「interlayer」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

The resin layer 5 is provided in an opening region where the interlayer insulating film 4 is etched.例文帳に追加

樹脂層５は、層間絶縁膜４をエッチングした開口領域に設けられる。 - 特許庁

To provide a method for leveling an interlayer insulating film which facilitates leveling by excluding an effect of unevenness of the interlayer insulating film caused by a wiring layer.例文帳に追加

配線層による層間絶縁膜の凹凸の影響を排除することで、平坦化を容易とすることができる層間絶縁膜の平坦化方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a low dielectric constant interlayer insulating film, suppressing peeling during an assembly process and a CMP process, and to provide a semiconductor device using the low dielectric constant interlayer insulating film.例文帳に追加

組み立て工程やCMP工程時における剥離を抑制した、低誘電率層間絶縁膜の製造方法とそれを用いた半導体装置を提供する。 - 特許庁

NEW ZEOLITE-LIKE MATERIAL BY INTERLAYER MODIFICATION OF LAYERED SILICATE AND ITS PRODUCTION METHOD例文帳に追加

層状シリケートの層間修飾による新規ゼオライト様物質及びその製法 - 特許庁

In the interlayer insulation film 5, an annular opening 5b is so formed as to surround part of the interlayer insulation film 5 located immediately above the undermetal 3 from the circumferential direction.例文帳に追加

層間絶縁膜５には、アンダーメタル３の直上に位置する層間絶縁膜５の部分を周方向から取囲むようにリング状開口部５ｂが形成されている。 - 特許庁

In an interlayer connecting opening H formed in the interlayer insulating film 16, a barrier layer 20 is interposed between the aluminum wiring layer 14 and the gold wiring layer 19.例文帳に追加

層間絶縁膜１６に形成された層間接続用開口Ｈ内において、アルミニウム配線層１４と金配線層１９との間には、バリア層２０が介在されている。 - 特許庁

The metal fuse element 11 is formed on the arbitrary interlayer insulation film 10.例文帳に追加

この任意の層間絶縁膜１０上にメタルヒューズ素子１１が形成されている。 - 特許庁

Preferably, the Interlayer 4 is a thickness of 400 to 700 Å.例文帳に追加

中間膜４は、４００Å〜７００Åの厚さであることが好ましい。 - 特許庁

To provide a wiring board with fine and highly reliable interlayer connection in a multilayer wiring board for carrying out electrical interlayer connection by a conductor such as conductive paste.例文帳に追加

導電ペースト等の導電体にて層間の電気的接続を行う多層配線基板において、微細で高信頼性の層間接続を有する配線基板を提供する。 - 特許庁

The auxiliary interlayer sheet 16 is made of, for instance, paper, and the inner circumference-side end 20a of the terminal continuum 20 is connected to the auxiliary interlayer sheet 16 by a paper clip or the like.例文帳に追加

補助層間シート１６は例えば紙製であり、端子連続体２０の内周側端部２０ａと補助層間シート１６とは、紙クリップ等で連結されている。 - 特許庁

The interlayer connecting section H of the flexible printed wiring board is formed as the interlayer connecting section 60 between two layers of wiring 20 and 30 by packing and solidifying solder paste in the section H.例文帳に追加

フレキシブルプリント配線板の層間接続孔部Ｈには、はんだペーストが充填固化されて両配線２０、３０間の層間接続部６０として形成されている。 - 特許庁

RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, AND FORMATION OF INTERLAYER INSULATION FILM AND MICROLENS例文帳に追加

感放射線性樹脂組成物ならびに層間絶縁膜およびマイクロレンズの形成 - 特許庁

To provide a circuit wiring board suitable for improvement in interlayer connection reliability of an interlayer conductive via made of a conductive paste, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

導電性ペーストからなる層間導電ビアの層間接続信頼性の向上に好適な回路配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the display device, an interlayer insulation film including a resin material is provided covering a TFT group and a pixel electrode is provided on the interlayer insulation film.例文帳に追加

表示装置においては、ＴＦＴ群を覆うように樹脂材料でなる層間絶縁膜が設けられ、前記層間絶縁膜上に画素電極が設けられている。 - 特許庁

Each of the primary interlayer dielectric film 50 and the secondary interlayer dielectric film 60 consists of an organic polysilazane denaturation film including alkyl group inside it, having a dielectric constant less than 3.5.例文帳に追加

第１層間絶縁膜５０および第２層間絶縁膜６０は、膜内にアルキル基を含む有機ポリシラザン変性膜で構成され、その誘電率は３．５未満である。 - 特許庁

INTERLAYER INSULATING FILM FOR MULTILAYER WIRING OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

半導体集積回路の多層配線用層間絶縁膜及びその製造方法 - 特許庁

RESIN COMPOSITION FOR INTERLAYER INSULATION OF MULTILAYER PRINTED WIRING BOARD, ADHESIVE FILM, AND PREPREG例文帳に追加

多層プリント配線板の層間絶縁用樹脂組成物、接着フィルム及びプリプレグ - 特許庁

The laminated glass is obtained by laminating the above interlayer film and transparent glass plate.例文帳に追加

上記中間膜と透明ガラス板とを積層することにより合わせガラスを得る。 - 特許庁

WIRING STRUCTURE USING MULTILAYERED CARBON NANOTUBE FOR INTERLAYER WIRING, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

層間配線に多層カーボンナノチューブを用いる配線構造及びその製造方法 - 特許庁

In the first interlayer insulating film 3 and the second interlayer insulating film 4, two or more lines of first wiring 12 and two or more lines of second wiring 13 are respectively embedded.例文帳に追加

第１の層間絶縁膜３及び第２の層間絶縁膜４には、複数の第１の配線１２及び複数の第２の配線１３がそれぞれ埋め込まれている。 - 特許庁

The wiring film 10 is buried in a second opening portion of a cap film 7 and an interlayer insulating film 8 formed on the interlayer insulating film 4 and wiring film 6.例文帳に追加

層間絶縁膜４及び配線膜６上に形成されるキャップ膜７及び層間絶縁膜８の第２の開口部には、配線膜１０が埋設される。 - 特許庁

FORMULATION FOR FORMING POROUS INTERLAYER DIELECTRIC HAVING NEW PORE FORMING MATERIAL例文帳に追加

新規の気孔形成物質を含有する多孔性層間絶縁膜形成用組成物 - 特許庁

To provide a manufacturing method for inexpensively manufacturing a conductor for interlayer connection which improves the connecting reliability of interlayer connection in a multi-layer printed circuit board.例文帳に追加

多層プリント基板において、層間接続の接続信頼性を向上することが可能な層間接続用導電体を安価に製造する製造方法を提供する。 - 特許庁

An interlayer insulating film 3 is formed on a substrate 2, including a conductive layer 1 formed in advance and, in the interlayer insulating film 3, a contact hole 4 is formed, and is filled up with a contact plug 5.例文帳に追加

導電層１が形成された基板２上に層間絶縁膜３を形成し、層間絶縁膜中にコンタクトプラグ５が充填されたコンタクトホール４を形成する。 - 特許庁

Copper plating 31 undergoes interlayer connection upon components 11 being accommodated in a board, whereby the board can cope with making an interlayer connection hole 29 smaller in size and in larger aspect ratio.例文帳に追加

部品１１を基板内部に収容する場合の層間接続は銅めっき３１に担わせることにより、層間接続孔２９の小径化、高アスペクト比化に対応できる。 - 特許庁

A plasma nitride film 15 serving as an etching stopper film and an interlayer insulating film 16 are formed on the substrate, and then a connection hole 17 is bored in the interlayer insulating film 16 without biting into the silicide film 13.例文帳に追加

基板上に、エッチストッパ用のプラズマ窒化膜１５と層間絶縁膜１６とを形成した後、シリサイド膜にくい込ませずに接続孔１７を開口する。 - 特許庁

During dry and wet conditions, the bonding strength of the interlayer joined by the adhesives 13a, 13b are greater than the bonding strength of the interlayer in the outer periphery region 1b.例文帳に追加

乾燥時と湿潤時において、接着剤１３ａ、１３ｂで接合されている層間の接合強度が、外周領域１ｂでの層間の接合強度よりも大きい。 - 特許庁

A first interlayer insulating film 149 and a second interlayer insulating film 150c are provided between the gate electrode and the second wirings 154 and 157, to lessen the semiconductor device in parasitic capacitance.例文帳に追加

また、ゲート電極と第２配線１５４、１５７の間には第１層間絶縁膜１４９及び第２層間絶縁膜１５０ｃを設け、寄生容量を低減する。 - 特許庁

The wiring pattern 13 is covered with an interlayer insulating film, and then an opening 14 is provided inside the interlayer insulating film so as to make the curved end of the wiring pattern 13 exposed.例文帳に追加

配線パターン１３を層間絶縁膜で覆った後、配線パターン１３の屈曲した端部が露出するように開口１４を層間絶縁膜内に形成する。 - 特許庁

The second interlayer insulating film fills between the two wiring layers.例文帳に追加

２つの配線層の相互間は、第２層間絶縁膜によって充填されている。 - 特許庁

An opening 111 whose both side faces are second and third interlayer insulating films 103 and 104 and a bottom surface is the main surface 102a of a first interlayer insulating film 102 is configured.例文帳に追加

第２、第３層間絶縁膜１０３、１０４を両側面とし、第１層間絶縁膜１０２の主面１０２ａを底面とする開口１１１が構成されている。 - 特許庁

The clock wiring 38 is embedded to the groove 62a arranged in an interlayer insulating film 62.例文帳に追加

クロック配線３８は層間絶縁膜６２に設けた溝６２ａに埋設される。 - 特許庁

After depositing a non-selective film 4 on a capacitor-portion interlayer insulation film 3 by using the film 4 as a mask, the interlayer insulation film 3 is so processed as to have a three-dimensional structure of its cylindrical opening portions.例文帳に追加

この層間絶縁膜３上に非選択性膜４を堆積後、それをマスクとして層間絶縁膜を開口部が円筒形の立体構造に加工する。 - 特許庁

An etch mask is formed on an interlayer insulation layer to define bit line trenches.例文帳に追加

エッチマスクは、ビット線トレンチを規定するために、層間絶縁層上に形成される。 - 特許庁

An interlayer insulating film 3 which has at least an uppermost layer composed of the SiOC based material is formed on a substrate, and a trench pattern 3a is formed on the interlayer insulating film 3.例文帳に追加

基板上に、少なくとも最上層がＳｉＯＣ系材料からなる層間絶縁膜３を成膜し、層間絶縁膜３に溝パターン３ａを形成する。 - 特許庁

RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND FORMATION OF INTERLAYER DIELECTRIC AND MICROLENS例文帳に追加

感放射線性樹脂組成物ならびに層間絶縁膜およびマイクロレンズの形成 - 特許庁

An interlayer insulating film is deposited on all the surface including the polysilicon film 106.例文帳に追加

ポリシリコン膜１０６上を含む全面に層間絶縁膜１０８を堆積する。 - 特許庁

To provide an optical disk reproducing device and an interlayer movement control method capable of controlling the interlayer movement (focus jump control) by stable servo operation.例文帳に追加

層間移動制御（フォーカスジャンプ制御）を安定したサーボ動作で行い得る光ディスク再生装置および層間移動制御方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To prevent deterioration of the withstand voltage of an interlayer insulation film, even over a long-term use, by preventing diffusion of copper in wiring material into the interlayer insulating film.例文帳に追加

配線材料である銅が層間絶縁膜中に拡散する事態を防止して、長期間に亘って使用されても、層間絶縁膜の耐圧が劣化しないようにする。 - 特許庁

(b) An adhesion layer is formed on the inner surface of the recess and top surface of the interlayer dielectric.例文帳に追加

（ｂ）凹部の内面及び層間絶縁膜の上面に密着層を形成する。 - 特許庁

A through hole 140 for degasification is formed in the interlayer insulating film 111.例文帳に追加

層間絶縁膜１１１にはガス抜きのためのスルーホール１４０が形成されている。 - 特許庁

Then, an interlayer film 6 is formed so as to be in a state of embedding the protruding patterns 4.例文帳に追加

次に、これらの凸パターン４を埋め込む状態で層間膜６を成膜する。 - 特許庁

A wiring channel 2 is formed on the surface of an interlayer insulating film 1 through RIE.例文帳に追加

層間絶縁膜１表面にＲＩＥにより配線用溝２を形成する。 - 特許庁

The distance S1 between the contact holes 9 positioned in the interlayer insulating film 4 is made smaller than a distance S2 between the contact holes 9 in the surface of the interlayer insulating film 4.例文帳に追加

そして、層間絶縁膜４内に位置するコンタクトホール９間の間隔Ｓ１を、層間絶縁膜４表面におけるコンタクトホール９間の間隔Ｓ２よりも小さくする。 - 特許庁

MANUFACTURE OF MULTILAYER WIRING BOARD AND INSULATING INTERLAYER JOINING MATERIAL例文帳に追加

多層配線基板、多層配線基板の製造方法、及び絶縁性層間接合材 - 特許庁