「insulating substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for fabricating an electrooptic display in which a TFT substrate layer can be stripped easily from an insulating substrate.例文帳に追加

絶縁基板から容易に剥離を行うことができる電気光学表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The power element 4 is loaded on a metal substrate 1, and the control element 5 is loaded on a resin insulating substrate 2.例文帳に追加

電力素子４は金属基板１に、制御用素子５は樹脂絶縁基板２に、それぞれ搭載される。 - 特許庁

An insulating porous substrate 10 is employed as the support substrate of a matrix substrate, where a gate line 6 and a data line 4 are wired on the both surfaces of the porous substrate 10, respectively.例文帳に追加

マトリックス基板の支持基板として絶縁性の多孔質基板１０を採用し、多孔質基板１０の両面にそれぞれゲート線６およびデータ線４を配線する。 - 特許庁

On the substrate 1, a gate insulating film 4, floating gate electrodes 5, a capacitor insulating film 8, control gate electrodes 6, gate top insulating films 11, side-wall insulating films 12, tunnel insulating films 10, and an erasing gate electrode 9 are provided.例文帳に追加

基板上には、ゲート絶縁膜４と、フローティングゲート電極５と、容量絶縁膜８と、コントロールゲート電極６と、ゲート上絶縁膜１１と、側壁絶縁膜１２と、トンネル絶縁膜１０と、消去ゲート電極９とが設けられている。 - 特許庁

A display device includes: a first insulating substrate; a first main pixel which is formed on the first insulating substrate and comprises a plurality of sub-pixels and a single sensing electrode; a second insulating substrate which faces the first insulating substrate; a sensing spacer formed on the second insulating substrate which faces the sensing electrode; and a contact electrode formed on the sensing spacer.例文帳に追加

本発明によるディスプレイ装置は、第１絶縁基板と、前記第１絶縁基板上に形成されており、複数のサブ画素と一つのセンシング電極とを有する第１メイン画素と、前記第１絶縁基板と対向する第２絶縁基板と、前記センシング電極に対向するように前記第２絶縁基板に形成されているセンシングスペーサと、前記センシングスペーサに形成されている接触電極とを含む。 - 特許庁

The substrate is provided with an insulating substrate 2, a circuit layer 3 laminated on a side of the insulating substrate 2, a metal layer 4 laminated on the other side of the insulating substrate 2, a semiconductor chip 5 mounted on the circuit layer 3 via solder 7, and a radiator 6 connected to the metal layer 4.例文帳に追加

絶縁基板２と、絶縁基板２の一方の面に積層される回路層３と、絶縁基板３の他方の面に積層される金属層４と、回路層３にはんだ７を介して搭載される半導体チップ５と、金属層４に接合される放熱体６とを備える。 - 特許庁

To provide a substrate treatment method and a substrate treatment apparatus capable of inhibiting the formation of an insulating layer on a substrate surface where the insulating layer is not needed and selectively forming the layer in a non-through hole when forming the insulating layer in the non-through hole formed at the substrate by an electrodeposition method, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

電着法により基板に設けた非貫通穴内部に絶縁層を形成する際に、絶縁層を必要としない基板表面の絶縁層の形成を抑制し、非貫通穴内部に選択的に成膜できる基板処理方法、基板処理装置及び半導体装置を提供すること。 - 特許庁

An upper substrate 100 comprises a second substrate, a first insulating film 140 laid in the transmission area of the second substrate, a transparent electrode 150 laid in the first insulating film and the reflection area of the second substrate, and a second insulating film 160 laminated on a common electrode corresponding to the reflection area.例文帳に追加

上部基板１００は、第２基板、第２基板の透過領域に具備された第１絶縁膜１４０、第１絶縁膜及び第２基板の反射領域に具備された透明電極１５０及び反射領域に対応して共通電極上に積層される第２絶縁膜１６０からなる。 - 特許庁

The substrate built-in connector comprises an insulating housing and a terminal and a substrate to be fixed to the insulating housing, and a substrate mounting portion for incorporating the substrate and a terminal mounting portion for incorporating the terminal are provided in the insulating housing, and the incorporating direction of the substrate in the substrate mounting portion and incorporating direction of the terminal in the terminal mounting portion are same.例文帳に追加

基板内蔵型コネクタにおいて、絶縁ハウジングと、この絶縁ハウジングに固定される端子と基板を備え、絶縁ハウジングには、基板を組み込むための基板組込部と、端子を組み込むための端子組込部が設けられており、基板組込部における基板の組込方向と端子組込部における端子の組込方向が同じである。 - 特許庁

Furthermore, a gate insulating film 14 thinner than the MONOS insulating film 13 is formed on the silicon substrate surface and surfaces of the MONOS insulating film 13, and gate insulating film 14 are set to have the same height.例文帳に追加

さらに、シリコン基板面上に、ＭＯＮＯＳ絶縁膜１３より膜厚が薄いゲート絶縁膜１４を形成し、ＭＯＮＯＳ絶縁膜１３とゲート絶縁膜１４の表面を同じ高さにする。 - 特許庁

The multilayer substrate is laminated so that the area of profile of one insulating layer 10 among a plurality of insulating layers becomes wider than those of other insulating layers 40, 42 different from the insulating layer 10.例文帳に追加

複数の絶縁層のうちの一の絶縁層１０の外形がなす面積が、一の絶縁層とは異なる他の絶縁層４０，４２の外形がなす面積よりも広くなるようにして積層する。 - 特許庁

On a substrate 100, a lower electrode 101 is bonded to an upper electrode 102 via an insulating film 104 (an insulating film 104a, an insulating film 104b, and an insulating film 104c) having via holes 103.例文帳に追加

基板１００上において、下部電極１０１は、上部電極１０２と、ビアホール１０３を有する絶縁膜１０４（絶縁膜１０４ａ，絶縁膜１０４ｂ，絶縁膜１０４ｃ）を介して接合される。 - 特許庁

When an inter-layer insulating film 132 is formed on the pixel electrode 131, an inter-layer insulating film 152 which covers the inter-substrate connection line 151 is formed by using an insulating film for the inter-layer insulating film 132.例文帳に追加

画素電極１３１上に層間絶縁膜１３２を形成する際に、層間絶縁膜１３２用の絶縁膜を利用して基板間接続線１５１を覆う層間絶縁膜１５２を形成する。 - 特許庁

The base member includes a plastic substrate provided with the recessed portions, or includes a substrate and an insulating film formed on the substrate and provided with the recessed portions.例文帳に追加

ベース部材は、凹部を備えるプラスチック基板を備えるか、または基板と、基板上に形成されて凹部を備える絶縁膜とを備える。 - 特許庁

The SOI substrate is a substrate in which an insulating layer 120 and a silicon layer 200 are laminated on a silicon substrate 100, of which the surface is the (111) plane.例文帳に追加

ＳＯＩ基板は、表面が（１１１）面であるシリコン基板１００上に絶縁層１２０及びシリコン層２００を積層した基板である。 - 特許庁

The substrate 12 includes a quartz glass substrate and the surface of the substrate is covered with an SiO_2 vapor deposition insulating film so as to expose the electrode 13.例文帳に追加

基板１２は、石英ガラス基板から成り、電極１３が露出するよう、表面がＳｉＯ_２蒸着絶縁膜により覆われている。 - 特許庁

The base member has one of a structure including a plastic substrate having the recessed part and a structure including a substrate and an insulating layer which is formed on the substrate and has the recessed part.例文帳に追加

ベース部材は、凹部を備えるプラスチック基板を備えるか、または基板と、基板上に形成されて凹部を備える絶縁膜とを備える。 - 特許庁

An insulating film forming device 32 of a substrate processing device 1 forms a CF insulating film on a substrate W and conveys the substrate W to an insulating film processing device 34 through a conveyance path 8 held in a pressure-reduced atmosphere containing no water.例文帳に追加

基板処理装置１の絶縁膜形成装置３２において，基板Ｗ上にＣＦ絶縁膜を形成し，当該基板Ｗを，水分を含まないような減圧雰囲気に維持された搬送路８を通って絶縁膜処理装置３４に搬送する。 - 特許庁

In the touch panel with the satin finished surface formed on at least one of the opposed surfaces of the upper insulating substrate and the lower insulating substrate, the support plate composed of a plastic plate is adhered all over a rear surface of the lower insulating substrate by a spread viscous agent layer.例文帳に追加

上部絶縁基板と下部絶縁基板の対向面のうち少なくとも一方に梨地面が形成されたタッチパネルが、その下部絶縁基板の裏面にプラスチック板からなる支持板が拡散粘着剤層により全面的に接着されている。 - 特許庁

In a multilayer circuit board 5 provided with an insulating substrate 10 and a ground plane layer 12 formed inside the insulating substrate 10, a conductor portion 16 which conducts into the ground plane layer 12 is formed on the side surface of circumferential portion of the insulating substrate 10.例文帳に追加

絶縁基板１０と、この多層プリント基板１０の内部に形成されたグランドプレーン層１２とを備えている多層プリント基板５において、絶縁基板１０の周縁部の側面にグランドプレーン層１２に導通する導体部１６を形成した。 - 特許庁

A semiconductor device has a silicon layer formed on a substrate insulating layer on a substrate, an element formed on the silicon layer, and an insulating film which is formed on the substrate insulating layer adjacent to the element in a manner of covering the element.例文帳に追加

基板上の基板絶縁層上に形成されたシリコン層と、そのシリコン層上に形成された素子と、その素子と隣接する基板絶縁層上に形成され、かつ、その素子を覆うように形成された絶縁膜とを有する半導体装置。 - 特許庁

This wiring board is characterized by comprising an insulating substrate 3 having one or more insulating layers 1, a surface reflective layer 11 having a total reflectance higher than the insulating substrate 3 formed on the insulating substrate 3, and wiring layers 5, 7, 9 formed on or in at least one of the surface or the inside of the insulating substrate 3 and the surface reflective layer 11.例文帳に追加

１層以上の絶縁層１を備えた絶縁基体３と、該絶縁基体３の表面に形成された前記絶縁基体３よりも高い全反射率の表面反射層１１と、前記絶縁基体３および前記表面反射層１１の表面又は内部のうち少なくとも一方に形成された配線層５、７、９とを具備してなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for producing a laminated substrate which can easily form a metal membrane layer on an insulating substrate, reduces an etching residue on the insulating substrate after etching, and is excellent in reliability on insulation.例文帳に追加

絶縁基板上に薄膜の金属層を容易に形成でき、さらにエッチング後において絶縁基板上にエッチング残りが少なく、絶縁信頼性に優れた積層基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrostatic chuck that can attract an insulating substrate such as a glass substrate when the insulating substrate is treated in a plasma treating apparatus, and has small impedance for a high-frequency electric power load.例文帳に追加

ガラス基板などの絶縁性基板をプラズマ処理装置内で処理する場合に、絶縁性基板が吸着でき、高周波電力負荷に対するインピーダンスの小さい静電チャックを提供する。 - 特許庁

The module substrate 4 has: a substrate 1; an insulating layer 2 laminated on the substrate 1 and which has heat conductivity of 1 W/mK or greater; and a conductive layer 3 laminated on the insulating layer 2 and which has a conductive pattern.例文帳に追加

モジュール基板４が、基板１と、基板１上に積層された1W/mK以上の熱伝導性を有する絶縁層２と、絶縁層２上に導電パターンを有しつつ積層された導電層３を有する。 - 特許庁

An LED element-mounting member 20 includes: a first metal substrate 21; an insulating layer 22 provided on the first metal substrate 21; and a second metal substrate 23 provided on the insulating layer 22.例文帳に追加

ＬＥＤ素子載置部材２０は、第１金属基板２１と、第１金属基板２１上に設けられた絶縁層２２と、絶縁層２２上に設けられた第２金属基板２３とを備えている。 - 特許庁

FINFET is formed over an SOI (Silicon On Insulator) substrate composed of a substrate layer 1S, a buried insulating layer BOX (Buried Oxide) formed over the substrate layer 1S, and a silicon layer formed over the buried insulating layer BOX.例文帳に追加

基板層１Ｓと、基板層１Ｓ上に形成された埋め込み絶縁層ＢＯＸと、埋め込み絶縁層ＢＯＸ上に形成されたシリコン層からなるＳＯＩ基板上にＦＩＮＦＥＴが形成されている。 - 特許庁

The substrate 10 for the suspension comprises a metal substrate 1, an insulating layer 2 formed on the metal substrate 1, a wiring layer 3 formed on the insulating layer 2, and a cover layer 4 covering the wiring layer 3.例文帳に追加

サスペンション用基板１０は金属基板１と、金属基板１に上形成された絶縁層２と、絶縁層２上に形成された配線層３と、配線層３を覆うカバー層４とを備えている。 - 特許庁

To improve heat dissipation about an insulation substrate on which a semiconductor chip is mounted by improving construction of a conductor pattern formed on the main surface side of the insulating substrate and reducing thermal resistance of the insulating substrate.例文帳に追加

半導体チップをマウントした絶縁基板について、その主面側に形成した導体パターンの構築を改良して絶縁基板の熱抵抗を低減し、熱放散性の向上化を図る。 - 特許庁

The active matrix substrate 2 is provided with an insulating substrate 6, a transparent electrode 31 provided in the insulating substrate 6, and a reflective electrode 32 provided on a surface of the transparent electrode 31.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板２には、絶縁基板６と、絶縁基板６に設けられた透明電極３１と、透明電極３１の表面上に設けられた反射電極３２とが設けられている。 - 特許庁

The wiring substrate 4 is provided with an insulating substrate 11, a conductor pattern 13 formed on one main surface of the insulating substrate 11 and a solder resist layer 14 formed as to cover the conductor pattern 13.例文帳に追加

配線基板４は、絶縁基板１１と、絶縁基板１１の一方の主面に形成された導体パターン１３と、導体パターン１３を覆うように形成された半田レジスト層１４とを有している。 - 特許庁

The substrate device has a substrate, a lower layer conductive part formed on the substrate, an interlayer insulating film laminated on the lower layer conductive part and an upper layer conductive part formed on the interlayer insulating film.例文帳に追加

基板装置は、基板と、該基板上に形成された下層導電部と、該下層導電部上に積層された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上に形成された上層導電部とを備えている。 - 特許庁

This electrostatic micro actuator 20 is constituted by laminating a substrate 1, a substrate electrode insulating layer 2, a substrate electrode 3, a driving electrode insulating layer 5 and a spiral driving electrode 8 in this order.例文帳に追加

基板１と、基板電極絶縁層２と、基板電極３と、駆動電極絶縁層５と、螺旋状の駆動電極８とがこの順に積層されてなる静電マイクロアクチュエータ２０を使用する。 - 特許庁

A magnetic core 3 is arranged along the lower side substrate surface 2a of an insulating substrate 2, and a plurality of recessed conductors 4 are mounted to the insulating substrate 2 so as to extend across a magnetic path of the magnetic core 3.例文帳に追加

磁気コア３は絶縁性基板２の下側基板面２ａに沿って配置されており、かつこの磁気コア３の磁路を跨ぐように複数の凹型導体４が絶縁性基板２に装着されている。 - 特許庁

In the execution form, the semiconductor substrate 10 is an SOI substrate, and comprises a support substrate 12, an insulating layer 14 laminated on the support substrate 12, and a silicon layer 16 laminated on the insulating layer 14.例文帳に追加

本実施形態において半導体基板１０は、ＳＯＩ基板であり、支持基板１２、支持基板１２上に積層された絶縁層１４、および絶縁層１４上に積層されたシリコン層１６を有して構成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a display device capable of suppressing deformation such as deflection of an insulating substrate even when a semiconductor film with a desired pattern is formed on the insulating substrate.例文帳に追加

絶縁基板に所定パターンの半導体膜を形成した際でも、絶縁基板の反りなど変形を抑制した表示装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the ceramic substrate 10, an insulating layer, that is, a highly Al-concentrated layer 12 is formed on a surface of the ceramic substrate 10, wherein the insulating layer is high in Al concentration than the inside thereof.例文帳に追加

本発明のセラミックス基板１０は、セラミックス基板１０の表面に、Ａｌ濃度が内部よりも高い絶縁体層（=Ａｌ高濃度層１２）を構成する。 - 特許庁

To overcome such a problem that a crack is generated in an insulating substrate and a lid/sealing member caused by a difference of coefficient of linear thermal expansion between the insulating substrate and the lid/sealing member, and an external lead terminal.例文帳に追加

絶縁基体や蓋体・封止材と外部リード端子との熱膨張係数の相違に起因して絶縁基体や蓋体・封止材にクラックや割れが発生する。 - 特許庁

To solve a problem that the overall dimensions of an insulating substrate increase when a large number of external electrodes are formed by forming a groove-like recess in a side face of the insulating substrate.例文帳に追加

絶縁基体の側面に溝状の凹部を形成することによって外部電極を多数形成すると、絶縁基体の外形寸法が大きくなってしまう。 - 特許庁

In a GaAs substrate 40 being a semi-insulating substrate, HBT30 is formed in an element forming region, and element separating regions 47 are formed in insulating regions.例文帳に追加

半絶縁性基板であるＧａＡｓ基板４０において、素子形成領域にＨＢＴ３０を形成し、絶縁領域に素子分離領域４７を形成する。 - 特許庁

The linear thermal expansion coefficient of the second region is different from that of the insulating substrate of the first region by heating the insulating substrate.例文帳に追加

第２の領域の熱膨張係数は、絶縁性基板を加熱することにより、第１の領域の絶縁性基板の熱膨張係数と異なるものとなっている。 - 特許庁

To provide an electronic device package manufacturing method by which a base substrate of insulating material and a cover substrate of insulating material can be bonded together via a metal film by anodic bonding in a stable manner.例文帳に追加

絶縁物のベース基板と絶縁物の蓋基板とを金属膜を介して安定的に陽極接合できる電子デバイスパッケージの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an insulating circuit substrate of low manufacturing cost and a method of manufacturing the same, and to provide a base for a power module using the insulating circuit substrate and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

製造コストの安い絶縁回路基板およびその製造方法、絶縁回路基板を用いたパワーモジュール用ベースおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a liquid crystal device, capable of improving the productivity by laminating a single-crystal silicon substrate on an insulating substrate, without polishing an insulating film.例文帳に追加

絶縁膜を研磨することなく単結晶シリコン基板を貼り合わせることにより、生産性を向上させる液晶装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

When pixel transistors 26 or the like are formed on a transparent insulating substrate 10, a polysilicon light-shielding film 24 is formed all over the rear face of the transparent insulating substrate 10.例文帳に追加

透明絶縁基板１０上に画素トランジスタ２６等を形成する際に、透明絶縁基板１０の裏面全体にポリシリコン遮光膜膜２４を形成する。 - 特許庁