「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which prevents dishing or erosion by flattening the surface of an interlayer insulating film by accurately forming contact holes on in interlayer insulating film, in the case that the interlayer insulating film is formed on a substrate with steps formed thereon.例文帳に追加

基板上に層間絶縁膜が段差を有して形成された場合に、層間絶縁膜にコンタクトホールを精度よく形成し、層間絶縁膜の表面を平坦化して、ディッシングやエロージョンを防ぐことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since contact photo etching is conducted by using such a mask as to make an interlayer insulation film for protection in the chip corner section, excessive etching never goes beyond the interlayer insulation film for protection and thereby a predetermined area is obtained for the interlayer insulation film in the actual operation region.例文帳に追加

本発明では、チップコーナー部に保護用の層間絶縁膜が設けられるようなマスクを用いてコンタクトフォトエッチが行われるので、過剰エッチングは保護用層間絶縁膜で止まり、実動作領域の層間絶縁膜は所定の面積を確保できる。 - 特許庁

An interlayer insulating film 9 has a double-layer structure of first and second insulating layers 9a, 9b.例文帳に追加

層間絶縁膜９を第１、第２絶縁膜９ａ、９ｂの２層構造とする。 - 特許庁

A second interlayer insulation film 4 is formed so as to cover the first conductive layer 3.例文帳に追加

第１の導電層３を覆うように第２の層間絶縁膜４を形成する。 - 特許庁

The first interlayer insulating film 8 is provided with a plurality of dummy apertures 8e located on the fuse 4b, and the second interlayer insulating film 10 is buried in the dummy apertures 8e.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜８は、ヒューズ４ｂ上に位置する複数のダミー開口部８ｅを具備し、ダミー開口部８ｅには、第２の層間絶縁膜１０が埋め込まれている。 - 特許庁

A relay layer 93 extends from a top surface 42a of a second interlayer dielectric 42 to an end surface 42b of the second interlayer dielectric 42 and an end surface 71b of a lower capacitive electrode 71.例文帳に追加

中継層９３は、第２層間絶縁層４２の上面４２ａから第２層間絶縁層４２の端面４２ｂ及び下部容量電極７１の端面７１ｂに延びている。 - 特許庁

An interlayer dielectric film is formed thereon and the guard ring 3 is connected to a third Al wiring layer connected to a ground potential via a contact 1 formed in the interlayer dielectric film.例文帳に追加

これらの上に層間絶縁膜が形成され、この層間絶縁膜に形成されたコンタクト１を介してガードリング３は接地された第３のＡｌ配線層に接続されている。 - 特許庁

An interlayer insulating layer is formed on a main surface 1S of a substrate 1 and a contact hole 30 is formed so as to pass through an exposed surface of the interlayer insulating layer and reach a diffused layer 2.例文帳に追加

基板１の主面１Ｓ上に層間絶縁層を形成し、当該層間絶縁層の露出表面から基板１内の拡散層２に至るコンタクトホール３０を形成する。 - 特許庁

To prevent deformations in a processed shape of an interlayer insulating film at the time of heat treatment in a manufacturing process of a semiconductor integrated circuit device having a BPSG film as the interlayer insulating film.例文帳に追加

ＢＰＳＧ膜を層間絶縁膜として有する半導体集積回路装置の製造工程において、熱処理時における層間絶縁膜の加工形状の変化を防ぐ。 - 特許庁

To provide a wiring structure where an inter-wiring capacity is reduced while keeping a mechanical strength or breakdown voltage of an interlayer insulation film, in an interlayer insulation film including a low permittivity insulating material.例文帳に追加

低誘電率絶縁材料を含む層間絶縁膜において、層間絶縁膜の機械的強度や耐圧を維持しつつ配線間容量を低減した配線構造を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an interlayer insulating film 32 formed on a substrate 10, and a plurality of capacitive elements 21 formed on the interlayer insulating film 32 in a column direction.例文帳に追加

半導体装置は、基板１０の上に形成された層間絶縁膜３２と、層間絶縁膜３２の上に、列方向に形成された複数の容量素子２１とを備えている。 - 特許庁

The first interlayer insulating film 101 is in an organic film family, such as a silicon oxide film, and has low hygroscopicity and high physical strength as compared with the second interlayer insulating film 102 having a low dielectric constant.例文帳に追加

第１層間絶縁膜１０１は、シリコン酸化膜のような無機膜系であり、低誘電率の第２層間絶縁膜１０２より低吸湿性で物理的強度が高い。 - 特許庁

On an interlayer insulating film 25 of a position under the bonding pads 3, a crack detection pattern 5 including a crack detection electrode is formed through the interlayer insulating film 27.例文帳に追加

ボンディング用パッド３の下の位置の層間絶縁膜２５上に、層間絶縁膜２７を介在してクラック検出用電極を含むクラック検出用パターン５が形成されている。 - 特許庁

A liner film 13 and an interlayer insulating film 3 are laminated on an interlayer insulating film 1 in which a lower layer wiring 2 is embedded, and a through hole 6 is formed therein.例文帳に追加

下層配線２が埋め込まれている層間絶縁膜１上にはライナー膜１３及び層間絶縁膜３が積層されており、それらの内部には貫通孔６が形成されている。 - 特許庁

Since the second source electrode 9 has higher adhesion with respect to the interlayer dielectric 11 than to the first source electrode 8, the interlayer dielectric 11 and source electrode becomes unlikely to peel off.例文帳に追加

第２のソース電極９は第１のソース電極８よりも層間絶縁膜１１との密着性が高いため、層間絶縁膜１１とソース電極とが剥がれにくくなる。 - 特許庁

PROCESSING METHOD OF PRECURSOR SOLUTION FOR FORMING POROUS FILM BECOMING INTERLAYER INSULATING FILM, AND METHOD AND SYSTEM FOR FORMING POROUS FILM BECOMING INTERLAYER INSULATING FILM例文帳に追加

層間絶縁膜となる多孔質膜形成用前駆体溶液の処理方法、層間絶縁膜となる多孔質膜の形成方法及び層間絶縁膜となる多孔質膜の形成装置 - 特許庁

The method comprises a stage of forming an interlayer insulating film 402 on a semiconductor substrate top 401, and a stage of processing heat treatment for removing outgassing sources contained in the interlayer insulating film 402.例文帳に追加

半導体基板上４０１に層間絶縁膜４０２を形成する段階と、層間絶縁膜４０２に含まれたアウトガッシングソースを除去するために熱処理を施す段階とを含む。 - 特許庁

A pixel electrode 16 is formed on the upper layer side of the interlayer insulating film 19 and further is electrically connected to the second electrode 133 via a contact hole 191 of the interlayer insulating film 19.例文帳に追加

画素電極１６は、層間絶縁膜１９の上層側に形成され、かつ、層間絶縁膜１９のコンタクトホール１９１を介して第２電極１３３に電気的接続している。 - 特許庁

After a first interlayer insulating film 145 is deposited, the dummy silicide film 112b is eliminated by CMP (chemical mechanical polishing), and the first interlayer insulating 145 and polysilicon electrodes 122, 132 are flattened.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜１４５を堆積した後、ＣＭＰにより、ダミーシリサイド膜１１２ｂを除去して、第１の層間絶縁膜１４５とポリシリコン電極１２２，１３２とを共に平坦化する。 - 特許庁

The first interlayer insulating film 18 is formed of an insulating material, having a specific dielectric constant larger than that of the other interlayer insulating film 19 around the bit line 14 and the first wiring 15.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜１８は、ビット線１４および第１の配線１５の周囲の他の層間絶縁膜１９よりも比誘電率が大きい絶縁材料で形成される。 - 特許庁

Further, a dummy electrode is provided from above the side surface of the interlayer dielectric 30 to above the interlayer dielectric 26, on a border AreaC between the memory cell region AreaA and the peripheral circuit region AreaB.例文帳に追加

さらに、メモリセル領域AreaAと周辺回路領域AreaBとの境界AreaCには、層間絶縁膜３０の側面上から層間絶縁膜２６の上に亘るダミー電極が設けられている。 - 特許庁

The manufacturing method forms an interlayer insulating film 105 and a hard mask film pattern 106a on a semiconductor substrate 101, and forms a spacer film 109 which covers the top surfaces of the interlayer insulating film 105 and hard mask film pattern 106a.例文帳に追加

半導体基板１０１上に層間絶縁膜１０５とハードマスク膜パターン１０６ａを形成し、それらの表面を覆うようにしてスペーサ膜１０９を形成する。 - 特許庁

The accessory has a first laminar part provided on the interlayer insulating film and a second part extending downward from the first part in a thickness direction of the interlayer insulating film.例文帳に追加

アクセサリは、層間絶縁膜上に設けられた層状の第１の部分と、第１の部分から層間絶縁膜の厚み方向の下方に向かって伸長する第２の部分と、を有する。 - 特許庁

An upper face of a part positioned between the adjacent capacitors 21 in the interlayer insulating film 22 is positioned lower than an upper face of a part positioned just above the capacitor 21 in the interlayer insulating film 22.例文帳に追加

層間絶縁膜２２における隣り合うキャパシタ２１間に位置する部分の上面が、層間絶縁膜２２におけるキャパシタ２１の直上に位置する部分の上面よりも低い。 - 特許庁

To provide high barrier properties against elements constituting wiring metal and elements constituting an interlayer insulating film to a barrier film formed between the interlayer insulating film and wiring metal.例文帳に追加

層間絶縁膜と配線金属との間に形成されるバリア膜について、配線金属を構成する元素や層間絶縁膜を構成する元素に対して高いバリア性を提供する。 - 特許庁

To provide a method for efficiently producing a laminated interlayer sheet for laminated glass laminated with a functional hardened film without deteriorating functions as an interlayer for laminated glass.例文帳に追加

合わせガラス用中間膜としての機能を低下させることなく、機能性硬化膜と積層された、合わせガラス用積層中間膜シートの効率的な製造方法を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method of a semiconductor device is provided with a process for forming an interlayer insulating film 26, having a compressive internal stress and a process for forming an interlayer insulating film 46 having a tensile internal stress.例文帳に追加

圧縮の内部応力を有する層間絶縁膜２６を形成する工程と、引っ張りの内部応力を有する層間絶縁膜４６を形成する工程と、を備える。 - 特許庁

A reinforcing pattern 20 is provided at the external circumference of an LSI 10' introducing a low-k film 14 as the interlayer film in order to suppress generation of peeling 40 of the interlayer film.例文帳に追加

たとえば、層間膜にｌｏｗ−ｋ膜１４を採用するＬＳＩ１０’において、その外周部に、層間膜剥がれ４０の発生を抑制するための補強パターン２０を配設する。 - 特許庁

Thus, peeling of the interlayer dielectric can be easily detected without increasing the number of measuring terminals and further, adhesion of the interlayer dielectric can be reinforced.例文帳に追加

以上の構成により、測定端子数を増やすことなく層間絶縁膜の剥離を容易に検出することが可能となり、さらに層間絶縁膜の接着を補強することができる。 - 特許庁

There are formed SiO films 14, 16 which cover each of a first interlayer insulating layer 13 and a second interlayer insulating layer 15, consisting of a low dielectric constant material on a wiring layer 11.例文帳に追加

配線層１１上の低誘電率材料からなる第１層間絶縁層１３および第２層間絶縁層１５のそれぞれを覆うＳｉＯ膜１４，１６を形成する。 - 特許庁

On the 2nd semiconductor layer 16, an interlayer insulating film 22 is formed which covers the gate electrode 15 and in the interlayer insulating film 22, a contact hole 21 which exposes the gate electrode 15 is formed.例文帳に追加

第２半導体層１６上にゲート電極１５を覆う層間絶縁膜２２を形成し、層間絶縁膜２２にゲート電極１５を露出するコンタクト孔２１を形成する。 - 特許庁

An interlayer insulating film 12 is formed on the mixed crystal layer 8 to cover the dummy gate electrode 3, and the interlayer insulating film 12 is removed until the surface of the dummy gate electrode 3 is exposed.例文帳に追加

続いて、ダミーゲート電極３を覆う状態で、混晶層８上に、層間絶縁膜１２を形成し、ダミーゲート電極３の表面が露出するまで、層間絶縁膜１２を除去する。 - 特許庁

In this manufacturing method of the semiconductor device, first a lower layer interlayer insulating film 13 is formed on a silicon substrate 12, and an aluminum film 15a is formed on the lower layer interlayer insulating film 13.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、まず、シリコン基板１２上に下層層間絶縁膜１３を形成し、下層層間絶縁膜１３上にアルミ膜１５ａを形成する。 - 特許庁

To provide a substrate treatment method, capable of reducing the possibility of time degradation or alteration of an interlayer insulating film even in a substrate using Low-k material as the interlayer insulating film.例文帳に追加

層間絶縁膜にＬｏｗ−ｋ材を使用した基板であっても、層間絶縁膜の経時劣化や変質の可能性を低くできる基板の処理方法を提供すること。 - 特許庁

After an interlayer insulation film 104 is accumulated on a lower metal wiring 103 formed on a semiconductor substrate 100, a through-hole 105 is formed on the interlayer insulation film 104.例文帳に追加

半導体基板１００の上に形成された下層の金属配線１０３の上に層間絶縁膜１０４を堆積した後、層間絶縁膜１０４にスルーホール１０５を形成する。 - 特許庁

To provide a fuel hose excellent in an interlayer adhesive strength, antistatic property, fuel permeation-proofness, and especially less dependency on take-off speed of the interlayer adhesive strength.例文帳に追加

層間の接着力に優れ、かつ帯電防止性及び燃料透過防止性に優れ、特に層間の接着強度の引取速度に対する依存性が少ない燃料ホースを提供する。 - 特許庁

The bias magnetic field application layer 6 has a non magnetic interlayer 62, and a first magnetic layer 61 and a second magnetic layer 63 which are arranged in such a manner that the interlayer 62 is sandwiched between them.例文帳に追加

バイアス磁界印加層６は、非磁性の中間層６２と、この中間層６２を挟むように配置された第１の磁性層６１および第２の磁性層６３とを有している。 - 特許庁

On the upper layer side of the scanning line 163, gate electrode 143, and gate insulating film 121; a primary interlayer insulating film 122 and a secondary interlayer insulating film 123 are laminated in this numerical order.例文帳に追加

走査線１６３、ゲート電極１４３およびゲート絶縁膜１２１の上層側には、第１層間絶縁膜１２２と第２層間絶縁膜１２３とがこの順に積層されている。 - 特許庁

An interlayer insulating film 18 is formed on the silicon substrate 11, and a contact hole 19 is formed which penetrates the interlayer insulating film 18 so that its bottom reaches the metal silicide layer 16.例文帳に追加

シリコン基板１１上には層間絶縁膜１８が形成され、層間絶縁膜１８を貫通して底部が金属シリサイド層１６に到達するコンタクトホール１９が形成されている。 - 特許庁

A first hole is formed by etching a first interlayer insulating film 28 among a first diffusion prevention film 27 and interlayer insulating films laminated on first wiring 25.例文帳に追加

第１の配線２５上に積層された第１の拡散防止膜２７及び層間絶縁膜のうち、第１の層間絶縁膜２８をエッチングすることで第１のホールを形成する。 - 特許庁

To provide an insulation film-forming composition forming an interlayer insulation film having a low dielectric constant and excellent mechanical strength used as an interlayer insulation film of an electronic device or the like.例文帳に追加

電子デバイスなどの層間絶縁膜に用いられる低い誘電率と優れた機械強度を有する層間絶縁膜を形成できる絶縁膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁

To enable reduction of a difference between absolute steps formed on an upper surface of an interlayer insulating film after polishing for planarization and also enable suppression of increase in an interlayer capacity and an inter-wiring capacity.例文帳に追加

平坦化研磨後の層間絶縁膜の上面に生じる絶対段差の差を低減すると共に層間容量及び配線間容量の増大を抑制できるようにする。 - 特許庁

To prevent hydrogen from being diffused under a capacitive element through a first interlayer insulation film from an opening for a conductive plug made in the first and second interlayer insulation films.例文帳に追加

水素が第１及び第２の層間絶縁膜に形成される導電性プラグ用開口部から第１の層間絶縁膜の内部を拡散して容量素子の下方に至る事態を防止する。 - 特許庁

HEAT-RESISTANCE LOW DIELECTRIC CONSTANT THIN FILM, FORMATION METHOD THEREFOR, SEMICONDUCTOR INTERLAYER INSULATING FILM MADE OF THE HEAT-RESISTANCE LOW DIELECTRIC CONSTANT THIN FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SEMICONDUCTOR INTERLAYER INSULATING FILM例文帳に追加

耐熱低誘電率薄膜、その形成方法、その耐熱低誘電率薄膜からなる半導体層間絶縁膜及びこの半導体層間絶縁膜を用いた半導体装置 - 特許庁

The wettability of the surface of a transparent organic resin film 15b is improved by subjecting the interlayer insulating film 15 to nitrogen plasma treatment after dry etching the interlayer insulating film 15 to form a contact hole 16.例文帳に追加

層間絶縁膜１５にドライエッチングを行ってコンタクトホール１６を形成後、窒素プラズマ処理を施すことによって、透明有機樹脂膜１５ｂ表面のぬれ性を改善する。 - 特許庁