「insulating substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(189ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor device comprises a gate insulating film constituted of a two-layer film of a silicon oxide film 111 containing a deuterium and a silicon nitride film 121 containing a deuterium sequentially arranged on a silicon substrate 1; and a gate electrode constituted of three-layer film of a doped polysilicon film 13, a barrier metal layer 14, and a metal film 15 of tungsten or the like sequentially arranged on a silicon nitride film 121.例文帳に追加

シリコン基板１上に順に配設された重水素を含む酸化シリコン膜１１１および重水素を含む窒化シリコン膜１２１の２層膜で構成されるゲート絶縁膜と、窒化シリコン膜１２１上に順に配設されたドープトポリシリコン膜１３、バリアメタル層１４、タングステン等の金属膜１５の３層膜で構成されるゲート電極とを備えている。 - 特許庁

This noise filter 105 is manufactured by mounting components, such as terminals 1 to 6 and E, capacitors C1 to C9, and a common mode choke coil 11 on a wiring board 112 using as a substrate the metal, having a printed wiring pattern 110 of conductor foil constituted on an insulating layer 111 on a metal plate and soldering them at a time, by making the temperature of the whole raised.例文帳に追加

この発明のノイズフィルター１０５は、金属板上の絶縁層１１１上に導体箔のプリント配線パターン１１０を構成した金属を基板とした配線板１１２上に、端子1〜６およびＥ、コンデンサＣ１〜Ｃ９、コモンモードチョークコイル１１等の部品を乗せ、全体の温度を上昇させて一度にハンダ付けして製造するようにした。 - 特許庁

The electrooptical device has a pixel electrode (9a), TFT (30) connected to it, a data line (6a) connected to it and a capacity line (300) which is laminated/formed across an interlayer insulating film (42) with respect to the data line and includes a main line part extending in a direction crossing the data line in a plane view on a TFT array substrate (10).例文帳に追加

電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１０）上に、画素電極（９ａ）と、これに接続されたＴＦＴ（３０）と、これに接続されたデータ線（６ａ）と、データ線に対して層間絶縁膜（４２）を介して積層形成されており平面的に見てデータ線と交差する方向に伸びる本線部分を含む容量線（３００）とを備える。 - 特許庁

The invention comprises nano wire comprising a semiconductor core formed on a substrate, first coating surrounding a part of the semiconductor core, and second coating surrounding the first coating, a first electrode formed on the second coating of the nano wire, an insulating film being formed on the first electrode and having a contact hole exposing the part of the semiconductor core, and second and third electrodes connected with the nano wire via the contact hole.例文帳に追加

基板上に形成される、半導体芯と、該半導体芯の一部を囲む第１被覆と、該第１被覆を囲む第２被覆とを有する微細線と、前記微細線の第２被覆上に形成される第１電極と、前記第１電極上に形成され、前記半導体芯の一部を露出する接触孔を有する絶縁膜と、前記接触孔を通じて前記微細線と連結される第２及び第３電極とを有する。 - 特許庁

To provide a photosensitive composition having high sensitivity to UV to blue-violet laser light, excellent adhesiveness to a substrate, no residue or precipitation of a photopolymerization initiator in a photosensitive coating liquid or a photosensitive layer, and excellent electric characteristics such as insulating property, and causing no problem of environmental load upon discarding, and to provide an image forming material, an image forming member and an image forming method using the composition.例文帳に追加

紫外から青紫色レーザー光に対して高感度であると共に、基板に対する密着性に優れ、感光性塗布液中又は感光性層における光重合開始剤の残留・析出がなく、絶縁性等の電気特性に優れ、廃棄における環境負荷の問題もない感光性組成物、並びにそれを用いた画像形成材料、画像形成材、及び画像形成方法を提供する - 特許庁

In the copper foil for flexible copper clad laminate which is laminated on a film-like insulating substrate to constitute a flexible copper clad laminate, the copper foil has a tensile-strength of 400-450 N/mm^2 and the tensile-strength drops below 175 N/mm^2 when the copper foil is heat treated at a temperature of 185-205°C for 20-40 minutes.例文帳に追加

フィルム状の絶縁性基材に積層されてフレキシブル銅張積層板を構成する、フレキシブル銅張積層板用銅箔であって、上記銅箔は、４００〜４５０Ｎ／ｍｍ^2 の抗張力を有するとともに、１８５〜２０５℃の温度で、２０〜４０分間熱処理することにより、上記抗張力が１７５Ｎ／ｍｍ^2以下に低下するように構成されている。 - 特許庁

Laminated films of the ribbon 56 and the upper electrode 58 are formed like a bridge by intersecting with the lower electrode 54 and constitute a beam 61 that both the end parts of the laminated films are supported on the insulating substrate 52 by cylindrical parts 62 consisting of similar laminated films and the beam 61 which is a center beam is electrically insulated from the lower electrode 54 through a gap part 64.例文帳に追加

リボン５６と上部電極５８との積層膜は、下部電極５４に交差してブリッジ状に設けられ、両端部が同じ積層膜からなる柱状部６２によって絶縁性基板５２上に支持されたビーム６１を構成し、両持ち梁として下部電極５４上に空隙部６４を介して電気的に絶縁されている。 - 特許庁

When an insulating layer 5 as the protecting film for the heating element 8 constituted of a heating resistance layer 3 and a wiring electrode 4 layered on an Si substrate 1 is formed by a dry film formation method such as CVD with the use of ceramic aluminum nitride which shows the crystal orientation dependency of a thermal conductivity, the thermal conductivity is made anisotropic by orienting and forming thin the film by an electronic shower method.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上に積層する発熱抵抗層３と配線電極４で構成される発熱素子８の保護膜としての絶縁層５を、熱伝導率の結晶方向依存性を示すセラミックス窒化アルミニウムを用いてＣＶＤ等の乾式成膜法で成膜する際に、電子シャワー法により配向薄膜化して熱伝導率に異方性をもたせる。 - 特許庁

In the semiconductor device equipped with the rewiring layer 31 conducted to the electrode pad 12 arranged on a semiconductor substrate, a protruded object 12a, produced on the surface of the electrode pad 12 because of contact by the probe pin, is covered by an organic insulating film 21 and the rewiring layer 31, conducted to the electrode pad 12, is arranged while covering the protruded object 12a as it is.例文帳に追加

半導体基板に配設された電極パッド１２に導通する再配線層３１を備えた半導体装置において、プローブピンによる接触により電極パッド１２表面に生成した突起物１２ａを有機絶縁膜２１によって被覆し、突起物１２ａを被覆させたまま、電極パッド１２に導通する再配線層３１を配設する。 - 特許庁

The heat insulating layer 2 is formed of porous silicon such that thermal conductivity may become smaller than that of the substrate 3, supports the heat generation layer 1, and radiates infrared rays toward the heat generation layer 1 by at least one of a partial temperature increase by heat transfer from the heat generation layer 1 following energization of the heat generation layer 1 and reflection of infrared rays entering from the heat generation layer 1.例文帳に追加

熱絶縁層２は、熱伝導率が基板３よりも小さくなるようにポーラスシリコンにより形成され、発熱層１を支持するとともに、発熱層１の通電に伴う発熱層１からの伝熱による一部の温度上昇と、発熱層１から入射する赤外線の反射との少なくとも一方により、発熱層１に向かう向きに赤外線を放射する。 - 特許庁

An insulating substrate 1 is formed with a through-hole 2, and a plurality of types of different conductive materials 3 and 4 are packed in the through-hole 2; and the conductive materials 3 and 4 are formed like a layer in the through-hole 2, and electrically connected to a wiring pattern constituted of electroless plating copper 8 and electroplating copper 10, so that a wiring board can be configured.例文帳に追加

絶縁性基板１に貫通孔２を設け、この貫通孔２内に異なる複数の種類の導電性材料３，４を充填し、前記導電性材料３，４は、前記貫通孔２内に層状に形成され、無電解めっき銅８および電気めっき銅１０による配線パターンと電気的に接続していることを特徴とする配線基板である。 - 特許庁

A thin film transistor for a liquid crystal display device comprises: a gate electrode 11 formed on a substrate; a gate insulation film 12 formed of a high dielectric constant insulating material having structure in which functional group, metal oxide (Me), silicon (Si) and oxygen (O) are bonded on the gate electrode 11; and a source electrode 16a and a drain electrode 16b formed on the gate insulation film 12.例文帳に追加

基板上に形成されたゲート電極１１と、ゲート電極上１１に、官能基、金属酸化物系（Ｍｅ）、シリコン（Ｓｉ）及び酸素（Ｏ）が結合した構造を有する高誘電率絶縁物質から形成されたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上に形成されたソース電極１６ａ及びドレイン電極１６ｂとを備える液晶表示素子用薄膜トランジスタとした。 - 特許庁

A semiconductor device is equipped with gate electrodes 22 and 23 formed on the semiconductor layer of a silicon substrate 11 through the intermediary of a gate insulating layer 21, impurity diffused layers 24, 25, and 26 which form a source region and a drain region provided in the semiconductor layer in an active region, and contacts 42 to 44 and contacts 47 to 49 formed on the gate electrodes 22 and 23 located in the active region.例文帳に追加

半導体装置は、シリコン基板１１の半導体層上に、ゲート絶縁層２１を介して形成されたゲート電極２２，２３、アクティブ領域の半導体層に形成された、ソース領域またはドレイン領域を構成する不純物拡散層２４，２５，２６、およびアクティブ領域に存在するゲート電極２２，２３上に形成された、複数のコンタクト部４２〜４４，４７〜４９、を有する。 - 特許庁

When an embedding wiring 11b is formed in a wiring trench 10b formed in an insulating film 5c on a semiconductor substrate 1, after a conductor film 8b constituting the embedding wiring 11b is coated by a sputtering method which has a directivity and in which a condition that sputtering particles are difficult to scatter is added, a conductor film 8c constituting the embedding wiring 11b is coated by a plating method.例文帳に追加

半導体基板１上の絶縁膜５ｃに形成された配線溝１０ｂ内に埋込配線１１ｂを形成する際、埋込配線１１ｂを構成する導体膜８ｂを、指向性を有し、かつ、スパッタリング粒子が散乱され難い条件を付加したスパッタリング法で被着した後、埋込配線１１ｂを構成する導体膜８ｃをメッキ法で被着する。 - 特許庁

On the other hand, since the signal line and the auxiliary capacitance lines 4 intersect with a insulating film on the TFT substrate of the LCD, there are capacitances at intersection parts and a transient current is made to flow through these capacitances and the junction capacitance of the protecting diode 30 and wiring resistances in the circuit of the driver when the signal of the auxiliary signal lines is inverted and a ground potential Vss is fluctuated.例文帳に追加

一方、ＬＣＤのＴＦＴ基板上では信号ラインと補助容量信号線は絶縁膜を介して交差しているため、交差箇所には容量があり、補助容量信号線の信号が反転するとき、その容量及び保護ダイオード３０の接合容量、回路内の配線抵抗を通して過渡電流が流れグランド電位Ｖｓｓが変動する。 - 特許庁

Related to the method for conditioning the capacity of a capacitor constituted by forming a lower electrode, a dielectric film and an upper electrode over an insulating substrate in this order, the dielectric film comprises an oxide, and a protective film consisting of a material transmitting a laser is further formed on the upper electrode, and the laser is irradiated from upper side of the protective film toward the upper electrode, to partially oxidize the upper electrode.例文帳に追加

絶縁基板上に下部電極、誘電体膜及び上部電極が順に形成されたコンデンサの容量を調節する方法において、誘電体膜が酸化物からなり、上部電極の上に更にレーザを透過する材料からなる保護膜を形成し、その保護膜の上方から上部電極に向かって前記レーザを照射することにより、上部電極を部分的に酸化させることを特徴とする。 - 特許庁

Because the outer shell case 1 is formed of electrical insulating materials, this may be a simple conductor connection as the electrical circuit, but the metal plate 3 and the circuit ground 4 of the lighting circuit substrate 2 are electrically connected with each other by way of a capacitor 5 of low voltage-resistance of about 16 to 100 V with a chip-type capacitor for the sake of confirmation.例文帳に追加

なお、外殻ケース１を電気絶縁材料で形成したため、前記電気接続としては単なる導体接続でもよいが、念のため、金属板３と点灯回路基板２の回路グランド４とがチップ型コンデンサによる１６〜１００Ｖ程度の低耐圧のコンデンサ５を介して電気接続されている。 - 特許庁

To provide a flame-retardant epoxy resin composition which is suitable for a copper-clad laminate to use in an electronic circuit substrate and for a sealing material, a molding material, a casting material, an adhesive material or an electric insulating coating material to use in an electronic parts, and can provide a laminate which is excellent in heat resistance, flame-retardancy, flexibility and an adhesive property.例文帳に追加

電子回路基板に用いられる銅張積層板や電子部品に用いられる封止材・成形材・注型材・接着剤・電気絶縁塗料用材料に適したエポキシ樹脂組成物であって、耐熱性、難燃性、可とう性及び接着性に優れる積層板を与えるエポキシ樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The reducing type DC-DC converter is constituted by employing a smoothing inductor with a variable inductance which is constituted of coils 1-5 electrically connected in series to electrode terminals 6-11 and provided on an insulating substrate 12, while both ends of series connecting body composed of electric connecting units for the series connection and all coils are electrically connected to the electrode terminals 6-11, respectively.例文帳に追加

絶縁性の基板１２上に、電極端子６〜１１及び電気的に直列接続されたコイル１〜５が設けられ、直列接続のための電気的接続部、及びすべてのコイルからなる直列接続体の両端を、それぞれ、電極端子６〜１１と電気的に接続してなるインダクタンス可変の平滑用インダクタを用いて、降圧型ＤＣ−ＤＣコンバータを構成する。 - 特許庁

The optical device includes a photoelectric conversion unit formed on a substrate and having a plurality of series-connected photoelectric conversion elements, and two or more pads for electrically connecting the photoelectric conversion unit to an external circuit, wherein an insulating region is provided between photoelectric conversion elements connected to arbitrary first and second pads, electrically connected to each other, among the two or more pads.例文帳に追加

基板上に形成され、直列に接続された複数の光電変換素子を有する光電変換部と、光電変換部と外部回路とを電気的に接続する２つ以上のパッドとを備える光デバイスにおいて、２つ以上のパッドのうち、互いに電気的に接続されている任意の第１のパッド及び第２のパッドの間に接続された光電変換素子光電変換素子間の各々の間に絶縁領域を設置する。 - 特許庁

A ceramic insulating substrate 32 has one major surface to which a metal plate 35 principally comprising a low resistance metal is bonded through a metal plate bonding material 37, and the other major surface on which a metallize layer 39 is formed such that the end face thereof is located on the inside of the end face of the metal plate bonding material 37.例文帳に追加

セラミックスからなる絶縁基板３２の一方主面に、低抵抗金属を主体とする金属板３５を金属板用接合材３７により接合してなるとともに、絶縁基板３２の他方主面に、端面が金属板用接合材３７の端面よりも内側となるようにメタライズ層３９を形成した。 - 特許庁

Gate wiring including gate lines and gate pads, and common electrode wiring including a common signal line 24 and common electrodes 25, 26 are formed on a substrate; a gate insulating film, a semiconductor layer, and a contact layer are successively vapor-deposited thereon; a conductor layer such as a metal is vapor-deposited; thereafter, a photo-sensitive film is formed on the conductor layer.例文帳に追加

基板の上に、ゲート線及びゲートパッド２３を含むゲート配線と、共通信号線２４及び共通電極２５，２６を含む共通電極配線とを形成し、その上にゲート絶縁膜、半導体層、接触層を連続蒸着し、金属などの導電体層を蒸着した後、導電体層上部に感光膜を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a circuit board by laminating insulating layers on both sides of a core substrate in sequence and connecting the layers by a conductive paste and by which the conductive paste applied on the upper plane is prevented from leaking from a hole and particles are prevented from adhering, when the conductive paste is applied on the lower plane after its application on the upper plane.例文帳に追加

コア基板の両面に絶縁層を順次積層し、導電性ペーストにより層間接続用する回路基板の製造方法であって、導電性ペーストを上面に充填した後、下面に充填する際に、上面に充填した導電性ペーストが穴から漏れたり、ゴミが付着したりすることを防止した方法を提供する。 - 特許庁

A magnetic thin film 12 as a magnetic body is formed on a non-magnetic substrate 10, and the first spiral flat coil 14a for applying a bias magnetic field to the magnetic thin film 12 or for taking out an induced output and the second spiral flat coil 14b for applying feedback are formed on the same plane through an insulating layer on the magnetic thin film 12.例文帳に追加

非磁性基板１０上に磁性体としての磁性薄膜１２を形成し、その磁性薄膜１２上に絶縁層を介して、磁性薄膜１２に対しバイアス磁界を印加するため又は誘導出力を取り出すための第１の渦巻き型平面コイル１４ａと、帰還を掛けるための第２の渦巻き型平面コイル１４ｂとを同一平面に形成する。 - 特許庁

In the manufacturing method of a multilayer wiring substrate, which is constituted of a wiring layer of at least two layers (wiring patterns 17 and 31) and a polyimide (insulating film between layers) 22 and a conductive post between layers (conductive post) 18 that conducts between the wiring patterns 17 and 31, the polyimide 22 is provided around the conductive post between layers 18, using an entrainment discharge method.例文帳に追加

少なくとも２層の配線層（配線パターン１７，３１）と、該配線層間に設けられたポリイミド（層間絶縁膜）２２と、配線パターン１７と配線パターン３１間を導通させる層間導通ポスト（導体ポスト）１８とを有してなる多層配線基板の製造方法であって、層間導通ポスト１８の周辺に液滴吐出方式を用いてポリイミド２２を設ける。 - 特許庁

This liquid crystal display device is provided with a pair of electrodes for generating an electric field in a direction parallel to a pair of transparent substrates in a pixel region of a liquid crystal side of one transparent substrate of the pair of transparent substrates disposed being opposed to each other through a liquid crystal and either electrode of the pair of the electrodes has two or more insulating layers laminated on its upper layer.例文帳に追加

液晶を介して対向配置される透明基板のうち一方の透明基板の液晶側の画素領域に、透明基板と水平方向に電界を発生せしめる一対の電極を備え、この一対の電極はそのいずれの電極においてもその上層に積層させた絶縁膜が２層以上となっている。 - 特許庁

When a first semiconductor layer and a second semiconductor layer, whose impurity concentration is high than that of the first semiconductor layer, are formed on a semi-insulating substrate and the resistance element is formed on the second semiconductor layer, an electrode of the resistance element is formed on the region of the second semiconductor layer in which region the resistance element is to be formed, and the region is electrically isolated.例文帳に追加

半絶縁性基板上に、第１の半導体層と、第１の半導体層より不純物濃度の高い第２の半導体層が形成され、この第２の半導体層上に抵抗素子を形成する場合、第２の半導体層の抵抗素子形成予定領域上に抵抗素子の電極を形成し、抵抗素子形成予定領域を電気的に分離する。 - 特許庁

A member for plasma display panels includes a grid partition wall, comprising a main partition wall extending parallel to an address electrode on an insulating substrate and an auxiliary partition wall extending perpendicular to the main partition wall, wherein, at an intersection of the main partition wall and the auxiliary partition wall, a columnar strengthening structure whose height is smaller than that of the intersection part of the main partition is provided.例文帳に追加

絶縁基板上にアドレス電極と平行して延びる主隔壁および該主隔壁と直行する方向に延びる補助隔壁からなる格子状隔壁を有するプラズマディスプレイパネル用部材であって、該主隔壁と該補助隔壁の交差部分に該交差部分の主隔壁よりも高さの低い柱状の補強構造物を有することを特徴とするプラズマディスプレイパネル用部材。 - 特許庁

Also, a stress generated on a bonded surface between a cooler 28 and insulating substrate 18 is reduced by allowing a ceiling plate 42 to be positively deformed since the stiffness of the comparatively thin ceiling plate 42 is intentionally made low while the stiffness required for the casing 28 is being maintained by a comparatively thick bottom plate 44.例文帳に追加

又、比較的厚肉の底板４４によってケーシング２８に要求される剛性を確保しつつ、比較的薄肉の天板４２の剛性が意図的に低く構成されることで、冷却器２８と絶縁基板１８との接合面に生ずる応力を、天板４２が積極的に変形することで緩和することができる。 - 特許庁

A photoelectric converter comprises: a silicon substrate 1; a photoelectric converting element 5; an antireflection film 9 for preventing incident light from being reflected by a light receiving surface of the photoelectric converting element 5; an element isolation region 2 including an insulator for isolating the photoelectric converting element 5; an interlayer insulating film; multiple transistors; and conductive members electrically connected to active regions of the transistors.例文帳に追加

光電変換装置は、シリコン基板１に、光電変換素子部５と、光電変換素子５の受光面での入射光の反射を防止する反射防止膜９と、光電変換素子５を素子分離するための絶縁体を有する素子分離領域２と、層間絶縁膜と、複数のトランジスタと、トランジスタの活性領域に電気的に接続される導電性部材と、を有する。 - 特許庁

An empty cell group 5 is composed of a plurality of empty cells 5a on a 1st insulating substrate 1 is provided peripherally with a plurality of electrostatic protection patterns 7, wherein each of the patterns 7 comprises an electrostatic conduction portion 8 of constant width (w) and an electrostatic discharge portion 9 where the electrostatic conduction portion 8 is decreased in width at an angle toward an adjacent electrostatic protection pattern.例文帳に追加

第１の絶縁性基板１上における、複数の空セル５ａからなる空セル群５の周囲に複数の静電気保護パターン７を周設し、静電気保護パターン７は、一定の幅ｗをもった静電気導通部分８と、静電気導通部分８の幅を隣り合う静電気保護パターンに近づくにつれて角度をもたせて減少させた静電気放電部分９とからなる。 - 特許庁

Each pixel 20 has: the pixel electrode 160 and the common electrode 140 which are provided on one substrate of a pair of substrates and layered via the insulating film; an alignment layer disposed on an liquid crystal layer side of the pixel electrode 160 and the common electrode 140; and a circuit capacitance connected to a liquid crystal capacitance via the liquid crystal layer between the pixel electrode 160 and the common electrode 140.例文帳に追加

各画素２０は、一対の基板の一方の基板に設けられ、絶縁膜を介して積層された画素電極１６０と共通電極１４０と、画素電極１６０および共通電極１４０よりも液晶層側に配置された配向膜と、画素電極１６０と共通電極１４０との間の液晶層を介した液晶容量に接続された回路容量と、を有している。 - 特許庁

On a wiring substrate 100, a wiring layer 12 and a flip-chip connection terminal 13 are formed on an insulating base material 11, and the flip-chip connection terminal 13 is formed by forming a 1 μm or more thick silver film on the copper metal and furthermore, the silver film is formed by electrolytic silver plating with a current density of 1 to 50 A/dm2.例文帳に追加

本発明の配線基板１００は、絶縁基材１１上に配線層１２及びフリップチップ接続用端子１３が形成されており、フリップチップ接続用端子１３は銅金属上に膜厚１μｍ以上の銀膜が形成されたもので、さらに、銀膜が１〜５０Ａ／ｄｍ^2の電流密度で電解銀めっきにて形成されたものである。 - 特許庁

In an epitaxial wafer for a heterobipolar transistor, including a collector layer 3, a base layer 4, and an emitter layer 5 on a semi insulating InP substrate 1, hydrogen atoms contained into the base layer 4 are consumed and the activation rate of carbon impurity is improved by using an organic phosphorous compound, such as trimethylphosphate as the raw material for epitaxial growth of all or a part of the emitter layer 5.例文帳に追加

半絶縁性ＩｎＰ基板１上にコレクタ層３、ベース層４、エミッタ層５を含むヘテロバイポーラトランジスタ用エピタキシャルウエハにおいて、エミッタ層５のすべてまたは一部のエピタキシャル成長の原料として、トリメチルリン等の有機リン化合物を用いることにより、ベース層４に取り込まれた水素原子を消費し、炭素不純物の活性化率を向上させる。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device has a step of forming a silicon nitride film 352 in all of a recess 351, formed in an underlying region 350 in a main surface side of a semiconductor substrate, and a step of forming an insulating region in all of the recess 351, by oxidizing the silicon nitride film 352 to transform the silicon nitride film 352 into a silicon oxide film 353.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、半導体基板の主表面側の下地領域 ３５０に形成された凹部３５１内全体にシリコン窒化膜３５２を形成する工程と、前記シリコン窒化膜３５２を酸化して該シリコン窒化膜３５２をシリコン酸化膜３５３に変換することにより、前記凹部内全体に絶縁領域を形成する工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

The thin-film heater 10 has on a substrate 11 made of an insulator such as a quartz plate two couples of 1st thin-film resistance bodies 12a and 12c capable of forming a positive temperature gradient and 2nd thin-film resistance bodies 12b and 12d capable of a negative temperature gradient, and an insulating film 13 is formed on them.例文帳に追加

本発明の薄膜ヒータ１０は、石英板などの絶縁体により形成された基板１１上に、正の温度勾配が形成できる第１の薄膜抵抗体１２ａ，１２ｃと、負の温度勾配が形成できる第２の薄膜抵抗体１２ｂ，１２ｄとからなる２対の薄膜抵抗体膜が形成されており、これらの上に絶縁膜１３が形成されて構成されている。 - 特許庁

In this SOI semiconductor integrated circuit, semiconductor residue layers which exist between transistor active regions 155b and a body- contact active region 155a and are smaller in thickness than those of the active regions 155b and 155a are arranged on the embedded insulating layer of an SOI substrate and covered with the element separating layers of partial trenches.例文帳に追加

トランジスタ活性領域１５５ｂ及びボディコンタクト活性領域１５５ａの間に存在するトランジスタの活性領域及びボディコンタクトの活性領域より薄い半導体残余物層がＳＯＩ基板の埋め込み絶縁層の上に配置され、しかも半導体残余物層は部分トレンチの素子分離層によって覆われる。 - 特許庁

After an Al layer 3 and a metal seed layer 4 are formed, by a vapor deposition method, on a surface of an aluminum substrate 1 where an alumite coating 2 as an insulating film is formed using anodization, the Al layer 3 and alumite coating 2 are partially changed into a boehmite layer through hydration processing to form the boehmite layer 3a between the alumite coating 2 and metal seed layer 4.例文帳に追加

陽極酸化処理を用いて絶縁膜であるアルマイト皮膜２を形成したアルミニウム基板１の表面に、気相成長法によりＡｌ層３と金属シード層４を形成した後、水和処理によりＡｌ層３とアルマイト皮膜２の一部をベーマイト層に変化させ、アルマイト皮膜２と金属シード層４との間にベーマイト層３ａを形成する。 - 特許庁

The manufacturing method for the semiconductor device includes a step of forming an amorphous semiconductor film 15 on an insulating substrate 1, a step of dehydrogenating the amorphous semiconductor film 15, a step of forming a protective layer 5 on the dehydrogenated amorphous semiconductor film 15, and a step of transforming the amorphous semiconductor film 15 into a polycrystal film via the protective layer 5.例文帳に追加

本発明にかかる半導体装置の製造方法は、絶縁性基板１上に非晶質半導体膜１５を成膜する工程と、非晶質半導体膜１５を脱水素処理する工程と、脱水素処理された非晶質半導体膜１５に保護層５を形成する工程と、保護層５を介して非晶質半導体膜１５を多結晶化する工程とを備える。 - 特許庁

The memory cell has a self-aligned two-layer gate structure which is formed on a semiconductor substrate 101 and comprises a gate insulation film 2, a first conductor 3 which becomes the floating gate layer, a second conductor 7 which becomes the control gate layer, and an insulation film 6 for electrically insulating the first conductor and the second conductor.例文帳に追加

メモリセルは、半導体基板１０１上に形成された、ゲート絶縁膜２と、浮遊ゲート層となる第１の導電体３と、制御ゲート層となる第２の導電体７と、第１の導電体と第２の導電体を電気的に絶縁する絶縁膜６からなる自己整合的な二層ゲート構造を有する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a flexible printed wiring board, a film sheet whose parts to be plated are made of an insulating resin layer previously punched, and an adhesive layer whose adhesion is to be decreased by ultraviolet radiation is adhered to a circuit surface of the flexible printed substrate on which the circuit is formed, is subjected to plating and is peeled after radiating ultraviolet rays.例文帳に追加

メッキ処理する箇所が、予め打抜かれた絶縁樹脂層と紫外線照射により密着力が低下する接着剤層からなるフィルムシートを、回路が形成されたフレキシブルプリント基板の回路面に貼り合わせ、メッキ処理した後紫外線照射してフィルムシートを剥離することを特徴とするフレキシブルプリント配線板の製造方法。 - 特許庁

On an insulating substrate 100 which is provided with a thin film transistor 125, a metal wire for driving the thin film transistor 125, a pixel electrode 130 connected to the thin film transistor 125 and a luminous layer 136 formed on the pixel electrode 130, a pattern 104 is formed of a material for achieving low reflectance while avoiding the overlap with the pixel electrode 130.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１２５、薄膜トランジスタ１２５を駆動する金属配線、薄膜トランジスタ１２５と連結される画素電極１３０及び画素電極１３０上に形成された発光層１３６を備える絶縁基板１００上に、画素電極１３０と重ならないように、低反射率と実現する物質からなるパターン１０４を形成する。 - 特許庁

One substrate of the liquid crystal display has a common electrode, a pixel electrode P disposed on the common electrode via an insulating film and having a pattern of a stripe shape, an alignment layer disposed on the pixel electrode P and aligning a liquid crystal, and a means for applying voltage between the pixel electrode P and the common electrode to change an alignment state of the liquid crystal.例文帳に追加

液晶表示装置の片方の基板は、共通電極と、絶縁膜を介して共通電極の上に配されたストライプ状のパターンを有する画素電極Ｐと、画素電極Ｐの上に配され液晶を配向する配向層と、画素電極Ｐと共通電極との間に電圧を印加して液晶の配向状態を変化させる手段とを有する。 - 特許庁

In the stack-type semiconductor device where a plurality of devices are laminated on a frame substrate having a plurality of outer lead terminals, the plurality of devices are laminated in steps by an insulating adhesive for resin-sealing, an electrode formed in each device has an exposed, inclined surface, and the electrode is connected to the outer lead terminal along the inclined surface by a lead wire.例文帳に追加

複数のアウターリード端子を有するフレーム基板上に複数のデバイスが積層されたスタックタイプの半導体装置であって、該複数のデバイスは絶縁性接着剤で階段状に積層されて樹脂封止され、且つ各デバイスに形成された電極が露出した斜面を有しており、該電極と前記アウターリード端子とが斜面に沿ってリード線で接続されていることを特徴とする。 - 特許庁

A first layer 4 consisting of mixed conductive bodies is formed on an insulating substrate 1 in the form of being pinched by a source electrode 2 and a drain electrode 3, then, a third layer 5 consisting of ion conductive bodies is formed on the first layer 4, and further, a second layer 6 consisting of the mixed conductive bodies is formed on the third layer 5.例文帳に追加

絶縁性基板１上に、ソース電極２およびドレイン電極３に挟まれる形で、混合導電体からなる第１の層４を形成し、その第１の層４上に、イオン導電体からなる第３の層５を形成、さらにその第３の層５の上に、混合導電体からなる第２の層６を形成する。 - 特許庁