「layer phase」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In the event of a phase shift photomask, the double-sided photomask is equipped with a phase shift layer.例文帳に追加

位相シフトマスクの場合、両面フォトマスクは位相シフト層を備える。 - 特許庁

A phase change layer is formed in sidewall-shape and volume of the phase change layer is reduced so that the phase change layer entirely serves as a phase change region even with a small number of rewrite.例文帳に追加

相変化層をサイドウォール状に形成し、相変化層の体積を小さくし、書き換え回数が少ないときでも、相変化層の全てを相変化領域とする。 - 特許庁

(3) The phase transition type optical recording medium mentioned in (1) or (2) has at least a lower protective layer, the phase transition recording layer, an upper protective layer and a reflection layer on the substrate and has the interface layer between the lower protective layer and the phase transition recording layer and/or between the phase transition recording layer and the upper protective layer.例文帳に追加

（３）基板上に少なくとも、下部保護層、相変化記録層、上部保護層、反射層を有し、下部保護層と相変化記録層の間、及び／又は相変化記録層と上部保護層の間に、前記界面層を有する（１）又は（２）記載の相変化型光記録媒体。 - 特許庁

The phase-change memory cell includes a phase-change layer, formed of a phase-change material on a semiconductor body.例文帳に追加

相変化メモリセルは、相変化材料から成る相変化層を半導体ボディ上に含む。 - 特許庁

In a phase difference element 30, a phase difference layer 32 is formed on a surface of an alignment layer 31.例文帳に追加

位相差素子３０は、配向膜３１の表面に位相差層３２が形成されたものである。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING PATTERNED PHASE DIFFERENCE CONTROL LAYER例文帳に追加

パターン状の位相差制御層の形成方法 - 特許庁

The ink receptive layer contains a gas phase process silica.例文帳に追加

該インク受理層が気相法シリカを含有する。 - 特許庁

METHOD FOR DETERMINING QUANTITY OF ALLOY PHASE IN PLATING LAYER例文帳に追加

めっき層中合金相の定量方法 - 特許庁

The phase-change layer is shaped using the hard mask.例文帳に追加

ハードマスクを用いて相変化層が成形される。 - 特許庁

The phase difference layer is a laminated body consisting of a layer capable of applying a phase difference of 100 to 200 nm and a layer capable of applying a phase difference of 200 to 400 nm.例文帳に追加

この位相差層は、例えば、１００〜２００ｎｍの位相差を与える層と、２００〜４００ｎｍの位相差を与える層との積層体である。 - 特許庁

This method includes forming the phase change layer (80) on a substrate (60), forming a thick cap layer (90) on the phase change layer (80), changing the phase change layer (80) from an amorphous to crystalline state, removing the thick cap layer (90) and forming the thin cap layer (110) on the phase change layer (100).例文帳に追加

本方法は、相変化層(80)を基板(60)上に形成し、厚いキャップ層(90)を相変化層(80)上に形成し、相変化層(80)を非晶質から結晶状態へ変化させ、該厚いキャップ層(90)を除去し、薄いキャップ層(110)を相変化層(100)上に形成することを含む。 - 特許庁

PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE COMPRISING PHASE-CHANGE SUBSTANCE LAYER INCLUDING PHASE-CHANGE NANO PARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

相変化ナノ粒子を含む相変化物質層を備える相変化メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

FORMING METHOD OF PHASE TRANSITION OPTICAL RECORDING MATERIAL AND PHASE TRANSITION OPTICAL RECORDING LAYER例文帳に追加

相変化型光記録材料及び相変化型光記録層の形成方法 - 特許庁

This enables phase-to-phase insulation to be secured by the insulated layer 13.例文帳に追加

これによれば、絶縁層１３によって相間絶縁を確保することができる。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENT, INCLUDING SURFACE PREPARATION PROCESS FOR PHASE-CHANGE LAYER例文帳に追加

相変化層の表面処理工程を含む相変化メモリ素子の製造方法 - 特許庁

It is respectively preferable that the film thickness of the phase change material layer is 10 nm or less, the total film thickness of the phase change recording layer and the phase change material layer is 30 nm or less and 80% or more of the constituting elements of the phase change recording layer and the phase change material layer are Sb and Te.例文帳に追加

相変化材料層の膜厚は10nm以下であること、相変化記録層と相変化材料層との合計膜厚は30nm以下であること、相変化記録層と相変化材料層の構成元素の80％以上がSbとTeであることがそれぞれ好ましい。 - 特許庁

The air-gap forming method includes a process in which a coating layer is formed on a sacrifical layer under the condition that the sacrifical layer is solid phase, and the coating layer sublimates the sacrifical layer under the condition that the coating layer is solid phase.例文帳に追加

犠牲層が固相の条件下で前記犠牲層上に被覆層を形成し、前記被覆層が固相の条件下で前記犠牲層を昇華させることを含む。 - 特許庁

METHOD FOR VAPOR-PHASE GROWING COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL LAYER例文帳に追加

化合物半導体結晶層の気相成長法 - 特許庁

PROTECTING LAYER FOR PHASE CHANGE OPTICAL RECORDING MEDIUM, AND METHOD OF MANUFACTURING PROTECTING LAYER例文帳に追加

相変化型光記録媒体の保護層、および保護層の製造方法 - 特許庁

In the method of forming the phase-change material layer pattern, an insulation layer having a recessed portion is formed on a substrate, and then a phase-change material layer is formed on the insulation layer while filling the recessed portion (S20).例文帳に追加

基板上に窪みを有する絶縁膜を形成した後、絶縁膜上に窪みを埋めながら相変化物質層を形成する。 - 特許庁

CERAMIC POWDER, CERAMIC LAYER AND LAYER SYSTEM, WITH PYROCHLORE PHASE AND OXIDE例文帳に追加

パイロクロア相と酸化物とを有するセラミック粉末、セラミック層及び層組織 - 特許庁

To provide a method of shaping a phase-change layer in a phase change memory cell.例文帳に追加

本発明は、相変化メモリセルにおける相変化層の成形方法を提供する。 - 特許庁

PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT WITH DOPED PHASE CHANGE LAYER, AND METHOD FOR OPERATING THE SAME例文帳に追加

ドーピングされた相変化層を備える相変化メモリ素子およびその動作方法 - 特許庁

The relationship between a phase difference value Ra of the first phase difference layer and a phase difference value Rc of the second phase difference layer satisfies 105 nm≤Ra≤165 nm, and 55 nm≤Rc≤115 nm.例文帳に追加

第１の位相差層の位相差値Ｒａと、第２の位相差層の位相差値Ｒｃの関係は、１０５ｎｍ≦Ｒａ≦１６５ｎｍ、５５ｎｍ≦Ｒｃ≦１１５ｎｍを満たしている。 - 特許庁

The compound layer 6 is γ'-phase or a mixture of γ'-phase with ε-phase, and has porosity of 5% or less.例文帳に追加

化合物層（６）はγ′相又はγ′相とε相の混合体であり、空孔率が５％以下である。 - 特許庁

PHASE DIFFERENCE LAYER AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

位相差層およびそれを用いた液晶表示装置 - 特許庁

The optical information recording medium includes a phase change layer.例文帳に追加

光学的情報記録媒体は、相変化層を有する。 - 特許庁

The active material layer can be formed by a vapor phase method.例文帳に追加

上記活物質層は、気相法により形成できる。 - 特許庁

COLOR FILTER WITH PHASE DIFFERENCE LAYER ATTACHED THERETO, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT例文帳に追加

位相差層付カラーフィルタおよび液晶表示素子 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE HAVING FULLERENE LAYER例文帳に追加

フラーレン層を具備した相変化メモリ素子の製造方法 - 特許庁

To provide a halftone phase shift mask having no black defect in a light shielding layer or in a phase shift layer and no decrease in the transmittance due to gallium stain, and no change in the phase difference due to a decrease in the thickness of the phase shift layer.例文帳に追加

遮光層及び位相シフト層の黒欠陥のない、ガリウムステインによる透過率の低下、位相シフト層の厚み低下による位相差の変化のないハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。 - 特許庁

The second phase is reacted with the first phase metal silicide layer having a stoichiometric composition ratio different from that of the first phase to form the second phase metal silicide layer having a high phase stability and low resistance.例文帳に追加

第２相は第１相と異なる化学量的組成比を有する第１相のメタルシリサイド層と反応させ、高い相安定度および低い抵抗を有する第２相のメタルシリサイド層を形成する。 - 特許庁

The surface layer has a separated phase component separated from the phase of a residual substance.例文帳に追加

前記表面層は、残留物質の相から分離された、分離相の成分を有する。 - 特許庁

The surface layer has precipitated-phase components separated from a phase of residual materials.例文帳に追加

前記表面層は、残留物質の相から分離された、分離相の成分を有する。 - 特許庁

At least a phase change recording layer 3 is formed on a substrate 1 and a phase change material layer 4 having the crystallization temperature Tc2 higher than the crystallization temperature Tc1 of the phase change recording layer 3 is formed in adjacent to the phase change recording layer 3.例文帳に追加

基板１上に少なくとも相変化記録層３を設け、該相変化記録層３に接して、該相変化記録層の結晶化温度Ｔｃ１よりも高い結晶化温度Ｔｃ２を有する相変化材料層４を設ける。 - 特許庁

At least a phase change recording layer 3 is formed on a substrate 1 and a phase change material layer 4 having the crystallization rate v2 faster than the crystallization rate v1 of the phase change recording layer 3 is formed in adjacent to the phase change recording layer 3.例文帳に追加

基板１上に少なくとも相変化記録層３を設け、該相変化記録層３に接して、該相変化記録層の結晶化速度ｖ１よりも速い結晶化速度ｖ２を有する相変化材料層４を設ける。 - 特許庁

To provide a phase-change memory device comprising a phase-change substance layer including phase-change nano particles and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

相変化ナノ粒子を含む相変化物質層を備える相変化メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a phase transition memory element provided with a phase transition substance layer including phase transition nano-particles and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

相転移ナノ粒子を含む相転移物質層を備える相転移メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

FORMING METHOD OF PHASE-CHANGE MATERIAL LAYER, FORMING METHOD OF PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENT USING THE METHOD, AND PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENT例文帳に追加

相変化物質層の形成方法、その方法を利用した相変化記憶素子の形成方法、及び相変化記憶素子 - 特許庁

After a volume-phase hologram layer 2 is formed on a substrate 1, a cholesteric liquid crystal layer 3 is formed on the volume-phase hologram layer 2.例文帳に追加

基材１上に、体積型ホログラム層２を形成した後、この体積型ホログラム層２上にさらにコレステリック液晶層３を形成する。 - 特許庁

In the bottom layer of the memory part 20, a first phase change layer 22 formed of a first phase change material is disposed.例文帳に追加

メモリ部２０の最下層には、第１の相変化材料で形成された第１の相変化層２２が配置されている。 - 特許庁

TWO-LAYER PHASE-CHANGE INFORMATION RECORDING MEDIUM AND ITS RECORDING METHOD例文帳に追加

２層相変化型情報記録媒体とその記録方法 - 特許庁

Next, the phase difference layer 62 is completed, by subjecting it to RIE plasma treatment which is an anisotropic etching on the phase difference layer body.例文帳に追加

次に、位相差層体に異方性エッチングであるＲＩＥプラズマ処理を施して位相差層６２を完成させる。 - 特許庁

The resist mask is removed, before the phase-change layer is shaped.例文帳に追加

相変化層を成形する前にレジストマスクが除去される。 - 特許庁

PHASE-CHANGE INK TRANSFIXING PRESSURE ELEMENT WITH DOUBLE LAYER CONSTITUTION例文帳に追加

２層構成を有する相変化インクトランスフィックス圧力要素 - 特許庁