「insulating substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(185ページ目) - Weblio英語例文検索

An insulating substrate 3 is provided with antenna coils 4 for transmitting and receiving electromagnetic waves, the capacitor 50 constituting a resonance circuit 7 together with the antenna coils 4, a data processing part 6 for processing data transmitted and received through the electromagnetic waves, and an electrostatic capacitance varying means 60 for changing the electrostatic capacitance of the capacitor in accordance with compressive force given from the outside.例文帳に追加

絶縁基板３に、電磁波を送受信するアンテナコイル４と、アンテナコイル４とともに共振回路７を構成するコンデンサ５０と、電磁波を介して送受信されるデータを処理するデータ処理部６と、外部から付与された圧縮力に応じて前記コンデンサの静電容量を変化させる静電容量可変手段６０と、を備えている。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a first conductive well region formed in a semiconductor substrate, a second conductive source/drain region of a conductive type opposite to the first conductive type formed closely to the surface of the well region, a gate insulating film constituted of metallic oxide formed on the well region, and a gate electrode constituted of first conductive type polysilicon.例文帳に追加

半導体基板に形成された第１の導電型のウェル領域と、ウェル領域の表面近くに形成された、第１の導電型とは反対の導電型である第２の導電型のソース・ドレイン領域と、ウェル領域上に形成された、金属酸化物からなるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された、第１の導電型のポリシリコンからなるゲート電極とを有する。 - 特許庁

In this heterojunction bipolar transistor, a GaAs sub-collector layer 2, GaAs collector layer 3, GaAs base layer 4, AlGaAs transition layer 5, AlGaAs emitter layer 6 and GaAs emitter contact layer 7 are laminated sequentially on a semi-insulating GaAs substrate 1 to respectively form a collector electrode 8, a base electrode 9 and an emitter electrode 10.例文帳に追加

半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に、ＧａＡｓサブコレクタ層２、ＧａＡｓコレクタ層３、ＧａＡｓベース層４、ＡｌＧａＡｓ遷移層５、ＡｌＧａＡｓエミッタ層６、ＧａＡｓエミッタコンタクト層７を順次積層しそれぞれコレクタ電極８ベース電極９エミッタ電極１０を形成する。 - 特許庁

To provide a printed-wiring board of which insulating substrate is consisted mainly of a nonwoven fabric and contains organic fiber pulp in the binder component bonding fiber chops to each other, wherein misdetection that a nondefective point is recognized as a defective point is prevented in inspection of a printed-wiring pattern with an optical automatic inspection system.例文帳に追加

絶縁層基材が有機繊維チョップを主成分とし繊維チョップ同士を結着するバインダ成分に有機繊維パルプを含む電気絶縁用不織布であるプリント配線板を対象とし、光学式自動検査装置によるプリント配線パターン検査時に、欠陥でない箇所を欠陥と認識してしまう誤検出を防止する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory which is reduced in the amount of an organic gaseous substance in an environmental atmosphere and capable of manufacturing a quantum dot having a size and/or density within an optimum range, in the manufacturing method the a flash memory which forms the quantum dot on the insulating film of a semiconductor substrate as a floating gate.例文帳に追加

本発明は、半導体基板の絶縁膜上に、フローティングゲートとして量子ドットを形成するフラッシュメモリの製造方法において、環境雰囲気中の有機ガス状物質を低減し、適正範囲内のサイズ及び／又は密度の量子ドットの製造が可能となるフラッシュメモリの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, along with a manufacturing method and assembling method thereof, capable of preventing the breakage of a semiconductor chip element surface, especially that of a low dielectric constant insulating film arranged directly above a solder material, by minimizing a thermal stress from reflow of the solder material used for connecting a semiconductor chip to a substrate.例文帳に追加

半導体チップと基板との接続に用いられる半田材料のリフローによる熱応力を最小限にし、半導体チップ素子面の破壊、特に半田材料の直上に配置された低誘電率絶縁膜の破壊を防止することができる半導体装置、半導体装置の製造方法及び組立方法を提供する。 - 特許庁

In this method, silicon nitride-based insulating films are resepectively formed on substrates in a reaction chamber for chemical vapor phase growth housing at least one substrate by causing a reaction between at least one kind of precursor gas selected from among a group composed of monosilyl amine, disilyl amine, and carbon- and chlorine-free silazane compound and an ammonia gas by supplying both gases into the reaction chamber.例文帳に追加

少なくとも１つの基板を収容する化学気相成長用反応チャンバ内にモノシリルアミン、ジシリルアミン、および炭素フリーかつ塩素フリーのシラザン化合物からなる群の中から選ばれた少なくとも１種の前駆体ガスとアンモニアガスを供給することにより両ガスを反応させ、基板上にシリコン窒化物系絶縁膜を形成させる。 - 特許庁

In the wafer collectively-contact board used to collectively test numerous semiconductor devices formed on a wafer, a GND wiring or a power supply wiring (GND pad 12c or power supply pad 12a) on a multilayer wiring substrate 10 is connected to conductive patterns 35' and 35 on a front surface of an insulating film 32 of a contact member 30.例文帳に追加

ウエハ上に多数形成された半導体デバイスの試験を一括して行うために使用されるウエハ一括コンタクトボードにおいて、 コンタクト部品３０の絶縁性フィルム３２の表面の導電性パターン３５’、３５に、多層配線基板１０におけるＧＮＤ配線又は電源配線（ＧＮＤパッド１２ｃ又は電源パッド１２ａ）を接続する。 - 特許庁

To provide a surface inspection device and its method where a scratch, having various shapes occurring on the surface of a processed object (for example, an insulating film on a semiconductor substrate) and an adhering foreign substance are discriminated and inspected, when the processed object is polished or ground through CMP or the like, in the manufacturing of semiconductors or of magnetic heads.例文帳に追加

半導体製造や磁気ヘッド製造において、被加工対象物（例えば、半導体基板上の絶縁膜）に対してＣＭＰなどの研磨または研削加工を施した際、その表面に生じる様々な形状を有するスクラッチと付着する異物とを弁別して検査することができるようにした表面検査装置およびその方法を提供することにある。 - 特許庁

A flexible interposer substrate 11, wherein a plate 6 is in contact with the rear surface of a semiconductor chip 1 without being fixed and which is constituted of a thermoplastic resin 2, an insulating resin 3 and a wiring pattern 10 arranged between the resin layers, is formed to cover the circumferential side surface of the semiconductor chip 1 and the plate 6 once round.例文帳に追加

平板６が半導体チップ１裏面に固定されずに接し、熱可塑性樹脂２と絶縁性樹脂３とこれらの樹脂層間に配置された配線パターン１０とで構成されるフレキシブルインターポーザー基板１１が、半導体チップ１及び平板６の周側面を１周に亘って覆うようにして形成されている。 - 特許庁

To provide a wiring board with excellent connection reliability as well as low electric resistance that prevents a metallized wiring layer comprising copper or an alloy predominantly composed of copper from being separated from an insulating substrate when the metallized wiring is connected to an external electric circuit via a low-melting brazing filler metal, and effectively prevents the warpage of the wiring board.例文帳に追加

銅または銅を主成分とする合金から成るメタライズ配線層を外部電気回路に低融点ろう材を介して電気的に接続したときに、メタライズ配線層が絶縁基体から剥がれるような問題が発生することなく、また、配線基板の反りも効果的に防止した、接続信頼性に優れるとともに低電気抵抗の配線基板を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the printed wiring board has a blackening step of blackening the surface of a conductive layer provided on an insulating substrate; a photolithography step of laminating a dry film on the blackened surface, and exposing and developing the dry film; and an etching step of etching the conductive layer exposed by the photolithography step to form the circuit pattern.例文帳に追加

絶縁基板上に設けられた導電層の表面を黒化する黒化処理工程と、黒化された該表面にドライフィルムを積層し、該ドライフィルムを露光、現像するフォトリソグラフィ工程と、該フォトリソグラフィ工程により露出した導電層をエッチングして回路パターンを形成するエッチング工程とを有するプリント配線板の製造方法である。 - 特許庁

The submount member 30 has a conductive pattern where respective electrodes at one surface side of the LED chip 10 are connected via bumps 13, 13 is provided, and each conductive pattern is connected to lead patterns 23, 23 provided on an insulating base material 22 in the packaging substrate 20 by bonding wires 14, 14.例文帳に追加

サブマウント部材３０には、ＬＥＤチップ１０の一表面側の各電極それぞれがバンプ１３，１３を介して接続される導体パターンが設けられ、各導体パターンと実装基板２０の絶縁性基材２２に設けられたリードパターン２３，２３とがボンディングワイヤ１４，１４により接続されている。 - 特許庁

In order to manufacture the thin film transistor, having a laminated structure provided with a semiconductor thin film 5 composed of polycrystalline silicon, an oxidized film 3 composed of the oxide of silicon and a gate electrode film and a thin-film forming process for forming the semiconductor thin film 5 composed of an amorphous silicon on an insulating substrate 0 is carried out first.例文帳に追加

多結晶シリコンからなる半導体薄膜５と、シリコンの酸化物からなる酸化膜３と、ゲート電極膜とを含む積層構造を有する薄膜トランジスタを製造する為に、先ず、絶縁性の基板０に非晶質シリコンからなる半導体薄膜５を形成する薄膜形成工程を行なう。 - 特許庁

The surface-mounted package is composed of at least metal substrates or conductive films, light emitting diodes arranged between the plurality of metal substrates or conductive films, a phosphor layer converting the light of the light emitting diodes to desired color tone, and an insulating ring-like substrate with the plurality of metal substrates or conductive films arranged thereon at predetermined intervals.例文帳に追加

前記表面実装型パッケージは、金属基板または導電膜と、前記複数の金属基板または導電膜の間に設けられた発光ダイオードと、前記発光ダイオードの光を所望の色調に変換する蛍光体層と、前記複数の金属基板または導電膜を所定間隔で配置した絶縁性リング状基板とから少なくとも構成されている。 - 特許庁

Since a GaAs Hall element chip 3 is mounted on the surface of an insulating substrate 14 having a surface sealed with plastic resin 6 and a bare rear surface, plastic resin 6 being employed in a prior art Hall element 1 for covering the back side of lead frame 2 is eliminated resulting in a smaller and thinner Hall element.例文帳に追加

絶縁性基板１４の表面にＧａＡｓホール素子チップ３を実装し、絶縁性基板１４の表面側のみプラスチック樹脂６で封止して絶縁性基板１４の裏面をベアーとすることにより、従来のホール素子１に用いられていたリードフレーム２の裏面側を覆うプラスチック樹脂６が不要となり、その分だけ小型で薄型のホール素子１０が得られる。 - 特許庁

The MEMS sensor comprising: a first layer, a base layer, a first insulating layer disposed between the first layer and the base layer, and a cavity that has been formed in any of the foregoing layers, such that the first layer is a substrate of a semiconductor electrical circuit and as an active MEMS element.例文帳に追加

ＭＥＭＳセンサであって、第一の層と、基層と、該第一の層と該基層との間に配置された第一の絶縁層と、該第一の層と該基層と該第一の絶縁層のうちの任意の層に形成された空洞であって、該第一の層は半導体電気回路の基板であり、アクティブなＭＥＭＳ要素として存在する、空洞とを備えている、ＭＥＭＳセンサ。 - 特許庁

The source-side selection transistor SDTmn includes a source-side conductive layer 22 extending in parallel to a semiconductor substrate Ba, a source-side columnar semiconductor layer 26 formed penetrating the source-side conductive layer 22, and a source-side gate insulating layer 25 formed between the source-side conductive layer 22 and source-side columnar semiconductor layer 26.例文帳に追加

ソース側選択トランジスタＳＤＴｒｍｎは、半導体基板Ｂａに対して平行に延びるソース側導電層２２と、そのソース側導電層２２を貫通するように形成されたソース側柱状半導体層２６と、ソース側導電層２２とソース側柱状半導体層２６との間に形成されたソース側ゲート絶縁層２５とを備える。 - 特許庁

In the dielectric element 1a, the surface roughness Ra of the side face 2E is 5,000 nm or less, so that when burying the dielectric elements 1a and 1b between the glass epoxy resin substrate 10 and insulating material 30, the occurrence of air bubbles between surfaces of the dielectric elements 1a and 1b and the resin can be prevented.例文帳に追加

誘電体素子１ａにおいて、側面２Ｅの表面粗さＲａが５０００ｎｍ以下であるため、誘電体素子１ａ，１ｂをガラスエポキシ樹脂基板１０と絶縁性機材３０との間に埋め込む際に、誘電体素子１ａ，１ｂの表面と樹脂との間に気泡が生じることを防止することができる。 - 特許庁

Since the lead is not contained in a nickel film by a structure having an electrolytic nickel plating layer formed in a solder plating solution bath which does not contain a brightener on a conductor pattern formed on an insulating substrate, the printed wiring board which suited to environmental regulation systems, such as ELV instructions, RoHS instructions, etc., and a method of manufacturing it can be provided.例文帳に追加

絶縁基板上に形成された導体パターンの上に光沢剤を含有しないめっき液浴中で形成された電解ニッケルめっき層を備えた構造により、ニッケル皮膜中には鉛が含まれないため、ＥＬＶ指令、ＲｏＨＳ指令等の環境法規制に適合したプリント配線板とその製造方法を提供することができるものである。 - 特許庁

The transparent insulating substrate is produced by using a resin of a random copolymer consisting of 2-4C α-olefins and cyclic olefins expressed by a specified general formula with a higher content of the cyclic olefins and having ≥230°C glass transition temperature and by the molding method by dissolving carbon dioxide in the above resin and then carrying out injection molding of the resin in dies.例文帳に追加

炭素数が２〜４のα−オレフィンと、特定の一般式で示される環状オレフィンとからなるランダム共重合体であって、環状オレフィンの含有量が高く、ガラス転移温度が２３０℃以上の樹脂を用い、該樹脂に二酸化炭素を溶解させて金型内に射出成形する成形法によって透明絶縁基板を構成する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a gate electrode 17 which is formed on a semiconductor substrate 10 with a gate insulating film 15 in between, with its upper portion being silicided, an offset spacer 20 formed on the side of the gate electrode 17, and a sidewall 22A which covers the side of the offset spacer 20, with its cross section being L-like.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０の上にゲート絶縁膜１５を介在させて形成され、上部がシリサイド化されたゲート電極１７と、ゲート電極１７の側面上に形成されたオフセットスペーサ２０と、オフセットスペーサ２０の側面上を覆う断面Ｌ字状のサイドウォール２２Ａとを備えている。 - 特許庁

The semiconductor device includes an element isolation region 12 formed in a semiconductor substrate 10 and an active region 11 surrounded by the element isolation region 12, the fully silicided gate interconnection 19 formed on the element isolation region 12 and on the active region 11, and an insulating side wall 21 which continuously covers the side face of the gate interconnection 19.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１０に形成された素子分離領域１２及び素子分離領域１２に囲まれた活性領域１１と、素子分離領域１２及び活性領域１１の上に形成され、フルシリサイド化されたゲート配線１９と、ゲート配線１９の側面を連続的に覆う絶縁性のサイドウォール２１とを備えている。 - 特許庁

The method for manufacturing a printed wiring board which forms an insulating layer through a process to film an aromatic cyanate compound having two or more cyanito group in one molecule and a resin composition containing a radical polymer resin on the circuit substrate, a process to light-harden the resin composition, and a process to heat-harden the light-hardened resin composition.例文帳に追加

１分子中に２以上のシアナト基を有する芳香族系シアネート化合物及びラジカル重合性樹脂を含有する樹脂組成物を回路基板に被膜する工程、該樹脂組成物を光硬化する工程及び光硬化された樹脂組成物を熱硬化する工程を経て絶縁層を形成することを特徴とするプリント配線板の製造方法。 - 特許庁

This terminal block includes: a terminal stand provided with a plurality of thermocouple connection terminals; and a metal core print substrate formed by covering with an insulating layer, an upper surface provided with at least a conductor constituting wiring, a lower surface and an outer surface of a metal plate including a through-hole into which a lead terminal of the terminal stand is inserted.例文帳に追加

複数の熱電対接続端子が設けられる端子台と、少なくとも配線を構成する導体が設けられる上面及び下面、並びに、前記端子台のリード端子が挿入されるスルーホールを含む金属板の外面が絶縁層に覆われてなる金属コアプリント基板と、を備えているようにした。 - 特許庁

The display device includes: a silicone oxide film 13 and a silicon nitride film 14 that become base films formed on an insulating substrate 11; a polycrystalline silicon electrode 18 formed on the base film; a gate insulator 16 formed on the polycrystalline silicon electrode 18; and a gate metal electrode 17 formed at a position opposite to the polycrystalline silicon electrode 18 on the gate insulator 16.例文帳に追加

本発明にかかる表示装置は、絶縁基板１１上に形成された下地膜となるシリコン酸化膜１３及びシリコン窒化膜１４と、この下地膜上に形成された多結晶シリコン電極１８と、多結晶シリコン電極１８上に形成されたゲート絶縁膜１６と、ゲート絶縁膜１６上に多結晶シリコン電極１８と対向する位置に形成されたゲートメタル電極１７とを有している。 - 特許庁

Wiring of a semiconductor device is formed by forming a thin film 5 of Al or Al alloy (hereinafter, Al base metal) by sputtering on the surface of an insulating film 2 comprising a recess 3 formed on a substrate, and then applying high-temperature and high-pressure process so that the Al base metal is packed in the recess.例文帳に追加

基板上に形成された凹部３を有する絶縁膜２の表面に、ＡｌまたはＡｌ合金（以下「Ａｌ系金属」という）よりなる薄膜５をスパッタリング法で形成した後、高温高圧処理を施して該Ａｌ系金属を上記凹部内に充填して半導体装置の配線を形成する方法であって、上記スパッタリングを下記条件で行なうことを特徴とする半導体装置の配線形成方法。 - 特許庁

The connector 9 comprising a plug 8 for antenna terminal connection which is connected to an antenna terminal of the television reception device, a relay substrate 7 connected to an antenna conductor 3, and a housing 6 protecting them is directly fitted to cover feed portions 3a and 3b of the antenna conductor 3 on insulating films 2 and 4 where the antenna conductor 3 is disposed.例文帳に追加

テレビ受信装置のアンテナ端子に接続するアンテナ端子接続用プラグ８とアンテナ導体３に接続する中継基板７とこれらを保護するハウジング６からなるコネクタ９を、アンテナ導体３が配された絶縁性フィルム２，４のアンテナ導体３の給電部３ａ，３ｂを覆うように直付けする。 - 特許庁

The bulb-type LED lamp is provided with a metallic case 2 with an LED substrate 13 mounting LEDs 14, an integrated inner case 4 in which an insulating inner case 3 arranged inside the metallic case 2 and a base 1 are integrally structured, and a driving circuit 11 arranged inside the integrated inner case 4 for driving the LEDs 14.例文帳に追加

電球形ＬＥＤランプは、ＬＥＤ１４を搭載したＬＥＤ基板１３を配置した金属製筐体２と、金属製筐体２内に配置される絶縁性インナーケース３と口金１とを一体的に構成した一体型インナーケース４と、一体型インナーケース４の内側に配置される、ＬＥＤ１４を駆動するための駆動回路１１とを備える。 - 特許庁

For this semiconductor device, a silicon region 4 insulated by an insulating layer 2 and a dielectric isolation region 3 is formed on an SOI substrate 1, a polysilicon resistor 6 is formed via an insulation protective film 5 at the upper part of the silicon region 4, the polysilicon resistor 6 and the silicon region 4 are electrically connected, and the polysilicon resistor 6 is used as a resistor.例文帳に追加

ＳＯＩ基板に絶縁層２や誘電体分離領域３で絶縁されたシリコン領域４を形成し、そのシリコン領域４上部に絶縁保護膜５を介してポリシリコン抵抗６を形成し、そのポリシリコン抵抗６とシリコン領域４を電気的に接続して、ポリシリコン抵抗６を抵抗体として使用する。 - 特許庁

A conductive film 3 functioning as a control gate electrode CG, an insulating film 4 between the conductive films which contains a high dielectric film, and a conductive film 5 comprising polycrystalline silicon to which a dopant by phosphorus, arsenic, or boron is added and functioning as a floating gate electrode FG are formed one by one on a silicon substrate 1 through a silicone oxide film 2.例文帳に追加

シリコン基板１上にシリコン酸化膜２を介して、制御ゲート電極ＣＧとして機能する導電膜３、高誘電体膜を含有した導電膜間絶縁膜４、リン、砒素またはボロンによる不純物を添加した多結晶シリコンから構成され、浮遊ゲート電極ＦＧとして機能する導電膜５を順に形成する。 - 特許庁

A diamond polycrystal body composed of electrically conductive diamond particles 1 and an insulating protective phase 2 composed of any one kind selected from among silicon carbide, silicon oxide, silicon nitride, aluminum oxide, aluminum nitride and resin is joined to at least one face of an electrically conductive substrate 4 with an electrically conductive brazing filler metal 3, so that a diamond electrode can be obtained.例文帳に追加

導電性ダイヤモンド粒子１と炭化珪素、酸化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、および樹脂のいずれか一種からなる絶縁保護相２とからなるダイヤモンド多結晶体を導電性ロウ材３によって導電性基板４の少なくとも一つの面に接合してダイヤモンド電極とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method and a manufacturing device capable of detecting a short-circuit between neighboring thin-film solar battery cells, when manufacturing a thin-film solar battery in which a plurality of thin-film solar battery cells are arranged on an insulating transparent substrate so that neighboring thin-film solar battery cells are connected electrically in series.例文帳に追加

隣接する薄膜太陽電池セル間が電気的に直列接続されるように絶縁性透光基板上に複数の薄膜太陽電池セルが配設された薄膜太陽電池を製造するに際して、隣接する薄膜太陽電池セル間の短絡を検出することができる薄膜太陽電池の製造方法および製造装置を得ること。 - 特許庁

The heat plate 10 has lamination constitution such that an insulating material 13 is bonded and fixed on the substrate 11 across an adhesive layer 14 and the resistance heating body 12 is bonded and fixed thereupon across an adhesive layer 15, and is curved semicylindrically around a cylinder axis extending at right angles to the conveying direction of a recording medium.例文帳に追加

ヒートプレート１０は基板１１の上に接着剤層１４を介して絶縁材１３が接着固定され、その上に接着剤層１５を介して抵抗発熱体１２が接着固定された積層構成とし、これを記録媒体搬送方向に直交する方向に延びる円筒軸の回りに、半円筒状に湾曲加工する。 - 特許庁

To provide a polishing pad for mechanically planarizing an insulating layer formed on a silicon substrate or the surface of a metal wiring, where sticking of dust and scratches are reduced, polishing rate is high, a global step is small, dishing of the metal wiring hardly occurs, and clogging and wearing out at the surface layer part hardly generate, with stable polishing rate.例文帳に追加

シリコン基板の上に形成された絶縁層または金属配線の表面を機械的に平坦化するための研磨パッドにおいて、ダスト付着やスクラッチが少なく、研磨レートが高く、グローバル段差が小さく、金属配線でのディッシングが起こりにくく、目詰まりや表層部分のへたりが生じにくく、研磨レートが安定している研磨パッドを提供する。 - 特許庁

Figure 3 shows its one example, wherein it shows such structure that a VDD shield wire 2 is arranged on an VSS power wire 10 connected through a plug 9 to the wire 6 arranged within an insulating film 7 on a substrate 8 where a plurality of transistors are arranged, and that a VSS shield wire 1 is arranged on a VSS wire 11.例文帳に追加

図３はその一例で、複数のトランジスタを配置した基板８上の絶縁膜７中に配置した配線６にプラグ９を介して接続したＶ_ＳＳ電源配線１０上にＶ_ＤＤシールド配線２を配置し、Ｖ_ＤＤ電源配線１１上にＶ_ＳＳシールド配線１を配置した構造を示している。 - 特許庁

The insulating film-forming coating material comprises an organic solvent which has good wettability to any of a glass compound such as a glass substrate, a metallic compound such as an Ag electrode, and a ceramic compound such as an ITO film and of which contact angle to the above inorganic materials is smaller than 5°, inorganic fine particles, and a binder resin as the essential components.例文帳に追加

ガラス基板などのガラス化合物、Ａｇ電極などの金属化合物、ＩＴＯ膜などのセラミックス化合物のいずれとも濡れ性が良く、前記各無機材料との接触角が５°未満である有機溶剤と、無機微粒子及びバインダー樹脂とを必須成分として含有する絶縁膜形成用塗料とする。 - 特許庁

This presents a manufacturing method for a semiconductor device that has an MOS transistor 10 and a thin film resistance element 30 on one and the same silicon substrate 1, which includes the steps of forming a thin film resistance element 30 on an interlayer insulating film 40 after a top layer electrode 27 has been formed and performing laser annealing treatment on this thin film resistance element 30 to modify its behavior.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ１０と薄膜抵抗素子３０とを同一のシリコン基板１上に有する半導体装置の製造方法であって、最上層電極２７を形成した後で、層間絶縁膜４０上に薄膜抵抗素子３０を形成する工程と、この薄膜抵抗素子３０にレーザーアニール処理を施してその特性を改質する工程と、を含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin film transistor which easily realizes a fine electrode pattern, and forms so that a substrate front surface and an electrode pattern front surface may turn into the same plane, thereby laminating an insulating film which is laminated on the upper surface of the electrode, and which can, as a result, lower the drive voltage of a transistor.例文帳に追加

微細な電極パターンを容易に実現し、かつ基材表面と電極パターン表面とが同一平面となるように形成することにより、電極の上部に積層する絶縁膜を薄膜化することができ、その結果トランジスタの駆動電圧を下げることが出来る薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

A heating head 1 attached to a heating block 2 and heated is inserted into a hole 21, bored on the laminated printed circuit board 20 made by laminating a printed circuit board 20a and an insulating body 20b having thermosetting characteristic, to melt and bond the inside surface of the hole 21 uniformly by fusion; and lay up the laminated printed circuit substrate.例文帳に追加

プリント配線板２０ａと熱硬化特性を有する絶縁体２０ｂを積層した積層プリント配線板２０にあけられた穴２１に、加熱ブロック２に取り付けられ加熱された加熱ヘッド１を挿入して、穴２１の内側面を均一に溶融溶着させて、積層プリント配線基板をレイアップする。 - 特許庁

The organic thin film transistor at least includes a substrate, an organic semiconductor layer, a gate insulating film, and a conductor, and the surface of the organic semiconductor layer contains an organic semiconductor crystal whose length of the longest portion exposed on the surface of the organic semiconductor layer is 100 nm or longer, at 10% or more with respect to a superficial area of the organic semiconductor layer.例文帳に追加

少なくとも、基板、有機半導体層、ゲート絶縁膜、及び導電体を備えた有機薄膜トランジスタであって、有機半導体層の表面が、有機半導体層の表面に露出している最長部の長さが１００ｎｍ以上である有機半導体結晶を、有機半導体層の表面積に対して１０％以上含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 - 特許庁

A protruding bonding material is formed on the sealing side face of the flange of a cover, a first groove shallower than the thickness of the bonding material and being fitted with the bonding material is formed in the circumferential edge part of an insulating substrate, and a metallize layer and a plating layer are formed in the first groove and at the edge part thereof.例文帳に追加

蓋のフランジの封止側面に凸状の固着材を形成し、絶縁基板の周縁部にはこの固着材が嵌め合い且つ固着材の厚みよりも浅い第１の溝部が形成され、第１の溝部及び第１の溝部の縁部にメタライズ層及びメッキ層が形成されていること特徴とする電子部品用パッケージ。 - 特許庁

The gate insulating film 13 and the gate electrode 14 of an nMOS transistor are formed with non-monocrystal silicon on a silicon substrate 10, and n-type dopant such as As or Sb whose mass number is relatively large (the mass number is ≥70) is injected by using the gate electrode 14 as a mask to form the source/drain area of the nMOS transistor.例文帳に追加

シリコン基板１０上にｎＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜１３およびゲート電極１４を非単結晶シリコンで形成し、ゲート電極１４をマスクとして例えばＡｓやＳｂ等の比較的質量数が大きい（質量数７０以上）ｎ型ドーパントを注入することで、ｎＭＯＳトランジスタのソースドレイン領域を形成する。 - 特許庁

The multilayer printed board 1 in which a plurality of conductor patterns 22 are laminated via an insulating base 23 made of a thermoplastic resin, and the number of layers for stacking a conductor pattern 22 in a substrate region can be increased or decreased, includes an earthing part AP which is integrally extended separately from a partial region in a laminating direction and is grounded.例文帳に追加

熱可塑性樹脂からなる絶縁基材２３を介して複数の導体パターン２２を積層するとともに、基板領域内にその導体パターン２２を積層する層数が増減可能な多層プリント基板１において、一部の領域から積層方向に分離して一体延出され、アース接地される接地部ＡＰを備えている。 - 特許庁

A semiconductor laser 26 is mounted on a submount 16 through solder layers 20, 21 and 22 by junction-down mounting, and it is formed monolithically with an infrared laser part 27 and a red laser part 28 which are isolated by an isolation groove 29, where an insulating layer 14 is formed, and are placed adjacently on an n-type GaAs substrate 1.例文帳に追加

半導体レーザ２６はサブマウント１６の上に半田層２０、２１および２２を介してジャンクションダウン実装により載置されたものであり、それはｎ−ＧａＡｓ基板１の上に、絶縁層１４が形成された分離溝２９によって分離された赤外レーザ部２７と赤色レーザ部２８とが隣接してモノリシックに形成されたものである。 - 特許庁