「insulating substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

An inductor 100 includes a patterned metal layer 102 arranged on an insulating substrate 106.例文帳に追加

インダクタ１００は絶縁基板１０６上に配置されたパターン化金属層１０２を含む。 - 特許庁

A first layer 11 constituting a light-emitting diode 1 is provided on an insulating substrate 2.例文帳に追加

発光ダイオード１を構成する第１層１１は絶縁基板２上に設けられている。 - 特許庁

No channel area is formed within the semiconductor substrate 1 under the gate insulating film 5.例文帳に追加

ゲート絶縁膜５の下の半導体基板１内にはチャネル領域は形成されていない。 - 特許庁

An insulating film is formed on the surface of a semiconductor substrate having a crystal structure (S1).例文帳に追加

結晶構造を有する半導体基板の表面に絶縁膜を形成する（Ｓ１）。 - 特許庁

A tunnel insulating film 5 is formed on the channel region 4 of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１のチャネル領域４上に、トンネル絶縁膜５が形成されている。 - 特許庁

The ion electrode is arranged on the substrate in the position shifted in the lateral direction from the insulating mold 3.例文帳に追加

イオン電極は、絶縁モールド３から横方向にずれた位置の基板上に配置する。 - 特許庁

An overcoat layer 24 is formed on the insulating substrate 11 leaving out the electrodes 14, 15.例文帳に追加

電極１４,１５を残した絶縁基板１１上にはオーバーコート層２４を形成する。 - 特許庁

A gate electrode 24 is formed through a gate insulating film 23 on a semiconductor substrate 21.例文帳に追加

半導体基板２１上にゲート絶縁膜２３を介してゲート電極２４を形成する。 - 特許庁

Contact electrodes 16 are formed on the substrate surface so as to contact the insulating film 15.例文帳に追加

絶縁膜１５に接触するように基板面上にコンタクト電極１６が形成される。 - 特許庁

A wiring 12 is formed on an insulating film 10 on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上の絶縁膜１０上には、配線１２が形成されている。 - 特許庁

A coil 22 and an inductance control part 23 are formed on an insulating substrate 21.例文帳に追加

絶縁性基板２１上にコイル２２とインダクタンス調整部２３が形成されている。 - 特許庁

An insulating layer 2 or a copper foil 3 is formed on both surfaces of a glass epoxy substrate 1.例文帳に追加

ガラスエポキシ基板１の両面には絶縁層２又は銅箔３が形成されている。 - 特許庁

(a) The insulating film containing silicon and oxygen is formed on the semiconductor substrate.例文帳に追加

（ａ）半導体基板の表面上に、シリコンと酸素とを含む絶縁膜を形成する。 - 特許庁

A gate insulating film 2 and a gate electrode 3 are formed on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上にゲート絶縁膜２及びゲート電極３が形成されている。 - 特許庁

An electronic component 9, e.g. a filter, is mounted on the surface 2A of an insulating substrate 2.例文帳に追加

絶縁性基板２の表面２Ａにはフィルタ等の電子部品素子９を搭載する。 - 特許庁

The insulating substrate 1 has a via-hole B of a truncated cone leading to the wiring 11.例文帳に追加

絶縁性基板１は配線１１に至る円錐台形状のビアホールＢを有する。 - 特許庁

A heat-insulating material layer is disposed on the periphery of the substrate 2 excluding the putting surface for the container 12.例文帳に追加

基体２の周囲に、容器１２の載置面を除いて断熱材層が設けられている。 - 特許庁

The hBN layer 12 is formed on the insulating substrate 11, and has a surface 12a.例文帳に追加

ｈＢＮ層１２は、絶縁性の基板１１上に形成され、表面１２ａを有する。 - 特許庁

A process (a) for depositing a first insulating film on a substrate and forming recessed parts arriving at the substrate while penetrating a first insulating film, and another process (b) for depositing a second insulating film on the substrate, are carried out in parallel by a device having a plurality of processing chambers.例文帳に追加

基板上に第１絶縁膜を堆積し、第１絶縁膜を貫通して基板に到達する凹部を形成する工程（ａ）と、基板上に第２絶縁膜を堆積する工程（ｂ）とをそれぞれ、複数の処理チャンバーを有する装置で並行して実施する。 - 特許庁

The wiring board 10 comprises an insulating substrate 15, a conductor 35 formed at least on one side of the insulating substrate 15, and terminals 36 formed at the ends 18a and 18b of the insulating substrate 15 and connecting the conductor 35 electrically with a peripheral apparatus.例文帳に追加

絶縁基板１５と、絶縁基板１５の少なくとも片面に形成された導体部３５と、絶縁基板１５の端部１８ａ，１８ｂに形成され、導体部３５と周辺機器とを電気的に接続する端子部３６とを備えて配線基板１０を構成する。 - 特許庁

An antenna module 10 includes a loop-shaped antenna coil 14 formed on an insulating substrate 12, a ferrite core 18 formed on an upper face side at an inner layer of the insulating substrate 12, and a Liqualloy sheet 20 prepared with space on the lower face side in the inner layer of the insulating substrate 12.例文帳に追加

アンテナモジュール１０は、絶縁基板１２に形成されたループ状のアンテナコイル１４と、絶縁基板１２の内層で上面側に設けられたフェライトコア１８と、絶縁基板１２の内層で下面側に間隔を置いて設けられたリカロイシート２０とを備える。 - 特許庁

The metal film 14 performs a role of buffer between the silicon substrate 2 and the insulating layer 20 by this constitution, thereby the silicon substrate 2 can be reliably prevented from sticking to the insulating layer 20 when anodically bonding the silicon substrate 2 with the insulating layer 20.例文帳に追加

このような構成によれば、金属膜１４がシリコン基板２と絶縁層２０間の緩衝の役割を果たすので、シリコン基板２と絶縁層２０を陽極接合する際にシリコン基板２が絶縁層２０に貼り付くことをより確実に防止できる。 - 特許庁

The flexible board (20) is equipped with a microstrip line having a flexible insulating substrate, a signal line pattern arranged on one side of the insulating substrate, and a grounding film arranged on the other side of the insulating substrate, and impedance matching is taken by the microstrip line.例文帳に追加

また、フレキシブル基板(20)は、可撓性を有する絶縁基体とこの絶縁基体の一方面側に配置された信号線パターンと絶縁基体の他方面側に配置された接地膜とを有するマイクロストリップラインを備え、当該マイクロストリップラインがインピーダンス整合機能を担う。 - 特許庁

Further, the thin-film transistor has an undercoat film 11, formed on the insulating substrate 10 as the foundation of the semiconductor thin film 12 and for so storing therein the carbon penetrating from the side of the insulating substrate 10 as to set the value of its carbon concentration to a value lower than that of the insulating substrate 10.例文帳に追加

この薄膜トランジスタはさらに半導体薄膜１２の下地として絶縁基板１０上に形成され絶縁基板１０側から侵入する炭素を収容して絶縁基板１０よりも低い炭素濃度に設定されるアンダーコート膜１１を備える。 - 特許庁

A peripheral electrode layer 6 is formed astride the surfaces 5 of a part of the top electrode 2, the end face of the insulating substrate 1, the underside of the insulating substrate 1 and both sides of the insulating substrate 1 at both end parts, and electrically conductive adhesive is used for the materials.例文帳に追加

周面電極層６は、両端部において、上面電極２の一部、絶縁基板１の端面、絶縁基板１の下面、絶縁基板１の両側面の５面に跨って形成され、その材料には、導電性接着剤が用いられている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1, an active region formed on the semiconductor substrate 1, a field insulating film 6 that separates the active regions adjoining each other, an insulating film layer 7 formed on the semiconductor substrate 1 to cover the active region and the field insulating film 6, and an electrode pad 12 formed on the insulating layer 7.例文帳に追加

半導体基板１と、半導体基板１に形成された活性領域と、互いに隣接した活性領域を分離するフィールド絶縁膜６と、活性領域とフィールド絶縁膜６とを覆って半導体基板１上に形成された絶縁膜層７と、絶縁層７上に形成された電極パッド１２とを備える。 - 特許庁

The resin wiring substrate 40 has a substrate principal surface 41, a substrate rear surface 42, and substrate side surfaces 43 and has a structure stacking a resin insulating layers 53 and 54 and a conductor layer 55.例文帳に追加

樹脂配線基板４０は、基板主面４１、基板裏面４２及び基板側面４３を有するとともに、樹脂絶縁層５３，５４及び導体層５５を積層した構造を有する。 - 特許庁

Under the condition that an insulating material 5b with flowability is applied on a convex substrate and an insulating material 5a with flowability is applied on a concave substrate, the columnar conductive part 8 of the convex substrate is inserted into the hole 13 of the convex substrate.例文帳に追加

凸型基板上に流動性を有する絶縁材５ｂが塗布され、凹型基板上に流動性を有する絶縁材５ａが塗布された状態で、凹型基板のホール１３の中へ凸型基板の柱状導電部８が挿入される。 - 特許庁

The display substrate 16 is constructed by forming a display side electrode 28 and an insulating layer 30 on a substrate 26 and the back substrate 18 is constructed by forming a backside electrode 34, the coloring part 36 and an insulating layer 38 on a substrate 32.例文帳に追加

表示基板１６は基板２６上に表示側電極２８及び絶縁層３０が形成された構成であり、背面基板１８は、基板３２上に背面側電極３４、着色部３６、絶縁層３８が形成された構成である。 - 特許庁

The power module base 1 comprises a radiation substrate 2 made of a highly thermal conductive material, an insulating substrate 3 which is bonded to one surface of the radiation substrate, and a wiring layer 7 which is formed on the opposite side to the side bonded to the radiation substrate 3 in the insulating substrate 3.例文帳に追加

パワーモジュール用ベース１は、高熱伝導性材料からなる放熱基板２と、放熱基板の一面に接合された絶縁基板３と、絶縁基板３における放熱基板３に接合された側と反対側の面に設けられた配線層７とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor device 1 includes a semiconductor substrate 10, a group of interlayer insulating films 20 (a first group of interlayer insulating films), a group of interlayer insulating films 30 (a second group of interlayer insulating films), and a seal ring 40 (guard ring).例文帳に追加

半導体装置１は、半導体基板１０、層間絶縁膜群２０（第１の層間絶縁膜群）、層間絶縁膜群３０（第２の層間絶縁膜群）、およびシールリング４０（ガードリング）を備えている。 - 特許庁

An interlayer insulating film is formed on a semiconductor substrate 1, and the interlayer insulating film is wet etched with use of the insulating film as the uppermost layer of the wiring lines 10 and 11 and the insulating film 15 as etching stoppers.例文帳に追加

半導体基板１上に層間絶縁膜を形成し、配線１０及びダミー配線１１の最上層の絶縁膜と絶縁膜１５とをエッチングストッパとして、かかる層間絶縁膜をウェットエッチングする。 - 特許庁

Next, an insulating layer is formed on the substrate so that the dummy gate insulator layer and a dummy gate electrode are embedded, and then the dummy gate insulating layer and the dummy gate electrode are removed from the insulating layer so as to form an opening in the insulating layer.例文帳に追加

次に、ダミーゲート絶縁膜及びダミーゲート電極を埋め込むように、基板上に絶縁膜を形成し、ダミーゲート絶縁膜及びダミーゲート電極を、絶縁膜から除去して、絶縁膜に開口を形成する。 - 特許庁

An insulating substrate 7 is provided with an electrode 2, and two insulating substrates 7 are superposed on both sides of a retractive insulating layer 1 so that the electrodes 2 face each other via this insulating layer 1, thus they are laminated and integrated.例文帳に追加

絶縁基板７に電極２を設け、伸縮性を有する絶縁層１の両面に、この絶縁層１を介して電極２が対向するように前記絶縁基板７を重ねて積層一体化されている。 - 特許庁

A buried insulating layer 12 is buried at a position lower than a top surface of a semiconductor substrate 11, and a cap insulating layer 13 using a material different from that of the buried insulating layer 12 is formed on the buried insulating layer 12 without contacting a shoulder part of a step 12a between the semiconductor substrate 11 and buried insulating layer 12.例文帳に追加

半導体基板１１の表面よりも低い位置に埋め込み絶縁層１２を埋め込み、埋め込み絶縁層１２と材料の異なるキャップ絶縁層１３を半導体基板１１と埋め込み絶縁層１２と間の段差１２ａの肩の部分にかからないようにして埋め込み絶縁層１２上に形成する。 - 特許庁

With this manufacturing method, a semiconductor substrate 28 is selectively removed after an insulating substrate (sapphire substrate 27) and the semiconductor substrate 28, having a layer structure (epitaxial layer 29) formed are adhered with the layer structure on an adhesion surface side, and the part of the remaining layer structure is used to form an island-shaped semiconductor substrate 31-1 on the insulating substrate.例文帳に追加

絶縁基板（サファイア基板２７）と層構造（エピタキシャル層２９）が形成された半導体基板２８とを、層構造を接着面側にして接着した後、半導体基板２８を選択的に除去し、残った層構造の部分を用いて絶縁基板上に島状の半導体装置３１−１を形成する。 - 特許庁

A heat-insulating holding block 12 holding the position of the circuit substrate 6 by supporting at least one part of the substrate is provided, and the circuit substrate 6 is installed on an opposite side of the valve 1 with respect to the heat-insulating holding block 12.例文帳に追加

回路基板６の少なくとも一部を支持してその位置を保持する断熱性保持ブロック１２が設けられ、回路基板６は断熱性保持ブロック１２に対してバルブ１とは反対側に配置されている。 - 特許庁

The substrate for the wiring board comprises a releasable resin film 4 on at least one face of an insulating substrate 2 and a metal layer 3 on a face opposite to the insulating substrate 2 of the releasable resin film 4.例文帳に追加

配線基板用基材は、絶縁性基板２の少なくとも一方の面に離型性樹脂フィルム４を備え、離型性樹脂フィルム４の絶縁性基材２とは反対の面には、金属層３が設けられている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises the substrate insulating layer 11 composed of a single layer of a silicon oxide film on a glass substrate 12, and a semiconductor layer 1a formed on the substrate insulating layer 11.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、ガラス基板１２上に、酸化シリコン膜の単層にて構成された下地絶縁層１１と、該下地絶縁層１１上に形成された半導体層１ａとを具備してなることを特徴とする。 - 特許庁

A conductive layer which is electrically connected to a semiconductor substrate is formed on an insulating layer on the semiconductor substrate via a through part reaching the semiconductor substrate via the insulating layer in a part corresponding to a conductive path.例文帳に追加

半導体基板上の絶縁層上に、導電路に対応する部分で絶縁層を経て半導体基板に達する貫通部を介して前記半導体基板に電気的に接続される導電層を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes: an SOI substrate 110, comprising a semiconductor substrate 120, an insulating layer 130 provided on the semiconductor substrate 120, and an SOI layer 140 provided on the insulating layer 130.例文帳に追加

半導体装置１００は、半導体基板１２０と、半導体基板１２０の上に設けられた絶縁層１３０と、絶縁層１３０の上に設けられたＳＯＩ層１４０とからなるＳＯＩ基板１１０を含む。 - 特許庁

The circuit substrate 10 includes a metal substrate 12, an insulating layer 14 covering the top surface of the metal substrate 12, and a conductive pattern 16 formed in a predetermined shape on the top surface of the insulating layer 14.例文帳に追加

回路基板１０は金属基板１２と、金属基板１２の上面を被覆する絶縁層１４と、絶縁層１４の上面に形成された所定形状の導電パターン１６とを備えた構成となっている。 - 特許庁

Thus, the base film of good quality for improving a property of the insulating film is obtained in the interface between the insulating film and the substrate for the electronic device.例文帳に追加

絶縁膜と、電子デバイス用基材との間の界面に、該絶縁膜の特性を向上させるべき良質な下地膜が得られる。 - 特許庁

That is, an insulating film having an opening in a second main surface of the semiconductor substrate SB is provided, and the second electrode is provided on the insulating film.例文帳に追加

すなわち、半導体基板ＳＢの第２主面に開口部を有する絶縁膜を設け、絶縁膜上に第２電極を設ける。 - 特許庁

An interlayer insulating film 12 is formed on a semiconductor substrate 11, and a contact plug 13 is embedded in the interlayer insulating film 12.例文帳に追加

半導体基板１１上には層間絶縁膜１２が形成され、層間絶縁膜１２内にはコンタクトプラグ１３が埋め込まれている。 - 特許庁