「insulating substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(190ページ目) - Weblio英語例文検索

An electrostatic chuck 1410, for electrostatically sucking and holding a wafer, is composed of a substrate 1405, an electrode plate 1412, and an insulating layer 1404 overlapped, and generates a suction force between the wafer and the chuck by applying to an electrode plate of the electrostatic chuck a voltage linked to a voltage applied to the wafer, increasing or decreasing from 0 volt to a prescribed voltage with time.例文帳に追加

ウェハを静電的に吸着保持する静電チャック１４１０は、基板１４０５、電極１４１２板及び絶縁層１４０４を重ねて成り、ウェハの印加電圧が０ボルトから所定電圧まで時間とともに増大又は減少されるのに連動する電圧を静電チャックの電極板に印加することにより、ウェハとチャックの間に吸引力を発生する。 - 特許庁

A semiconductor storage apparatus has: impurity diffusion layers 103 and 104 that are a part of a semiconductor substrate 100, and function as one of and the other of an anode and a cathode of a pn junction diode, respectively; a recording layer PC connected to the impurity diffusion layer 104; and a cylindrical side wall insulating film 106 provided on the impurity diffusion layer 103.例文帳に追加

半導体基板１００の一部であり、それぞれｐｎ接合ダイオードのアノード及びカソードの一方及び他方として機能する不純物拡散層１０３，１０４と、不純物拡散層１０４に接続された記録層ＰＣと、不純物拡散層１０３上に設けられた筒状のサイドウォール絶縁膜１０６とを備える。 - 特許庁

The electronic device 10 of this invention comprises a substrate 11, insulating layers 12 and 22, a connection electrode 14, an external connection electrode 15, wiring layers 16a and 16b which are connection parts, a power supply bypass capacitor 18 and a DC cut capacitor 19 as an example of the electric circuit element, a circuit 20 and connection wiring 21.例文帳に追加

本発明の電子デバイス１０は、基板１１、絶縁層１２，２２、接続電極１４、外部接続電極１５、接続部である配線層１６ａ，１６ｂ、電気回路素子の一例としての電源バイパスコンデンサ１８およびＤＣカットコンデンサ１９、回路２０および接続配線２１から構成されている。 - 特許庁

A semiconductor device includes a plurality of source diffusion layers 110 and a plurality of drain diffusion layers 111 (Fins) in the shape of rectangular parallelepiped which are formed on a substrate 100 consisting of silicon and arranged in parallel with a space therebetween, and a gate electrode 106 formed on the plurality of Fins while intersecting each Fin with a gate insulating film 105 therebetween.例文帳に追加

半導体装置は、シリコンからなる基板１００の上に形成され、それぞれ互いに間隔をおき且つ並列に配置された直方体状の複数のソース拡散層１１０及び複数のドレイン拡散層１１１（Ｆｉｎ部）と、複数のＦｉｎ部の上に、各Ｆｉｎ部と交差すると共にそれぞれゲート絶縁膜１０５を介在させて形成されたゲート電極１０６とを有している。 - 特許庁

The semiconductor memory device has a lower electrode 12 formed on a substrate 11, the ferrodielectric film 13 formed on the lower electrode 12, a source electrode 14 and a drain electrode 15 arranged at a space on the ferrodielectric film 13, and an insulating film 16 formed between the source electrode 14 and the drain electrode 15.例文帳に追加

半導体記憶装置は、基板１１上に形成された下部電極１２と、下部電極１２の上に形成された強誘電体膜１３と、強誘電体膜１３の上に互いに間隔を置いて配置されたソース電極１４及びドレイン電極１５と、ソース電極１４とドレイン電極１５との間に形成された絶縁膜１６とを備えている。 - 特許庁

The field emission device includes a cathode electrode formed on an insulating surface of the substrate, and a convex electron emission section formed on the surface of the cathode electrode, and the cathode electrode and the electron emitting section are formed with identical crystal semiconductor film, and the electron emission section has a conical shape or a whisker shape.例文帳に追加

本発明に係る電界放出素子は、絶縁性表面を有する基板上に形成されたカソード電極と、前記カソード電極表面に形成された凸形状の電子放出部とを有し、前記カソード電極と前記電子放出部とは、同一の結晶性半導体膜で形成されており、前記電子放出部は、円錐形又はウィスカー状であることを特徴とする。 - 特許庁

In a third mode, a silicon-on insulator radiation detector has a silicon layer formed on the insulating substrate, the silicon layer has the PNPN structure and a gate layer formed thereon, the gate layer has a PN gate, and latch-up occurs only in response to incident radiation in the radiation detector.例文帳に追加

第３の態様は、絶縁基板上に形成されたシリコン層を備えており、このシリコン層が、ＰＮＰＮ構造とＰＮＰＮ構造の上に形成されたゲート層とを備え、このゲート層がＰＮゲートを備えており、放射線検出器内で入射放射線に応答してのみラッチアップが生じる、シリコン・オン・インシュレータ放射線検出器である。 - 特許庁

After forming a conductive layer 12a composed of chromium film or chromium alloy film for a lower electrode on an insulating substrate 11, a resist layer 9 is formed on the conductive layer 12a (fig.(a)), then the conductive layer 12a is patterned by a wet etching process, thereby, the lower electrode 12 is formed (fig.(b)).例文帳に追加

絶縁性基板１１上に下部電極用のクロム膜若しくはクロム合金膜からなる導電性層１２ａを成膜した後、導電性層１２ａ上にレジスト層９を形成し（図１（ａ））、導電性層１２ａをウェットエッチング工程にてパターニングすることで下部電極１２を形成する（図１（ｂ））。 - 特許庁

A plurality of micro inductors 2 which are thin enough to be able to be mounted on a semiconductor wafer or a chip, are simple films having a structure for adjusting an inductance amount in a heat-resistant insulating substrate 1 or are of the same inductance or of different inductance amounts and wiring electrode sections 4 for conducting a required electrical connection with the semiconductor are formed.例文帳に追加

本発明は課題の解決のために半導体ウエハーまたはチップ上に搭載が許されるほどに薄い、耐熱性絶縁基板１にインダクタンス量調整用の構造３を持った膜状の単一の、もしくは同じかあるいは異なるインダクタンス量の複数個の微小インダクター２と半導体と必要な電気的結線をするための配線用電極部４を形成するものである。 - 特許庁

In a nonvolatile semiconductor memory device, a first element isolation insulating layer in a memory cell region is configured by embedding a first oxide film in a first element isolation groove in the memory cell region, and the top surface of the first oxide film exists between the top surface of a semiconductor substrate and the top surface of a first gate electrode.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、メモリセル領域の第１素子分離絶縁層が当該メモリセル領域の第１素子分離溝内に第１の酸化膜を埋め込んで構成され、第１の酸化膜の上面が半導体基板の上面と第１ゲート電極の上面との間に存在するように構成されている。 - 特許庁

After a silicon nitride film 27 and a titanium nitride film 28 are deposited in the order on the semiconductor substrate 1, by patterning the titanium nitride film 28, a capacitor MIM is formed wherein the wiring 25 is set as a lower electrode, the silicon nitride film 27 is made a capacity insulating film and the titanium nitride film 28 is set as an upper electrode.例文帳に追加

次いで、半導体基板１上に窒化シリコン膜２７および窒化チタン膜２８を順次堆積した後、窒化チタン膜２８をパターニングすることによって、配線２５を下部電極とし、窒化シリコン膜２７を容量絶縁膜とし、窒化チタン膜２８を上部電極とするキャパシタＭＩＭを形成する。 - 特許庁

A light-emitting element array is configured by forming a P-type first semiconductor layer, an N-type second semiconductor layer, a P-type third semiconductor layer, and an N-type fourth semiconductor layer sequentially on a semi-insulating substrate, forming an anode electrode on the first semiconductor layer, and forming a cathode electrode on the fourth semiconductor layer.例文帳に追加

発光素子アレイは、半絶縁性基板上に、順次、Ｐ型の第１半導体層、Ｎ型の第２半導体層、Ｐ型の第３半導体層、Ｎ型の第４半導体層が形成され、第１半導体層上にアノード電極が形成され、第４半導体層上にカソード電極が形成されて構成される。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition excellent in both sensitivity and resolution, rapidly developable with only an aqueous alkali solution, excellent also in adhesion to a substrate and capable of giving a light-colored polyimide resin film after imidation and to provide a circuit board having an insulating layer obtained from the photosensitive resin composition.例文帳に追加

感度、解像度ともに優れ、アルカリ水溶液のみによって迅速に現像することができ、しかも、基材との密着性に優れ、さらには、イミド化後に淡色のポリイミド樹脂の皮膜を得ることのできる、感光性樹脂組成物、および、その感光性樹脂組成物から得られる絶縁層を有する、回路基板を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having such a structure that a capacitor can be readily realized, in which a capacitor insulating layer made of a metal oxide dielectric film with perovskite structure is formed, on a lower capacitor electrode which is connected with a semiconductor substrate through a plug electrode and is made of an electric conductive film with perovskite structure.例文帳に追加

プラグ電極を介して半導体基板に接続し、かつペロブスカイト構造を有する導電膜からなる下部キャパシタ電極上に、ペロブスカイト構造を有する金属酸化物誘電体膜からなるキャパシタ絶縁膜が形成されてなるキャパシタを容易に実現できる構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

A substrate 7 formed with switch electrodes 7a in a matrix shape, a spacer 8 formed with holes 8a at positions corresponding to the electrodes 7a, and an insulating sheet 9 formed with electrodes 9a constituting switches together with the electrodes 7a in a matrix shape are laminated to form the main body section 10 of this membrane switch 6.例文帳に追加

メンブレンスイッチ６は、スイッチ用の電極７ａがマトリックス状に形成された基体７と、電極７ａと対応する位置に孔８ａが形成されたスペーサ８と、電極７ａと共同してスイッチを構成する電極９ａがマトリックス状に形成された絶縁シート９とが積層されて本体部10が構成されている。 - 特許庁

A high density Si-doped GaN buffer layer 2 having an Si concentration of 4×10^19cm^-3 or higher is epitaxially grown on a single crystal insulating substrate 1, and the nitride semiconductor layer 3, having a crystal structure of a single crystal is formed by an epitaxially growing method.例文帳に追加

単結晶の絶縁性基板１上に、Ｓｉ濃度が４×１０^１９ｃｍ^−３以上である高濃度ＳｉドープＧａＮバッファ層２をエピタキシャル成長し、このＳｉドープＧａＮバッファ層２上に、エピタキシャル成長法により単結晶の結晶構造を有する窒化物半導体層３を形成する。 - 特許庁

Furthermore, the method includes a step of joining the impregnated aluminum to the ceramic insulating substrate.例文帳に追加

放熱板及びその製造方法においては、炭化珪素粉と銀粉とを混合、加圧してプリフォーム１０を成形し、上記プリフォームにアルミニウム１１を接触せしめ、上記プリフォームと上記アルミニウムとを加熱し、上記プリフォームに上記アルミニウムを含浸せしめると共に、上記セラミックス絶縁基板に上記含浸したアルミニウムを接合せしめる。 - 特許庁

To provide a composition allowing selective removal of photoresist and etching residues from a substrate without exerting a destructive chemical action on metal possibly also exposed to the composition, and to provide a composition exhibiting a very minute amount of silicon oxide and generally a low etching rate on an insulating material.例文帳に追加

基板からフォトレジスト及びエッチング残渣を選択的に除去できる組成物であって、上記組成物に対して同様に露出している可能性のある金属に破壊的化学作用を及ぼさない組成物を提供することを課題とする、また、極微量の酸化シリコンを呈し、一般的に絶縁体に対するエッチング速度の低い組成物を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a photosensitive polyimide soluble in organic solvents and suitably usable as an overcoating material for a flexible wiring substrate, an interlayer insulation material, etc., excellent in heat-resistance, electrical properties, flexibility, etc., a photosensitive polyimide ink composition containing the photosensitive polyimide, and an insulating film produced by curing the photosensitive polyimide ink composition.例文帳に追加

耐熱性、電気特性、及び柔軟性等に優れたフレキシブル配線板用オーバーコート材、及び層間絶縁材料等として好適に用いることができるとともに、有機溶媒に可溶性である感光性ポリイミド、前記感光性ポリイミドを含有する感光性ポリイミドインク組成物、及び前記感光性ポリイミドインク組成物を硬化させてなる絶縁膜の提供。 - 特許庁

This field emission type electron source is equipped with a lower electrode side amorphous semiconductor layer 4 having high resistance, which is formed on each lower electrode 12 on an insulating substrate 11, a composite amorphous layer 5 formed on the lower electrode side amorphous semiconductor layer 4, and a plurality of surface electrodes 7 arranged perpendicularly to the lower electrode 12.例文帳に追加

絶縁性基板１１上の各下部電極１２上に形成された高抵抗の下部電極側アモルファス半導体層４と、下部電極側アモルファス半導体層４上に形成された複合アモルファス層５と、下部電極１２に直交する方向に列設された複数本の表面電極７とを備える。 - 特許庁

While holding the constitutive stability of the photoresist which is the mask through the first etching process, the dimensions of the trench can be expanded through a second etching process, using an etchant provided with a composition which is different according to the type of the semiconductor substrate or the insulating film, after forming the trench having the first dimension.例文帳に追加

第１食刻工程を通じてマスクであるフォトレジストパターンの構造的な安定性を保持しながら、第１寸法を有するトレンチを形成した後、半導体基板または絶縁膜の種類により相異する組成を有する食刻溶液を使用する第２食刻工程を通じてトレンチの寸法を拡張させることができる。 - 特許庁

The display device includes a thin-film transistor formed on an insulating substrate; a pixel electrode electrically connected to the thin-film transistor; an organic layer formed on the pixel electrode; a barrier rib surrounding the organic layer; a reflection film formed on the barrier rib; and a common electrode formed on the organic layer.例文帳に追加

本発明による表示装置は、絶縁基板上に形成されている薄膜トランジスタと；前記薄膜トランジスタと電気的に接続されている画素電極と；前記画素電極上に形成されている有機層と；前記有機層を囲んでいる隔壁と；前記隔壁上に形成されている反射膜と；前記有機層上に形成されている共通電極とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

An electrically and thermally insulating spacer 5 for constantly maintaining a gap G between an emitter electrode 11 and a collector electrode 21 is integrated on a semiconductor substrate 20 in the collector 2, thus preventing the backward flow of heat by a simple configuration in which the number of components is reduced and securing the vacuum cap with a prescribed interval.例文帳に追加

コレクタ２の半導体基板２０には、エミッタ電極１１とコレクタ電極２１との間の隙間Ｇを一定に保つと共に電気的および熱的に絶縁性のスペーサ部５が一体に形成されているので、部品数を減少した簡単な構成で、熱の逆流を防止しつつ、真空ギャップを所定の間隔に確保できる。 - 特許庁

The SRAM having an asymmetric silicide film has a semiconductor substrate 100 that has a lower structure in a predetermined form on which a transmission transistor 20 and a drive transistor 10 are formed separately with a predetermined interval; and spacers 107 are formed on sidewalls of gate insulating-films 105 and gate electrodes 106 of the transmission transistor 20 and the drive transistor 10 respectively.例文帳に追加

非対称シリサイド膜を有するＳＲＡＭは、所定形状の下部構造を有する半導体基板１００に、所定の間隔をおいて伝送トランジスター２０及び駆動トランジスター１０が離隔して形成され、前記伝送トランジスター２０及び駆動トランジスター１０のゲート絶縁膜１０５及びゲート電極１０６の側壁にはスペーサー１０７を各々形成する。 - 特許庁

Accordingly, the exposure preventive films 122 in minute film coupling structure are formed between the sidewall insulating films 120 and the insulator buried in films 130 so that any exposing trenches of the surface of the semiconductor substrate 100 may not be formed between the active region wherein the gate electrodes 162 are formed and the trench element isolating region.例文帳に追加

従って、膜の結合構造が緻密な露出防止膜１２２を側壁絶縁膜１２０と絶縁物埋込層１３０との間に形成することにより、ゲート電極１６２が形成される活性領域とトレンチ素子分離領域との間に半導体基板１００の表面を露出する溝が形成されないようにする。 - 特許庁

An array substrate of this liquid crystal device has auxiliary capacitance lines 52, auxiliary capacitance electrodes 61 which are oppositely disposed on the under layer of the auxiliary capacitance lines via gate insulating films 62 and, thereby, form auxiliary capacitance and connecting wiring 80 which connect pixel TFTs 75, pixel electrodes 53 and the auxiliary capacitance electrodes with each other.例文帳に追加

液晶表示装置のアレイ基板は、補助容量線５２と、ゲート絶縁膜６２を介して補助容量線の下層に対向配置されることにより補助容量を形成する補助容量電極６１と、画素ＴＦＴ７５、画素電極５３、及び補助容量電極を互いに連結する連結配線８０とを有している。 - 特許庁

To securely carry out screening for a defective pixel by effectively avoiding deterioration in reliability even when a transistor with low breakdown voltage is used by applying a flat display device and a testing method for the flat display device to, for example, a liquid crystal display device having a driving circuit formed on an insulating substrate in one body.例文帳に追加

本発明は、フラットディスプレイ装置及びフラットディスプレイ装置の試験方法に関し、例えば絶縁基板上に駆動回路を一体に形成した液晶表示装置に適用して、耐圧の低いトランジスタを用いる場合であっても、信頼性の劣化を有効に回避して確実に欠陥画素に係るスクリーニングを実行することができるようにする。 - 特許庁

There is also provided a method and structure for isolating the regions by providing a trench in an active area of a substrate, growing an epitaxial layer in the trench to completely fill the trench or to partially fill the trench, and depositing an insulating material over the epitaxial layer and within the trench, to completely fill the trench.例文帳に追加

基板の能動領域内に溝を設け、この溝内にエピタキシャル層を成長させてこの溝を完全に充填するか、又は部分的に充填して、エピタキシャル層上及び溝内に絶縁材料を堆積して溝を完全に充填することにより、領域を互いに分離する方法及び装置をも提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 has, on a silicon substrate 110, an N well source region 170 and an N well drain region 160 formed apart from each other, and a gate electrode 130 provided while a gate insulating film 131 formed from above the N well source region 170 toward on the N well drain region 160 is interposed therebetween.例文帳に追加

半導体装置１００は、シリコン基板１１０上に、離間して形成されたＮウェルソース領域１７０およびＮウェルドレイン領域１６０と、Ｎウェルソース領域１７０上からＮウェルドレイン領域１６０上にわたって形成されたゲート絶縁膜１３１を介して設けられたゲート電極１３０と、を備えている。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING PHOSPHORUS-CONTAINING PHENOLS, NEW PHOSPHORUS-CONTAINING PHENOLS, NEW PHENOL RESIN, CURABLE RESIN COMPOSITION, CURED ARTICLE THEREOF, RESIN COMPOSITION FOR PRINTED WIRING BOARD, PRINTED WIRING BOARD, RESIN COMPOSITION FOR FLEXIBLE WIRING BOARD, RESIN COMPOSITION FOR SEALING MATERIAL OF SEMICONDUCTOR, AND RESIN COMPOSITION FOR INTERLAYER INSULATING MATERIAL FOR BUILD-UP SUBSTRATE例文帳に追加

リン原子含有フェノール類の製造方法、新規リン原子含有フェノール類、新規フェノール樹脂、硬化性樹脂組成物、その硬化物、プリント配線基板用樹脂組成物、プリント配線基板、フレキシブル配線基板用樹脂組成物、半導体封止材料用樹脂組成物、及びビルドアップ基板用層間絶縁材料用樹脂組成物 - 特許庁

Thereby, the effect of the insulating film 31 and the display electrode 4 to prevent permeation of water and gas can be improved even after the display electrode 4 is formed, and as a result, emission of water and gas from the substrate side to the liquid crystal layer 3 or the alignment film 36a can be prevented even after the display electrode 4 is formed.例文帳に追加

こうすることで、表示電極４の形成後も、絶縁膜３１および表示電極４の水分およびガスに対する透過防止効果が向上され、その結果、表示電極４の形成後も、基板側から液晶層３または配向膜３６ａに水分およびガスが放出されるのを防止することができる。 - 特許庁

A passivation film 14 of silicon nitride having thickness of about 1 μm is formed on the insulating film 12 and the p-side electrode 13 and a light emitting layer 15 emitting light having emission wavelength shorter than the wavelength corresponding to the energy gap of silicon constituting the semiconductor substrate 10 and containing a fluorescent material having luminous properties is formed on the passivation film 14.例文帳に追加

絶縁膜１２及びｐ側電極１３上には、膜厚が約１μｍの窒化シリコンからなるパッシベーション膜１４が形成され、該パッシベーション膜１４上には、発光波長が半導体基板１０を構成するシリコンのエネルギーギャップに相当する波長よりも短い発光光を発し且つ蓄光性を有する蛍光体材料を含む発光層１５が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that substantially eliminates an adverse effect caused by the adhesion of unnecessary matter, generated upon effecting laser processing through laser irradiation for removing part of low dielectric film wiring lamination structural part, to the insulating film or the like on the upper surface side of a semiconductor substrate, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

低誘電率膜配線積層構造部の一部を除去するためのレーザ照射によるレーザ加工を行なったときに発生する不要物が半導体基板の上面側の絶縁膜等に付着することによる悪影響をほとんど皆無とすることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a defect inspection device and its method capable of executing inspection by discriminating an adhering foreign matter from scratches having various shapes generated on the surface when abrading or grinding such as CMP or the like is applied to a processing object (for example, an insulating film on a semiconductor substrate) in semiconductor manufacture or magnetic head manufacture.例文帳に追加

半導体製造や磁気ヘッド製造において、被加工対象物（例えば、半導体基板上の絶縁膜）に対してＣＭＰなどの研磨または研削加工を施した際、その表面に生じる様々な形状を有するスクラッチと付着する異物とを弁別して検査することができるようにした欠陥検査装置およびその方法を提供することにある。 - 特許庁

Since the gate insulating layers 22b and 22c are not removed simultaneously when a native oxide layer formed on the exposed surface of the underlying gate electrode layers 23b and 23c is removed, electrical short-circuit can be prevented between the gate electrodes SG and TG of a selection gate transistor and an MOS transistor and a semiconductor substrate 21.例文帳に追加

従って、後の下層ゲート電極層２３ｂ、２３ｃの露出表面に形成された自然酸化膜を除去する際にゲート絶縁層２２ｂ、２２ｃが同時に除去されることがなく、選択ゲートトランジスタ及びＭＯＳトランジスタのゲート電極ＳＧ、ＴＧと半導体基板２１との電気的ショートを防止することができる。 - 特許庁

A conductor layer 21 on an insulating substrate 11 is subjected to patterning treatment to form a wiring layer 21a, and a negative type resist is coated, dried and patternwise exposed to form a patternwise exposed first negative type photosensitive layer 41a, on which a patternwise exposed second negative type photosensitive layer 51a is also formed.例文帳に追加

まず、絶縁基材１１上の導体層２１をパターンニング処理して配線層２１ａを形成し、ネガ型のレジストを塗布、乾燥、パターン露光してパターン露光された第一ネガ型感光層４１ａを、さらに、パターン露光された第一ネガ型感光層４１ａ上にパターン露光された第二ネガ型感光層５１ａを形成する。 - 特許庁

The method is characterized that a wiring pattern is formed by forming a resist coating film where a circuit is expected to be formed after a 1st thin metal coating film is formed on a surface of an insulating substrate, removing the resist coating film after etching, and then forming the 2nd metal coating film by carrying out electrolytic plating.例文帳に追加

絶縁基板の表面に薄い第一金属皮膜を形成した後、回路の形成を予定する部分にレジスト皮膜を形成し、次いで、エッチング除去を行った後、レジスト皮膜を除去し、次いで、電解メッキを行うことにより第二金属皮膜を形成して、配線パターンを形成することを特徴とする。 - 特許庁

On a semi-insulating substrate 1 made of, for example, GaAs, a conductive semiconductor layer 3 made of n type GaAs doped with, for example, Si is provided across a buffer layer 2 made of undoped GaAs, and on the n type semiconductor layer 3, gate electrodes 7 (7a to 7f) are provided at constant intervals.例文帳に追加

たとえばＧａＡｓからなる半絶縁性基板１上に、アンドープのＧａＡｓからなるバッファ層２を介して、たとえばＳｉがドープされたｎ形のＧａＡｓからなる導電性半導体層３が設けられ、そのｎ形半導体層３上に一定間隔でゲート電極７（７ａ〜７ｆ）が設けられている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a first conductive layer formed on a support substrate and a second conductive layer formed on an interlayer insulating layer are electrically connected each other via a contact hole, and which can reduce contact failure between the first conductive layers and the second conductive layers inexpensively, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

支持基板上に形成された第１導電層と、層間絶縁層上に形成された第２導電層とをコンタクトホールによって電気的に接続した半導体装置において、安価に、前記第１導電層と第２導電層とのコンタクト不良を抑制した半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a wiring sheet for a back contact type solar cell which consists of a laminate of an insulating substrate and a conductor, and on which a wiring pattern is formed subsequently by photoetching, and which can be used for producing a highly reliable back contact type solar cell module that is not attacked by the etching solution with excellent productivity.例文帳に追加

バックコンタクト型太陽電池用の配線シートが、絶縁性を有する基材と導電体との積層体からなり、その後フォトエッチングにより配線パターンが施される配線シートであって、生産性に優れ、且つ、エッチング液に犯されることがない高信頼性を有するバックコンタクト型太陽電池モジュールを生産することができる配線シートを提供する。 - 特許庁

In the piezoelectric vibrator, a flat insulating substrate on which an electrode for conduction electrically connected between both principal planes is formed on the both principal planes facing the electrode pad and an electrode for external connection is arranged between the electrode pad and the electrode for external connection, and the electrode pad and the electrode for external connection are electrically connected and attached through the electrode for conduction.例文帳に追加

電極パッドと外部接続用電極の間に、電極パッド及び外部接続用電極に対向する両主面上に両主面間で電気的に接続している導通用電極が形成された平板状の絶縁基板が配置されており、この導通用電極を介して電極パッドと外部接続用電極が電気的に接続且つ固着されている圧電振動子。 - 特許庁

Dielectric films 11 to 15 containing at least a photo-bleeching material out of photo-bleeching, inorganic, and organic materials are formed on a substrate 10, and the light energy of ultraviolet rays applied to the dielectric films 11 to 15 is adjusted, thus reducing the relative dielectric constant of the interlayer insulating films 11 to 15 with a simple configuration.例文帳に追加

基板１０上にフォトブリーチング材料、無機材料及び有機材料のうち少なくともフォトブリーチング材料を含む誘電体膜１１〜１５を形成し、その誘電体膜１１〜１５に照射する紫外線光の光エネルギーを調節するという簡単な構成により層間絶縁膜１１〜１５の比誘電率を低くすることができる。 - 特許庁

The inductance element used for a high frequency circuit includes a plurality of wiring patterns formed so as to be disposed in parallel on an insulating film of a substrate, and a plurality of bonding wires for sequentially connecting the other end of one wiring pattern of the two adjacent wiring patterns to the one end of the other wiring pattern.例文帳に追加

高周波回路に用いられるインダクタンス素子において、基板の絶縁膜上に平行に位置するように形成された複数の配線パターンと、互いに隣接する２つの前記配線パターンのうち一方の前記配線パターンの他端と他方の前記配線パターンの一端を順次接続する複数のボンディングワイヤとを設ける。 - 特許庁

In a photoelectric conversion module, a plurality of photoelectric conversion devices are formed on a transparent insulating substrate, and a first connection electrode for connection between the first electrode of one of adjacent photoelectric conversion devices and the second electrode of the other thereof and/or a second connection electrodes for connection between the first electrodes or between the second electrodes are formed.例文帳に追加

また、透明絶縁基板上に上記光電変換装置を複数形成し、隣接する一方の光電変換装置の第１電極と、他方の光電変換装置の第２電極を接続する第１の接続電極、及び／または第１電極同士及び第２電極同士を接続する第２の接続電極を形成した光電変換モジュールとする。 - 特許庁

This semiconductor device is featured by the provision of a plurality of active elements formed on a semiconductor substrate, the first insulating film 32 formed on these active elements as well as wiring layers 27 having aperture parts on at least a part of perpendicular bisector between adjacent elements out of the plurality of active elements.例文帳に追加

半導体基板上に形成された複数の能動素子と、この能動素子の上に形成された第１の絶縁膜３２と、この第１の絶縁膜３２の上に形成され、前記複数の能動素子のうち隣接する素子間の垂直二等分線の少なくとも一部の上に開口部を有する配線層２７とを具備することを特徴とする。 - 特許庁