, a tip resistor 4, and a conductive metal is electrically connected to that wiring patterns 111, 112, 113, and the connecting terminal 5 is equipped with an elastic pinching part 52 in order to connect to the external terminal 61 which is a connection target.例文帳に追加

絶縁性の基板１上に配線パターン１１１、１１２、１１３が固着され、その配線パターン１１１、１１２、１１３に発光ダイオード２とチップ抵抗４と導電性の金属からなる接続端子５が電気的に接続されており、接続端子５は、接続対象である外部端子６１との接続を行なうために弾性の挟持部５２を具備する。 - 特許庁

The liquid crystal display device 1 includes a photodetector 30 that receives ambient external light, wherein a through hole 51 accommodating the photodetector 30 is formed in a gate insulating film 33 and a first interlayer dielectric 34 formed on an element substrate 11, and at least the inner wall of the through hole 51 has light-shielding property.例文帳に追加

周囲の外光を受光する受光素子３０を備えてなる液晶表示装置１であって、素子基板１１上に設けられるゲート絶縁膜３３及び第１層間絶縁膜３４に受光素子３０を収容する貫通孔５１が設けられ、貫通孔５１の少なくとも内側壁が遮光性を有している。 - 特許庁

With respect to a semiconductor element constituted by fixing an IGBT chip 1 to a collector substrate 2, an insulating positioning guide 3 constitutes an individual semiconductor unit, with an emitter contact terminal 4 on the emitter electrode 21 of an IGBT chip 1 and a both-end contact structure of contact probe 5 on a gate pad 22.例文帳に追加

ＩＧＢＴチップ１をコレクタ基板２と固着して構成される半導体エレメントに対し、絶縁性の位置決めガイド３がエミッタコンタクト端子体４をＩＧＢＴチップ１のエミッタ電極２１に、両端接触構造のコンタクトプローブ５をゲートパッド２２に位置決めして個別の半導体ユニットを構成する。 - 特許庁

A plurality of projecting structures are formed on the surfaces of the elastic structures of the diaphragm electrode opposite to the fixed electrode on the insulating substrate and, when the gas pressure to be measured by a vacuum sensor decreases, the elastic structures pressurized against the fixed electrode are surely separated from the fixed electrode.例文帳に追加

更に、絶縁基板上の固定電極に対向するダイヤフラム電極の弾性構造の表面上に複数の突起構造を形成し、真空センサが測定する気体の圧力が下がった場合に、それまで固定電極に押しつけられていた弾性構造が確実に固定電極から離れ得るようにして課題を解決した。 - 特許庁

In this method for detecting a substance to be detected in a sample by a sensor including a substrate 1, and a channel having a source electrode 3 and a drain electrode 4 provided oppositely at a prescribed interval on an insulating thin film 2 formed on the upper surface of the substrate 1, the channel is constituted of ultrafine fibers, and after dropping sample solution onto the channel, a solvent in the sample solution is vaporized.例文帳に追加

基板１と、その基板１の上面に形成した絶縁薄膜２上に、所定の間隔をおいて対向して設けたソース電極３およびドレイン電極４を有するチャネルとを少なくとも備えたセンサーで試料中の被検出物質を検出する方法において、前記チャネルが超微細繊維で構成され、そのチャネル上に前記試料溶液を滴下した後、その試料溶液の溶媒を蒸発させることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor apparatus 10 has the semiconductor substrate 12 having an element formation region 14 around which a scribe region 34 is arranged, at least one wiring layer formed on the semiconductor substrate 12 via the insulating layer, a seal ring 36 formed so as to surround the element formation region 14, a rewiring 48 connected with a pad consisting of the top-layer wiring layer, and a second resin layer 32 covering the rewiring 48.例文帳に追加

半導体装置１０は、スクライブ領域３４が周囲に配置される素子形成領域１４を有する半導体基板１２と、絶縁層を介して半導体基板１２上に形成される少なくとも１層の配線層と、素子形成領域１４を囲むように形成されるシールリング３６と、最上層の配線層から成るパッドと接続された再配線４８と、再配線４８を被覆する第２樹脂層３２とを備えている。 - 特許庁

To structure a coolant chamber accurately without generating inconvenient deformation on a substrate even through an assembling process in conjunction with heat treatment of a power conversion circuit part without depending on a shape and arrangement of a heat radiation projection in order to improve cooling performance in manufacturing a power semiconductor module in which a power conversion circuit is formed on a metal-insulating layer bonded substrate and a liquid-cooling type cooling device is structured on a metal base side.例文帳に追加

金属−絶縁層接合基板上に電力変換回路が構成され金属ベース側に液冷式冷却装置が構成されるパワー半導体モジュールを製造するにあたり、放熱突起の形状や配置に依存することなく、電力変換回路部の熱処理を伴う組立工程を経ても当該基板に不都合な変形を生じさせることなく精度よく冷却液室を構成し、もって冷却性能の向上を図る。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate, a first wiring layer formed on the semiconductor substrate, a second wiring layer formed at the upper part of the first wiring layer, a plug serving as at least a fuse element for connecting the first wiring layer with the second wiring layer, and an opening provided in a part of an insulating film formed on the second wiring layer corresponding to the plug.例文帳に追加

上記の課題を解決する半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の上方に形成された第１の配線層と、前記第１の配線層より上方に形成された第２の配線層と、前記第１の配線層及び第２の配線層間を接続する少なくとも１のヒューズ素子としてのプラグと、前記第２の配線層の上方に形成された絶縁膜の一部に前記プラグに対応して設けられた開口部とを具備する。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor has an outermost layer above a conductive aluminum substrate and has an intermediate layer containing inorganic particles and a binder between the conductive aluminum substrate and at least the outermost layer, wherein a resin constituting the outermost layer is a polyarylate or a copolymer thereof, the inorganic particles have a number average primary particle diameter of 5-300 nm, and the intermediate layer is an insulating layer covered with the outermost layer.例文帳に追加

導電性アルミニウム基体上に最上層を有する電子写真感光体であり、該導電性アルミニウム基体と少なくとも最上層との間に、無機粒子とバインダーとを含有する中間層を有する電子写真感光体において、該最上層を構成する樹脂がポリアリレート又はポリアリレート共重合体であり、該無機粒子の数平均一次粒径が５〜３００ｎｍであり、該中間層が最上層に覆われている絶縁層であることを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁

The semiconductor device by one mode is provided with a transistor comprising a source, a drain and a channel region which are arranged in a semiconductor substrate, and a gate electrode disposed on a surface of the semiconductor substrate in the channel region through a gate insulating film; a capacitor connected to the channel region; first wiring which is electrically connected to the gate electrode; and second wiring which is electrically connected to the drain.例文帳に追加

本発明の１態様による半導体装置は、半導体基板中に設けられたソース、ドレイン及びチャネル領域と、該チャネル領域の半導体基板表面にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを含むトランジスタと、前記チャネル領域に接続されたキャパシタと、前記ゲート電極に電気的に接続された第１の配線と、前記ドレインに電気的に接続された第２の配線とを具備する。 - 特許庁

[2] The method for producing an insulating film comprises a process for coating a substrate with the composition [1] and heat-treating the substrate.例文帳に追加

成分（Ａ）：式（１）で示される化合物を重合して得られる樹脂であって、ＧＰＣ分析における樹脂を検出するピークＰ、残存する式（１）で示される化合物を検出するピークＭとしたとき、ピークＰのポリスチレン換算重量平均分子量が１０００以上５０００００以下であり、かつピークＰ、ピークＭの面積値をそれぞれＡｐ、Ａｍとしたとき、面積比Ａｍ/（Ａｍ＋Ａｐ）が０〜１０％である樹脂；成分（Ｂ）：空孔形成用化合物；［２］上記［１］記載の組成物を基板に塗布し、加熱処理する工程を含む絶縁膜の製造方法。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an Si substrate 101 including an integrated circuit 102, an interlayer insulating film 103 formed thereon, an adhesive layer 104 formed thereon, a conduction layer 105 formed thereon, an LED epitaxial film 106 pasted thereon, and a thin film discrete wiring layer 107 formed on a region from above the LED epitaxial film 106 to the terminal region 108 of the Si substrate 101.例文帳に追加

半導体装置は、集積回路１０２を含むＳｉ基板１０１と、この上に形成された層間絶縁膜１０３と、この上に形成された接着層１０４と、この上に形成された導通層１０５と、この上に貼り付けられたＬＥＤエピタキシャルフィルム１０６と、ＬＥＤエピタキシャルフィルム１０６上からＳｉ基板１０１の端子領域１０８に至る領域に形成された薄膜の個別配線層１０７とを有する。 - 特許庁

The electron discharging element consisting of a carbon group material formed on a substrate with gaps is composed of a catalyst layer which is a catalyst for the above carbon group material formed on the substrate with gaps, the carbon group material formed on the catalyst layer and an insulating thin membrane formed to be embedded in the gaps of the carbon group material, and at least an upper surface of the carbon group material is exposed.例文帳に追加

基板上に間隙を有して形成される炭素系材料を有する電子放出素子であって、前記基板上に間隙を有して形成された前記炭素系材料の触媒となる触媒層と、該触媒層上に形成された該炭素系材料と、該炭素系材料の間隙を埋めるように形成された絶縁性薄膜を有し、該炭素系材料の少なくとも上表面が露出していることを特徴とする電子放出素子である。 - 特許庁

The liquid crystal display panel 10A includes an array substrate AR having a pixel electrode 16 and a thin film transistor TFT in each pixel region enclosed by scanning lines and signal lines arranged in a matrix, and a color filter substrate CF having a black matrix BM and a color filter 26, wherein a light absorbing layer 30 is formed over the surface of the thin film transistor TFT with an insulating film 20 interposed therebetween.例文帳に追加

マトリクス状に配列した走査線と信号線とで囲まれる各画素領域に画素電極１６及び薄膜トランジスタＴＦＴを配置したアレイＡＲ基板と、ブラックマトリクスＢＭ及びカラーフィルタ２６を備えたカラーフィルタ基板ＣＦとを有する液晶表示パネル１０Ａにおいて、前記薄膜トランジスタＴＦＴの表面に絶縁膜２０を介して光吸収層３０を形成したことを特徴とする。 - 特許庁

A high potential gate driving circuit part and a level shift circuit part are provided on the same other conductivity type semiconductor substrate 1, at least one lateral MOSFET is formed in the gate driving circuit part, and an embedded insulating film 3 for parasitic element suppression is provided selectively in a parallel direction on the main surface of the semiconductor substrate at the lower part of the source region 5 and drain region 7 of the lateral MOSFET.例文帳に追加

高電位ゲート駆動回路部と、レベルシフト回路部とを同一の他導電型半導体基板１上に備え、前記ゲート駆動回路部には少なくとも一つの横型ＭＯＳＦＥＴが形成され、前記半導体基板の主面に平行方向に選択的に、かつ前記横型ＭＯＳＦＥＴのソース領域５およびドレイン領域７の下方に、寄生素子抑制用の埋め込み絶縁膜３を有する高耐圧ＩＣとする。 - 特許庁

A touch sensitive device 100 comprises: a substrate 200; a mask layer 310; at least one touch sensing assembly 320 partially masked by the mask layer 310; and an insulator 330 formed between the mask layer 310 and the touch sensing assembly 320 for insulating the mask layer 310; in which the mask layer 310, the touch sensing assembly 320, and the insulator 330 are integrally formed on the substrate 200.例文帳に追加

本実施の形態に係るタッチセンシティブデバイス１００は、基板２００と、マスク層３１０と、マスク層３１０によって部分的にマスクされる少なくとも一つのタッチ検出アセンブリ３２０と、マスク層３１０とタッチ検出アセンブリ３２０との間に形成され、マスク層３１０とタッチ検出アセンブリ３２０を絶縁する絶縁体３３０とを備え、マスク層３１０、タッチ検出アセンブリ３２０及び絶縁体３３０は基板２００上に一体的に形成されている。 - 特許庁

The semiconductor memory device is provided with a semiconductor substrate 1, an interlayer insulating film 4 formed on the semiconductor substrate 1, a first electrode 9 formed on the film 4, a first ferroelectric film 10 formed on the first electrode 9, a second electrode 11 formed on the film 10, a second ferroelectric film 12 formed on the second electrode 11, and a third electrode 13 formed on the film 12.例文帳に追加

半導体基板１と、この半導体基板１上に形成された層間絶縁膜４と、この層間絶縁膜４上に形成された第１電極９と、この第１電極９上に形成された第１強誘電体膜１０と、この第１強誘電体膜１０上に形成された第２電極１１と、この第２電極１１上に形成された第２強誘電体膜１２と、この第２強誘電体膜１２上に形成された第３電極１３とを有する半導体記憶装置である。 - 特許庁

The color filter substrate for a liquid crystal display device comprises a black matrix which is formed on a transparent insulating substrate and demarcates a pixel region and a color filter which is formed on the pixel region and embodies RGB colors, wherein, on a prescribed region on the surface of the black matrix, an overflow prevention part for preventing an overflow from occurring upon the formation of the color filter is formed.例文帳に追加

液晶表示装置用カラーフィルター基板は、透明な絶縁基板上に形成されて画素領域を画定するブラックマトリックスと、前記画素領域に形成されてＲＧＢ色相を具現するカラーフィルターと、を含み、前記ブラックマトリックスの表面の所定領域には、前記カラーフィルターの形成時に発生するオーバーフロー（Ｏｖｅｒｆｌｏｗ）を防止するオーバーフロー防止部が形成される。 - 特許庁

Surface reforming treatment is performed to improve adhesiveness with a sealing resin for filling the packaging clearance between a substrate and a semiconductor chip with a package body 4, where the semiconductor chip having a bump is packaged onto the substrate on which an insulating film made of resin, such as polyimide, is formed as an object to be treated.例文帳に追加

ポリイミドなどの樹脂の絶縁膜が形成された基板にバンプ付きの半導体チップを実装した実装体４を処理対象物として、基板と半導体チップとの間の実装隙間を充填する封止樹脂との密着性向上を目的として行われる表面改質処理において、実装体４を表面改質装置５の減圧された処理室７内に収容し、原子状水素発生装置２０によって水素ガスから発生された原子状水素を実装隙間内の絶縁膜の樹脂表面に接触させる。 - 特許庁

In the buildup wiring board comprising a core substrate 11 having a via 12 formed in the insulating layer and filled with conductive paste 13 for interlayer connection, and a buildup layer 14 formed at least on one side of the core substrate 11 and having a via 15 for interlayer connection, the diameter at the bottom of the via 15 formed in the buildup layer 14 is made substantially uniform.例文帳に追加

絶縁層にビア１２が形成されこれらのビア１２内に層間接続するための導電性ペースト１３が充填されたコア基板１１と、このコア基板１１の少なくとも一方の面に形成され層間接続するためのビア１５が形成されたビルドアップ層１４とを有するビルドアップ配線板であって、前記ビルドアップ層１４に形成されたビア１５の底部の直径が、各々がほぼ均一に形成されたことを特徴とするビルドアップ配線板である。 - 特許庁

The field effect transistor 100 includes a semiconductor substrate 101, a channel layer 102 formed on the semiconductor substrate 101, an electron supply layer 103 formed on the channel layer 102, a semiconductor layer 106 formed in the electron supply layer 103 and containing Pt, a perovskite type oxide layer 107 formed on the semiconductor layer 106 and functioning as a gate insulating film, and a gate electrode 108 formed on the perovskite type oxide layer 107.例文帳に追加

電界効果トランジスタ１００は、半導体基板１０１と、半導体基板１０１上に形成されたチャネル層１０２と、チャネル層１０２上に形成された電子供給層１０３と、電子供給層１０３内に形成され、Ｐｔを含む半導体層１０６と、半導体層１０６上に形成され、ゲート絶縁膜として機能するペロブスカイト型酸化物層１０７と、ペロブスカイト型酸化物層１０７上に形成されたゲート電極１０８とを備える。 - 特許庁

A semiconductor device has gate electrodes 13 formed on an n-type active region including a semiconductor substrate 10 with gate insulating films 12 interposed, p-type source-drain regions 20 formed in regions of both sides of the gate electrodes 13 in the active region, and n-type pocket regions 18 formed from side faces of the respective p-type source-drain regions 20 in the active region toward below the gate electrodes 13 respectively.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０からなるｎ型の活性領域の上に、ゲート絶縁膜１２を介在させて形成されたゲート電極１３と、活性領域におけるゲート電極１３の両側方の領域に形成されたｐ型ソースドレイン領域２０と、活性領域における各ｐ型ソースドレイン領域２０の側面からそれぞれゲート電極１３の下側に向かって形成されたｎ型ポケット領域１８とを有している。 - 特許庁

To provide a cover-lay film with a white resin insulating film which obtains at least one or more effects including no process contamination, no occurrence of sticking during hot pressing, rich flexibility, high whiteness and reflectance, excellent solder heat resistance, organic solvent resistance, and flame retardancy, reduced warpage of a substrate after being cured, and reduced reflectance-hue change after high temperature heat history or irradiation and a printed wiring board.例文帳に追加

本発明の課題は、工程汚染がない、熱プレス時に貼りつきが発生しない、柔軟性に富む、白色度および反射率が高い、ハンダ耐熱性、耐有機溶剤性、難燃性に優れる、硬化後の基板の反りが小さい、高温熱履歴又は光照射後の反射率・色相変化が少ないなどの少なくとも１以上の効果を奏する白色樹脂絶縁膜付きカバーレイフィルム及びプリント配線板を提供することにある。 - 特許庁

The thin film solar cell includes a transparent conductive film 2, at least one photoelectric conversion unit 3 formed of a semiconductor film and performing a photoelectric conversion, and a back electrode layer 6 sequentially formed on a translucent insulating substrate 1, wherein the photoelectric conversion unit 3 includes the photoelectric conversion layer 32 arranged between two conductivity layers 31, 33 having different conductivities, and at least one layer 33 of the conductivity layers 31, 33 has a cavity.例文帳に追加

透光性絶縁基板１上に順次形成された透明導電膜２と、半導体膜からなり光電変換を行う少なくとも一つの光電変換ユニット３と、裏面電極層６と、を備え、前記光電変換ユニット３は、異なる導電型を有する２つの導電型層３１、３３間に光電変換層３２が配置されてなり、前記導電型層３１、３３のうち少なくとも一つの層３３が空洞を有する。 - 特許庁

This electron emission device includes: electron emission parts formed on a substrate; at least one driving electrode for controlling emission of electrons emitted from the electron emission parts; the focusing electrode for focusing the electrons emitted from the electron emission parts and having an opening through which the electrons pass; and an insulating layer located between the at least one driving electrode and the focusing electrode.例文帳に追加

電子放出素子は，基板上に形成される電子放出部と，電子放出部の電子放出を制御する少なくとも一つの駆動電極と，電子ビーム通過のための開口部を備え，電子放出部から放出された電子を集束させるための集束電極と，少なくとも一つの駆動電極と集束電極との間に位置する絶縁層とを含み，集束電極は，数式１および２の条件の少なくとも一つを満足する。 - 特許庁

The thin film transistor 1 mounted on a substrate 10 includes a source electrode 20a and drain electrode 20b separately disposed each other, an organic semiconductor layer 30 disposed between the source electrode 20a and drain electrode 20b, a gate insulating layer 40 disposed between the organic semiconductor layer 30 and gate electrode 50.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１は、互いに分離して設けられたソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂと、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂ間に介在する有機半導体層３０と、有機半導体層３０とゲート電極５０との間に位置するゲート絶縁層４０とを有する構造をしており、さらに基板１０上に搭載されており、ゲート絶縁層４０は、金属イオンを補足し得るイオン捕捉物質４１を含有している。 - 特許庁

The photodetector incorporated semiconductor device having a photodetector and a signal processing circuit for the insulated and separated photodetector formed on the same semiconductor is constituted by laminating a 1st semiconductor layer having a 1st photodetector; an insulating layer which varies in reflection factor with the wavelength of light, transmits light, and has a specified film thickness; a 2nd photodetector; and the signal processing circuit in order on the semiconductor substrate.例文帳に追加

受光素子と該受光素子の信号処理回路とが同一半導体基板上に絶縁分離して形成された受光素子内蔵半導体装置において、第１の受光素子を備える第１の半導体層と、光の波長により反射率が変わり、かつ光透過性を有する所定の膜厚の絶縁層と、第２の受光素子及び信号処理回路を備える第２の半導体層とが、順に半導体基板上に積層して形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The polishing method of a semiconductor device continuously polishes using a single polishing solution a barrier metal film formed over the entire surface of a substrate, having recesses or an interlayer insulating film and a conductive film made of copper or a copper alloy, formed on the surface of the barrier metal film, such that the recessed parts are embedded.例文帳に追加

凹部を有する基板或いは層間絶縁膜の表面に一面に形成されたバリア金属膜と、該バリア金属膜の表面に前記凹部が埋まるように形成された銅又は銅合金からなる導体膜とを連続的に一つの研磨液で研磨する半導体デバイスの研磨方法であって、上記研磨液が、下記一般式（Ｉ）で表わされるバリア金属膜研磨速度調整剤、アミノ酸、酸化剤および研磨粒子を含有することを特徴とする半導体デバイスの研磨方法。 - 特許庁

This device is characterized in that one of both-side electrode terminals disposed on the opposed both edges on the transparent substrate surface is connected to the line side electrode and the other of the both-side electrode terminals is connected to the row side electrode by the wire on the insulating film.例文帳に追加

本発明に係る有機ＥＬディスプレイ素子は、行側の電極と、有機ＥＬ膜と、列側の電極と、絶縁膜とが透明な基板上に積層された有機ＥＬディスプレイ素子であって、該透明な基板面上の対向する両縁にそれぞれ配置された両側の電極端子の一方と前記行側の電極とが接続され、該両側の電極端子の他方と前記列側の電極とは前記絶縁膜上の配線で接続されていることを特徴とする。 - 特許庁

A light emitting element has a substrate, a plurality of lower electrodes disposed in a stripe shape, a plurality of transparent counter electrodes disposed in a stripe shape, and a luminescent layer disposed between the lower electrode and the transparent counter electrodes, and the display device has an auxiliary electrode disposed on the transparent counter electrodes and a first insulating layer below the auxiliary electrode and between the transparent counter electrode and the lower electrode.例文帳に追加

基板と、ストライプ状に配置される複数の下部電極と、複数の下部電極に交差し、ストライプ状に配置される複数の透明対向電極と、下部電極及び前記透明対向電極との間に配置される発光層と、を有する発光素子であって、透明対向電極上に配置される補助電極と、補助電極の下であって、透明対向電極と下部電極との間に設けられる第一の絶縁層とを有する表示装置。 - 特許庁

This manufacturing method for the organic electroluminescent element comprises a step preparing a substrate provided with a first electrode, an organic film containing at least luminous layer and a second electrode and a step forming the insulating film formed by a reaction of a first radical generated by first gas passing a plasma generation area and a heating body and a second radical generated by second gas passing the heating body on the second electrode.例文帳に追加

第１電極、少なくとも発光層を含む有機膜、および第２電極が形成された基板を準備する段階と、第１ガスがプラズマ発生領域および加熱体を通過することによって形成された第１ラジカルと、第２ガスが加熱体を通過することによって形成された第２ラジカルとが反応して生成した絶縁膜が、前記第２電極上に形成される段階と、を含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法である。 - 特許庁

In a method of manufacturing the Cu-based wiring of a semiconductor device formed by embedding a Cu-Ti alloy directly in a recessed part provided to an insulating film on a semiconductor substrate, the Cu-Ti alloy contains 0.5 to 3.0 atom% of Ti, and is formed by a sputtering method and heated under heating conditions when or after being buried in the recessed part.例文帳に追加

半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部にＣｕ−Ｔｉ合金が直接埋め込まれてなる半導体装置のＣｕ系配線の製造方法であって、前記Ｃｕ−Ｔｉ合金が、Ｔｉを０．５原子％以上３．０原子％以下含むものであり、かつ、前記Ｃｕ−Ｔｉ合金をスパッタリング法で形成し、該Ｃｕ−Ｔｉ合金を前記凹部に埋め込む時または埋め込み後に、該Ｃｕ−Ｔｉ合金を下記加熱条件で加熱する工程を含むことを特徴とする半導体装置のＣｕ系配線の製造方法。 - 特許庁

This manufacturing method comprises a stage where a source electrode 20 and a drain electrode 30 separated by a specified distance are formed on an insulating substrate 10, a stage where a metal layer 40 of several nm thickness is formed between them, and a stage where a specified voltage is applied to them so that moving of metal atom/ion of the metal layer 40 forms a quantum point between them.例文帳に追加

絶縁基板１０上に所定間隔で離隔されたソース電極２０とドレイン電極３０を形成する段階と、ソース電極２０とドレイン電極３０との間に数ｎｍ厚さの金属層４０を形成する段階と、ソース電極２０とドレイン電極３０に所定電圧を印加して金属層４０の金属原子／イオンの移動によりソース電極２０とドレイン電極３０との間に量子点を形成する段階とを含む。 - 特許庁

The thermal transfer image accepting sheet is characterized in that a heat insulating layer containing at least a water-soluble polymer and a foamed hollow polymer and an accepting layer containing a polymer latex which consists of a copolymer including a repeated unit obtained from vinyl chloride and the average particle diameter is less than 1.0 μm are sequentially laminated at least one side of a sheetlike substrate constituted mainly of cellulose pulp.例文帳に追加

セルロースパルプを主成分とするシート状支持体の少なくとも片面上に、少なくとも水溶性ポリマーと既発泡中空ポリマーとを含有する断熱層、および塩化ビニルから得られる繰り返し単位を含む共重合体からなるポリマーラテックスであって該ポリマーラテックスの平均粒子径が１．０μｍ未満であるポリマーラテックスを含有する受容層が順次積層された感熱転写受像シート。 - 特許庁

An EL substrate 300 comprises a base material 301 having transparency, a plurality of organic EL elements which have individual electrodes 303 and organic EL layers 313, respectively and have in common common electrodes 303 opposed to the individual electrodes 303 interposing the organic EL layers 313, an electrically insulating sealing layer 360 covering the organic EL elements, and connection terminals 340 provided opposed to the individual electrodes 303 interposing the sealing layer 360.例文帳に追加

ＥＬ基板３００は、透明性を有する基材３０１と、個別電極３０３と有機ＥＬ層３１３とを各々有すると共に、有機ＥＬ層３１３を挟んで個別電極３０３と対向する共通電極３２３を共通に有する複数の有機ＥＬ素子と、この有機ＥＬ素子を覆う電気絶縁性の封止層３６０と、封止層３６０を挟んで個別電極３０３と対向して設けられた接続端子３４０とを備える。 - 特許庁

To facilitate checking of the quality of packaging by soldering wherein a recess is filled with a metal body in such a way that the side surface of the metal body becomes practically in the same plane as the side surface of an insulating substrate.例文帳に追加

絶縁基板２の上面に合成樹脂のトランスファ成形又は射出形成によるモールド体１３を，当該モールド体における側面１３ａ，１３ｂが前記絶縁基板の側面２ａ，２ｂと同一平面又は略同一平面になるように設ける一方，前記絶縁基板における側面に凹所７，８を設け，この凹所の内面に，端子電極９，１０を形成して成る面実装型電子部品において，半田付け実装の良否の確認が容易にできる。 - 特許庁

To provide a wiring board, on which electronic parts can be mounted at a high density and wires can be laid at high density by directly mounting a semiconductor chip on the board and high connection reliability can be maintained between conductor wiring and an insulating substrate, and a method for manufacturing the board.例文帳に追加

高密度に集積された半導体チップ等の電子部品を高密度に実装するための配線基板において、配線パターンの微細化に伴う配線導体幅の減少が配線導体と絶縁基板との接着強度の低下を招き、配線基板とベアチップの熱膨張係数の差異等によってベアチップを接合した配線導体が絶縁基板から剥離してしまうという課題を解決し、絶縁基板に対して強固な接着性を有する配線導体を備えた配線基板とその製造方法を提供する。 - 特許庁

A second copper foil pattern which becomes a collector potential of a first IGBT, a third copper foil pattern which becomes an emitter potential of the first IGBT and a collector potential of a second IGBT, and a fourth copper foil pattern which becomes an emitter potential of the second IGBT are arranged on the insulating substrate so as to surround the first copper foil pattern from three directions or four directions.例文帳に追加

双方向スイッチ素子を搭載する第１の銅はくパターンを絶縁基板上の概ね中央部に配置し、このパターンを３方又は４方から囲むように、第１のＩＧＢＴのコレクタ電位となる第２の銅はくパターンと、第１のＩＧＢＴのエミッタ電位と第２のＩＧＢＴのコレクタ電位となる第３の銅はくパターンと、前記第２のＩＧＢＴのエミッタ電位となる第４の銅はくパターンとを前記絶縁基板上に配置する。 - 特許庁

A bare chip embedded printed circuit board characterized by including an insulating substrate in which a through hole is formed, a filler material with which the inside of the through hole is filled, a bare chip embedded in the filler material so that an electrode pad formed on one plane is exposed to the surface of the filler material, and an electrode bump attached to the surface of the electrode pad.例文帳に追加

本発明は、（Ａ）基板の内部にベアチップを電極パッドが露出されるように内蔵する段階と、（Ｂ）電極パッド表面に電極バンプを形成する段階とを含むベアチップ内蔵型印刷回路基板の製造方法は、既存のベアチップの状態で進行された再配線工程が印刷回路基板の一般製造工程中で可能となり工程の単純化及び低費用のベアチップ内蔵型印刷回路基板の量産体制を構築することができる。 - 特許庁

A manufacturing method of the electron emitting element comprises a process to prepare beforehand a substrate having an insulating or a semi-conductive layer, and a process to expose the layer in an atmosphere including a neutral radical containing hydrogen.例文帳に追加

電子放出素子の製造方法は、絶縁性または半導電性の層を備えた基体を予め用意する工程と、水素を含む中性ラジカルを含む雰囲気に前記層を曝す工程とを有し、当該絶縁性または半導電性の層が金属粒子を含有していること、当該絶縁性または半導電性の層が炭素を主成分とすること、当該水素を含む中性ラジカルが、Ｈ・、ＣＨ_３・、Ｃ_２Ｈ_５・、Ｃ_２Ｈ・、または、それらの混合気体であること、当該水素を含む中性ラジカルの濃度が、当該雰囲気中の荷電粒子の濃度と比較して１０００倍以上であること、及び、当該雰囲気に当該絶縁性または半導電性の層を曝す工程は、バイアスグリッドを設けたプラズマ装置を用いて、水素終端を施す工程であることが好ましい。 - 特許庁

The voltage keeping capacitor comprises the common electrode (20) of capacitors formed on the substrate, a conductive film simultaneously formed with a gate insulating film (24) formed on the common electrode of the capacitor, a storage electrode (27', 33-1) of the capacitor, comprising the conductive film formed in the conductive film, and a transparent electrode formed on the storage electrode.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置は、絶縁体からなる透明基板（１）上に複数のゲート配線及びデータ配線がマトリックス形態となっており、各配線の交差点にゲート、ソース、ドレイン電極に連結されている複数の画素電極（３３）と、画素電極に連結された電圧維持用コンデンサを有する液晶表示装置において、電圧維持用コンデンサが、基板上に形成されたコンデンサの共通電極（２０）と、コンデンサの共通電極上に形成されたゲート絶縁膜（２４）と同一に形成された導電膜と、導電膜に形成された導電体膜からなるコンデンサの貯蔵電極（２７’、３３−１）と、貯蔵電極上に形成された透明電極からなるものである。 - 特許庁