interlayerを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 6425件
In this multilayer buildup wiring board, a via hole 160b piercing through a lower interlayer resin insulation layer 50 and an upper interlayer resin insulation layer 150 conducts electricity from solder bumps 76U and 76D in an upper layer of the interlayer resin insulation layer 150 to a conductor layer (conductor circuit) 34 formed on a core board 30.例文帳に追加
下層の層間樹脂絶縁層５０と上層の層間樹脂絶縁層１５０とを貫通するバイアホール１６０ｂにより、層間樹脂絶縁層１５０の上層の半田バンプ７６Ｕ、７６Ｄと、コア基板３０に形成された導体層（導体回路）３４との導通を取る。 - 特許庁
Even if the film thickness of the first interlayer film 4 fluctuates, a signal wave form 7 of reflecting light of the alignment mark 3 can always be made almost constant, without affecting the variation of the film thickness of the first interlayer film 4, because the first interlayer film 4 does not exist on the upper part of the alignment mark 3.例文帳に追加
第１層間膜４の膜厚がばらついたときでも、アライメントマーク３の上部には第１層間膜４がないために、アライメントマーク３の反射光の信号波形７は、第１層間膜４の膜厚ばらつきの影響を受けずに、常にほぼ一定にすることができる。 - 特許庁
To provide a method for selectively removing only a conductive film on the top surface of an interlayer insulating film without forming a protection insulating film in a recess after forming the conductive film, in the conductive film formed extending from a bottom and a sidewall of the recess formed at an interlayer insulating film to a top surface of the interlayer insulating film.例文帳に追加
層間絶縁膜に開口した凹部の底部及び側壁から層間絶縁膜上面にかけて形成した導電膜を、導電膜形成後の凹部内に保護絶縁膜を形成すること無しに層間絶縁膜上面の導電膜のみを選択的に除去する方法を提供する。 - 特許庁
On the interlayer insulating membrane 14, a second insulating membrane 15 different in an etching rate from this interlayer insulating membrane 14 is laminated and arranged, and when forming an undercut part 16 in the second insulating membrane 15 by dry etching, the interlayer insulating membrane 14 is protected by the second insulating membrane 15.例文帳に追加
層間絶縁膜１４上にこの層間絶縁膜１４とエッチングレートの異なる第２の絶縁膜１５を積層配置し、第２の絶縁膜１５にドライエッチングによりアンダーカット部１６を形成する際、前記層間絶縁膜１４を第２の絶縁膜１５で保護する。 - 特許庁
The interlayer mounting components 100 and a thin film laminated circuit 4 constituting the incidental circuit unit of the interlayer mounting component 100 are mounted on a base substrate 5 while these interlayer mounting components 100 and the thin film laminated circuit 4 are sealed in the hollow part 103 of a sealing material layer 102.例文帳に追加
ベース基板５に、層内実装部品１００と、この層内実装部品１００の付帯回路部を構成する薄膜積層回路体４とを実装するとともに、これら層内実装部品１００と薄膜積層回路体４とを封止材層１０２の中空部１０３内に封装してなる。 - 特許庁
The resist film and the interlayer insulating film under the opening of the resist film are etched on condition that an etching velocity of the etching stop layer is faster than the etching velocity of the resist film and the interlayer insulating film, and a contact hole passing through the interlayer insulating film is formed and the resist film is removed.例文帳に追加
エッチング停止層のエッチング速度よりもレジスト膜及び層間絶縁膜のエッチング速度の方が速い条件で、レジスト膜及びレジスト膜の開口下の層間絶縁膜をエッチングし、層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを形成するとともにレジスト膜を除去する。 - 特許庁
This semiconductor device is provided with a first interlayer insulating film 20 laminated on a semiconductor wafer 1, a second interlayer insulating film 21 which is laminated on the first interlayer insulating film 20 and has etching characteristic different from that of the film 20, and a capacitor 23 formed in an aperture part 22, which is formed being continuously connected with the first and the second interlayer insulating films 20, 21.例文帳に追加
半導体ウエハ１上に積層された第１の層間絶縁膜２０と、第１の層間絶縁膜２０上に積層され第１の層間絶縁膜２０のエッチング特性と異なるエッチング特性を有する第２の層間絶縁膜２１と、第１及び第２の層間絶縁膜２０、２１に連通して形成された開口部２２内に形成されたキャパシタ２３とを備えたものである。 - 特許庁
To provide a semiconductor device of a transistor structure having a first interlayer insulating film, a first wiring layer, a second interlayer insulating film and a second wiring layer on a semiconductor substrate, which can prevent disconnection of electrode wiring at an interface between the first and second interlayer insulating films at the time of making a contact hole in the interlayer insulating films to form the transistor structure.例文帳に追加
半導体基板上にトランジスタ構造、第１層間絶縁膜、第１配線層、第２層間絶縁膜、第２配線層を有する半導体装置において、第１及び第２層間絶縁膜にコンタクト孔を形成し電極構造を作成する際、層間絶縁膜界面での電極断線を防ぐ半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
A semiconductor device according to this invention includes: a first copper alloy wiring disposed in a first interlayer insulation film and formed by adding Al to Cu that is a main component; a second interlayer insulation film formed on the first interlayer insulation film; and a second copper alloy wiring disposed in the second interlayer insulation film and formed by adding Al to Cu that is a main component.例文帳に追加
本発明に係る半導体装置では、第一の層間絶縁膜内に配設されており、主成分であるＣｕにＡｌを添加した第一の銅合金配線と、第一の層間絶縁膜上に形成される第二の層間絶縁膜と、第二の層間絶縁膜内に配設されており、主成分であるＣｕにＡｌを添加した第二の銅合金配線とを、備えている。 - 特許庁
To provide an integrated circuit capable of coping with moisture erosion, interlayer delamination, and the outward diffusion of copper.例文帳に追加
水分の浸食、層間剥離、銅の外への拡散に対処する集積回路を提供する。 - 特許庁
POSITIVE RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, INTERLAYER INSULATING FILM FOR DISPLAY ELEMENT, AND FORMATION METHOD THEREOF例文帳に追加
ポジ型感放射線性樹脂組成物、表示素子用層間絶縁膜及びその形成方法 - 特許庁
An interlayer insulating film 6 is formed on a light-receiving region 3 and a field insulating film 5.例文帳に追加
受光領域３上及びフィールド絶縁膜５上には層間絶縁膜６が形成される。 - 特許庁
A control gate 14 is formed over the floating gate 11 through an interlayer insulating film 13.例文帳に追加
さらにフローティングゲート１１の上に、層間絶縁膜１３を介してコントロールゲート１４を形成する。 - 特許庁
A shading film 7 is formed on the interlayer insulating film 6 to partition off a light-receiving window 15.例文帳に追加
層間絶縁膜６上には遮光膜７が形成されて、受光窓１５を区画する。 - 特許庁
A base 10 is composed of a substrate 16, an interlayer insulating film 18 and an SiO2 film 20.例文帳に追加
下地１０は、基板１６と、層間絶縁膜１８と、ＳｉＯ_2 膜２０とで構成されている。 - 特許庁
To provide a multilayer electronic component in which the diameter of an interlayer connection conductor can be reduced.例文帳に追加
層間接続導体の径をより小さくすることができる積層電子部品を提供する。 - 特許庁
An interlayer metal layer 22 is provided on the conductive sheet 12 in order to enhance bonding strength.例文帳に追加
結合力を高めるため異方性導電シート１２上に層間金属層２２を設ける。 - 特許庁
CONSTITUENT FOR FORMING POROUS INTERLAYER DIELECTRIC CONTAINING SACCHARIDE AND DERIVATIVE THEREOF例文帳に追加
糖類またはその誘導体を含有する多孔性層間絶縁膜を形成するための組成物 - 特許庁
The barrier layer BR is provided between the interlayer insulating film IL and Cu wiring WR.例文帳に追加
バリア層ＢＲは層間絶縁膜ＩＬとＣｕ配線ＷＲとの間に設けられている。 - 特許庁
An interlayer dielectric 20 is formed on the semiconductor layer 80 while covering the gate structure 4c.例文帳に追加
半導体層８０上には、ゲート構造４ｃを覆って層間絶縁膜２０が形成されている。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a multilayer printed circuit board for interlayer connecting by use of bumps.例文帳に追加
バンプを利用して層間接続を行う多層プリント基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁
Thereafter, the organic interlayer film 6 is etched to form a wiring groove using the upper mask 8 as a mask.例文帳に追加
次に、上部マスク８をマスクとして有機層間膜６をエッチングして配線溝を形成する。 - 特許庁
To provide a method of controlling effects of interlayer diffusion when producing a multilayer optical film.例文帳に追加
多層光学フィルムの製作において、層間拡散の影響を制御する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having an interlayer insulating film which is improved in dry etching selectivity ratio.例文帳に追加
ドライエッチング選択比を改良した層間絶縁膜を有する半導体装置を提供すること。 - 特許庁
To suppress damage to an interlayer insulating film when photoresist is etched by using N_2/H_2.例文帳に追加
フォトレジストをＮ_２／Ｈ_２プラズマを用いて除去する際に、層間絶縁膜の損傷を抑制する。 - 特許庁
RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, INTERLAYER INSULATING FILM, MICROLENS AND METHOD FOR FORMING THESE例文帳に追加
感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびマイクロレンズ、ならびにそれらの形成方法 - 特許庁
The semiconductor substrate, on which the interlayer insulating film and hydrogen diffusion preventing film are formed, is subjected to the heat treatment.例文帳に追加
層間絶縁膜及び水素拡散防止膜が形成された半導体基板を熱処理する。 - 特許庁
Low-k interlayer insulating films 14, 17 are formed in the same manner to constitute the FeRAM.例文帳に追加
同様に、ｌｏｗ−ｋ層間絶縁膜１４，１７を形成してＦｅＲＡＭを構成する。 - 特許庁
The coating film 21 and the interlayer insulating film 23 are composed of such a material that can be etched selectively.例文帳に追加
被覆膜２１と層間絶縁膜２３とは選択的にエッチング可能な材料からなる。 - 特許庁
An interlayer dielectric 66 covers the first emitter electrode 54 and the lower layer gate wiring 14.例文帳に追加
層間絶縁膜６６が第１エミッタ電極５４及び下層ゲート配線１４を覆っている。 - 特許庁
To provide a laminated glass having an excellent noise insulation and excellent adhesive strength with glass and an interlayer film.例文帳に追加
遮音性に優れ、ガラスと中間膜との接着力に優れた合わせガラスを提供する。 - 特許庁
To provide a wiring board that is high in reliability of interlayer connection, and to provide a method of manufacturing a wiring board.例文帳に追加
層間接続の信頼性が高い配線基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
Thereafter, a cavity part 115 is formed by etching an interlayer insulating film 112 by the CMOS process.例文帳に追加
その後、ＣＭＯＳプロセスで層間絶縁膜１１２などをエッチングして空洞部１１５を形成する。 - 特許庁
A conductive plug 2, an interlayer insulating film 6a, and a bit line 3 are made on a silicon substrate 1.例文帳に追加
シリコン基板１上に導電性プラグ２、層間絶縁膜６ａ、ビット線３を形成する。 - 特許庁
Over the whole main surface of the semiconductor layer 102, an interlayer insulating film 106 is formed.例文帳に追加
ｐ型SiC半導体層１０２の主面上の全面に層間絶縁膜１０６が形成される。 - 特許庁
An interlayer insulating film 10 is formed between the diffused layers 2 and 3 and the gate electrode 9.例文帳に追加
また、拡散層２，３とゲート電極９との間には層間絶縁膜１０が形成される。 - 特許庁
An interlayer dielectric 104 of the semiconductor chip 101 is made of a low dielectric constant film.例文帳に追加
半導体チップ１０１の層間絶縁膜１０４は低誘電率膜により構成されている。 - 特許庁
An interlayer insulating layer 26 is formed for covering the gate insulating layer 22 and the gate electrode 24.例文帳に追加
ゲート絶縁層２２とゲート電極２４とを被覆する層間絶縁層２６を形成する。 - 特許庁
An interlayer insulating layer 24 for covering the gate insulating layer 20 and the gate electrode 22 is formed.例文帳に追加
ゲート絶縁層２０とゲート電極２２とを被覆する層間絶縁層２４を形成する。 - 特許庁
Then, after an interlayer insulation film is formed, a contact hole reaching the first wiring is formed.例文帳に追加
そして、層間絶縁膜を形成した後、第１の配線に達するコンタクトホールを形成する。 - 特許庁
RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, INTERLAYER INSULATION FILM AND MICROLENS, AND METHOD FOR PRODUCING THEM例文帳に追加
感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜及びマイクロレンズ、並びにそれらの製造方法 - 特許庁
The irradiation method of the laser light LB is varied in accordance with the level of the interlayer short 163.例文帳に追加
層間短絡１６３の大きさに応じてレーザ光ＬＢの照射方法を異ならせる。 - 特許庁
Therefore, the conductor layer is brought into close contact with the interlayer resin insulating layer through the intermediary of the roughened layer 5.例文帳に追加
そのため、導体層は、前記粗化層５を介して層間樹脂絶縁層と密着する。 - 特許庁
Then, etch back is performed and the interlayer insulation film 7 is allowed to remain only on the surface of the gate electrode 5.例文帳に追加
ついで、エッチバックを行い、ゲート電極５の表面にのみ層間絶縁膜７を残す。 - 特許庁
To provide a semiconductor device in which an interlayer insulating film hardly peels and a method of manufacturing the same.例文帳に追加
層間絶縁膜が剥離しにくい半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The laminated glass 10 is composed of glass plates 11, 12 facing each other and an interlayer film 13.例文帳に追加
合わせガラス１０は、互いに対向する一対のガラス板１１，１２と、中間膜１３とから成る。 - 特許庁
In one embodiment, an interlayer is built between the ISO/OSI protocol layers 2 and 3.例文帳に追加
一実施形態では、中間層は、ＩＳＯ／ＯＳＩプロトコル層２と層３の間に構築される。 - 特許庁
Next, an interlayer film 109a is formed and flattened to be removed after exposing the nitride film 105.例文帳に追加
次に、層間膜１０９ａを形成し平坦化して、窒化膜を露出させた後、除去する。 - 特許庁
The interlayer insulating layer has etching rate lower than the dummy insulating layer to specific etching liquid.例文帳に追加
層間絶縁層は所定のエッチング液に対してダミー絶縁層よりも低いエッチング率を有する。 - 特許庁
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
検索履歴を保存できる！
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
