「insulating substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(184ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a glass ceramic multi-layer wiring board with a built-in capacitor for suppressing the inter-diffusion of components in a dielectric layer configuring a capacitor part and components in an insulating layer or glass components in an electrode layer, and for preventing the deterioration of the capacity of a capacitor part formed in the glass cermaic multi-layer wiring substrate, and for suppressing the variation.例文帳に追加

コンデンサ部を構成する誘電体層中の成分と、絶縁層中の成分あるいは電極層中のガラス成分との相互拡散を抑制し、ガラスセラミック多層配線基板内に形成したコンデンサ部の容量の低下を防ぎ、またそのバラツキを抑制することができるコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板を提供すること。 - 特許庁

While forming a sidewall 107 for covering the sidewall of the gate electrode 105 by etching back the insulating film, an almost horizontal engraved surface is formed to the element formation surface in a region for forming the source and drain regions 109 of the side of the sidewall 107 by carrying out the etching removal of the element formation side of the silicon substrate 101.例文帳に追加

絶縁膜をエッチバックしてゲート電極１０５の側壁を覆うサイドウォール１０７を形成するとともに、サイドウォール１０７の側方のソース・ドレイン領域１０９が形成される領域において、シリコン基板１０１の素子形成面をエッチング除去し、素子形成面に略水平な掘り下げ面を形成する。 - 特許庁

In a superconducting member electrically connected between a power supply source and the power demand side and melted by an overcurrent larger than rated to cut off the current, the superconducting member is provided on an insulating substrate 33 having a fixed thickness and electrical insulation properties, and made up of a superconducting thin film 34 melted by an overcurrent flowing therethrough.例文帳に追加

電力供給源と電力需要側との間を超電導部材により電気的に接続して定格以上の過電流によりこの超電導部材が溶断して電流を遮断するものにおいて、前記超電導部材は、所定の厚さを有し、かつ、電気的な絶縁性を有する絶縁基板３３上に設けられると共に、前記過電流が流れることにより溶断される超電導薄膜３４により構成されている。 - 特許庁

The forming method of the photoresist laminated circuit board includes a stage to prepare a laminated circuit board including an insulating substrate 310 and a metal layer 330, a stage to apply aerosol 350 of the metal nanoparticles onto the metal layer 330, and a stage to laminate a photoresist film 370 on the metal layer to which the aerosol of the metal nanoparticles is applied.例文帳に追加

本発明によるフォトレジスト積層基板の形成方法は、絶縁基板３１０と金属層３３０とを備えた積層基板を用意する段階と、前記金属層３３０上に金属ナノ粒子のエアロゾル３５０を塗布する段階と、前記金属ナノ粒子のエアロゾルが塗布された前記金属層上にフォトレジストフィルム３７０を積層する段階とを含む。 - 特許庁

This monopole antenna is provided with an insulating substrate having first and second regions divided by a boundary; a first ground conductor arranged in the first region, and equipped with ends arranged in the boundary; a radiation conductor arranged in the second region; and a linear or rectangular second ground conductor arranged in the second region.例文帳に追加

モノポールアンテナが，境界で区分される第１，第２の領域を有する絶縁基板と，前記第１の領域に配置され，かつ前記境界に配置される端部を有する第１の接地導体と，前記第２の領域に配置される放射導体と，前記第２の領域に配置される線状または矩形状の第２の接地導体と，を具備する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element manufacturing method which buries an insulating film between gate patterns in place of a photo-sensitive film when implanting ions into a semiconductor substrate of lower portion of a bit line contact area, etches it to expose the bit line contact area without a residue of etching, thereby, can prevent a leakage current of a cell transistor.例文帳に追加

ビットラインコンタクト領域下部の半導体基板にイオンを注入するときゲートパターン等の間を感光膜の代わりに絶縁膜で埋め、これを食刻して食刻残留物なくビットラインコンタクト領域を露出することにより、セルトランジスタの漏洩電流を防止することができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

This touch panel 40 performing switch operation by the contact of the respective surfaces of a pair of opposedly arranged conductive substrates is characterized in that, at least one of the conductive substrates is provided with a plurality of electrodes formed by forming a plurality of extremely fine wires 43, 44 formed of conductors, parallel on the surface of an insulating substrate.例文帳に追加

対向配置された一対の導電性基板のそれぞれの表面を接触させることによってスイッチ動作を行わせるタッチパネルにおいて、前記導電性基板の少なくとも一方は、絶縁性基板の表面に導電体からなる複数の極細線４３，４４を平行に形成してなる電極を複数設けたことを特徴とするタッチパネル４０。 - 特許庁

In the CMOS semiconductor element where a gate electrode of two-layer structure consisting of a lower layer metal layer and an upper layer metal layer of different nitrogen content is formed in the NMOS region and the PMOS region on a semiconductor substrate through a gate insulating film, the lower layer metal layer is made shorter than the upper layer metal layer in the gate length direction.例文帳に追加

半導体基板上のＮＭＯＳ領域とＰＭＯＳ領域にゲート絶縁膜を介してそれぞれ窒素含有量の異なる下層金属層とその上に積層された上層金属層から成る２層構成のゲート電極が形成されたＣＭＯＳ半導体素子であって、前記下層金属層を前記上層金属層よりゲート長方向の長さを短くする。 - 特許庁

A first hydrogen barrier film 101, a lower electrode film 30, a ferroelectric film 4, an upper electrode film 50 and a second hydrogen barrier film 102 are successively deposited on a silicon substrate 1 through an insulating film 2, and an upper electrode 5 is patterned by successively etching the hydrogen barrier film 102 and the upper electrode film 50 while using a mask 103.例文帳に追加

シリコン基板１上に絶縁膜２を介して、第１の水素バリア膜１０１、下部電極膜３０、強誘電体膜４、上部電極膜５０及び第２の水素バリア膜１０２を順次堆積し、マスク１０３を用いて水素バリア膜１０２及び上部電極膜５０を順次エッチングして上部電極５をパターン形成する。 - 特許庁

To provide a cleaning method which forms a structure having an interlayer insulating film and a reflection preventing film provided on a semiconductor substrate after a heat treatment, and polishes the structure then to clean, wherein foreign matters such as particle grains and metal contaminants can be suppressed from adhering to a cleaning surface.例文帳に追加

熱処理の後に半導体基板上に設けられた層間絶縁膜および反射防止膜を有する構造を形成し、その構造を研磨した後に行う洗浄方法において、パーティクル粒子および金属汚染物質のような異物が洗浄面に付着することを抑制することが可能な洗浄方法を提供すること。 - 特許庁

The radio signal processor comprises an antenna performing the noncontact reception of a radio wave or an electromagnetic wave, a control section for processing a received radio signal, and a section for storing a controlled signal as data formed on the same insulating substrate wherein a plurality of elements for processing the signal are composed of thin film transistors and ferroelectric nonvolatile storage elements.例文帳に追加

電波あるいは電磁波を非接触で受信するアンテナ部分、受信した無線信号を処理する制御部分、さらに制御された信号をデータとして記憶する部分が同一絶縁基板上に形成され、信号を処理する複数の素子要素が薄膜トランジスタと強誘電体不揮発性記憶素子からなることを特徴とする無線信号処理装置。 - 特許庁

The amorphous silicon film 102 is formed on an insulating substrate 101, the metal element 103 (nickel) that promotes the crystallization is added to the amorphous silicon film 102, and then the crystallization heating process is carried out in non-oxidation gas that is adjusted to have an oxygen concentration of a process chamber atmosphere of 1000 ppm or below.例文帳に追加

絶縁基板１０１上にアモルファスシリコン膜１０２を形成し、結晶化を助長する金属元素（ニッケル）１０３をアモルファスシリコン膜１０２に添加した後、処理室雰囲気の酸素濃度が１０００ｐｐｍ以下となるように調節された非酸化性ガス中で結晶化加熱処理を行なう。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device 1 includes a process for forming a silicon oxide film 12 on a substrate 11, a process for forming a silicon oxide-nitride film 13 by introducing nitrogen into the silicon oxide film 12 and a process for forming an insulating film 14 which includes at least one of Zr and Hf on the silicon oxide-nitride film 13.例文帳に追加

半導体装置１の製造方法は、基板１１上に、シリコン酸化膜１２を形成する工程と、シリコン酸化膜１２に対して窒素を導入してシリコン酸窒化膜１３を形成する工程と、シリコン酸窒化膜１３上にＺｒ、Ｈｆの少なくともいずれかを含む絶縁膜１４を形成する工程とを含む。 - 特許庁

The yield of the current value of the oxygen negative ion is increased from that of conventional ones by adjusting the electric potential of a reflector, established around the oxygen negative ion-generating substrate comprising a solid electrolyte containing an electrode formed from an electroconductive deposited film, to a value equal to or lower than that of the electrode by electrically insulating the reflector from the electrode.例文帳に追加

導電性の蒸着膜で形成された電極を内部に備えた固体電解質からなる酸素負イオン発生基材の周囲に設けたリフレクタを電気的に上記電極と同電位又はそれ以下の電位にするか、又はこのリフレクタを上記電極と電気的に絶縁するすることによって、酸素負イオンの電流値の収量を従来のものに比べて増加させることができる。 - 特許庁

In the plasma nitriding processing apparatus that nitrides a substrate having an insulating film, the wafer temperature is in-process monitored before starting the plasma nitiding processing, and the plasma nitriding time or process pressure is controlled by feeding the monitored value of the wafer temperature back to a CPU to enhance the uniformity of the nitridation quantities among the wafers.例文帳に追加

絶縁膜を有する基板を窒化するプラズマ窒化処理装置において、プラズマ窒化処理を開始する前にウェハ温度をインプロセスで計測し、該ウェハ温度の計測値をＣＰＵにフィードバックしてプラズマ窒化時間またはプロセス圧力を制御することにより、ウェハ間の窒化量の均一性を向上することができる。 - 特許庁

The switching power supply device is characterized in including a mounting structure having a whole surface spacer preventing an insulating sheet from being damaged or a through hole from being formed when a printed substrate bends owing to the mass of the electronic components or external stress during manufacture.例文帳に追加

前記課題は、電子部品の質量および製造時の外部応力によりプリント基板にたわみが発生した場合に、前記電子部品のリードにより絶縁シートの傷と貫通穴の発生を防止する全面スペーサを有する実装構造を備えたことを特徴とするスイッチング電源装置を提供することによって達成される。 - 特許庁

To provide a photoresist stripper capable of easily removing a photoresist layer formed on an inorganic substrate, photoresist residue and dust generated in etching in a process for manufacturing various liquid crystal displays or semiconductor devices without corroding various semiconductor layer materials, electrically conductive materials or insulating film materials and to provide a method for stripping a photoresist.例文帳に追加

各種液晶表示素子や半導体素子の製造工程において、無機質基体上に形成されたフォトレジスト層、フォトレジスト残渣物およびエッチング時に発生するダスト等を容易に剥離することができ、しかもその際に、使用される各種半導体層材料、導電性材料あるいは絶縁膜材料等を腐食する恐れのないフォトレジスト剥離剤およびフォトレジスト剥離方法を提供すること。 - 特許庁

The concentration of nitrogen in the silicon oxynitride film has a distribution in the film thickness direction, and the concentration is low near the interface with the silicon substrate while high near the interface with the high dielectric insulating film, relative to the average value of the concentration of the nitrogen in the silicon oxynitride film.例文帳に追加

シリコン基板の上に形成されたシリコン酸窒化膜と、このシリコン酸窒化膜の上に形成された高誘電率絶縁膜とを有する半導体装置において、シリコン酸窒化膜中の窒素濃度が膜厚方向に分布を持ち、このシリコン酸窒化膜中の窒素濃度の平均値に対してシリコン基板との界面付近で低く、高誘電率絶縁膜との界面付近で高くなることを特徴とする。 - 特許庁

The electron emission element manufacturing method includes a process of forming an electron emission film, a process of forming a first layer 103 having insulating or semi-conductive property on a substrate and a process of forming a second layer 104 mainly containing carbon on the first layer 103.例文帳に追加

本発明に係る電子放出素子の製造方法において、電子放出膜を成膜する工程は、基体上に絶縁性または半導電性を有する第１の層１０３を成膜する工程と、第１の層１０３上に、炭素を主成分とする第２の層１０４を成膜する工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

An electrode layer 5 is formed by screen printing a thick-film electrode pattern of conductive paste, composed of glass powder containing no lead components, copper or silver-based metal powder, binder resin and organic solvent onto an insulating ceramic substrate 1, and then the electrode layer 5 is subjected to metal plating 6.例文帳に追加

鉛成分を含有しないガラス粉末、銅系または銀系の金属粉末、バインダー樹脂及び有機溶剤よりなる導体ペーストを絶縁性セラミック基板１に電極パターン厚膜スクリーン印刷して電極層５を形成し、該電極層５に金属メッキ６を施した電極基板の製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the thin film solar cells includes a first laser light irradiation step of forming first separation grooves by irradiating a transparent electrode layer formed on a transparent insulating substrate with laser light to separate the transparent electrode and forming alignment grooves on the right and left sides of a direction orthogonal to the longitudinal direction of each first separation groove.例文帳に追加

透明絶縁基板に形成された透明電極層にレーザ光を照射することによって透明電極層を分離する第１分離溝を形成するとともに、第１分離溝の長手方向と直交する方向の左右にアライメント用の溝を形成する第１のレーザ光照射工程を含む、薄膜太陽電池の製造方法である。 - 特許庁

The transistor 14 includes a pair of source/drain layers 42 formed in the first surface adjacent to the second trench 8 and either of which is electrically connected to the lower electrode 32, and a gate electrode 46 disposed on the semiconductor substrate 2 via a gate insulating film 44 between the pair of source/drain layers 42.例文帳に追加

トランジスタ１４は、第２トレンチ８に隣接して第１表面内に形成され且つ一方が下側電極３２に電気的に接続された一対のソース／ドレイン層４２と、一対のソース／ドレイン層４２間でゲート絶縁膜４４を介して半導体基板２上に配設されたゲート電極４６とを含む。 - 特許庁

A semiconductor device, which is provided with an integrated injection logic (IIL1) formed on a semiconductor substrate 11 and has the PNP bipolar transistor construction, has a layer at least of insulating films 17 formed on the base region 20 of the PNP bipolar transistor structure being made of a silicon film 16.例文帳に追加

半導体基板１１に形成されたものでＰＮＰバイポーラトランジスタ構造を有してなるインテグレーテッド・インジェクション・ロジック（ＩＩＬ１）を備えた半導体装置において、ＰＮＰバイポーラトランジスタ構造のベース領域２０上に形成された絶縁膜１７のうちの少なくとも１層は窒化シリコン膜１６からなるものである。 - 特許庁

A metal electrode 5 of a flexible printed wiring board 3 and a wiring electrode 4 of a wiring substrate 1 are connected to each other via the electrode connecting adhesive 2 which contains an insulating thermoset resin as a main component, and conductive particles, latent hardener, and temperature indicator to be discolored with a temperature to indicate the temperature.例文帳に追加

絶縁性の熱硬化性樹脂を主成分とし、導電性粒子と、潜在性硬化剤と、温度に対応して変色することによりその温度を示す示温剤とを含有する電極接続用接着剤２を介して、フレキシブルプリント配線板３の金属電極５と、配線基板１の配線電極４が接続されている。 - 特許庁

To realize a highly reliable semiconductor capable of operating stably by equalizing the capacitance of respective capacitive elements even when the capacitive elements provided on a substrate and having a recessed spatial structure employing a ferroelectric or a high dielectric as a capacitance insulating film have different heights.例文帳に追加

基板の上に設けられた強誘電体又は高誘電体を容量絶縁膜とする凹型の立体構造を有する容量素子においてそれぞれの高さが異なっている場合においても、それぞれの容量素子の容量を等しくすることにより、動作が安定な信頼性が高い半導体記憶装置を実現できるようにする。 - 特許庁

The electric potential difference measuring ion selective electrode, for measuring the concentration of cations in a sample, is made of a conductive electrode material applied to an electrically insulating substrate through the use of a thick-film technique, and its measuring region is covered with an ion sensitive film (preferably, a liquid high-molecular film).例文帳に追加

サンプル中のカチオンの濃度を測定するための電位差測定イオン選択性電極であって、厚膜技術を用いて電気絶縁性基材上に適用された導電性電極材料からなり、かつその測定領域はイオン感応性膜 (好ましくは液体高分子膜)により覆われている電極に関する。 - 特許庁

On the insulating substrate, a protection film is formed which has a contact hole exposing the capacity auxiliary electrode in the through-hole.例文帳に追加

ゲート線及びデータ線と接続され、ドレイン電極を有する薄膜トランジスタと、ドレイン電極に接続され、容量性補助電極と重畳し、容量性補助電極上に位置する開口部を有する容量性結合電極が形成されている絶縁基板上には、開口部内において容量性補助電極を露出する接触孔を有する保護膜が形成されている。 - 特許庁

This organic EL panel 2 has a partition layer 50 comprising a light reflection layer 54 having a light reflection surface reflecting the light emitted from a luminescent layer 42 to a visual field area and a transparent layer 52 covering the light reflection surface 54a and having transparency and insulating characteristics on a glass substrate 10 wherein a pair of electrode layers 32, 34 for applying voltage to a luminescent layer 42 are formed.例文帳に追加

本発明に係る有機ＥＬパネル２は、発光層４２に電圧を印加するための一対の電極層３２，３４が形成されたガラス基板１０上に、発光層４２から発せられる光を視野域に反射する光反射面を有する光反射層５４と、光反射面５４ａを覆い、透明性かつ絶縁性を有する透明層５２とから成る隔壁層５０を有する。 - 特許庁

The MOS field-effect transistor includes a device isolating region disposed on a predetermined portion of the semiconductor substrate to define an active region, a source region and a drain region spaced apart from each other about a channel region within the active region, a gate electrode formed on the active region between the source region and the drain region, and a gate insulating layer formed between the active region and the gate electrode.例文帳に追加

半導体基板の所定領域に配置されて活性領域を限定する素子分離領域を含み、活性領域内でチャンネル領域を介在してソース領域及びドレイン領域が互いに離隔されて形成されており、ソース領域とドレイン領域間の活性領域上にゲート電極が形成されており、活性領域とゲート電極との間にゲート絶縁膜が形成されているトランジスタ。 - 特許庁

In a thermal head wherein a heating element row comprising a large number of heating elements 3 are provided on the upper surface of an insulating substrate 1 and these heating elements 3 are coated with a protective layer comprising a inorg. material, a frame member 6 having heat conductivity smaller than that of the protective layer is provided on the protective layer so as to surround the heating element row.例文帳に追加

絶縁基板1 の上面に多数の発熱素子3 から成る発熱素子列を取着させるとともに、これら発熱素子3 を無機質材料から成る保護層で被覆したサーマルヘッドにおいて、前記保護層上に、該保護層よりも小さな熱伝導率を有する枠体6 を、前記発熱素子列を囲繞するように被着させる。 - 特許庁

To provide a resistor in which one, two, or more pairs of electrodes partially constituting lands are arranged on one surface of an insulating substrate, resistance bodies are arranged between the paired electrodes so that the resistance bodies may come into contact with electrode areas except the lands, and conductive projections which are external terminals are arranged in the land areas and, in addition, which can excellently maintain temperature characteristics.例文帳に追加

絶縁基板の一方の面に、１又は２以上の対となる電極を有し、当該電極の一部がランドを構成し、当該ランド以外の電極領域に抵抗体が接触するように、前記対となる電極間に当該抵抗体が配置され、前記ランド領域に外部端子である導電性突起が配置される抵抗器において、温度特性を良好に維持できる抵抗器を提供する。 - 特許庁

A lead pattern 23 that is electrically connected to the electrode of the LED chip 10 via the bonding wire 14 and is extended to the edge is formed on the surface of an insulating member 22 for composing the packaging substrate 20, and a junction section 23c having a through hole 23d for joining a lead wire 110 to the extended edge of the lead wire 23 by solder is provided.例文帳に追加

実装基板２０を構成する絶縁部材２２の表面には、ボンディングワイヤ１４を介してＬＥＤチップ１０の電極と電気的に接続されるとともに端部まで延長されたリードパターン２３が形成され、リードパターン２３の延長された端部にリード線１１０を半田接合するためのスルーホール２３ｄを有した接合部２３ｃが設けられる。 - 特許庁

This sensor wherein a moving electrode 4 of the moving part 1 is arranged oppositely to the fixed electrodes 6, 7 and an acceleration is detected based on a capacity change between the moving electrode 4 and the fixed electrodes 6, 7 when the moving part 1 is displaced by receiving the acceleration, is constituted of an SOI substrate 20 having an insulating layer 22 between the first semiconductor layer 21 and the second semiconductor layer 23.例文帳に追加

可動部１の可動電極４を固定電極６、７と対向配置し、加速度を受けて可動部１が変位したときの可動電極４と固定電極６、７間の容量変化に基づいて加速度を検出するようにしたものであって、第１の半導体層２１と第２の半導体層２３との間に絶縁層２２を有するＳＯＩ基板２０によって構成される。 - 特許庁

In a chip resistor which is constituted by forming at least one pair of counter electrode sections on an insulating substrate and a resistance body by printing and sintering resistance body paste between the electrode sections, a plurality of resistance bodies are arranged nearly in parallel with each other between the electrodes, and the resistance value of the resistor is adjusted by trimming he resistance bodies starting the trimming from a point between the resistance bodies.例文帳に追加

絶縁基板に少なくとも１対の対向する電極部を形成し、同電極部間に抵抗体ペーストを印刷して焼結させることにより抵抗体を形成するチップ型抵抗器において、１対の電極間に複数の抵抗体を略平行に配設し、同抵抗体間にトリミング開始点をとって抵抗体のトリミングを行い、抵抗値を調整することを特徴とするチップ型抵抗器。 - 特許庁

The flexible printed board having a metal wiring layer formed on a film-shaped insulating substrate and attachable to an adherend having a cubic surface has a substantially arc (including an easement curve shape with a gradually varying arc radius, such as an arc, elliptic arc or oval arc) notch formed in a peripheral portion of the flexible printed board, especially, a portion where strain stress tends to concentrate at adhesion.例文帳に追加

フィルム状の絶縁基材上に金属配線層が形成され、三次曲面を有する被貼着体に貼着されるフレキシブルプリント基板において、当該フレキシブルプリント基板の周縁部、特に貼着時に歪み応力が集中しやすい部位に、略円弧状（円弧状、楕円弧状、長円弧状など、円弧半径が徐々に変化する緩和曲線形状を含む）の切欠部を形成する。 - 特許庁

In a resin injection molding apparatus for a resin molded article with a fine concavo-convex pattern on one side, a mold apparatus for molding a substrate for an optical disc characterized in that a multiple layer type stamper having plural heat insulating layers separated each other on a mold for forming an injected matter in contact with the fine concave-convex pattern face described above is installed, as a main construction.例文帳に追加

片面が微細な凹凸パターンを持つ樹脂射出品の樹脂射出成形装置において、前記微細な凹凸パターン面に接して射出品を形成する金型に互いに、隔離した複数層の断熱層を含む多層式スタンパを設置したことを特徴とする光ディスク用基板を成形する金型装置を主たる構成にする。 - 特許庁

The glow plug is equipped with a bar-shaped ceramic heater 1 where a ceramic resistor 10 consisting of conductive ceramic is buried in a ceramic substrate 13 consisting of insulating ceramic, and it is provided with a metallic outer tube 3 which is arranged with the tip of the ceramic heater 1 projected, and a main metal fitting 4 where a mounting part to an internal combustion engine is made.例文帳に追加

グロープラグは、絶縁性セラミックからなるセラミック基体中１３に導電性セラミックからなるセラミック抵抗体１０が埋設された棒状のセラミックヒータ１を備えて構成され、セラミックヒータ１の先端部を突出させる形にて配置される金属外筒３と、内燃機関への取付部が形成された主体金具４が設けられる。 - 特許庁

This device has a pixel substrate 2, in which provided at least are a scanning line 5 connected to a gate electrode 18 of a switching element 8, a pixel electrode 9 connected to a drain electrode 19b, a reference signal line 6 connected to a source electrode 19a, and a gate insulating film 16 that insulates/protects the gate electrode 18 and the scanning line 5 or the reference signal line 6.例文帳に追加

スイッチング素子８のゲート電極１８に接続された走査線５と、ドレイン電極１９ｂに接続された画素電極９と、ソース電極１９ａに接続された基準信号線６と、ゲート電極１８と走査線５または基準信号線６を絶縁保護するゲート絶縁膜１６とが少なくとも設けられた画素基板２を有する。 - 特許庁

This structure is formed on a silicon substrate in a way that it is formed with a trench having at least one silicon pole in the lower part of the trench that forms side walls of multiple minute trenches, and device isolation insulating films embedded in these minute trenches so that the leak current can be prevented by the silicon pole and caves can be formed in the minute trenches to reduce a device RC delay.例文帳に追加

シリコン基板に形成され、複数の微細トレンチの側壁となる少なくとも一つのシリコン柱をトレンチの下部に含むトレンチと、前記複数の微細トレンチの内部に埋め込まれた素子分離絶縁膜とを備え、シリコン柱を含むことによりリーク電流発生を抑制し、微細トレンチに空洞を形成して素子のＲＣ遅延を減少させる。 - 特許庁

The signal line of the matrix array substrate consists of a lower layer wiring 31 of the signal line formed simultaneously with a drain electrode 32, and an upper layer wiring 51 of the signal line (auxiliary conductive layer) formed simultaneously with a pixel electrode 52, with the layers electrically connected to each other via a contact hole 41 for signal line upper and lower layers which penetrates through an insulating film 4 between the layers.例文帳に追加

信号線は、ドレイン電極３２と同時に作成される信号線下層配線３１と、画素電極５２と同時に作成される信号線上層配線（補助導電層）５１とが、これらの間の絶縁膜４を貫く、信号線上下層間コンタクトホール４１を介して互いに導通されて成る。 - 特許庁

To resolve a problem where a first electrode and a second electrode are short-circuited each other by the occurrence of breakdown in a protective film when a semiconductor device, in which the first high potential electrode and the second low potential electrode that are arranged on one side of a substrate are covered with the insulating protective film, is used with conductive particles adhering to the portion from the first electrode to the second electrode.例文帳に追加

基板の一面上に配置された高電位の第１電極と低電位の第２電極とを絶縁性の保護膜で覆った半導体装置が、第１電極から第２電極にかけてに導電性異物が被さったまま使用されると、保護膜に絶縁破壊が発生して、第１電極と第２電極とが短絡する。 - 特許庁

A gate insulating film 4 is formed so as to extend from the interior of the trench 8 to the surface of the p-base 2 of the semiconductor substrate by a thermal process, and also impurity ions of high concentration implanted to the front layer of the p-base 2 and the bottom part of the trench 8 are activated to form a source region 3 and a well region 10 at the same time.例文帳に追加

そして、熱処理によってトレンチ８内部から半導体基板のｐベース２表面にまで延在するようにゲート絶縁膜４を形成するとともに、ｐベース２の表層およびトレンチ８底部に注入された高濃度の不純物イオンを活性化させてソース領域３およびウェル領域１０を同時に形成するものである。 - 特許庁

To provide a midpoint adjusting system of a torque sensor and its midpoint adjusting method, dispensing with adjustment by a volume resistance, capable of reducing man-hours for adjustment and improving uniformly adjustment accuracy regardless of proficiency of an operator or the like, dispensing with loading of the volume resistance on an insulating substrate, and having advantageous loadability and cost, when adjusting an offset voltage of the torque sensor as a midpoint output voltage.例文帳に追加

トルクセンサのオフセット電圧を中点出力電圧として調整する際、ボリューム抵抗による調節を不要にし、調整工数を減らし、作業者の熟練度などに関係なく、調整精度が一様に向上し、ボリューム抵抗を絶縁基板に搭載する必要がなくなり、搭載性やコスト的に有利なトルクセンサの中点調整システムおよびその中点調整方法を提供する。 - 特許庁

In a step of generating a halfway machining hole down to the middle of an insulating layer by radiating laser bean at a position where a through-hole is generated from one surface of both-sided substrate, trepanning which shifts radiation position of laser beam for machining is executed to generate a through reference hole on the one surface, thereby improving quality of a completed through reference hole.例文帳に追加

両面基板の一方の面から貫通穴を作成する位置にレーザ光を照射して絶縁層の途中までの途中加工穴を作成する段階で、同じ一方の面にレーザ光の照射位置をずらしながら加工を行うトレパニング加工により貫通基準穴を作成することにより、貫通基準穴の完成度を向上することができる。 - 特許庁

In addition, a normal device function is not reversely affected, because the D-NMOS 73, 74 become insulating elements and the gates of the PMOS 71 and NMOS 72 are blocked from the signal line Ls5, after the semiconductor integrated device is attached to a substrate and becomes in active state, which can receive the power supply, and is in state that electrostatic destruction hardly occurs.例文帳に追加

また、半導体集積装置が基板に装着されて電源電圧の供給を受けられる活性状態となり、静電破壊が発生し難い状態になってからは、Ｄ−ＮＭＯＳ７３，７４が絶縁素子となり、ＰＭＯＳ７１及びＮＭＯＳ７２のゲートが信号線Ｌｓ５から遮断されるので、通常のデバイス機能に悪影響を及ぼすことない。 - 特許庁