「insulating substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

INSULATING RESIN COMPOSITION AND PRINTED CIRCUIT SUBSTRATE USING THE SAME例文帳に追加

絶縁樹脂組成物及びこれを用いて製造された印刷回路基板 - 特許庁

The insulating layer contains the same elements as the semiconductor base substrate and/or a substrate of the semiconductor device.例文帳に追加

絶縁層は半導体ベース基板及び／又は半導体素子の基板の元素と同じ元素を含む。 - 特許庁

INSULATING SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE USING THAT AND MANUFACTURING METHOD OF SUBSTRATE例文帳に追加

半導体用絶縁基板およびそれを用いた半導体装置並びに該基板の製造方法 - 特許庁

At least a substrate front side region 2a of the device substrate 2 is made of insulating materials.例文帳に追加

装置基板２の少なくとも基板正面側部位２ａを絶縁材製とする。 - 特許庁

TEMPERATURE CONTROLLED SUBSTRATE HOLDER HAVING EROSION RESISTANT INSULATING LAYER USED FOR SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM例文帳に追加

基板処理システムに用いられる耐浸食性絶縁層を有する温度制御された基板ホルダ - 特許庁

A semiconductor chip 4 is loaded on a metal substrate 24 of a package 29 through an insulating substrate 6.例文帳に追加

半導体チップ４は絶縁基板６を介して、パッケージ２９の金属基板２４に載置されている。 - 特許庁

Respective gate insulating films 31, 66 formed on a glass substrate 3 of an array substrate 2 are respectively patterned.例文帳に追加

アレイ基板２のガラス基板３上に形成した各ゲート絶縁膜31，66をそれぞれパターニングする。 - 特許庁

In this case, the surface and side of the semiconductor substrate 1 are covered with (protected by) the insulating substrate 6.例文帳に追加

このとき半導体基板１の表面及び側面は絶縁性基板６で被覆（保護）されている。 - 特許庁

A general insulating substrate comprising materials such as ceramics can be used for the substrate 21.例文帳に追加

基板21にはセラミックなどの材料から成る一般の絶縁基板を使用することができる。 - 特許庁

An SOI substrate is constituted of a supporting substrate 1, a buried insulating layer 2 and a semiconductor layer 3.例文帳に追加

支持基板１と埋め込み絶縁層２と半導体層３とからＳＯＩ基板が構成されている。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus capable of forming an insulating film thick and flatter on a substrate.例文帳に追加

基板上に絶縁膜を厚くかつより平坦に形成することができる基板処理装置の提供。 - 特許庁

After a semiconductor substrate 10 is prepared, a first interlayer insulating film 30 is formed on the substrate 10.例文帳に追加

半導体基板１０を準備し、半導体基板１０の上に第１層間絶縁膜３０を形成する。 - 特許庁

MOLD APPARATUS, OPTICAL DISC SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD OF OPTICAL DISC SUBSTRATE AND MULTI LAYERED INSULATING STAMPER例文帳に追加

金型装置、光ディスク基板、光ディスク基板の製造方法および多層式断熱スタンパ - 特許庁

To provide a method of securely attracting an insulating substrate such as a glass substrate under a vacuum.例文帳に追加

ガラス基板などの絶縁基板を真空中で確実に吸着する方法を提供する。 - 特許庁

An integrated circuit device includes an integrated circuit substrate, and an insulating film formed on the integrated circuit substrate.例文帳に追加

前記集積回路素子は集積回路基板及び前記集積回路基板上の絶縁膜を具備する。 - 特許庁

The infrared ray detection element substrate 16 is fixed to the insulating substrate 8 with an adhesive member 11.例文帳に追加

赤外線検出素子基板１６と絶縁性基板８は接着部材１１によって固定される。 - 特許庁

A second insulating layer is formed on the substrate and between the through electrodes and the substrate.例文帳に追加

第二絶縁層は、基板上に及び貫通電極と基板の間に形成されている。 - 特許庁

Preferably, the insulating layer has an SiO_2 film formed on an Si substrate or is a quartz substrate.例文帳に追加

絶縁層としては、Ｓｉ基板上にＳｉＯ_２層が形成されたもの、あるいは、石英基板が好ましい。 - 特許庁

The upper surface of the insulating film 8 is made as a substrate mounting surface 50 for mounting a glass substrate S for FPD.例文帳に追加

絶縁膜８の上面は、ＦＰＤ用ガラス基板Ｓを載置する基板載置面５０となっている。 - 特許庁

The chip-on-board metal substrate structure includes a radiating substrate 10, an insulating layer 20, and a conductor layer 40.例文帳に追加

放熱基板１０と、絶縁層２０と、導体層４０とによって構成する。 - 特許庁

To electrically ground a substrate through an insulating layer on a surface of the substrate by nondestructive method.例文帳に追加

非破壊的方法により基板の表面上の絶縁層を介して電気的に基板を接地する。 - 特許庁

INSULATING SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF AS WELL AS POWER MODULE AND SUBSTRATE THEREOF例文帳に追加

絶縁基板および絶縁基板の製造方法並びにパワーモジュール用基板およびパワーモジュール - 特許庁

The substrate 111 and the substrate 112 are laminated so as to sandwich the insulating film 112a.例文帳に追加

基板１１１と基板１１２は絶縁膜１１２ａを挟んで貼り合わされる。 - 特許庁

A thin film sensor part is formed on the top surface of an Si (100) substrate and insulating films are formed on both the surfaces of the substrate.例文帳に追加

Ｓｉ（１００）基板表面に薄膜センサ部を形成し、基板両面に絶縁膜を成膜する。 - 特許庁

The display device is assembled by using a transparent substrate on an upper side and an insulating substrate 101 on a lower side.例文帳に追加

表示装置は上側の透明基板と下側の絶縁基板１０１を用いて組み立てられている。 - 特許庁

The power element 4 is loaded on a metal substrate 1, and the control element 5 is loaded on a resin insulating substrate 2.例文帳に追加

電力素子４は金属基板１に、制御用素子５は樹脂絶縁基板２に、それぞれ搭載される。 - 特許庁

An insulating layer is formed on a semiconductor substrate, and a first trench reaching the semiconductor substrate from the insulating layer is formed selectively on the semiconductor substrate where the insulating layer is formed.例文帳に追加

半導体基板上に絶縁層を形成し、この絶縁層が形成された半導体基板に選択的に当該絶縁層から半導体基板に達する第１のトレンチを形成する。 - 特許庁

The semiconductor device includes an insulating substrate 1 having wiring 11, and a semiconductor element 2 which is mounted on the insulating substrate 1 and has an electrode 21 on the surface of side of the insulating substrate 1.例文帳に追加

半導体装置は、配線１１を有する絶縁性基板１と、絶縁性基板１上に実装され、かつ絶縁性基板１側の面に電極２１を有する半導体素子２とを備える。 - 特許庁

Thereby the laser light 40a irradiated from the irradiation part 40 is incident on the insulating substrate 5 from the lower side of the insulating substrate 5, and reaches the film 6 formed on the insulating substrate 5.例文帳に追加

これにより、照射部４０から照射されたレーザ光４０ａは、絶縁基板５の下側から絶縁基板５に入射し、絶縁基板５上に形成された膜６に到達する。 - 特許庁

The domain regulating means is formed at least either on the face of the second insulating substrate opposing to the first insulating substrate or on the first insulating substrate, and it divides the liquid crystal molecules into a plurality of domains in the pixel region.例文帳に追加

ドメイン規制手段は、第２絶縁基板において第１絶縁基板との対向面側あるいは第１絶縁基板上の少なくとも一方に形成されており、液晶分子を画素の領域において複数のドメインに分割する。 - 特許庁

The number of the lower electrodes 13 formed on the bottom part insulating substrate 11a is set not smaller than the number of upper electrodes 14 formed on the upper insulating substrate 12 so that the fixing position of the upper insulating substrate 12 can be changed.例文帳に追加

また、底部絶縁基板１１ａに形成される下部電極１３の数を上側絶縁基板１２に形成される上部電極１４の数以上にして上側絶縁基板１２の取り付け位置を変更可能にした。 - 特許庁

Insulating substrate 16, 17 are arranged in parallel with a prescribed space, a flow path 15 for exhaust gas is formed between each insulating substrate 16, 17, also coating of a catalyst is applied to a surface of each insulating substrate 16, 17.例文帳に追加

絶縁基板１６，１７を所定間隔で平行に配置し、各絶縁基板１６，１７間に排ガスの流路１５を形成すると共に、各絶縁基板１６，１７の表面に触媒をコーティングする。 - 特許庁

Since a facing area between the silicon substrate 2 and an insulating layer 20 can be reduced by this constitution, the silicon substrate 2 can be prevented from sticking to the insulating layer 20 when performing anodic bonding between the silicon substrate 2 and the insulating layer 20.例文帳に追加

このような構成によれば、シリコン基板２と絶縁層２０の対向面積を小さくすることができるので、シリコン基板２と絶縁層２０を陽極接合する際にシリコン基板２が絶縁層２０に貼り付くことを防止できる。 - 特許庁

An outermost insulating substrate 4A is arranged at one outermost surface of a multilayer circuit board 1, and the outermost insulating substrate 4A is provided with a conductive bump 8 such that it projects from the surface of the outermost insulating substrate 4A.例文帳に追加

多層回路基板１の一方の最外面には最外絶縁性基板４Ａが配され、最外絶縁性基板４Ａには導電性バンプ８が最外絶縁性基板４Ａの表面から突設するように設けられている。 - 特許庁

The insulating heat-radiating substrate 1 is provided with the insulating film 3 formed on the one principal surface side of the heat conducting substrate 2, and the junction layer 4 on the opposite side of the insulating film 3 with respect to the heat conducting substrate 2.例文帳に追加

絶縁放熱基板１は、熱伝導基板２の一方側の主面に絶縁膜３が設けられ、この絶縁膜３の熱伝導基板２とは反対側に、接合層４が設けられる。 - 特許庁

A coil pattern CP1 is formed on the upper face of an insulating substrate B1, and a lead pattern LP1 is formed on the upper face of an insulating substrate B2, and a ground pattern AP1 and a terminal pattern TP1 are formed on the lower face of the insulating substrate B2.例文帳に追加

絶縁基板Ｂ１の上面にコイルパターンＣＰ１を形成し、絶縁基板Ｂ２の上面にリードパターンＬＰ１を形成し、絶縁基板Ｂ２の下面にアースパターンＡＰ１とターミナルパターンＴＰ１を形成する。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 2, on which an interlayer insulating film 3 is formed, a contact hole 1 is formed between the surface 3a of the insulating film 3 and a internal portion of the substrate 2 through the insulating film 3 and the surface 2a of the substrate 2.例文帳に追加

層間絶縁膜３が形成された半導体基板２上において、コンタクトホール１の一端は層間絶縁膜表面３ａに開口され、他端は半導体基板表面２ａを貫いている。 - 特許庁

A film 4 having a heat resistance and an electric insulating property is formed on an insulating substrate 1 while avoiding pads 2 for the insulating substrate 1, and solder bumps 3 are formed on the pads 2, thus obtaining the mounting substrate for the electronic part.例文帳に追加

絶縁性基板１上に耐熱性及び電気絶縁性を有するフィルム４を、絶縁性基板１のパッド２を避けるように形成し、パッド２上にはんだバンプ３を形成して電子部品の実装基板を得る。 - 特許庁

Multiple disk-shaped coils, each having a disk-shaped insulating substrate 1, a conductor pattern 2 placed on the insulating substrate 1, and through-holes 7 for lamination formed in the insulating substrate 1, are laminated.例文帳に追加

円板形の絶縁基板１と、絶縁基板１に配置された導体パターン２と、絶縁基板１に穿孔された積層用スルーホール７とを備えたディスク型コイルが複数枚積層されている。 - 特許庁

To materialize various connection forms by using an insulating substrate of a single type, thereby enhancing the production efficiency of the insulating substrate and a semiconductor light-emitting device manufactured by using this insulating substrate.例文帳に追加

単一の種類の絶縁基板を用いて種々の接続形態を実現することにより、絶縁基板およびこの絶縁基板を用いて製造される半導体発光装置の生産効率を向上させる。 - 特許庁

To prevent the interference of an insulating substrate and a repair tool in fixing an insulating substrate and a heat sink by reflow soldering, and to improve the positioning precision of the insulating substrate and the repair tool.例文帳に追加

絶縁基板と放熱板とをリフローはんだ付けによって固定する際の、絶縁基板と冶具との干渉を防ぎ、絶縁基板と冶具との位置決め精度を向上させる。 - 特許庁

The thickness of the resistor 15 on the insulating substrate 10 can be changed, according to a type of the insulating substrate 10 by choosing the type of the insulating substrate 10.例文帳に追加

絶縁基板１０の種類を選択することにより絶縁基板１０上の抵抗体１５の厚みを絶縁基板１０の種類に応じて変化させることができる。 - 特許庁

The wiring board 9 is provided with the insulating substrate 1 composed of the ceramic sintered body, the signal line 2 formed inside the insulating substrate 1, and a glass layer 3 provided in the insulating substrate 1 so as to cover the surface of the signal line 2.例文帳に追加

配線基板９は、セラミック焼結体から成る絶縁基体１と、絶縁基体１の内部に形成された信号線２と、信号線２の表面を覆うように絶縁基体１内に設けられたガラス層３とを備えている。 - 特許庁

A semiconductor film having a cavity between itself and a base substrate is formed on a base substrate by forming an insulating film having an opening on the base substrate and transposing a portion of a bond substrate to the base substrate while holding the insulating film therebetween.例文帳に追加

ベース基板に開口部を有する絶縁膜を形成し、該絶縁膜を間に挟んでボンド基板の一部をベース基板に転置することで、ベース基板との間において空洞を有する半導体膜をベース基板上に形成する。 - 特許庁

INSULATING SUBSTRATE WITH ADHESIVE USED FOR SUBSTRATE FOR MOUNTING SEMICONDUCTOR, ITS MANUFACTURING METHOD, SUBSTRATE FOR MOUNTING SEMICONDUCTOR USING THE SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

半導体搭載用基板に用いる接着剤付絶縁基材とその製造方法とそれを用いた半導体搭載用基板並びにその製造方法 - 特許庁