「insulating substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(191ページ目) - Weblio英語例文検索

For example, the semiconductor substrate 101 is composed of monosilicon and the n-type region 102 is composed of an n-type impurities introducing region where phosphorus is introduced by ion implantation and the insulating layer 103 is composed of silicon oxide and the electron emission layer 104 is composed of poly-silicon where impurities are introduced in a high concentration and the electrode layer 105 is composed of aluminum.例文帳に追加

例えば、半導体基板１０１は、単結晶シリコンから構成され、ｎ型領域１０２は、イオン注入によりリンが導入されたｎ型不純物導入領域から構成され、絶縁層１０３は酸化シリコンから構成され、電子放出層１０４は、高濃度に不純物が導入されたポリシリコンから構成され、電極層１０５は、アルミニウムから構成されたものである。 - 特許庁

In the wiring board 5 where a plurality of internal wiring layers 2 are formed inside an insulating substrate 1 and a plurality of connection pads 3 to be electrically connected with the internal wiring layers 2 are formed on its surface, the internal wiring layers 2 are formed using tungsten and/or molybdenum and copper and the connection pads 3 are formed using tungsten and/or molybdenum and an iron group metal.例文帳に追加

絶縁基体１の内部に複数の内部配線層２を、表面に前記内部配線層２と電気的に接続する複数の接続パッド３を形成して成る配線基板５であって、前記内部配線層２をタングステンおよび／またはモリブデンと銅とで形成するとともに、接続パッド３をタングステンおよび／またはモリブデンと鉄族金属とで形成した。 - 特許庁

To provide an anisotropic electroconductive sheet and its manufacturing method wherein an electric conductor to constitute the anisotropic electroconductive sheet is orderly penetrated and exposed on both front and rear faces of an insulating material sheet, and because the electric conductor itself is given elasticity, by the fact that this electric conductor intervenes between a device and a wiring substrate, wherein an electrical connection between the both is elastically and surely made.例文帳に追加

異方性導電シートを構成する導電体は絶縁材料シートの表裏両面に整然と貫通露出し、導電体自体に弾性が付与されているので、デバイスと配線基板との間にこの導電体が介在することにより両者間を弾性的に確実に電気接続する異方性導電シートおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A wiring board 100 comprises a wiring part (conductor pattern 20, interlayer connection 30), a plurality of electronic components connected electrically with the wiring part, and an insulating substrate which incorporates the wiring part and the plurality of electronic components and includes a plurality of electronic component arrangement parts 40 incorporating the electronic components, and a flexible bent portion 70 constituted between the electronic component arrangement parts 40.例文帳に追加

配線基板１００は、配線部（導体パターン２０、層間接続部３０）と、配線部に電気的に接続された複数の電子部品と、配線部と複数の電子部品とを内蔵するものであり、電子部品を内蔵する複数の電子部品配置部４０、及び、可撓性を有し、電子部品配置部４０の間に構成された屈曲部７０を含む絶縁基材とを備える。 - 特許庁

A first copper thin film 5 is formed by a CVD process on an insulating film 2, having connection grooves therein and covering a semiconductor substrate 1 via a barrier metal film 4 and having such a thickness as not to cause practical generation of its rough surface resulting from crystalline grains, and then subjected to a reflow process to fluidize the surface of the film 5.例文帳に追加

半導体基板１を覆う接続溝３を含む絶縁膜２上にバリア金属膜４を介して、ＣＶＤ法により表面に結晶粒子に起因する凹凸が実質的に生じない程度の膜厚の第１銅薄膜５を形成した後、リフロー処理を施して同銅薄膜５の表面を流動させる。 - 特許庁

For the chip-like electronic component, with which a lead frame 2 is led out of the side face of an outer resin 1 and bent along with the outer surface and a substrate grounding surface is made into electrode, an insulating layer 3, having drawing property is provided on the outer surface of the lead frame 2 in the outer side face part at least.例文帳に追加

外装樹脂１の側面からリードフレーム２を導出し、外装表面に沿って折り曲げ加工し、基板接地面を電極とするチップ状電子部品において、上記リードフレーム２の少なくとも外装側面部分の外表面に延伸性を有する絶縁層３を備えたことを特徴としている。 - 特許庁

The optical printer head comprises a pixel array 4 where pixels including light emitting elements are arranged two-dimensionally in the row and column directions, a horizontal scanning circuit 3 for supplying each pixel row in the pixel array 4 with a data signal, and a vertical scanning circuit 2 for selecting and activating each pixel row in the pixel array 4, all of which are formed on the same insulating substrate.例文帳に追加

開示される光プリンタヘッドは、発光素子を含む画素を行方向と列方向に２次元に配列した画素アレイ４と、画素アレイ４における各画素列にデータ信号を供給する水平走査回路３と、画素アレイ４における各画素行を順次選択して活性化する垂直走査回路２とを、同一の絶縁基板上に形成して構成されている。 - 特許庁

This printing head 20 has ink supply grooves 22 and ink supply holes 23 bored to a chip substrate 21, a driving circuit (logic circuits 24 and drivers 25) formed to a surface layer, resistance heating elements 27-1, individual wiring electrodes 28 and a common electrode 29 disposed on an insulating film 26, and an orifice plate 32 with orifices 33 stacked on diaphragms 31.例文帳に追加

印字ヘッド２０はチップ基板２１にインク供給溝２２とインク供給孔２３を穿設され、表層に駆動回路（論理回路２４、ドライバ２５）を形成され、絶縁膜２６の上に抵抗発熱素子２７−１、個別配線電極２８、共通電極２９が配設され、隔壁３１の上にオリフィス３３を形成されたオリフィスプレート３２が積層される。 - 特許庁

On the top surface of an insulating substrate 2 made of a B component of a nonmagnetic body, a disk body which is formed of an A component showing super paramagnetic characteristics when made fine and also has a diameter G and a thickness T or a cluster in a spherical shape having a diameter G is formed by using a molecular beam epitaxy(MBE) method and lithography.例文帳に追加

非磁性体のＢ成分からなる絶縁基板（２）の上面に、微細にすると超常磁性特性を示すＡ成分からなる、直径Ｇと厚さＴからなる円板体、あるいは、直径Ｇの球体の形状のクラスタ（１）を、モレキュラー・ビーム・エピタキシ（ＭＢＥ）法とリソグラフィ法を用いて、形成する。 - 特許庁

On a p type silicon substrate 111 of a semiconductor device 100, a charge holding region 112 composed of fine particle dispersion regions 112a and 112b, an SiO_2 film 115 which functions as an insulating film, an n type polycrystal silicon electrode 116 which functions as an upper electrode are provided from bottom up.例文帳に追加

半導体装置１００において、ｐ型シリコン基板１１１上には、微粒子分散領域１１２ａおよび微粒子分散領域１１２ｂからなる電荷保持領域１１２、絶縁膜として機能するＳｉＯ_2膜１１５、および上部電極として機能するｎ型多結晶シリコン電極１１６が下から順に設けられている。 - 特許庁

In an SOI wafer 10 formed by placing a silicon wafer 11 for an active layer on a silicon wafer 12 for a supporting substrate via an insulating film 13, a gettering region 14 is formed on the surface of the sticking side of the silicon wafer 11 for an active layer prior to sticking.例文帳に追加

支持基板用シリコンウェーハ１２に絶縁膜１３を介して活性層用シリコンウェーハ１１を貼り合せたＳＯＩウェーハ１０として、貼り合せ前の活性層用シリコンウェーハ１１の貼り合せ側の表面に予め機械的ダメージを与えたゲッタリング領域１４を形成しておくことを特徴とする。 - 特許庁

In order to solve a short channel effect in a highly integrated semiconductor device, a method of fabricating a semiconductor device includes steps of: forming gate patterns over an insulating layer and a silicon active region formed on a semiconductor substrate; removing the silicon active region exposed between the gate patterns; and filling a space between the gate patterns to form a plug.例文帳に追加

高集積半導体装置において、ショートチャンネル効果を克服するため、本発明に係る半導体素子の製造方法は半導体基板の上部に形成された絶縁層、及びシリコン活性領域上にゲートパターンを形成するステップ、前記ゲートパターンの間の露出したシリコン活性領域を取り除くステップ、及び前記ゲートパターンの間を埋め込んでプラグを形成するステップを含む。 - 特許庁

In a molecular TFT (molecular electric field effect transistor) 10 including a nano-tube 15, a drain electrode 12 and a source electrode 13 are formed on substrate 11 via an insulating film, and the nano-tube 15 is disposed between the drain electrode 12 and the source electrode 13, and is covered with a ferroelectric 18.例文帳に追加

ナノチューブ１５を含んでなっている分子ＴＦＴ（分子電界効果トランジスタ）１０であって、基板１１上に絶縁膜を介してドレイン電極１２及びソース電極１３が形成され、ドレイン電極１２とソース電極１３との間にナノチューブ１５が配置されるとともに、ナノチューブ１５が強誘電体１８によって被覆されている。 - 特許庁

A first hydrogen barrier film 101, a lower electrode film 30, a ferroelectric film 4, an upper electrode film 50 and a second hydrogen barrier film 102 are sequentially deposited on a silicon substrate 1 via an insulating film 2, the film 102 and the film 50 are sequentially etched by using a mask 103, and an upper electrode 5 is pattern formed.例文帳に追加

シリコン基板１上に絶縁膜２を介して、第１の水素バリア膜１０１、下部電極膜３０、強誘電体膜４、上部電極膜５０及び第２の水素バリア膜１０２を順次堆積し、マスク１０３を用いて水素バリア膜１０２及び上部電極膜５０を順次エッチングして上部電極５をパターン形成する。 - 特許庁

In a thin film transistor where a thin film containing the precursor of a metal oxide semiconductor is formed on a substrate and a metal oxide semiconductor thin film formed by a process for oxidizing the thin film serves as an active layer, a gate insulating film is provided on the side of the metal oxide semiconductor thin film opposite to a support.例文帳に追加

基板上に金属酸化物半導体の前駆体を含有する薄膜を形成した後、該薄膜を酸化する工程により形成した金属酸化物半導体薄膜を活性層とする薄膜トランジスタにおいて、前記金属酸化物半導体薄膜の支持体とは反対側にゲート絶縁膜が設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 特許庁

In the semiconductor device has pixels with thin-film transistors arrayed on an insulating substrate 101, at least one of the gate electrode 114" and gate wire 114 of a thin-film transistor or/and the source-drain electrode are formed, by laminating Al-Nd(aluminum neodymium) alloy and Al and Al-Nd alloy, and laminating Al-Nd alloy and Al.例文帳に追加

絶縁基板１０１上に薄膜トランジスタを有する画素を複数配列した半導体装置において、薄膜トランジスタのゲート電極１１４″とゲート配線１１４の少なくとも一方、又は／及びソース・ドレイン電極は、Ａｌ−Ｎｄ（アルミニオジウム）合金、ＡｌとＡｌ−Ｎｄ（アルミニオジウム）合金とを積層した構成、Ａｌ−Ｎｄ（アルミニオジウム）合金とＡｌとを積層した構成である。 - 特許庁

The insulated gate field effect transistor has a channel forming region of a semiconductor substrate for internally forming a channel layer and opposing a gate electrode 19 through a gate insulating film 17, and a source-drain region 10 having a conductivity type reverse to that of the channel forming region and formed separately in contact with the channel forming region.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１７を介してゲート電極１９と対向し、内部にチャネル層が形成される半導体基板のチャネル形成領域と、当該チャネル形成領域と逆の導電型を有し、チャネル形成領域に各々接し互いに離れて形成されているソース・ドレイン領域１０と、を有する。 - 特許庁

In the liquid crystal display device 10, a TFT 11 of a TFT substrate 12 is provided with a drain electrode 21 formed in an island shape and electrically connected to a pixel electrode 37 via a contact hole 40 formed in an interlayer insulating film 36 and a source electrode 20 disposed on the periphery of the drain electrode 21.例文帳に追加

液晶表示装置１０は、ＴＦＴ基板１２のＴＦＴ１１が、島状に形成され且つ層間絶縁膜３６に形成されたコンタクトホール４０を介して画素電極３７に電気的に接続されたドレイン電極２１と、ドレイン電極２１の周りに配置されたソース電極２０と、を備える。 - 特許庁

A transparent oxide electrode 12 is provided on an insulating substrate, on which a diamond-like carbon layer 14, micro crystal p-type semiconductor layer 16, amorphous intrinsic semiconductor layer 20 and amorphous n-type semiconductor layer 22 are sequentially provided, with a metal electrode layer 24 provided on the amorphous n-type semiconductor layer 22.例文帳に追加

絶縁性基板上に透明酸化物電極１２を設け、その透明酸化物電極上にダイヤモンドライクカーボン層１４と微結晶ｐ型半導体層１６と非晶質真性半導体層２０と非晶質ｎ型半導体層２２とを順次設け、非晶質ｎ型半導体層２２の上に金属電極層２４とを設ける太陽電池装置およびその製造方法。 - 特許庁

A spot plug 19 for releasing electric field concentration is provided via an insulating film 7 on a silicon substrate 1 between a gate electrode 11 and a drain plug 17 of an MOS transistor 100, and the spot plug 19 is connected to a source electrode 21 extended to the upper part of a gate electrode 11.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ１００のゲート電極１１とドレインプラグ１７との間のシリコン基板１上に、絶縁膜７を介して電界集中緩和用のスポットプラグ１９が設けられており、このスポットプラグ１９は、ゲート電極２１の上方まで延ばされたソース電極２１に接続している。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing the same having high reliability by improving a step coverage of a metal film in a recess without complicating the method by using a conventional semiconductor manufacturing apparatus in the semiconductor device having a conductive plug in a connecting port formed in an insulating film on a substrate.例文帳に追加

本発明は、基板上の絶縁膜に形成された接続口の中に導電性のプラグを備える半導体装置に関し、従来の半導体製造装置を用いて製造方法を複雑化させることなく、リセス部での金属膜の段差被覆性を改善して、信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The circuit substrate includes a wiring pattern 11, an electrical insulating layer 12 comprising a hat-conductive mixture containing inorganic filler of 70 to 95 wt.% and a thermosetting resin of 5 to 30 wt.%, and a heat sink 13, and is fixed to an external heat dissipation member.例文帳に追加

配線パターン11、無機質フィラー70-95重量％と熱硬化性樹脂を5-30重量％含む熱伝導混合物からなる電気絶縁層12、および放熱板13を含み、外部放熱部材に固定されて使用される回路基板であって、前記外部放熱部材に対する前記回路基板のそりが基板長さに対して1/500以下であり、温度が上昇するに従って前記回路基板のそりが前記放熱板側に凸になる方向に変化する。 - 特許庁

Both positive DC output conductor 1 and negative DC output conductor 2 are allocated at almost the center in the longer side direction of a rectangular insulating substrate 13 and the semiconductor element chips 9, 11 such as IGBT or the like, and diode chips 10, 12 are allocated to hold such conductors in both sides thereof.例文帳に追加

正側直流出力導体１と負側直流出力導体２を、長方形状の絶縁基板１３上の長辺方向のほぼ中央部に配置するとともに、これらの導体を挟むように、ＩＧＢＴ等の半導体素子チップ９，１１およびダイオードチップ１０，１２をその両側に配置して構成する。 - 特許庁

A first layer 16 is formed by segregating specific atoms with high concentration on the junction interface of the NiGe layer 15 and the Ge substrate 2, and a second layer 17 is formed by segregating the same atoms as those of the first layer 16 with high concentration on the interface of the gate electrode 13 and a gate insulating film 12.例文帳に追加

ＮｉＧｅ層１５とＧｅ基板２との接合界面には、所定の原子が高濃度に偏析して形成されてなる第１の層１６が形成され、ゲート電極１３とゲート絶縁膜１２との界面には、第１の層１６と同じ原子が高濃度に偏析して形成されてなる第２の層１７が形成されている。 - 特許庁

To provide a fluorescent X-ray analyzer which analyzes hafnium and tantalum on a semiconductor substrate in a semiconductor integrated circuit manufacturing process for forming hafnium oxide film being a high dielectric gate insulating film and tantalum nitride film being a barrier metal film with high sensitivity and high precision, with one iridium X-ray tube, and also to provide an fluorescent X-ray analyzing method.例文帳に追加

高誘電体ゲート絶縁膜である酸化ハフニウム膜、バリアメタル膜としてタンタル窒化膜を製膜する半導体集積回路製造プロセスにおける半導体基板上のハフニウム、タンタルを１本のイリジウムＸ線管で高感度、高精度に分析することができる蛍光Ｘ線分析装置およびその方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A thin film transistor is equipped with a polycrystalline silicon film 12 formed on a glass substrate 10 through the intermediary of an insulating film 11, a silicon oxide film 13 formed on the polycrystalline silicon film 12, and a molybdenum electrode 15, where a reaction stop film 14 of tantalum is interposed between the silicon oxide film 13 and the molybdenum electrode 15.例文帳に追加

ガラス基板１０上に絶縁膜１１を介して形成された多結晶シリコン膜１２と、多結晶シリコン膜１２上に形成されたシリコン酸化膜１３と、シリコン酸化膜１３上に形成されたモリブデン電極１５を備えた薄膜トランジスタにおいて、シリコン酸化膜１３とモリブデン電極１５との間に、タンタルからなる反応防止膜１４を介在させた。 - 特許庁

In the glass ceramic wiring board obtained by forming a wiring conductor and the resistor connected to the wiring conductor on the surface of an insulating substrate comprising of glass ceramics, the resistor comprises glass of 10 to 50 mass% and ruthenium oxide of 50 to 90 mass%, and the mean particle diameter of ruthenium oxide is 0.6 to 0.9 μm.例文帳に追加

ガラスセラミックスから成る絶縁基体の表面に配線導体と配線導体に接続された抵抗体とが形成されたガラスセラミックス配線基板において、抵抗体は１０〜５０質量％のガラスと５０〜９０質量％の酸化ルテニウムとからなり、酸化ルテニウムの平均粒径が０．６〜０．９μｍである。 - 特許庁

A method for manufacturing a solid state imaging element comprises the steps of sequentially forming a first polysilicon film 152A and a first silicon oxide film 154A on a silicon substrate 100A via a transfer gate insulating film 150, then dry etching or the like via a photomask 160, and patterning the film 154A and the film 152A together.例文帳に追加

シリコン基板１００Ａ上に転送ゲート絶縁膜１５０を介して第１ポリシリコン膜１５２Ａ、第１シリコン酸化膜１５４Ａを順次成膜した後、フォトマスク１６０を介してドライエッチング等を行い、第１シリコン酸化膜１５４Ａと第１ポリシリコン膜１５２Ａとを併せてパターニングする。 - 特許庁

To provide a surface inspection device and its method capable of discriminating a scratch having a various shape generated on the surface from adhering foreign matter and inspecting it, when polishing or grinding such as CMP or the like is performed onto a machining object (for example, an insulating film on a semiconductor substrate) in semiconductor production or magnetic head production.例文帳に追加

半導体製造や磁気ヘッド製造において、被加工対象物（例えば、半導体基板上の絶縁膜）に対してＣＭＰなどの研磨または研削加工を施した際、その表面に生じる様々な形状を有するスクラッチと付着する異物とを弁別して検査することができるようにした表面検査装置およびその方法を提供することにある。 - 特許庁

A trench region 6 is formed in a P-type silicon substrate 1, a dielectric film 7 is formed on the lower part and lower sidewall of the trench region 6, a first insulating film 9 and a contact region are formed on the upper sidewall of the trench region 6, and a conductor film 8 is formed in the trench region 6.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１中にトレンチ領域６が形成され、トレンチ領域６の下部および側壁下部には誘電体膜７が形成され、トレンチ領域６の側壁上部には第１の絶縁膜９およびコンタクト領域が形成され、トレンチ領域６内は導電体膜８が形成されている。 - 特許庁

The method of forming a polycrystalline silicon film comprises steps of forming an electrically insulating thermally conductive layer on a substrate, forming an amorphous silicon layer on the thermally conductive layer, patterning the amorphous silicon layer to form an amorphous silicon island, and annealing the amorphous silicon island to crystallize amorphous silicon.例文帳に追加

基板に電気絶縁性熱伝導層を形成する工程と、熱伝導層上に非晶質シリコン層を形成する工程と、非晶質シリコン層をパターニングして非晶質シリコンアイランドを形成する工程と、アイランドをアニーリングして非晶質シリコンを結晶化する工程と、を含む多結晶シリコンフィルムの製造方法である。 - 特許庁

This variable resistor is provided with a projecting stopper section 5d, which protrudes outwardly from an eyelet pin 5 which can make the same rotation as that of a slider plate 4 and a stopper receiving section 1c, which protrudes inwardly in a recessed section 1b, formed on the rear surface of an insulating substrate 1 control the angle of rotation of the slider plate 4.例文帳に追加

本発明の可変抵抗器１０は、摺動子プレート４と同一回動可能としたハトメピン５に、外方へ突出させたストッパー凸部５ｄを備えるとともに、絶縁基板１裏面凹部１ｂ内に内方へ突出するストッパー受け部１ｃを備え、摺動子プレート４の回転角度が規制する。 - 特許庁

To provide an inexpensive color filter for a liquid crystal display device which has an excellent light shielding property without providing a light shielding film even when using a metal thin film black matrix when the width of a picture frame is extremely narrow, and in which wirings on a counter substrate are not corroded and an electrostatic discharge can be prevented even without providing the insulating layer inside a shield case.例文帳に追加

額縁の幅が極めて狭い際に、金属薄膜のブラックマトリックスを用いても、遮光フィルムを設けずに、遮光性は良好で、対向基板の配線を腐食せず、シールドケースの内側に絶縁層を設けずとも静電放電を防止できる廉価な液晶表示装置用カラーフィルタを提供すること。 - 特許庁

Transfer electrodes 4 and 5 at a charge transfer section 3 are constituted of the same electrode layer, the transfer electrodes 4 and 5 are formed on a substrate through an insulating film including an oxide film and an overlying nitride film, and a part 7 from where the nitride film is removed is provided between light receiving sections 2 in the direction parallel with the charge transfer section 3 thus constituting a solid state image sensor 1.例文帳に追加

電荷転送部３の転送電極４，５を同一層の電極層により構成し、基板上に、基板上の酸化膜とその上の窒化膜とを含む絶縁膜を介して転送電極４，５を形成し、電荷転送部３に平行な方向における受光部２間に、窒化膜が除去された部分７を設けて固体撮像素子１を構成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which prevents a crystal defect pit of a semiconductor substrate in which an MIS transistor by formation of an application version insulating film is formed, prevents a malfunction of a circuit when including a low breakdown voltage MIS transistor, and can suppress a deviation of a threshold value in addition to prevent the malfunction of the circuit when including a high breakdown voltage MIS transistor.例文帳に追加

塗布型絶縁膜の形成によるＭＩＳトランジスタが形成された半導体基板の結晶欠陥ピットを防止し、低耐圧ＭＩＳトランジスタを含む場合は回路の誤動作を防止し、高耐圧ＭＩＳトランジスタを含む場合は回路の誤動作防止に加えて閾値のずれの抑制が可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a piezoelectric vibrator which has stable characteristics and an excellent total yield by horizontally holding a piezoelectric element plate by a simple method, and eliminating variation in characteristics such as main vibration frequency caused when the piezoelectric element plate comes into contact with the insulating substrate of the bottom of a piezoelectric vibrator container, or a lid as a piezoelectric vibrator which supports a piezoelectric element plate in a piezoelectric vibrator container in a cantilever state.例文帳に追加

圧電振動子を圧電振動子容器の内部に、圧電素板を片持ちの状態で支持し、気密封止した構成の圧電振動子において、簡単な方法で圧電素板を水平に保持し、圧電素板が、圧電振動子容器の底部の絶縁基板や蓋に接触することを原因とする主振動周波数の変化などの特性の変化を無くし、安定した特性をもった、総合歩留まりの良好な圧電振動子を提供する。 - 特許庁

In a transistor comprising a gate electrode 11, a gate insulating film 2, a source electrode 17, a drain electrode 16 and the organic semiconductor layer 3 formed on a substrate, the sealing layer 4 is included on the semiconductor layer, and a printing method is used for its formation to form a stripe shape, by which a pattern is simply formed, and high alignment accuracy is obtained together with the high yield.例文帳に追加

基板上に形成されたゲート電極１１、ゲート絶縁膜２、ソース電極１７、ドレイン電極１６および有機半導体層３を含んでなるトランジスタにおいて、半導体層上に封止層４を有し、その形成に印刷法を用い、ストライプ状にすることで、簡易にパターンを形成でき、歩留まりよく、高いアライメント精度が得られる。 - 特許庁

Exothermic resistors 121, 122 from which heat generation is obtained by current flow such as silver and palladium, and electrode parts 14, 15 for power supply which have low resistance value per unit area and hardly generate heat even if current is flowed such as silver and silver-platinum, are formed on one face of an insulating substrate 11 of long flat-shape having high heat conductive characteristics such as aluminum nitride.例文帳に追加

窒化アルミニウム等高熱伝導特性を有する長尺平板状の絶縁基板１１の一面に、銀・パラジウム等の通電により発熱が得られる発熱抵抗体１２１，１２２と電力を供給させるための銀、銀白金等の単位面積当たりの抵抗値が低く通電しても大きな発熱現象が起こりにくい給電用の電極部１４，１５を形成する。 - 特許庁

A conductive material precursor having at least a silver halide emulsion layer on an insulating substrate is subjected to exposure and development so that a silver pattern part containing a resin component and/or a non-silver pattern part containing a resin component are prepared, and then, a crosslinking agent for crosslinking the resin component is made to act on the silver pattern part and/or the non-silver pattern part.例文帳に追加

絶縁性基板上に少なくともハロゲン化銀乳剤層を有する導電性材料前駆体を露光、現像処理することで、樹脂成分を含有する銀パターンおよび／または樹脂成分を含有する非銀パターン部を設け、その後、該銀パターンおよび／または非銀パターン部に、該樹脂成分を架橋する架橋剤を作用させる。 - 特許庁

Second lower insulating films 54 of the second side wall portions 46 have a thickness thicker than that of silicon thermal oxidation films 34 of the first side wall portions 26 by the thickness of silicon oxide films 62 on an upper surface 12A of a p-type semiconductor substrate 12, and the silicon oxide films 62 do not have a part covering the side walls of the second gate electrodes 42 from a side.例文帳に追加

第２サイドウォール部４６の第２下部絶縁膜５４は、Ｐ型半導体基板１２の上表面１２Ａの上表面１２Ａの上表面１２Ａ上においてシリコン酸化膜６２の分だけ第１サイドウォール部２６のシリコン熱酸化膜３４よりも厚肉とされ、該シリコン酸化膜６２は第２ゲート電極４２の側壁を側方から覆う部分を有しない。 - 特許庁

The method for manufacturing a color filter includes steps of applying a photoresist coating film 20 on a glass substrate 50 where a transparent conductive film 54 is formed and exposing and developing the resist to form a photospacer, wherein the insulating film 57 is simultaneously formed while forming the photospacer, in a portion opposing to the peripheral driving circuit and to be lower than the height of the photospacer Ps by using the above photomask.例文帳に追加

透明導電膜５４が形成されたガラス基板５０上に、フォトレジスト塗膜２０を設け、露光・現像によりフォトスペーサーを形成する工程を具備し、前記フォトマスクを用い周辺駆動回路と対向する部位に絶縁膜５７をフォトスペーサーＰｓの高さより低く、フォトスペーサーの形成と同時に形成する。 - 特許庁

A conductive paste 102 including conductive particles each of which has a size of 0.1 to 10 μm, a solvent and a resin is arranged on a first conductor 101 on an insulating substrate 100, and the solvent is vaporized to bring the conductive particles 103 included in the conductive paste 102 into contact with one another to improve conductivity of the conductive paste 102.例文帳に追加

絶縁性基板１００上の第１の導電体１０１上に、０．１μｍ以上１０μｍ以下の大きさの導電性を有する粒子、溶媒及び樹脂を含む導電性ペースト１０２を配置し、溶媒を気化させて導電性ペースト１０２中に含まれる導電性を有する粒子１０３同士を接触させ、導電性ペースト１０２の導電性を向上させる。 - 特許庁

The light receiving circuit has a structure provided with a photodiode 1 which is formed on an insulating substrate and is formed of a thin film, transfer TFT 2 transferring charge induced in the photodiode in accordance with optical input, a charge storage capacitor 3 for storing transferred charge, and reading TFT 4 for transferring charge stored in the charge storage capacitor to a charge reading signal line 7.例文帳に追加

開示される受光回路は、絶縁性基板上に形成された薄膜からなるフォトダイオード１と、光入力に応じてフォトダイオードに誘起された電荷を転送する転送用ＴＦＴ２と、転送された電荷を蓄積する電荷蓄積用コンデンサ３と、電荷蓄積用コンデンサに蓄積された電荷を電荷読み出し用信号線７に転送する読み出し用ＴＦＴ４とを備えた構成を有している。 - 特許庁

The EL sheet is constituted of the laminating one by one of forming a transparent electrode layer 2 on a transparent substrate 1, forming of a barrier layer 3, which consists of a resin of the same composition to the binder resin of the luminescence layer on it, forming the luminescence layer 4 using the nitride-coated fluorescent substance on it, and forming an insulating layer 5 and an back electrode layer 6 on it.例文帳に追加

透明基板１上に、透明電極層２を形成し、その上に、発光層のバインダー樹脂と同一組成の樹脂からなるバリヤー層３を形成し、その上に、窒化物コーティングされた蛍光体を用いた発光層４を形成し、その上に、絶縁層５と背面電極層６を順次積層してＥＬシートを構成する。 - 特許庁

The heat insulating packaging film successively laminated with at least the infrared ray reflective layer consisting of the metal foil and the protective layer consisting of the infrared ray permeable plastic film on one face of a substrate on the other face of which a sealant layer is provided, is characterized by that the adhesive layer sticking together the infrared ray reflective layer and the protective layer is formed in a pattern-like shape.例文帳に追加

片面にシーラント層を設けた基材のもう一方の面上に、少なくとも金属箔からなる赤外線反射層と、赤外線透過性プラスチックフィルムからなる保護層とを順次積層した断熱性包装フィルムであって、前記赤外線反射層と保護層とを互いに接着させる接着剤層がパターン状に形成されていることを特徴とする断熱性包装フィルムである。 - 特許庁