「insulating substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(186ページ目) - Weblio英語例文検索

The driving circuit is formed on an insulating substrate and contains a gate line including a pad to connect with an external circuit, a data line insulated from and intersecting with the gate line and having a pad to connect an external circuit, a gate driving circuit connected to the gate pad, and a data driving circuit connected with the data pad.例文帳に追加

絶縁基板上に形成されており、外部回路との連結のためのパッドを含むゲート線と、ゲート線と絶縁して交差しており外部回路との連結のためのパッドを含むデータ線と、ゲートパッドと連結されているゲート駆動回路と、データパッドと連結されているデータ駆動回路とを含む。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein breakdown of a semiconductor element by thermal stress is prevented effectively, and primary packaging reliability and secondary packaging reliability can be ensured simultaneously in a semiconductor device in which a semiconductor element, especially a semiconductor element which uses silicon as semiconductor material is mounted on a wiring board having a ceramic insulating substrate, and to provide its packaging structure.例文帳に追加

半導体素子、特にシリコンを半導体材料として用いた半導体素子がセラミック絶縁基板を有する配線基板上に搭載された半導体装置において、熱応力による半導体素子の破壊が有効に防止され、１次実装信頼性と、２次実装信頼性とを同時に確保できる半導体装置とその実装構造を提供する。 - 特許庁

The organic thin-film transistor device, having at least a gate electrode, a gate insulating film, a source electrode, a drain electrode and an organic semiconductor layer on a substrate, is equipped with supporting units which pinch the organic semiconductor layer and the protective layer arranged separately from the organic semiconductor layer with a space by the support of the supporting units.例文帳に追加

基板上に、少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、および有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタ装置であって、有機半導体層を挟む支持部と、該支持部による支持によって有機半導体層に対して空間を介して離隔配置されている保護層と、を備える。 - 特許庁

Such a wiring circuit substrate is obtained by coating a metal foil with a solution obtained by preferably dissolving the polyimide obtained by the condensation polymerization of the 2,2'-dichloro-4,4',5,5'-biphenyl tetrapod carboxylic acid dianhydride and the aromatic diamine in an organic solvent, heating and drying, and forming the insulating film made of the polyimide on the metal foil.例文帳に追加

このような配線回路基板は、好ましくは、２，２’−ジクロロ−４，４’，５，５’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとを重縮合して得られるポリイミドを有機溶媒に溶解させてなる溶液を金属箔上に塗布し、加熱乾燥して、ポリイミドからなる絶縁膜を金属箔上に形成することによって得ることができる。 - 特許庁

The thermal transfer image receiving sheet has at least one receiving layer comprising a polymer latex and at least one heat insulating layer comprising a hollow polymer on a substrate, and the polymer latex incorporated in the receiving layer comprises a copolymer comprising a repeating unit obtained from an acrylate or methacrylate with a carbon number of the alcohol part of ≥8.例文帳に追加

支持体上に、ポリマーラテックスを含む少なくとも１層の受容層と中空ポリマーを含有する少なくとも１層の断熱層を有し、かつ該受容層に含まれるポリマーラテックスが、アルコール部の炭素数が８以上であるアクリルもしくはメタクリル酸エステルから得られる繰り返し単位を含む共重合体からなることを特徴とする感熱転写受像シート。 - 特許庁

More concretely, the manufacturing method of the micro electromachinery type device to simultaneously carry out the removal of the mask and the sacrifice layer by selectively forming the sacrifice layer 10 on the insulating substrate, forming a semiconductor layer 104 by covering the sacrifice layer, forming the mask 105 on the semiconductor layer and etching the semiconductor layer by using the mask is provided.例文帳に追加

具体的には絶縁性基板上に選択的に犠牲層１０３を形成し、犠牲層を覆って半導体層１０４を形成し、半導体層上にマスク１０５を形成し、マスクを用いて半導体層をエッチングし、マスク及び犠牲層の除去を同時に行う微小電気機械式装置の作製方法を提供する。 - 特許庁

To send and receive a high frequency signal reducing a transmission loss by preventing the characteristic impedance of a transmission path of a passing through conductor that connects an electrode pad and a semiconductor device from varying from a predetermined value (50 Ω) due to the generation of unnecessary capacitance between an inner layer ground conductor and the electrode pad in an insulating substrate.例文帳に追加

絶縁基板内の内層接地導体と電極パッドとの間で不要なキャパシタンスが発生し、これが電極パッドと半導体素子とを接続する貫通導体等の伝送路の特性インピーダンスを所定値（５０Ω）から変化させるのを防ぎ、高周波信号を伝送損失を小さくして送受信し得るようにすること。 - 特許庁

As the electron-emitting region, a graphite sheet 101 in which ions other than carbon are implanted into a prescribed region from surface, is fixed on a substrate 102 by an adhesive layer 103, a conductive gate layer 106 is installed via the graphite sheet and an insulating layer 105, and a phosphor layer 109 is arranged facing the graphite sheet 101.例文帳に追加

電子放出領域として、表面から所定の領域に炭素以外のイオンを打ち込んだグラファイトシート１０１が基板１０２上に接着層１０３で固定され、前記グラファイトシートと絶縁層１０５と介して導電性ゲート層１０６が設けられ、グラファイトシート１０１に対向して蛍光体層１０９を配置した。 - 特許庁

The indicating element indicating a specified shape is composed of an organic electroluminescence element formed by laminating a transparent anode, an organic EL compound layer, a cathode buffer layer patterned in approximately the same shape as a specified shape, and a cathode on a transparent insulating substrate in the order.例文帳に追加

所定形状を表示する表示素子であって、透明絶縁基板上に、透明陽極と、有機ＥＬ化合物層と、該所定形状と略同一形状にパターニングされた陰極バッファー層と、陰極とがこの順序で積層された有機エレクトロルミネッセンス素子からなることを特徴とする表示素子。 - 特許庁

This catalytic apparatus is provided with a catalyzing part 1 having a catalyst layer deported on an electrically insulating substrate and an ultraviolet irradiating part 2 for irradiating the part 1 with ultraviolet rays for efficiently decomposing a malodorous substance or a toxic substance by enhancing the activation degree of a catalyst much more and making the power consumption very small.例文帳に追加

絶縁性基材上に設けた触媒層を有する触媒部１と、この触媒部１に紫外線を照射する紫外線照射部２とを備え、触媒の活性化度を一層高めて、悪臭物質あるいは有害物質を効率的に分解でき、消費電力が非常に少ない触媒装置としているものである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an organic EL panel, capable of improving a manufacturing yield by suppressing destruction of a display region and shortening a manufacturing process by simplifying a scribing process of an insulating substrate, by enlarging an electrostatic capacity of holding electric charges due to static electricity.例文帳に追加

本発明は、静電気による電荷を保持することができる静電容量を大きくすることによって、表示領域の破壊を抑制し、もって製造歩留まりを向上させるとともに、絶縁基板の切断工程を単純化し、製造工程を短縮することが可能な有機ＥＬパネルの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

This organic electrochemical luminescent element comprises an electrolyte having at least one kind of an organic compound emitting light by an ion collision between different ion radicals, an organic solvent dissolving the organic compound and a polymer compound dissolved in the organic solvent when heated and gelled at room temperature between first and second electrodes provided on an insulating substrate as a basic component.例文帳に追加

絶縁基板上に設けた第一の電極と第二の電極の間に、異なるイオンラジカル間のイオン衝突により発光する有機化合物と、該有機化合物を溶解する有機溶剤と、該有機溶剤に熱時溶解し室温時ゲル化する高分子化合物とを、少なくとも各一種類を基本構成とする電解質として備えることを特徴とする有機電界化学発光素子により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

A semiconductor layer 100, insulating layers 106 and 106A, and a gate electrode 107 are successively formed on a source electrode 102 and a drain electrode 103 arranged on a substrate 101, where the semiconductor layer 100 is a laminated structure composed of an amorphous silicon layer 104 and a polycrystalline silicon layer 105 formed on the silicon layer 104.例文帳に追加

基板１０１上に配置されたソース電極１０２及びドレイン電極１０３の上に半導体層１００、絶縁層１０６，１０６Ａ及びゲート電極１０７を順に形成すると共に、半導体層１００を、アモルフアスシリコン層１０４と、アモルフアスシリコン層１０４の上に配された多結晶シリコン層１０５とから成る積層構造とする。 - 特許庁

In the ion beam sputtering apparatus for depositing an insulating thin film on a substrate by irradiating a target with ion beams from an ion gun, a conductive target 31 is arranged at the position where a part of the ion beams are emitted, and a conductive film is deposited on a grid 22 of the ion gun 13 by particles sputtered out from the conductive target 31.例文帳に追加

イオンガンよりイオンビームをターゲットに照射して絶縁性の薄膜を基板上に成膜するイオンビームスパッタ装置において、イオンビームの一部が照射される位置に導電材ターゲット３１を配置し、その導電材ターゲット３１よりスパッタアウトされた粒子によってイオンガン１３のグリッド２２に導電膜が堆積される構成とする。 - 特許庁

In the wiring sheet for a solar cell which feeds a current generated on the surface of a back contact type solar cell to an electrode on the rear surface, a laminate of an insulating substrate and a conductor is laminated with an ionomer resin interposed therebetween, and a wiring pattern is formed on the conductor.例文帳に追加

バックコンタクト型太陽電池の表面で発生する電流を裏面の電極に流すための太陽電池用配線シートであって、絶縁性を有する基材と導電体からなる積層体がアイオノマー樹脂を介して積層され、該導電体に配線パターンを施してなることを特徴とする太陽電池用配線シートである。 - 特許庁

The method of manufacturing a silicon carbide semiconductor device 1a includes a step for forming a polycrystalline silicon film 18 doped with phosphorus on a silicon carbide epitaxial layer 6 of a silicon carbide substrate 2 having the silicon carbide epitaxial layer 6, and a step for forming a gate insulating film 12 by thermally oxidizing the polycrystalline silicon film 18.例文帳に追加

この発明に係る炭化珪素半導体装置１ａの製造方法は、炭化珪素エピタキシャル層６を有する炭化珪素基板２の炭化珪素エピタキシャル層６上に、リンをドープした多結晶珪素膜１８を形成する工程と、多結晶珪素膜１８を熱酸化してゲート絶縁膜１２を形成する工程と、を備えた。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a first silicon nitride film formed on the insulating substrate, a first silicon oxide film formed on the first silicon nitride film, a semiconductor film formed on the first silicon oxide film, a second silicon oxide film formed on the semiconductor film, and a second silicon nitride film formed on the second silicon oxide film.例文帳に追加

絶縁性基板上に形成された第１の窒化珪素膜と、前記第１の窒化珪素膜上に形成された第１の酸化珪素膜と、前記第１の酸化珪素膜上に形成された半導体膜と、前記半導体膜上に形成された第２の酸化珪素膜と、前記第２の酸化珪素膜上に形成された第２の窒化珪素膜とを有することを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

To obtain a powder carrier in which powder can be carried appropriately through action of an appropriate traveling wave type field between parallel electrodes while reducing the size of the power carrier by forming more than two kinds of parallel electrodes easily and sequentially on one side of an insulating substrate without causing any contact.例文帳に追加

粉体搬送装置において、絶縁性基板に３種以上の平行電極を順々に繰り返して設けるにあたり、３種以上の平行電極が接触することなく絶縁性基板の片面に簡単に形成され、装置が小型化すると共に、平行電極間において進行波型の電界が適切に作用して、粉体が適切に搬送されるようにする。 - 特許庁

The method of manufacturing a multilayer wiring board for forming a plurality of interlayer insulating layers and wiring on one side or both sides of a core substrate has steps of processing the surface of the wiring with a solution containing an imidazole-type silane coupling agent, cleaning it with water, and then drying it at a temperature of less than 50°C.例文帳に追加

コア基板の片面または両面に、層間絶縁層と配線を複数層形成する多層配線基板の製造方法において、前記配線表面を、イミダゾール系シランカップリング剤を含んだ溶液により処理した後、水洗を行い、さらに５０℃未満の温度において乾燥する工程を有する多層回路基板の製造方法。 - 特許庁

This manufacturing method of a semiconductor device is performed by a method, wherein a polysilicon film 13 is formed in a contact hole 12 formed in a first interlayer insulating film 11 on a silicon substrate 10, in such a way that the upper part of the film 13 is left in the hole 12.例文帳に追加

シリコン基板１０上の第１の層間絶縁膜１１に形成されたコンタクトホール１２に、その上部が残るようにポリシリコン膜１３を形成した後、ポリシリコン膜１３上に堆積されたコバルト膜に対して熱処理を行なって、ポリシリコン膜１３の表面部にコバルトシリサイド層１５を形成する。 - 特許庁

The liquid level sensor disposed on one surface of an insulating substrate 11 is provided with a circuit pattern 17 constituting a half-bridge circuit by being electrically connected to a first thermistor 16 and a second thermistor 18, wherein, either of the first thermistor 16 and the second thermistor 18 is covered with a heat insulator 27.例文帳に追加

本発明の液位センサは、絶縁基板１１の一面に設けられるとともに第１のサーミスタ１６および第２のサーミスタ１８と電気的に接続されることによりハーフブリッジ回路を構成する回路パターン１７を備えるとともに、前記第１のサーミスタ１６と第２のサーミスタ１８のうち、いずれか一方を断熱材２７で覆うようにしたものである。 - 特許庁

In the metal barrier rib for the plasma display formed of a metal substrate with a large number of through holes, an insulating layer-an Al layer-a reaction preventive layer is formed from the surface side.例文帳に追加

多数の貫通孔を有する金属基板を用いてなるプラズマディスプレイ用隔壁において、表面側から絶縁層—Al層—反応防止層が形成されているプラズマディスプレイ用金属隔壁であり、好ましくは、絶縁層が、Al_2O_3、SiO_2、ZrO__2、MgO、TiO_2、ガラスのうちの少なくとも一種を主体とし、更に好ましくは絶縁層の厚みが、0.5〜10.0μmであるプラズマディスプレイ用金属隔壁である。 - 特許庁

An insulating protective layer is formed on the surface of the layout substrate and patterned to expose a pad and then a well is formed to surround the pad.例文帳に追加

この方法によると、まず回路パターンがレイアウトされると共に少なくとも一つの表面に少なくとも一つの導電性のピンを具えた有機レイアウト基板を提供し、このレイアウト基板の表面上に絶縁保護層を形成し、該保護層をパターン化して該パッドを露出させ、且つパッドの周囲を囲むようにウエルを形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of the MIS semiconductor device having the gate insulating film constituted of the silicon nitride oxidized film 5 comprises a process for oxidizing the silicon substrate 1 by gas including an active oxygen species (a) and a process for forming the silicon nitride oxidized film 5 whose surface is nitrided by performing plasma nitriding the silicon oxidized film 3 (b).例文帳に追加

シリコン窒化酸化膜５からなるゲート絶縁膜を有するＭＩＳ型半導体装置の製造方法において、（ａ）シリコン基板１を、活性酸素種を含むガスで酸化してシリコン酸化膜３を形成する工程、（ｂ）シリコン酸化膜３をプラズマ窒化処理することにより、表面が窒化されたシリコン窒化酸化膜５を形成する工程を含める。 - 特許庁

This conductivity measuring method is installed by at least one pair of silver paste printing electrodes at proper intervals on an insulating substrate, dipping the whole electrode in a sample solution, applying an alternating voltage between the electrodes, and operating the conductivity and/or its derived value of the sample solution which exists between the electrodes from an electric signal obtained thereby.例文帳に追加

本発明に係る電気伝導度測定方法は、絶縁性基板上に適当な間隔を開けて少なくとも一対の銀ペースト印刷電極を設け、前記電極全体を試料溶液に浸し、前記電極間に交流電圧を印加し、それにより得られる電気信号から前記電極間にある試料溶液の電気伝導度及び／又はその誘導値を演算することを特徴とする。 - 特許庁

An access transistor ATR in an MTJ memory cell, one of groups of transistors connected to the readout current path, is manufactured by using a semiconductor layer 205 formed on an insulating film 200 on a semiconductor substrate SUB, and includes impurity regions 110, 120, a gate region 130 and a body region 210.例文帳に追加

読出電流経路に接続されたトランジスタ群の１つである、ＭＴＪメモリセル中のアクセストランジスタＡＴＲは、半導体基板ＳＵＢ上の絶縁膜２００上に形成された半導体層２０５を用いて作製され、不純物領域１１０，１２０、ゲート領域１３０およびボディ領域２１０を含む。 - 特許庁

On the surface of the low-concentration n-type semiconductor layer 202, an insulating layer 205 is formed so that a portion of the surface of the n-type semiconductor region 204 is exposed, and a first electrode 206 covering the exposed portion of the n-type semiconductor region 204 and a second electrode 207 covering the back surface of the n-type semiconductor substrate 201 are provided.例文帳に追加

また、低濃度Ｎ型半導体層２０２の表面には、Ｎ型半導体領域２０４の表面の一部が露出するように絶縁膜２０５が形成され、Ｎ型半導体領域２０４の露出部分を覆う第１電極２０６と、Ｎ型半導体基板２０１の裏面を覆う第２電極２０７とが形成されている。 - 特許庁

In the powder carrier for carrying powder through action of a traveling wave type field between more than three kinds of parallel electrodes 21a, 22a, 23a provided repeatedly, each parallel electrode is provided on one side of an insulating substrate 10 and same kind of parallel electrodes are led to the rear side and connected thereat so that they do not come into contact with different kind of parallel electrodes.例文帳に追加

３種以上の平行電極21a,22a,23a を順々に繰り返して設け、平行電極間に進行波型の電界を作用させて粉体を搬送させる粉体搬送装置において、各平行電極を絶縁性基板10の片面に設けると共に、異種の平行電極と接触しないように同種の平行電極を絶縁性基板の裏面に導いて接続させた。 - 特許庁

In the semiconductor device comprising a semiconductor element, wiring for inputting/outputting signals, and a heat dissipating plate, the heat dissipating plate is made of a composite material of Cu and at least one kind of particles of Cu2O, Al2O3 and SiO2 and a metal layer bonded to an insulating substrate or the semiconductor element is bonded directly to the heat dissipating plate.例文帳に追加

半導体素子と、信号を入出力する配線と、放熱板とを有する半導体装置において、前記放熱板はＣｕとＣｕ_2Ｏ，Ａｌ_2Ｏ_3及びＳｉＯ_2の少なくとも１種の粒子との複合材であり、絶縁基板に接合されている金属層、あるいは半導体素子に接合されている金属層は放熱板と直接接合されている。 - 特許庁

A lead pattern 23 that is electrically connected to the electrode of the LED chip 10 via the bonding wire 14 and is extended to the edge is formed on the surface of an insulating member 22 for composing the packaging substrate 20, and a junction section 23c for soldering and joining a lead wire 110 is provided at the extended edge of the lead pattern 23.例文帳に追加

実装基板２０を構成する絶縁部材２２の表面には、ボンディングワイヤ１４を介してＬＥＤチップ１０の電極と電気的に接続されるとともに端部まで延長されたリードパターン２３が形成され、リードパターン２３の延長された端部にリード線１１０を半田接合するための接合部２３ｃが設けられている。 - 特許庁

The shape of the gate electrode 3 is a vertical shape (a), a forward tapered shape (b), or an inverse tapered shape (c), and the length of the gate length of the gate electrode positioning at the boundary with the gate insulating film and the width of the offset spacer positioning at the boundary with the semiconductor substrate is approximately constant by varying the shape of the offset spacer 4.例文帳に追加

ここで、ゲート電極３の形状としては垂直形状（ａ）、順テーパ形状（ｂ）、逆テーパ形状（ｃ）とがあるが、オフセットスペーサー４の形状を変化させることで、ゲート絶縁膜との境界に位置するゲート電極のゲート長に、半導体基板との境界に位置するオフセットスペーサーの幅を加えた長さが略一定となる。 - 特許庁

A plurality of suction parts 21, which respectively consist of a conductor 21 and an insulating film 21b, are formed on the lower surface of an insulator substrate 12 in a lattice type and electrification and discharge of the films 21b are individually controlled by a switching circuit 20a, a power supply 20c for electrification and a suction control part 20 provided with a transistor Tr.例文帳に追加

絶縁物の基板１２の下面に導電体２１ａと絶縁膜２１ｂより成る吸着部２１を格子状に複数個形成し、絶縁膜２１ｂの帯電および放電を、スイッチング回路２０ａ、帯電用電源２１ｃおよびトランジスタＴｒを備えた吸着制御部２０によって個別に制御する。 - 特許庁

To provide a combined magnetic head having a huge magneto-resistive head and an inductive head layered on a non-magnetic insulating substrate used as a head slider, wherein the size of a lower magnetic shield or an upper magnetic shield (lower magnetic core) is reduced up to the size magnetically required to form a structure by which a heat radiating effect can be obtained.例文帳に追加

ヘッドスライダーとなる非磁性絶縁性基板上に積層して形成した巨大磁気抵抗効果ヘッドと誘導ヘッドとを持つ複合磁気ヘッドで、下部磁気シールドあるいは上部磁気シールド（下部磁気コア）の大きさをその磁気的に必要とする大きさまで小さくしたもので、放熱効果の得られる構造とする。 - 特許庁

In this membrane electronic component, a plurality of conductor line layers 11, 12, 13... and insulator layers 21, 22, 23... for electrically insulating the conductor line layers from one another are laminated inside the surface of a substrate substantially in a vertical direction, and the plurality of conductor line layers 11, 12, 13... are electrically connected in series.例文帳に追加

本発明の薄膜電子部品は、基体上４０に、複数の導体ライン層１１，１２，１３…と、該導体ライン層間の電気的絶縁のための絶縁体層２１，２２，２３…とが、基体の面内に対して実質的に垂直方向に積層されており、前記複数の導体ライン層１１，１２，１３…が電気的に直列に接続されているように構成される。 - 特許庁

The semiconductor device is produced by forming, on a semi-insulating substrate, a first buffer layer formed of a compound semiconductor to include a doping layer to which an N-type impurity is doped, forming, on this first buffer layer, a second buffer layer formed of a non-doped compound semiconductor, and forming, on this second buffer layer, an active layer operating as a transistor.例文帳に追加

半絶縁性基板上に、化合物半導体からなりＮ型の不純物がドープされたドープ層を有する第１バッファ層を形成し、この第１バッファ層上に、ノンドープの化合物半導体からなる第２バッファ層を形成し、この第２バッファ層上に、トランジスタとして動作する能動層を形成して半導体装置を製造した。 - 特許庁

To obtain a low temperature fired ceramic sintered compact with high strength, high thermal conductivity, high Young's modulus and high denseness, capable of manufacturing by firing at a low temperature of ≤1000°C, and useful for a insulating substrate provided with a wiring layer of a low resisting conductor such as Cu, Ag, Au, and Al on the surface or inside.例文帳に追加

高強度で熱伝導率やヤング率も高く、且つ緻密であると同時に、１０００℃以下の低温での焼成によって製造することができ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ等の低抵抗導体から成る配線層を表面或いは内部に備えた絶縁基板として有用な低温焼成セラミック焼結体を得る。 - 特許庁

A power trench MOS gate device is provided with a heavily- doped semiconductor substrate 201, a deep trench gate 213 separated by an insulating layer 212 in an upper layer composed of an N-epitaxial layer 202, doped to a first conductivity-type and well layers 215 doped to a second conductivity-type, and a strongly conductive drain region 211 below the trench gate 213.例文帳に追加

重くドープした半導体基体２０１と、この基体上に第１導電型にドープしたＮ−エピタキシャル層２０２と第２導電型にドープしたウエル層２１５からなる上側層内に、絶縁層２１２で分離された深いトレンチゲート２１３とを設け、トレンチゲート２１３の下に強導電性ドレイン領域２１１を設ける。 - 特許庁

In a photodiode array 1 where a plurality of photodiodes 4 are formed in an array on the side of an n-type silicon substrate 3 opposite to the incident surface of a light L to be detected, spacers 6 having a specified height formed of resin, metal or an insulating material are provided in regions on the incident surface side not corresponding to regions where the photodiodes 4 are formed.例文帳に追加

ｎ型シリコン基板３の被検出光Ｌの入射面の反対面側に、複数のホトダイオード４がアレイ状に形成されたホトダイオードアレイにおいて、その入射面側のホトダイオード４が形成された領域と対応しない領域に、所定の高さを有し、樹脂、金属又は絶縁材からなるスペーサ６を設けてホトダイオードアレイ１とする。 - 特許庁

In the liquid crystal display device, slit shaped opening parts 94 and protruding parts 37 to control alignment of liquid crystal molecules are formed on electrodes 9, 31 to drive the liquid crystal and furthermore an insulating film 26 to construct liquid crystal layer thickness of the transmissive display region T larger than that of the reflective display region R is formed between a substrate 10A and the liquid crystal layer 50.例文帳に追加

ここで、液晶を駆動する電極９，３１には、液晶分子の配向を規制するためのスリット状開口部９４、凸状部３７が形成され、さらに透過表示領域Ｔの液晶層厚を反射表示領域Ｒの液晶層厚よりも大きく構成するための絶縁膜２６が、基板１０Ａと液晶層５０との間に形成されている。 - 特許庁

The field effect transistor is constituted, by at least forming a channel layer, a gate insulating layer, a source electrode, a drain electrode and a gate electrode on a substrate; the channel layer comprises an amorphous oxide material including at least In and B; and the element ratio B/(In+B) of the amorphous oxide material is 0.05 or higher and 0.29 or lower.例文帳に追加

基板上にチャンネル層、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極が少なくとも形成されてなる電界効果型トランジスタであって、該チャンネル層は、少なくともＩｎとＢとを含むアモルファス酸化物材料より構成されており、該アモルファス酸化物材料の元素比率Ｂ／（Ｉｎ＋Ｂ）は０．０５以上０．２９以下であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 - 特許庁

In the photosensor, a first double-gate photosensor PSA becoming a light receiving part of the uppermost layer, a second double-gate photosensor PSB becoming a light receiver of an intermediate layer, and a third double-gate photosensor PSC becoming a light receiving part of the lowermost layer, are laminated and formed on one face side of a transparent insulating substrate SUB.例文帳に追加

フォトセンサは、透明な絶縁性基板ＳＵＢの一面側に、最上層の受光部となる第１のダブルゲート型フォトセンサＰＳＡと、中間層の受光部となる第２のダブルゲート型フォトセンサＰＳＢと、最下層の受光部となる第３のダブルゲート型フォトセンサＰＳＣと、が積層形成された構成を有している。 - 特許庁

The method of patterning the conductive polymer includes a step of forming a conductive polymer layer 220 on a substrate 210, a step of arranging a shadow mask 230 on the conductive polymer layer, and a step of irradiating the conductive polymer layer with the particle beam 240 charged with a charge through the shadow mask and forming an insulating layer and the pattern layer of the conductive polymer.例文帳に追加

基板210上に伝導性高分子層220を形成する工程と、伝導性高分子層上にシャドーマスク230を配列する工程と、シャドーマスクを通じて電荷を帯びた粒子ビーム240を伝導性高分子層に照射して、絶縁層及び伝導性高分子のパターン層を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

The high dielectric constant gate insulating film 3 has a first region 3a sectioned from the source layer 6 side end to the upper part of the channel region 2 while spaced apart from the semiconductor substrate 1, and a second region 3b other than the first region 3a wherein the atomic density of metal element in the first region 3a is higher than that in the second region 3b.例文帳に追加

この高誘電率ゲート絶縁膜３は、半導体基板１から離隔しつつソース層６側の端からチャネル領域２上方まで区画された第１領域３ａとこの第１領域３ａ以外の第２領域３ｂとを有し、第１領域３ａ内の金属元素の原子濃度が、第２領域３ｂ内の金属元素の原子濃度よりも高い。 - 特許庁

This silicon-containing insulating film 204 is formed on a substrate 103 through causing a reaction by ionizing a reaction gas, containing an Si(OR)nHm compound (where R is a alkyl group and n+m=4), an SiFp(OR)q compound (where R is an alkyl group and p+q=4), and an oxidizing gas into a plasma with a microwave.例文帳に追加

Ｓｉ（ＯＲ）_n Ｈ_m 化合物（但し、Ｒはアルキル基であり、ｎ＋ｍ＝４）と、ＳｉＦ_p （ＯＲ）_q 化合物（但し、Ｒはアルキル基であり、ｐ＋ｑ＝４）と、酸化性ガスとを含む反応ガスをプラズマ化して反応させ、被堆積基板１０３上にシリコン含有絶縁膜２０４を成膜する成膜方法による。 - 特許庁

The strain detector stores the packaging section 25 in an insulating substrate 21 and includes a cylindrical section 49 having a hole 48 in a vertical direction on the inner surface of the case 47 having the connector terminal 54 electrically connected to a processing circuit 24 at the packaging section 25 while being filled with resin and fills the hole 48 in the cylindrical section 49 with resin.例文帳に追加

本発明の歪検出装置は、絶縁基板２１における実装部２５を収納するとともに樹脂を充填しかつ実装部２５における処理回路２４と電気的に接続されるコネクタ端子５４を設けたケース４７の内側面に上下方向に孔４８を有する筒部４９を設け、かつこの筒部４９の孔４８に樹脂を充填するようにしたものである。 - 特許庁