「insulating substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(187ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor module for power conversion comprises an insulating substrate (10), an electrode wiring layer (11A) provided on one major surface thereof, and a switching element (12) and a circulation diode (13) mounted on the electrode wiring layer wherein thermal resistance against diffusion of heat generated from the circulation diode is lower than thermal resistance against diffusion of heat generated from the switching element.例文帳に追加

絶縁基板（１０）と、その一方の主面上に設けられた電極配線層（１１Ａ）と、その電極配線層の上にマウントされたスイッチング素子（１２）及び還流ダイオード（１３）と、を備えた電力変換用の半導体モジュールであって、還流ダイオードにおいて生じた熱の拡散に対する熱抵抗が、スイッチング素子において生じた熱の拡散に対する熱抵抗よりも小さいものとする。 - 特許庁

The nonvolatile memory device comprises: a semiconductor substrate having a body and a pair of fins projecting upward from the body; an embedded insulating layer which is embedded between the pair of fins; a pair of floating gate electrodes that are formed on each outer side of the pair of fins to be higher than the pair of fins; and control gate electrodes formed on the pair of floating gate electrodes.例文帳に追加

ボディ及びそのボディから上向きに突出した一対のフィンを備える半導体基板と、一対のフィンの間を埋め込む埋没絶縁層と、一対のフィンそれぞれの外側面上に形成され、一対のフィンの高さより高く形成された一対のフローティングゲート電極と、一対のフローティングゲート電極上の制御ゲート電極と、を備える不揮発性メモリ素子。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition excellent in adhesion to a substrate in a development step and after moisture treatment and in storage stability, a cured film composed of a cured product of the positive photosensitive resin composition, a protective film and an insulating film composed of the cured film, a semiconductor device and a display device.例文帳に追加

現像工程及び湿度処理後の基板との密着性、及び保存安定性に優れたポジ型感光性樹脂組成物を、また、前記ポジ型感光性樹脂組成物の硬化物で構成されている硬化膜を、さらに、前記硬化膜で構成されている保護膜、絶縁膜、半導体装置及び表示体装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

The method comprises a first process of applying a solution containing the overhydrogenated silazane polymer on a substrate 110, a second process of forming a film 108 containing the overhydrogenated silazane polymer by heating the solution, and a third process of turning the film 108 into an insulating film containing silicon and oxygen by subjecting the film 108 to an oxidation treatment in a reduced-pressure atmosphere 110 of water vapor.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、基板１１０上に過水素化シラザン重合体を含む溶液を塗布する工程と、前記溶液を加熱して、過水素化シラザン重合体を含む膜１０８を形成する工程と、減圧下の水蒸気雰囲気１１０中で膜１０８を酸化処理して、膜１０８をシリコンおよび酸素を含む絶縁膜に変える工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

A planar heating element is constructed of at least a pair of electrodes 3A, 3B arranged on an electric insulating substrate 2 and a polymer resistor 4 connected electrically to the pair of electrodes 3A, 3B, the polymer resistor 4 is formed of a thermoplastic resin and fine powder of carbon material, and the carbon material is made a thin film-piece shape.例文帳に追加

電気絶縁性基材２上に配設された少なくとも１対の電極３Ａ，３Ｂと、前記１対の電極３Ａ，３Ｂと電気的に接続された高分子抵抗体４とからなり、この高分子抵抗体４は熱可塑性樹脂および炭素材料の微粉末で形成され、かつ、前記炭素材料を薄片状としたことを特徴とするものである。 - 特許庁

In this semiconductor element housing package (wiring board) 1, wiring layers 3 are formed on and/or in an insulating substrate 2 composed of a glass ceramic prepared by scattering a ceramic filler having an aspect ratio of ≥4 and a degrees of orientation of ≥50% in glass and/or a matrix prepared by crystallizing the glass.例文帳に追加

ガラスおよび／またはそれが結晶化したマトリックス中に、アスペクト比が４以上、かつ配向度が５０％以上のセラミックフィラーを分散してなるガラスセラミックスからなる絶縁基板２の表面および／または内部に配線層３を形成してなる半導体素子収納用パッケージ（配線基板）１を作製する。 - 特許庁

The detection coil 4 is provided with a toroidal coil 42 obtained by successively connecting a plurality of radiated lines 41 formed on both sides of insulating substrate 22 within the printed circuit board 2 around the opening 3 by through holes 7a to 7c at their both ends.例文帳に追加

検出用コイル４は、プリント基板２内の絶縁性基板２２の開口３周囲の表裏両面に形成された複数の放射状ライン４１を、それらの両端部で貫通スルーホール７ａ乃至７ｃにより連続して接続されたトロイダルコイル４２を備え、このコイル４２を巻き進みコイル４３と巻き戻しコイル４４とに二重形成して直列接続して形成される。 - 特許庁

In a thin film semiconductor element equipped with a semiconductor film 5 on a substrate 1, source/drain electrodes 24 and 23 connected with the semiconductor film 5, and a gate electrode 14 that is arranged on the semiconductor film 5 through an insulating film 6, the film thickness of the source/drain electrodes 24 and 23 is thinner than the film thickness of the gate electrode 14.例文帳に追加

基板１に半導体膜５と、当該半導体膜５に接続されたソース／ドレイン電極２４、２３と、前記半導体膜５に絶縁膜６を介して配置されたゲート電極１４とを具備する薄膜半導体素子において、前記ゲート電極１４の膜厚よりも前記ソース／ドレイン電極２４、２３の膜厚が薄いことを特徴とする。 - 特許庁

The light emitting element array has a P-type first semiconductor layer, an N-type second semiconductor layer, a P-type third semiconductor layer, and an N-type fourth semiconductor layer formed in order on a semi-insulating substrate, and also has an anode electrode formed on the first semiconductor layer and a cathode electrode 30 formed on the fourth semiconductor layer 28.例文帳に追加

発光素子アレイは、半絶縁性基板上に、順次、Ｐ型の第１半導体層、Ｎ型の第２半導体層、Ｐ型の第３半導体層、Ｎ型の第４半導体層が形成され、第１半導体層上にアノード電極が形成され、第４半導体層２８上にカソード電極３０が形成されて構成される。 - 特許庁

The gate insulating film 13 and the gate electrode 14 of an nMOS transistor are formed with amorphous silicon on a silicon substrate 10, and n-type dopant such as As or Sb whose mass number is relatively large (the mass number is 70 or more) is injected by using the gate electrode 14 as a mask to form the source/drain area of the nMOS transistor.例文帳に追加

シリコン基板１０上にｎＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜１３およびゲート電極１４を非晶質シリコンで形成し、ゲート電極１４をマスクとして例えばＡｓやＳｂ等の比較的質量数が大きい（質量数７０以上）ｎ型ドーパントを注入するすることで、ｎＭＯＳトランジスタのソースドレイン領域を形成する。 - 特許庁

After a conductive film 135, an oxidizing blocking film 160, and a photoresist film 165 are conformably formed in this order on a substrate where a pattern that comprises a floating gate 120 and an insulating film 121 between gates and has a step is formed, and a photoresist 165P for partially exposing one portion of the oxidizing blocking film 160 is formed.例文帳に追加

フローティングゲート１２０とゲート間絶縁膜１２１とから成る段差付きパターンが形成されている基板上に導電膜１３５、酸化ブロッキング膜１６０及びフォトレジスト膜１６５をこの順に整合的に形成した後、酸化ブロッキング膜１６０の一部を露出させるフォトレジスト１６５Ｐを形成する。 - 特許庁

The display device 10 comprises, on a first substrate 12, a semiconductor film constituting a thin film transistor 23, a pixel electrode 27, a terminal part 34 and a TEG 28 provided in a wiring non-forming area, and a manufacturing process management mark part 29 provided on the semiconductor film constituting the TEG 28 through at least one insulating layer.例文帳に追加

表示装置１０は、第１基板１２において、薄膜トランジスタ２３、画素電極２７、端子部３４及び配線の非形成領域に設けられたＴＥＧ２８を構成する半導体膜と、ＴＥＧ２８を構成する半導体膜上に少なくとも１層の絶縁層を介して設けられた製造工程管理用マーク部２９と、を備える。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition for a circuit layer-to- layer adhesive developable with an aqueous developing solution using no organic solvent, excellent in various characteristics necessary for the insulating layer of a multilayer wiring board, e.g. adhesion to a substrate and having particularly superior heat resistance and to provide a high reliability printed wiring board using the composition.例文帳に追加

有機溶剤を使用しない水系の現像液で現像が可能で、基材への密着性など多層配線板の絶縁層に必要とされる諸特性に優れ、且つ、特に優れた耐熱性を持つ、回路層間接着剤用感光性樹脂組成物、及びそれを用いた信頼性の高いプリント配線板を提供する。 - 特許庁

To prevent a variation of a crystal state due to a change of a collecting beam shape (width of minor axis) of radiating laser beam caused from a heat lens effect of an objective lens produced when forming a belt polycrystal, by scanning a continually oscillating laser beam onto a desired area of an amorphous or granular polycrystal silicon film formed on an insulating substrate.例文帳に追加

絶縁基板上に形成された非晶質あるいは粒状多結晶シリコン膜の所望の領域に、連続発振レーザ光を走査して帯状多結晶領域を形成するに際の対物レンズの熱レンズ効果発生に伴う照射レーザ光の集光ビーム形（短軸幅）の変化による結晶状態の変動を防止する。 - 特許庁

A word line WL which functions as the gate electrode of the selective MISFET of a DRAM is made on the main surface of a semiconductor substrate, and then, plugs (a connecting plug BP and a plug made in a pattern SNCT) to be connected with the source and drain regions of the MISFET are made in the insulating film covering the word line WL.例文帳に追加

半導体基板の主面上にＤＲＡＭの選択ＭＩＳＦＥＴのゲート電極として機能するワード線ＷＬを形成した後、ワード線ＷＬを覆う絶縁膜にＭＩＳＦＥＴのソース、ドレイン領域と接続するプラグ（接続プラグＢＰおよびパターンＳＮＣＴに形成されるプラグ）を形成する。 - 特許庁

The waveguide type semiconductor optical device 20 is a waveguide type semiconductor optical device with the pin type junction structure comprising n-type cladding layers 2, 3, an i-type absorption layer 4 and p-type cladding layer 6 formed on a semi-insulating substrate 1 wherein an impurity concentration in the i-type absorption layer is 10^16 cm^-3 or less.例文帳に追加

導波路型半導体光デバイス２０は、半絶縁性基板１上に、ｎ型クラッド層２、３、ｉ型吸収層４及びｐ型クラッド層６とからなるｐｉｎ型接合構造を形成した導波路型半導体光デバイスであって、前記ｉ型吸収層における不純物濃度が１０^１６ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

The method for processing a semiconductor substrate includes a first processing step for polishing the metal layer on a barrier layer, a second processing step for oxidizing the metal layer left on the insulating layer by supplying an oxidizing processing liquid after the first processing step, and a third processing step for polishing the oxidized metal layer with a chemical/mechanical water system dispersing element after the second processing step.例文帳に追加

本発明の半導体基板の処理方法は、バリア層上の金属層を研磨する第１の処理工程と、前記第１の処理工程後において、前記絶縁層の上に残留する金属層を、酸化性の処理液を供給することにより酸化させる第２の処理工程と、前記第２の処理工程後において、酸化処理された金属層を、化学機械研磨用水系分散体を用いて研磨する第３の処理工程と、を含む。 - 特許庁

A plurality of conductive connectors 10 are provided in parallel on an insulating substrate 1 and their both ends are protruded and the upper end of each conductive connector 10 is made opposed conductibly to a plurality of land electrodes 24 of an printed-circuit board 21 of a microphone 20, and each conductive connector 10 is integrated as an input and output part of the microphone 20.例文帳に追加

絶縁性基板１に複数の導電接続子１０を並設してその上下両端部を突出させ、各導電接続子１０の上端部をマイクロホン２０のプリント基板２１における複数のランド電極２４に導通可能に対向させ、各導電接続子１０をマイクロホン２０の入出力部として一体化する。 - 特許庁

This non-contact data carrier 42 has 1st and 2nd antenna coils composed of a circulating line pattern formed on one surface 39A of an insulating substrate 39 and an IC chip 38 connected to one end of the inner circumferential side of the 1st antenna coil and one end of the inner circumferential side of the 2nd antenna coil.例文帳に追加

非接触式データキャリア４２は、絶縁基材３９の一方の面３９Ａに形成された周回する線パターンからなる第１および第２のアンテナコイルと、第１のアンテナコイルの内周側の一端と第２のアンテナコイルの内周側の一端とに接続されたＩＣチップ３８とを有する。 - 特許庁

At the single crystallization of a non-single crystal thin film, conditions of heat treatment, e.g. laser irradiation, are set such that polycrystalline particles are arranged substantially regularly on an insulating substrate 31 and heat treatment is performed while keeping a surface state where polycrystalline particles are arranged substantially regularly thus forming a single crystal thin film 34 having a structure of advanced crystallization.例文帳に追加

非単結晶薄膜を単結晶化するに際して、レーザー照射などの熱処理の条件を絶縁基板３１上で多結晶粒が略規則的に整列される条件とし、略規則的に整列された多結晶粒の表面状態のままに熱処理することで結晶化が進んだ構造の単結晶薄膜３４が形成される。 - 特許庁

In the sealing ring 30 for crack stoppers, namely a laminated structure formed on a semiconductor substrate 11 outside the integrated circuit region 31, first, second, and third dummy metal layers 20, 21, 22 are laminated while sandwiching first, second, and third interlayer insulating films 12, 14, 16, respectively.例文帳に追加

クラックストッパ用シールリング３０は、集積回路領域３１の外の半導体基板１１上に形成された積層構造体であり、第１ダミー金属層２０、第２ダミー金属層２１、第３ダミー金属層２２が、それぞれ、第１層間絶縁膜１２、第２層間絶縁膜１４、第３層間絶縁膜１６を間に挟んで積層されている。 - 特許庁

The semiconductor device has a trench 102 formed in the interlayer insulating film 101 on a semiconductor substrate, a first barrier metal film 103 formed to cover a bottom portion and a sidewall of the trench 102 and made of a conductor containing a platinum group element, high-melting-point metal and nitrogen, and a metal film 105 formed in the trench 102 on the first barrier metal film 103.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板上の層間絶縁膜１０１に形成されたトレンチ１０２と、トレンチ１０２の底部及び側壁を覆うように形成され、白金族元素、高融点金属及び窒素を含有する導電体からなる第１のバリアメタル膜１０３と、トレンチ１０２において、第１のバリアメタル膜１０３上に形成された金属膜１０５とを備える。 - 特許庁

The substrate has power source wirings 22 supplying a power source potential to the semiconductor chips 19a, 19b, ground wirings 23 supplying a ground potential to the chips 19a, 19b, output wirings 21a, 21b to which output signals from the chips 19a, 19b are supplied and an insulating film 11 covering the output wirings 21a, 21b.例文帳に追加

半導体チップ１９ａ，１９ｂに電源電位を供給する電源配線２２と、半導体チップ１９ａ，１９ｂに接地電位を供給する接地配線２３と、半導体チップ１９ａ，１９ｂからの出力信号が供給される出力配線２１ａ，２１ｂと、出力配線２１ａ，２１ｂを覆う絶縁膜１１とを有する。 - 特許庁

A substrate 1 is provided with pixels 300 arranged in a two-dimensional shape, a first connection electrode 10 formed at the periphery of the pixels 300, and lead-out wirings Lsig1001 to Lsig1200, Lg1001 to Lg1200 which are formed below the first connection electrode 10 via an insulating layer 3 and connect the first connection electrode 10 with the respective pixels 300.例文帳に追加

基板１に、二次元状に配列された画素３００と、画素３００の周辺に形成された第１の接続電極１０と、第１の接続電極１０の下に絶縁層３を介して形成された第１の接続電極１０と各画素３００とを接続する引き出し配線Ｌｓｉｇ１００１〜Ｌｓｉｇ１２００，Ｌｇ１００１〜Ｌｇ１２００とを備える。 - 特許庁

In the method of manufacturing a charge transfer device in which a first charge transfer electrode 35 and a second charge transfer electrode 37 are arranged, a first conductive layer 32 is formed on a gate insulating film 31 of a semiconductor substrate, an oxygen diffusing functional film 33 is formed on the first conductive layer 32, and then a second conductive layer 34 is formed.例文帳に追加

第１電荷転送電極３５と第２電荷転送電極３７とが配置された電荷転送素子の製造方法において、半導体基板のゲート絶縁膜３１上に第１導電体層３２を成膜し、この第１導電体層３２上に酸素拡散性機能膜３３を形成した後に第２導電体層３４を成膜する。 - 特許庁

In the liquid crystal display device provided with first and second substrates and a liquid crystal layer injected between the substrates, at least one substrate out of the first and second substrates has a construction in which an alignment layer 11 having regions with mutually different surface energy, an insulating film 10 and the electrodes 4, 9 are provided from the liquid crystal layer 3 side.例文帳に追加

第１の基板と第２の基板と当該基板間に注入された液晶層とを有する液晶表示装置において、第１の基板および第２の基板のうち少なくとも一方の基板が、液晶層３の側から、表面エネルギーの異なる領域を有する配向膜１１、絶縁膜１０、および電極４、９を備える構成とすることにより、上記課題を解決した。 - 特許庁

The above problem is solved by heat sink equipment for providing electrical insulating properties to an integrally shielded electronic circuit, comprising a substrate having a first hole extending between first and second surfaces, a conductive layer attached to the second surface, an electrically and thermally conductive heat sink attached to the first surface and having a protrusion.例文帳に追加

上記課題は、第一及び第二の面間に延びる第一の穴を有する基板と、第二の面に取り付けられた導電層と、第一の面に取り付けられた、突起を有する電気的及び熱的に伝導性のヒートシンクとを含む、一体的にシールドされた電子回路に電気絶縁性を提供するヒートシンク装置により解決される。 - 特許庁

A second element isolation insulating layer in a peripheral region includes the first oxide film that is embedded in the entirety of a second element isolation groove in the peripheral region and whose top surface protrudes above the top surface of the semiconductor substrate and a second oxide film that is stacked on the first oxide film and whose top surface protrudes above the top surface of a first conductive film.例文帳に追加

周辺領域の第２素子分離絶縁層は、周辺領域の第２素子分離溝内の全体に埋込まれると共にその上面が半導体基板の上面の上方に突出した第１の酸化膜と、当該第１の酸化膜上に積層され、その上面が第１導電膜の上面より上方に突出している第２の酸化膜とで構成されている。 - 特許庁

In the manufacturing process of a piezoelectric actuator 16A where a lower electrode film 30, a piezoelectric film 32, and an upper electrode film 34 sequentially overlie a substrate 22 having an insulating layer 26 on the surface, a plurality of upper electrode films are led out individually to the surface different from the surface where the upper electrode film is arranged and then interconnected as a common electrode.例文帳に追加

表面に絶縁層２６が形成された基板２２上に下部電極膜３０、圧電体膜３２、及び上部電極膜３４が順次積層された圧電アクチュエータ１６Ａの製造方法であって、複数の上部電極膜を上部電極膜が配置される面とは異なる面にそれぞれ個別に引き出してから互いに接続して共通電極とする圧電アクチュエータの製造方法の提供。 - 特許庁

The through-hole comprises a center hole 3a and an escape hole 3b, continuously connecting in the outward direction of the center hole, and an angle part 2b is formed in the insulating substrate by the center hole and the escape hole and the connecting land part is not provided in the angle part.例文帳に追加

絶縁基板２と、該絶縁基板に設けられた貫通孔３と、絶縁基板の貫通孔に臨む外周縁３ｃに沿って設けた対向する接続用ランド部４とを備え、貫通孔は、中心孔３ａと、該中心孔の外方に連接した逃げ孔３ｂとから成り、中心孔と逃げ孔とで絶縁基板に角部２ｂが形成され、接続用ランド部が、角部には設けられていないこと。 - 特許庁

The thin-film transistor 100 includes, as indicated in Fig.1, a substrate 11, a gate electrode 112, a gate insulating film 113, a semiconductor layer (channel region) 114, an etching stopper film 115, heavily doped amorphous silicon layers 116 and 117, a drain electrode 118, a source electrode 119, and lightly doped semiconductor layers 120 and 121.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１００は、図１に示すように、基板１１と、ゲート電極１１２と、ゲート絶縁膜１１３と、半導体層（チャンネル領域）１１４と、エッチングストッパ膜１１５と、高濃度不純物含有アモルファスシリコン層１１６，１１７と、ドレイン電極１１８と、ソース電極１１９と、低濃度不純物含有半導体層１２０，１２１を備える。 - 特許庁

A first interlayer insulating film 205 is formed on a semiconductor substrate 201 where an element isolation film 202 and a Tr are formed, then a bit line connection hole 206 and a connection conduction pad connection hole 207 are provided, and a first conductive layer is formed and patterned for the formation of a bit line 208 and a connection conduction pad 209.例文帳に追加

素子分離膜２０２とＴｒが形成された半導体基板２０１上に第１層間絶縁膜２０５を形成後、ビット線用接続孔２０６と接続導通パッド用接続孔２０７を形成し、全体の上に第１伝導層を形成しパターニングしてビット線２０８及び接続導通パッド２０９を形成する。 - 特許庁

The display substrate includes a gate line formed so as to be extended in the horizontal direction in the display region, a data line formed so as to be extended in the longitudinal direction on a gate insulating film which insulates the gate line in the display region and a gate driving circuit part formed in the first peripheral region adjacent to the first terminal part of the gate line.例文帳に追加

表示基板は、表示領域で横方向に延長されて形成されるゲートライン、表示領域でゲートラインを絶縁させるゲート絶縁膜上に縦方向に延長されて形成されるデータライン、及びゲートラインの第１端部と隣接した第１周辺領域に形成されるゲート駆動回路部を含む。 - 特許庁

To enhance photoelectric conversion efficiency and reliability by making an electrolyte layer thin and uniform, enhancing conversion efficiency and reliability, and further, by enlarging a volume of electrolyte, since a thickness of the electrolyte layer hitherto decided by gaps between two substrates is decided by a thickness of a permeating layer retaining electrolyte solution independent of the gaps, by integrally laminating each layer on a sheet of insulating first substrate.例文帳に追加

１枚の絶縁性の第１の基板上に各層を一体的に積層することにより、従来２枚の基板間の隙間で決定されていた電解質層の厚みが、その隙間に依存せずに電解質の溶液を保持した浸透層の厚みで決まるので、電解質層を薄くかつ均一化して、変換効率及び信頼性を高め、さらに電解質の体積を大きくするによって、光電変換効率及び信頼性を高めること。 - 特許庁

The device achieves high bandwidth by utilizing a buried insulating layer to isolate carriers generated in the underlying substrate, high quantum efficiency over a broad spectrum by utilizing the Ge absorbing layer, low voltage operation by utilizing a thin absorbing layer and narrow electrode spacings, and compatibility with CMOS devices by virtue of its planar structure and use of the group IV absorbing material.例文帳に追加

本デバイスは、下の基板で生成されたキャリアを分離するために埋込み絶縁物を利用して高帯域幅を、Ｇｅ吸収層を利用して広いスペクトルにわたった高量子効率を、薄い吸収層および狭い電極間隔を利用して低電圧動作を、さらに平面構造およびIV族吸収材料の使用によってＣＭＯＳデバイスとの共存性を、達成する。 - 特許庁

When the back metal electrode film 7a (or, a side metal electrode film 7b) has an electric field of a potential applied thereon and higher than that of an epitaxial resistor 3, a hole-injection from the side of the back metal electrode film 7a (or, the side metal electrode film 7b) to the semi-insulating GaAs substrate 1 can be prevented.例文帳に追加

このような構造とすることにより、裏面金属電極膜７ａ（または側面金属電極膜７ｂ）がエピタキシャル抵抗部３より高電位となるような電界を印加する場合、裏面金属電極膜７ａ（または側面金属電極膜７ｂ）側から半絶縁性GaAs基板１へホール注入されるのを防止することができる。 - 特許庁

The forming resin insulating layer (2) is fitted on an interior/ exterior wall material, a floor ceiling material, a roof substrate, and the like, via cylindrical, hard plastic spacers (3) for nails, machine screws, anchors, and the like for fitting, so that the ventilating layer (1) is formed.例文帳に追加

内外断熱構造、及び、工法は、建築物の内外壁材、及び、床天井材、並びに、屋根下地等に、通気層（１）と断熱材と内外装材が三位一体となる発泡樹脂断熱層（２）に埋設した、円筒状の硬質プラスチックスペーサ（３）を介して、釘、ビス、アンカー等で、内外壁材、及び、床天井材、屋根下地材等に取り付けして通気層（１）を形成する事を特徴とする。 - 特許庁

The check land 2a is formed on the surface layer 12 of the multilayer printed wiring substrate 20 composed of at least two layers; and the just-below portion 29 of the check land 2a of the surface layer 12 is formed as an insulating layer, a unconnected land of a punch hole shaped pattern 22 or a dummy pattern 23, or a nonconductive punch portion.例文帳に追加

少なくとも２層以上で構成される多層プリント配線基板２０の表層１２にチェックランド２ａが形成され、この表層１２のチェックランド２ａの直下部２９を絶縁層、或いは抜き穴状パターン２２又はダミーパターン２３の未接続ランド或いは非導電性の打ち抜き部を形成する。 - 特許庁

The circuit board in which a plurality of wiring patterns 13 are arranged on one main surface of an insulating substrate 11 and the one main surface includes an electrode formation region 10 which turns to an electronic component installation electrode by arranging conductive adhesive agent, is characterized by including a flow prevention projection 12 of the conductive adhesive agent arranged at a part of ambients at least of an electrode formation region 10.例文帳に追加

絶縁性基板１１の一方の主面に複数の配線パターン１３が配置された回路基板であって、上記一方の主面が、導電性接着剤が配置されることにより電子部品設置用電極となる電極形成領域１０を含み、電極形成領域１０の周囲の少なくとも一部に配置された前記導電性接着剤の流れ防止突起１２を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device includes a circuit pattern (4) located on a semiconductor substrate, a pair of contact holes (1) positioned in the surrounding of the circuit pattern, and a reference wiring pattern (2) located on an upper layer of an insulating film, on which the pair of contact holes is provided so as to be connected with the pair of holes.例文帳に追加

本発明による半導体装置は、半導体基板上に設けられた回路パターン（４）と、前記回路パターンの周囲に配置されたコンタクトホール対（１）と、前記コンタクトホール対が設けられた絶縁膜の上層に前記コンタクトホール対と接続するように設けられた基準配線パターン（２）とを具備している。 - 特許庁

The resister 5 is formed as a resistor exhibiting a negative temperature coefficient of resistance by including either or both of cobalt and manganese, and having a film shape so that the whole body is directly brought into contact with the insulating substrate 2, and a pair of film-shaped electrode patterns 7, 8 to the resister 5 are formed so as to be partially overlapped with both ends of the resister 5.例文帳に追加

前記抵抗体５を、コバルト及びマンガンのうちいずれか一方又は両方を含んで負の抵抗温度係数を呈する抵抗体にして、その全体が前記絶縁基板２に直接接触するように膜状にして形成するとともに、この抵抗体５に対する一対の膜状電極パターン７，８を、前記抵抗体５の両端に一部重なるように形成する。 - 特許庁

The thin film transistor includes: a gate electrode formed on a substrate; an active layer insulated from the gate electrode by a gate insulating film and composed of a compound semiconductor containing oxygen; a protection layer formed on the active layer; and a source electrode and a drain electrode which are brought into contact with the active layer: wherein the protection layer is composed of an oxide containing inorganics having bonding strength with oxygen.例文帳に追加

基板上に形成されたゲート電極と、ゲート絶縁膜によりゲート電極から絶縁され、酸素を含む化合物半導体からなる活性層と、活性層上に形成された保護層と、活性層と接触するソース電極及びドレイン電極とを備え、保護層が、酸素との結合力を有する無機物を含む酸化物からなる。 - 特許庁

To provide a method of chemical-mechanical polishing a semiconductor substrate for substantially reducing the occurrence of scratch and separation at the outer periphery and having an excellent polishing rate of a metal film which is a wiring material even though the film is a low dielectric insulating film with low mechanical strength, and to provide an aqueous dispersing fluid for chemical-mechanical polishing used for the method.例文帳に追加

機械的強度が小さい低誘電絶縁膜であっても、スクラッチの発生や外周部における剥がれを大幅に低減可能であり、かつ配線材料たる金属膜の研磨速度に優れた半導体基板の化学機械研磨方法およびそのために用いられる化学機械研磨用水系分散体を提供すること。 - 特許庁

A cathode-ray tube comprises an electron gun, and a resistor 16 that divides a high voltage applied to one electron gun electrode by a resistance layer formed on an insulating substrate and feed a medium voltage lower than the high voltage to at least one electrode other than the electrode with applied high voltage, a resistance layer of a resistor being formed from at least 2 kinds of conductive particles having different grain diameter.例文帳に追加

電子銃8 と、絶縁基板に形成された抵抗層により電子銃の電極の１つに印加される高電圧を抵抗分割してその高電圧よりも低い中位の電圧を高電圧の印加される電極以外の少なくとも１つの電極に供給する抵抗器16を有る陰極線管において、抵抗器の抵抗層を粒子径の異なる２種類以上の導電粒子で構成した。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises a step (a) for forming a semiconductor element on a semiconductor substrate, a step (b) for depositing an SiC:H film by repeating growth and stopping growth two times or more under a low pressure atmosphere, and a step (c) for forming an insulating cap layer on the SiC film or the SiC:H film.例文帳に追加

（ａ）半導体基板に半導体素子を形成する工程と、（ｂ）ＳｉＣ：Ｈ膜の成膜方法は、成長、成長停止を繰り返して、減圧雰囲気下で２回以上に分割してＳｉＣ：Ｈ膜を成膜する工程と、（ｃ）前記ＳｉＣ膜またはＳｉＣ：Ｈ膜上に絶縁キャップ層を成膜する工程とを含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁