| 例文 |
layer phaseの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 2497件
The hole injection/transportation layer 8 is formed by a gas phase method, and the luminescent layer 9 is formed by a liquid phase method.例文帳に追加
正孔注入/輸送層8は気相法で形成されており、発光層9は液相法で形成されている。 - 特許庁
PHASE DIFFERENTIAL FILM CONSISTING OF LIQUID CRYSTAL LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
液晶層からなる位相差フィルム及びその製造方法 - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY DEVICE HAVING INCREASED CONTACT AREA BETWEEN BOTTOM ELECTRODE CONTACT LAYER AND PHASE CHANGE LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加
下部電極コンタクト層と相変化層とが広い接触面積を持つ相変化メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
A phase change memory comprises a phase change layer, a first electrode, and a porous dielectric layer formed to have a plurality of pores.例文帳に追加
相変化層と、第1電極と、複数の孔を有する形成された多孔質誘電層と、を備える相変化メモリ。 - 特許庁
Since the volume of the phase change layer is reduced and the phase change layer entirely serves as a phase change region from the beginning, volume of the phase change region does not increase even when the number of rewrite increases.例文帳に追加
相変化層の体積を小さくし、最初から全ての相変化層を相変化領域とすることで、書き換え回数が増えた場合にも相変化領域の体積が増加しない。 - 特許庁
Further, a phase inversion layer can be interposed between the light-transmissive substrate and the chromium light shielding layer.例文帳に追加
投光基板とクロム遮光層間に位相反転層がさらに形成されうる。 - 特許庁
The p-type phase adjustment layer 14 has a larger band gap than the absorption layer 13.例文帳に追加
p型位相調整層14は、吸収層13よりもバンドギャップが大きい。 - 特許庁
The method of manufacturing the superconductive thin-film material includes a gas-phase process for forming a superconductive layer 3 by a gas-phase method, and a liquid-phase process for forming a superconductive layer 4 by a liquid-phase method so that the superconductive layer 4 is in contact with the superconductive layer 3.例文帳に追加
超電導薄膜材料の製造方法は、気相法により超電導層3を形成する気相工程と、超電導層3に接するように、液相法により超電導層4を形成する液相工程とを備えている。 - 特許庁
The first phase difference compensation layer performs phase difference compensation for the liquid crystal molecules having vertical alignment in the liquid crystal layer, and the second phase difference compensation layer performs phase difference compensation for the liquid crystal molecules having hybrid alignment in the liquid crystal layer.例文帳に追加
第一位相差補償層は液晶層内で垂直配向をとる液晶分子に対して位相差補償を行い、第二位相差補償層は液晶層内でハイブリッド配向をとる液晶分子に対して位相差補償を行う。 - 特許庁
The first recording layer 61 comprises an organic dye layer 61C and the second recording layer 62 comprises a phase transition type metal layer 62B.例文帳に追加
第1の記録層61を有機色素層61C、第2の記録層62を相変化型金属層62Bからなるものとする。 - 特許庁
SPUTTERING TARGET FOR FORMATION OF RECORDING LAYER OF PHASE CHANGE OPTICAL RECORDING MEDIUM AND PHASE CHANGE OPTICAL RECORDING MEDIUM例文帳に追加
相変化光記録媒体記録層形成用スパッタリングターゲットおよび相変化光記録媒体 - 特許庁
The phase difference layer comprises two types of phase difference areas whose slow axes face a different direction from each other.例文帳に追加
位相差層は遅相軸の向きが互いに異なる二種類の位相差領域を有する。 - 特許庁
A metallic connection layer fixing super-abrasives is formed by a first metallic plated phase and a second metallic plated phase.例文帳に追加
超砥粒を固定する金属結合層は第一及び第二金属めっき相で形成する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a phase-change memory element that includes a surface preparation process for the phase-change layer.例文帳に追加
相変化層の表面処理工程を含む相変化メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
Additionally, the multiplayer of TaN of the hexagonal phase and α phase Ta is disclosed as the barrier layer.例文帳に追加
また、六方晶相のTaNとα相のTaの多層をバリア層として開示する。 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENT, AND METHOD FOR FORMING PHASE-CHANGE LAYER APPLIED TO THE SAME例文帳に追加
相変化メモリ素子の製造方法及びこれに適用された相変化層の形成方法 - 特許庁
To provide a phase change optical disk with a recording layer whose phase is changed by an incident beam.例文帳に追加
入射ビームにより相が変化する記録層を有する相変化光ディスクを提供する。 - 特許庁
APPARATUS AND METHOD FOR FORMING PHASE CHANGE LAYER AND METHOD OF MANUFACTURING PHASE CHANGE MEMORY DEVICE UTILIZING THE SAME例文帳に追加
相変化膜の形成方法及び装置、これを利用した相変化メモリ素子の製造方法 - 特許庁
FORMING METHOD OF PHASE-CHANGE MATERIAL LAYER, MANUFACTURING METHOD OF PHASE-CHANGE MEMORY ELEMENT USING THIS METHOD例文帳に追加
相変化物質層の形成方法及びそれを利用した相変化メモリ素子の製造方法 - 特許庁
PHASE CHANGE MEMORY ELEMENT PROVIDED WITH SELECTIVELY GROWN PHASE CHANGE LAYER AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
選択的に成長された相変化層を備える相変化メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁
HERMETIC PASSIVATION LAYER STRUCTURE FOR CAPACITOR WITH PEROVSKITE PHASE OR PYROCHLORE PHASE DIELECTRICS例文帳に追加
ペロブスカイト相またはパイロクロア相誘電体を有するコンデンサ用のハーメチックパッシベーション層構造 - 特許庁
The barrier layer 6 comprises such material as the liquid phase of the solder layer 7 and the solid phase of the barrier layer 6 come into an equilibrium state at a specific temperature.例文帳に追加
バリア層6は、特定の温度においてはんだ層7の液相とバリア層6の固相とが平衡状態となる材料により構成されている。 - 特許庁
An electron transfer layer 3 made of an insulating porous structure mixed of a gas phase and a solid phase is inserted between an electron supply layer 2 and an electron emitting layer 4.例文帳に追加
電子供給層2と電子放射層4間に、気相と固相が混在した絶縁性多孔質構造からなる電子伝達層3を挿入する。 - 特許庁
After the coating film is formed, the phase-change layer is formed by utilizing the atomic layer deposition method.例文帳に追加
コーティング膜を形成した後、相変化層は、原子層堆積法を利用して形成する。 - 特許庁
INITIALIZING METHOD FOR PHASE CHANGE OPTICAL DISK HAVING CONSTITUTION OF MULTI-LAYER RECORDING LAYER, AND INITIALIZING DEVICE例文帳に追加
多層記録層構成の相変化型光ディスク初期化方法および初期化装置 - 特許庁
CERAMIC POWDER, CERAMIC LAYER AND LAYER SYSTEM, WITH GADOLINIUM MIXED CRYSTAL PYROCHLORE PHASE AND OXIDE例文帳に追加
ガドリニウム混晶パイロクロア相と酸化物とを有するセラミック粉末、セラミック層及び層組織 - 特許庁
OPTICAL RECORDING METHOD OF TWO-LAYER PHASE TRANSITION TYPE INFORMATION RECORDING MEDIUM例文帳に追加
2層相変化型情報記録媒体の光記録方法 - 特許庁
COLOR FILTER HAVING PHASE DIFFERENCE CONTROL LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
位相差制御層を有するカラーフィルタ及びその製造方法 - 特許庁
MAGNETO-RESISTIVE EFFECT ELEMENT WITH SPACER LAYER INCLUDING NON-MAGNETIC CONDUCTOR PHASE例文帳に追加
スペーサ層が非磁性導体相を含む磁気抵抗効果素子 - 特許庁
PHASE CHANGE INK IMAGING COMPONENT HAVING LATEX FLUOROELASTOMER LAYER例文帳に追加
ラテックスフルオロエラストマー層を有する相変化インク画像形成要素 - 特許庁
PHASE-CHANGE INK TRANSFIXING PRESSURE ELEMENT WITH SINGLE LAYER CONSTITUTION例文帳に追加
単一層構成を有する相変化インクトランスフィックス圧力要素 - 特許庁
VAPOR PHASE EPITAXIAL GROWTH SYSTEM AND MANUFACTURE OF EPITAXIAL LAYER例文帳に追加
気相エピタキシャル成長装置およびエピタキシャル層の製造方法 - 特許庁
Preferably, the second dielectric body is a rutile-phase TiO_2 layer.例文帳に追加
好適には、第2誘電体は、ルチル相のTiO_2層である。 - 特許庁
In the manufacture of the optical disk, the phase change recording layer and the phase change material layer are successively formed by a sputtering method.例文帳に追加
前記光ディスクの製造においては、スパッタ法を用いて相変化記録層と相変化材料層を連続的に成膜する。 - 特許庁
(2) In such an original plate, the phase change layer A and/or the phase change layer B contains a substance, generating heat by absorbing light.例文帳に追加
上記 において、相変化層A及び/又は相変化層Bが、光を吸収して熱を発生する物質を含有する。 - 特許庁
To provide a laminated phase difference film obtained by laminating a phase difference film consisting of an inorganic layer-like compound layer to a phase difference film having an optical characteristic different from a conventional one.例文帳に追加
従来とは異なる光学特性を有する位相差フィルムに、無機層状化合物層からなる位相差フィルムが積層された積層位相差フィルムを提供する。 - 特許庁
The substrate 1 is detached from the volume-phase hologram layer 2, and an adhesive layer 4 is formed on the substrate-detached surface of the volume-phase hologram layer 2, and a substrate 5 is provided on the adhesive layer 4.例文帳に追加
体積型ホログラム層2から基材1を剥離し、基材1が剥離された体積型ホログラム層2の面に粘着層4を形成し、さらに粘着層4に基材5を設ける。 - 特許庁
The light reflex film is composed of at least two layers of a layer (A layer) in which gas phase flatness is 0.7 or more, and a layer (B layer) in which gas phase flatness is 0.5 or less.例文帳に追加
気相部扁平度が0.7以上である層(A層)と気相部扁平度が0.5以下である層(B層)の少なくとも2層から構成されることを特徴とする光反射フィルム。 - 特許庁
When electric resistance of a crystalline phase of a phase transition material the phase of which transits between the crystalline phase and an amorphous phase is Rc and electric resistance of the amorphous phase is Ra, the phase transition type recording medium has the phase transition material of which electric resistance ratio Ra/Rc is ≥1×104 as a recording layer.例文帳に追加
結晶相とアモルファス相の間を相変化する相変化材料の結晶相の電気抵抗をRc、アモルファス相の電気抵抗をRaとするとき、電気抵抗比Ra/Rcが1×10^4以上である相変化材料を記録層とする相変化型記録記録媒体。 - 特許庁
Further, the X-ray diffraction peak ratio between the ζ-phase and δ1 phase, (ζ/δ), is made to <0.2 or the area ratio of the ζ-phase in the surface layer is made to <10%.例文帳に追加
また、ζ相とδ_1相のX線回折ピーク比率(ζ/δ)が0.2未満、あるいは表層のζ相面積率が10%未満である。 - 特許庁
An iron bulk phase is provided on the surface of a sintered rare earth magnet, and a magnetite phase is formed on the surface layer of the iron bulk phase.例文帳に追加
焼結希土類磁石の表面に鉄のバルク相を備え、当該鉄のバルク相の表層にマグネタイト相を形成してある。 - 特許庁
To provide an optical recording medium having a flat servo layer free of ruggedness recorded with servo information as a phase change of a phase change layer.例文帳に追加
サーボ情報が相変化層の相変化として記録された凹凸のない平坦なサーボ層を持つ光記録媒体を提供する。 - 特許庁
A liquid phase passage 11, an intermediate layer 12 and a liquid phase passage 13 are provided inside the container 1.例文帳に追加
容器1内部には、液相流路11と、中間層12と、液相流路13とが設けられる。 - 特許庁
The blanks for forming the halftone phase shift photomask are obtained by stacking a halftone phase shift layer and a substantially shading film on a transparent board.例文帳に追加
同時に、そのような加工を可能とするハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスを提供する。 - 特許庁
Right above the phase change region of the phase change layer, an electrode which functions as a heat dissipation fin does not exist.例文帳に追加
相変化層の相変化領域の直上には、放熱フィンとして機能する電極が存在しない。 - 特許庁
Time for detecting the eccentricity phase for each changeover of a layer can be eliminated by recording the relative eccentricity phase in the disk or the storage medium during loading the disk, detecting the eccentricity phase of the prescribed layer, and calculating an eccentricity phase of the other layer from the relative eccentricity phase basing the eccentricity phase as reference.例文帳に追加
ディスク装着時にディスクまたは記憶媒体か相対偏芯位相を読み込み、所定層の偏芯位相を検出し、該偏芯位相を基準に別層の偏芯位相を前記相対偏芯位相から演算することにより、層切り替え毎に偏芯位相を検出する時間を無くすことができる。 - 特許庁
A lower-layer phase shift film 11 is formed on the transmissive substrate 10 in a phase shifter formation area.例文帳に追加
位相シフター形成領域の透過性基板10上に下層位相シフト膜11が形成されている。 - 特許庁
The liquid crystal display device 31 contains one layer of polarizing layer 34, one layer of phase difference layer 35, reflection layer 36, and liquid crystal layer 33, and it displays an image by using the light reflected by the reflection layer 36.例文帳に追加
液晶表示装置31は、1層の偏光層34と1層の位相差層35と反射層36と液晶層33とを含み、反射層36が反射した光を用いて表示を行う。 - 特許庁
The patterned phase shifting layer is comprised of a material of differing composition than the mask substrate and is of thickness sufficient to shift the phase of an energy beam passing through the thickness of the phase shifting layer and the mask substrate by 180°, compared to the phase of the energy beam passing through the phase shifting layer openings and the mask substrate.例文帳に追加
パターン化された位相シフト層は、位相シフト層およびマスク基板の厚さを通過するエネルギー・ビームの位相を、位相シフト層の開口およびマスク基板を通過するエネルギー・ビームの位相に比べて180°シフトさせるのに十分な厚さをもち、マスク基板とは異なる組成の材料からなる。 - 特許庁
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