「layer phase」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The liquid phase passage 12 is formed by laminating an upper layer mesh member 21 and a lower layer mesh member 22.例文帳に追加

液相流路１２は、上層メッシュ部材２１及び下層メッシュ部材２２が積層されて形成される。 - 特許庁

The phase-change material layer 208 contacts the spacer material layer 206 and the second electrode 210.例文帳に追加

相変化材料層２０８は、スペーサ材料層２０６および第２の電極２１０に接触している。 - 特許庁

The phase transition type recording medium has the phase transition material, of which relation: Lc>La is satisfied when brightness of the crystalline phase is Lc and brightness of the amorphous phase is La in an electronic ray image obtained by observing a surface of the phase transition material the phase of which changes between the crystalline phase and the amorphous phase with a scanning type electronic microscope, as the recording layer.例文帳に追加

結晶相とアモルファス相の間を相変化する相変化材料の表面を走査型電子顕微鏡で観察して得られる電子線像において、結晶相の輝度をＬｃ、アモルファス相の輝度をＬａとするとき、Ｌｃ＞Ｌａである相変化材料を記録層とする相変化型記録媒体。 - 特許庁

The phase change memory device 1 includes: a phase change region 15a; a first insulating layer 13 disposed below the phase change region 15a so as to contact the phase change region 15a; and a conductor layer 11 disposed below the first insulating layer 13 so as to contact the first insulating layer 13 and having at least partially disposed immediately below the phase change region 15a.例文帳に追加

相変化メモリ装置１は、相変化領域１５ａと、相変化領域１５ａの下に、相変化領域１５ａに接して配される第１絶縁層１３と、第１絶縁層１３の下に第１絶縁層１３に接して配されると共に、少なくとも一部が相変化領域１５ａの真下に配される導体層１１と、を備える。 - 特許庁

To provide a method of forming a phase-change material layer, and a method of forming a phase-change memory element using the method, and also to provide a phase-change memory element.例文帳に追加

相変化物質層の形成方法と、その方法を利用した相変化記憶素子の形成方法及び相変化記憶素子を提供する。 - 特許庁

An optical film assembly has a phase delay of -α and compensates the phase delay so that light passing through the liquid crystal layer has a phase delay of λ/2 before/after the voltage is applied.例文帳に追加

光学フィルムアセンブリーは、−αの位相差を有して、電圧印加前/後に液晶層を通す光がλ/２の位相差を有するように補償する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING PHASE-CHANGE MATERIAL LAYER PATTERN, METHOD OF MANUFACTURING PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE, AND PHASE-CHANGE MATERIAL POLISHING SLURRY COMPOSITION FOR USE IN THE METHODS例文帳に追加

相変化物質層パターンの形成方法、相変化メモリー装置の製造方法、及びこれに使用される相変化物質層研磨用スラリー造成物 - 特許庁

A photosensitive layer is formed on a film, followed to be heated up to an isotropic phase transition temperature or more, and is cooled thereafter to a glass phase-liquid crystal phase transition temperature or less.例文帳に追加

フィルムに感光性層を形成した後、これを等方相転移温度以上に加熱してからガラス相−液晶相転移温度以下に冷却する。 - 特許庁

The ferroelectric liquid crystal constituting the layer exhibits a ferroelectric phase and exhibits a chiral nematic phase at a temperature higher than that at which a ferroelectric phase is exhibited.例文帳に追加

層を有する強誘電性液晶は強誘電相を示し、強誘電相を示す温度よりも高い温度ではキラルネマティック相を示す。 - 特許庁

After a photosensitive film is formed on a film 2, the photosensitive layer is heated above isotropic phase transition temperature and then cooled below glass phase-liquid crystal phase transition temperature.例文帳に追加

フィルム２に感光性層を形成した後、これを等方相転移温度以上に加熱してからガラス相−液晶相転移温度以下に冷却する。 - 特許庁

In the recording layer 4, phase transition between a crystal phase and an amorphous phase takes place by irradiation with a light or by the application of electrical energy.例文帳に追加

記録層４は、光の照射又は電気的エネルギーの印加によって結晶相と非晶質相との間で相変化を生じるものである。 - 特許庁

The highly corrosion resistant dual-phase stainless steel has an austenite-enriched layer which absorbs nitrogen and has an austenite phase ratio of 90% or more, on the surface layer of the dual-phase stainless steel having the austenite phase ratio of 20 to 80%.例文帳に追加

オーステナイト相比が２０〜８０ ％の二相ステンレス鋼において、その表層部に、オーステナイト相比が９０ ％以上の、窒素を吸収してなるオーステナイト富化層を有することを特徴とする高耐食二相ステンレス鋼である。 - 特許庁

To provide a phase change memory in which a phase change layer is not easily peeled off from an insulating layer compared to a conventional memory, even if heating and cooling are repeated.例文帳に追加

加熱及び冷却を繰り返しても相変化層の絶縁層からの剥がれが従来よりも起こりにくい相変化メモリを提供する。 - 特許庁

METHOD FOR GROWING INDIUM NITRIDE-CONTAINING SEMICONDUCTOR LAYER, AND VAPOR-PHASE EPITAXY APPARATUS例文帳に追加

ＩｎＮを含む半導体層の成膜方法および気相成長装置 - 特許庁

In the support layer 10s, a phase transition occurs from a glass state to a rubber state.例文帳に追加

支持層１０ｓでは、ガラス状態のゴム状態への相転移が起こる。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING SUBSTRATE PROVIDED WITH LAYER HAVING PHASE SEPARATION STRUCTURE ON SURFACE例文帳に追加

相分離構造を有する層を表面に備える基板の製造方法 - 特許庁

The layer 44 to be removed is ablated by an UV laser beam modulated in pulse width in response to phase information, and changed in thickness, so as to be a phase modulation layer.例文帳に追加

被除去層４４は、位相情報に応じてパルス幅変調された紫外レーザ光でレーザ・アブレーションされて厚みが変化し、位相変調層となる。 - 特許庁

The conductor layer 11 works as a heat sink of the phase change region 15a.例文帳に追加

導体層１１は、相変化領域１５ａのヒートシンクとして作用する。 - 特許庁

The outer peripheral surface 6 of the liner, is coated with a thermal spraying layer 8 being a heterogeneous-based metal layer composed of a base metal phase 8a and dispersion metal phase 8b.例文帳に追加

ライナ外周面６がベース金属相８ａと分散金属相８ｂとからなる不均一系金属層である溶射層８にて被覆されている。 - 特許庁

The angle Δϕbetween the absorption axis AP of the polarizing layer and the slow phase axis Af of the phase difference layer is controlled to 0°<Δϕ<45° and 45°<Δϕ<90°.例文帳に追加

偏光層の吸収軸ＡＰと位相差層の遅相軸ＡＦとのなす角度Δφは、０°＜Δφ＜４５°、４５°＜Δφ＜９０°の角度に設定されている。 - 特許庁

An edge of phase transformation layer 11 is formed above a lower electrode 13.例文帳に追加

下部電極１３の上方に、相変化層１１のエッジ部を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a phase-change memory device having a fullerene layer.例文帳に追加

フラーレン層を具備した相変化メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The tantalum layer 5 has a crystal structure comprising body-centered cubic lattice phase.例文帳に追加

タンタル層５は、体心立方格子相からなる結晶構造を有する。 - 特許庁

MULTI-LAYER PHASE CHANGE OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM AND ITS RECORDING AND REPRODUCING METHOD例文帳に追加

多層相変化型光情報記録媒体及びその記録再生方法 - 特許庁

(2) The optical recording medium having at least a first protective layer, a phase change recording layer, a second protective layer and a reflection layer in this order or reverse order on a substrate is provided, wherein at least one layer selected from the phase change recording layer, the first protective layer and the second protective layer is film-deposited under a reduction atmosphere.例文帳に追加

（２）基板上に、少なくとも第１保護層、相変化記録層、第２保護層、反射層をこの順に或いは逆順に有する光記録媒体において、相変化記録層と第１保護層と第２保護層から選ばれる少なくとも１層が還元雰囲気下で成膜されている光記録媒体。 - 特許庁

A phase difference compensation layer 41 is disposed on the side closer to a liquid crystal layer 34 than a microlens array 40 which diffracts a portion of the incident beam, and compensates the phase difference of the liquid crystal layer 34.例文帳に追加

位相差補償層４１は、入射光線の一部を回折させるマイクロレンズアレイ４０よりも液晶層３４側に設けられ、液晶層３４の位相差を補償する。 - 特許庁

The separate type liquid seasoning is such that an oil phase as an upper layer is layered on an oil-in-water type emulsified layer, and the oil phase at the upper layer contains sesame-roasted aroma.例文帳に追加

水中油型の乳化層に上層として油相を積層した分離型液体調味料であって、上層の油相が胡麻の焙煎香を含有する分離型液体調味料。 - 特許庁

The light emitting layer 24 is formed by a metal organic vapor phase epitaxy process, and the p-type current diffusion layer 7 is formed on the light emitting layer 24 by a hydride vapor phase epitaxy process.例文帳に追加

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上にｐ型の電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

The phase-change memory cell 200a includes a first electrode 202, a dielectric material layer 204, a spacer material layer 206, a phase-change layer 208, and a second electrode 210.例文帳に追加

相変化メモリセル２００ａは、第１の電極２０２、誘電体材料層２０４、スペーサ材料層２０６、相変化材料層２０８、および第２の電極２１０を有している。 - 特許庁

In this semiconductor device, an AlGaInP negative strain layer 11 and an AlGaAs mixed crystal prevention layer 12 are grown on the GaAs growth substrate 1 by a vapor-phase growth method, and thereafter the thick-film AlGaAs layer 2 is grown by a liquid-phase growth method.例文帳に追加

GaAs成長基板１上にAlGaInPマイナス歪層１１及びAlGaAs混晶防止層１２を気相成長法で成長させ、その後、厚膜AlGaAs層２を液相成長法で成長させる。 - 特許庁

After a step of forming the phase shift layer by which the phase shift layer 2 is formed on a transparent substrate 1, a step of forming a light shielding film for forming a Cr film 6A as a light shielding film in the prescribed regions on the phase shift layer 2 is performed.例文帳に追加

透明基板１の上に位相シフト層２が形成される位相シフト層形成工程の後に、位相シフト層２の上の所定領域に遮光膜としてのＣｒ膜６Ａを形成する遮光膜形成工程が施される。 - 特許庁

On the first phase change layer 22, a first resistor layer 24 formed of a first resistor, a second phase change layer 26 formed of a second phase change material and a second resistor layer 28 formed of a second resistor are layered in the order.例文帳に追加

第１の相変化層２２上には、第１の抵抗体で形成された第１の抵抗体層２４、第２の相変化材料で形成された第２の相変化層２６、及び第２の抵抗体で形成された第２の抵抗体層２８がこの順で積層されている。 - 特許庁

By providing a transmission prevention layer on the protection layer and heat-treating the protection layer using the heat caused by the energy generation element with oxygen blocked, the protection layer in an area corresponding to the energy generation element is subjected to phase transition from the β phase to the α phase.例文帳に追加

保護層の上に透過防止層を設け、酸素を遮断した状態でエネルギー発生素子の発生する熱を用いて保護層を熱処理を行うことで、エネルギー発生素子に対応する領域の保護層をβ相からα相に相転移させる。 - 特許庁

The first information layers 13 include the first recording layer 18 which reversibly gives rise to phase transition between a crystalline phase and an amorphous phase by a laser beam 35 and the second information layers 14 include the second recording layer 27 which reversibly gives rise to the phase transition between the crystalline phase and the amorphous phase by the laser beam 35.例文帳に追加

第１の情報層１３は、レーザビーム３５によって結晶相と非晶質相との間で可逆的に相変態を起こす第１の記録層１８を含み、第２の情報層１４は、レーザビーム３５によって結晶相と非晶質相との間で可逆的に相変態を起こす第２の記録層２７を含む。 - 特許庁

The phase change memory device includes: a switching device and a storage node coupled therewith, wherein the storage node includes a lower electrode; a phase change layer formed on the lower electrode; a material layer formed on the upper of the phase change layer; and an upper electrode provided on the phase change layer surrounding the material layer.例文帳に追加

スイッチング素子及びそれに連結されたストレージノードを備える相変化メモリ素子において、ストレージノードは、下部電極と、下部電極上に形成された相変化層と、相変化層の上部に形成された物質層と、物質層周囲の相変化層上に備えられた上部電極と、を備えることを特徴とする相変化メモリ素子を提供する。 - 特許庁

The anode active material layer 22 includes a Li thin film layer 22A formed on the SE layer 3 by a gas phase method and a Li foil layer 22B joined under pressure to the Li thin film layer 22A.例文帳に追加

負極活物質層２２は、ＳＥ層３上に気相法により形成されたＬｉ薄膜層２２Ａと、Ｌｉ薄膜層２２Ａに圧接されたＬｉ箔層２２Ｂと、を備える。 - 特許庁

Then, when a solid electrolyte layer (SE layer 3) is formed on the positive electrode active material layer 12 of the positive electrode layer 1 by the gas phase method, temperature change of the positive electrode layer 1 is controlled within ±30°C.例文帳に追加

そして、正極層１の正極活物質層１２上に固体電解質層（ＳＥ層３）を気相法により形成する際、正極層１の温度変化を±３０℃以内に制御する。 - 特許庁

Then, when a solid electrolyte layer (SE layer 3) is formed on the positive electrode active material layer 12 of the positive electrode layer 1 by the gas phase method, temperature of the positive electrode layer 1 is controlled at 0-90°C.例文帳に追加

そして、正極層１の正極活物質層１２上に固体電解質層（ＳＥ層３）を気相法により形成する際、正極層１の温度を０〜９０℃に制御する。 - 特許庁

The intermediate layer 12 is formed of an upper layer mesh member 21, and the liquid phase passage 13 is formed of a lower layer mesh member 22.例文帳に追加

中間層１２は、上層メッシュ部材２１により形成され、液相流路１３は、下層メッシュ部材２２により形成される。 - 特許庁

The dielectric material layer 204 and the spacer material layer 206 form a hole 209 for depositing the phase-change material layer therein.例文帳に追加

誘電体材料層２０４およびスペーサ材料層２０６は、内部に相変化材料が堆積される孔２０９を形成している。 - 特許庁

The first electrode 202 contacts the dielectric material layer 204, the spacer material layer 206 and the phase-change layer 208.例文帳に追加

第１の電極２０２は、誘電体材料層２０４、スペーサ材料層２０６、および相変化材料層２０８に接触している。 - 特許庁

The intermediate layer 12 combines a function as the gas phase passage 11, and a function as the liquid phase passage 13.例文帳に追加

中間層１２は、気相流路１１としての機能と、液相流路１３としての機能とを兼ね備えている。 - 特許庁

The lowermost layer is formed out of a hard phase composed mainly of WC, and of a binder phase composed mainly of metals in an iron group.例文帳に追加

最下層はWCを主体とする硬質相と、20〜70体積％の鉄族金属を主体とする結合相とからなる。 - 特許庁

On the negative electrode 14, a phase-transition material layer 20 making phase transition between room temperature and around 100°C is formed.例文帳に追加

陰極１４の上に、室温から１００°Ｃ程度の間で相転移する相転移材料層２０を形成する。 - 特許庁

As the steam circulating through the refrigerant layer 2a, dry steam consisting only of a vapor phase is used, and, as the steam circulating through the refrigerant layer 3a, wet steam consisting of a vapor phase and a liquid phase is used.例文帳に追加

冷媒層２ａを流通する水蒸気を、気相のみからなる乾き水蒸気とし、冷媒層３ａを流通する水蒸気を、気相と液相とからなる湿り水蒸気とする。 - 特許庁