「layer phase」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

Metal molecules of the low fusing point metallization layer 3 are diffused inside the wiring layer 13, the liquid phase is extinguished, and a bonding layer whose principal component is the metal of the wiring layer 13 is formed.例文帳に追加

これによって、低融点金属層３の金属分子を配線層１３の内部に拡散させて液相を消滅させ、配線層１３の金属を主成分とする接合層を形成する。 - 特許庁

A non-crystal semiconductor layer is formed on the isolating plane of the first single crystal semiconductor layer and heat treatment is conducted to form a second single crystal semiconductor layer through solid phase growth of the non-crystal semiconductor layer.例文帳に追加

第１単結晶半導体層の分離面上に非晶質半導体層を形成し、熱処理を行い、非晶質半導体層を固相成長させて第２単結晶半導体層を形成する。 - 特許庁

To provide a substrate with a retardation layer having no fluctuation of a slow phase axis in the layer thickness direction, and to provide a liquid crystal display device and electronic equipment.例文帳に追加

層厚方向で遅層軸がばらつくことのない位相差層付き基板、液晶表示装置、電子機器を提供すること。 - 特許庁

The system is provided with a substrate 100, at least one light emitting diode, a plasma chemical vapor phase epitaxial layer 130 and a transparent material layer 140.例文帳に追加

基板１００、少なくとも一つの発光ダイオード、プラズマ化学気相成長層１３０及び透明材料層１４０を備える。 - 特許庁

The second phase difference compensation layer 14 is constituted with an oblique deposition film of at least two-layer constitution and is turned to a positive O-plate.例文帳に追加

第二位相差補償層１４は少なくとも二層構成の斜方蒸着膜で構成され、正のＯ−ｐｌａｔｅとなる。 - 特許庁

The heterogenous phase is preferably formed at least in a portion around a border between the dielectric layer and the internal electrode layer.例文帳に追加

好ましくは、前記異相が、前記誘電体層と前記内部電極層との境界付近の少なくとも一部に形成してある。 - 特許庁

An abrasive grain layer 13 on base metal 12 is composed of a metal plating phase 15, and a metallic group composite plating layer 32 for covering the upper surface.例文帳に追加

台金１２上の砥粒層１３を、金属めっき相１５と、その上を覆う金属基複合めっき相３２とから構成する。 - 特許庁

After the Schottky electrode is formed, a semiconductor layer surface is coated with an insulating film and a heat treatment for forming a solid-phase reaction layer is carried out.例文帳に追加

ショットキー電極を形成した後、半導体層表面を絶縁膜で被覆し、固相反応層を形成する熱処理を行う。 - 特許庁

The layer 7 is solid-phase grown by heat treatment of approximately 600°C, and a silicon single crystal layer 8 is formed on the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

続いて６００℃程度の熱処理でこれを固相成長させて半導体基板１上にシリコン単結晶層８を形成する。 - 特許庁

The mask also includes a patterned layer of a material substantially opaque to the energy beam disposed on the mask substrate or the phase shifting layer.例文帳に追加

マスクはまた、マスク基板または位相シフト層上に配設されエネルギー・ビームに対しほぼ不透明な材料のパターン化された層も含む。 - 特許庁

Furthermore, the aluminum nitride ceramic 10 has a grain boundary phase-rich layer 12 containing more grain boundary phases in the surface layer than in the inner part 11.例文帳に追加

更に、窒化アルミニウム質セラミックス１０は、その表層に内部１１よりも粒界相を多く含む粒界相豊富層１２を備える。 - 特許庁

The second tantalum layer 132x and an intermediate tantalum layer 132y are each a single-phase tantalum film of a cubic system and have a low specific resistance.例文帳に追加

第２タンタル層１３２ｘおよび中間タンタル層１３２ｙは、立方晶系の単相のタンタル膜になっており、比抵抗が低い。 - 特許庁

The phase transition memory cell includes a memory cell contact part 95 including a chalcogenide layer 100 and a heater layer 105, and switching transistors 16, 18.例文帳に追加

相変化メモリセルは、カルコゲナイド層１００およびヒータ層１０５を含むメモリセルコンタクト部９５と、スイッチングトランジスタ１６，１８とを含む。 - 特許庁

In the liquid crystal display device which includes a liquid crystal layer exhibiting the blue phase, a first structure body and a second structure body are provided over a first electrode layer (a pixel electrode layer) and a second electrode layer (a common electrode layer), respectively.例文帳に追加

ブルー相を示す液晶層を含む液晶表示装置において、第１の電極層（画素電極層）上に第１の構造体、同様に第２の電極層（共通電極層）上に第２の構造体を設ける構成とする。 - 特許庁

Next, the dummy layer is removed by gas phase etching by a growing apparatus (step S7), the shape of the grating structure is transferred to the active layer to form a grating at the active layer (step S8), and a separation layer is formed on the grating without exposing the active layer to the atmosphere (step S9).例文帳に追加

これにより、回折格子構造形成時のエッチングがダミー層に対して行われ、さらに、活性層への回折格子の形成が気相エッチングによるため、いずれの工程においても活性層へのダメージが防止される。 - 特許庁

In executing the method of manufacturing of the phase change memory, a wafer is wet-cleaned using a cleaning liquid such as water or a chemical after patterning the phase change layer.例文帳に追加

相変化メモリを製造する方法を実施する際に、相変化層をパターニングした後にウェハを水や薬液などの洗浄液でウェット洗浄する。 - 特許庁

To provide a phase-change substance layer and method of manufacturing the same, phase-change memory device provided with the same, and its manufacturing method and operation method.例文帳に追加

相変化物質層及びその製造方法、該相変化物質層を備える相変化メモリ素子及びその製造方法並びに動作方法を提供する。 - 特許庁

The counter substrate 44 includes a phase difference layer 61 for adjusting the phase difference between a transmitting display area T and a reflecting display area R.例文帳に追加

対向基板４４には、透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとの位相差を調整するための位相差層６１が形成されている。 - 特許庁

To provide a phase transition memory device capable of preventing a decrease of a reading speed caused by an influence of a capacity of a diffusion layer while arranging phase transition elements in high density.例文帳に追加

相変化素子を高密度に配置しつつ拡散層容量の影響による読み出し速度の低下を防止可能な相変化メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a phase change memory device for reducing the contact region of a phase change memory layer and an electrode and increasing integration effect, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

相変化メモリ層と電極の接触領域を減少させ、集積効果を改善する相変化メモリ装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

A phase difference distribution computing section 54 finds a phase difference distribution of a fundus reflection light by a specific area (Henle's outer fiber layer) of the fundus based on the Stokes vector.例文帳に追加

位相差分布演算部５４は、このストークスベクトルに基づいて、眼底の特定領域（ヘンレ線維層）による眼底反射光の位相差分布を求める。 - 特許庁

To miniaturize a phase transformation memory device by minimizing the layer structure of the memory cell in the phase transformation memory device, and to simplify the structure while reducing the fabrication man-hour.例文帳に追加

相変化メモリ装置のメモリセルの層構造を最小化し、相変化メモリ装置の小型化、構造の簡素化、製造工数の削減を図ること。 - 特許庁

The protrusion 202 is formed of a dielectric multilayer film which functions as a phase adjusting layer PH to apply a predetermined phase shift amount to light of the wavelength to be used.例文帳に追加

凸部２０２は、使用波長の光に対して所定の位相シフト量を付与する位相調節層ＰＨとして機能する誘電体多層膜からなる。 - 特許庁

The vapor phase growth device allows a nitride-based semiconductor layer to be subjected to vapor phase growth on a substrate by using a group III material gas and a group V material gas.例文帳に追加

III族原料ガスとＶ族原料ガスとを用いて基板上に窒化物系半導体層を気相成長させる気相成長装置が提供される。 - 特許庁

As for a phase-changing optical recording medium, a recording layer 4 is made of phase-changing recording materials containing a Ib group element, a IIIb group element, an Sb element and a Te element.例文帳に追加

相変化光記録媒体１に関し、記録層４は、Ｉｂ族元素、 IIIｂ族元素、Ｓｂ元素及びＴｅ元素を有する相変化記録材料による。 - 特許庁

The coating layer includes a parent phase formed by metal oxide and a metal oxide particle whose refractive index is higher than that in the parent phase.例文帳に追加

前記被覆層が金属酸化物から形成されている母相と、前記母相中よりも屈折率の高い金属酸化物粒子とを備える。 - 特許庁

The balance pad includes an outer layer 32 having a dynamically vulcanized alloy, which includes an engineering resin as a continuous phase and at least a partially vulcanized rubber as a dispersed phase.例文帳に追加

バランスパッドは、連続相としてエンジニアリングレジン及び分散相として少なくとも部分加硫ゴムを含む動的加硫アロイを有する外層３２を含む。 - 特許庁

A phase-change pattern filling a hole without forming a void and seam can be realized by selectively-forming a phase-change material layer.例文帳に追加

本発明によれば、相変化物質層を選択的に形成することによって、ボイド及びシームなしにホールを満たす相変化パターンを実現することができる。 - 特許庁

The ink absorbing layer, preferably, mainly comprises at least one type out of inorganic fine particles of porous silica, vapor phase method silica, hydrated alumina and vapor phase method alumina.例文帳に追加

インク受容層が主に多孔質シリカ、気相法シリカ、アルミナ水和物、気相法アルミナの無機微細粒子の少なくとも１種からなることが好ましい。 - 特許庁

To provide artificial soil having lightweight, capable of permanently keeping on maintaining a three-layer structure comprising a vapor phase, a liquid phase and a solid phase, and usable for a rooftop and a wall of a building or the ground.例文帳に追加

軽量で、気相、液相、固相からなる三相構造を永続的に持続することができ、且つ建物の屋上や壁面、或いは地面に利用することができる人工土壌を提供する。 - 特許庁

To provide the production method of glass in which a surface degenerated layer in a phase separated borosilicate glass is selectively removed, and by which particularly in the case of a phase separated glass, a glass having a silica skeleton of a phase separated structure is produced.例文帳に追加

相分離ホウケイ酸塩ガラスにおける表面の変質層を選択的に取り除き、特に相分離ガラスの場合では、相分離構造のシリカ骨格を有するガラスの製造方法を提供する。 - 特許庁

The phase shift mask 1 has a phase shift layer 13P1 for imparting a 180° phase difference to light in a wavelength region from 300 to 500 nm.例文帳に追加

本発明の一形態に係る位相シフトマスク１は、３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長領域のいずれかの光に対して１８０°の位相差をもたせることが可能な位相シフト層１３Ｐ１を有する。 - 特許庁

To provide an inspection method quickly and precisely detecting the presence/absence and the thickness of a ferrite phase and the presence/ absence of a perlite phase inside the ferrite phase on the surface layer part of a spherical graphitic cast iron member.例文帳に追加

球状黒鉛鋳鉄部材表層部のフェライト相の有無やその厚さ、更にフェライト相の内部のパーライト相の有無を、迅速にかつ正確に検知できる検査方法を提供する。 - 特許庁

The method comprises utilizing a stress-assisted rolling process for a microstructure phase film layer to form a microstructure phase film pattern with a plurality of openings and a plurality of phase retarder patterns.例文帳に追加

この方法は、マイクロ構造位相フィルム層に対する応力アシスト圧延プロセスを利用して複数の開口部および複数の位相リターダパターンを備えたマイクロ構造位相フィルムパターンを形成するステップを含む。 - 特許庁

A GaN-based light-emitting layer 3 is formed on an MGC 2 (melt growth composite) consisting of a Y_3Al_5O_12 single crystal phase 21 and an Al_2O_3 single crystal phase 22, and Ce^3+ ions are doped in the Y_3Al_5O_12 single crystal phase 21.例文帳に追加

Ｙ_3Ａｌ_5Ｏ_12単結晶相２１とＡｌ_2Ｏ_3単結晶相２２からなるＭＧＣ２上にＧａＮ系の発光層３を形成し、Ｙ_3Ａｌ_5Ｏ_12単結晶相２１にＣｅ^3+イオンをドーピングする。 - 特許庁

When the coils are formed using signal-phase printed coils, the coil in one phase is formed in one layer, and a three-phase motor is formed in three layers, and thereby the number of through-holes formed in the board can be reduced.例文帳に追加

また、コイルを単相プリントコイルで構成する場合、１層で１相のコイルを形成して、３層で３相モータを構成することにより、基板に設けるスルーホールの数を低減することができる。 - 特許庁

By a vapor-phase epitomical method, at least a collector contact layer 5, a collector layer 4, a base layer 3 and an emitter layer 2 are to the collector layer 4 and the collector contact layer 5.例文帳に追加

気相エピタキシャル法により、基板上６に、少なくともコレクタコンタクト層５と、コレクタ層４と、ベース層３と、エミッタ層２とが順次積層されるヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハにおいて、上記コレクタ層４及びコレクタコンタクト層５にドーパントとしてＳｅを添加する。 - 特許庁

An n-type multilayer reflection layer 12 (first reflection layer), an absorption layer 13, a p-type phase adjustment layer 14, and an anode layer 15 (second reflection layer) are formed on the lower surface of the n-type InP substrate 11 in this order from the side of the n-type InP substrate 11.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１１の下面に、ｎ型ＩｎＰ基板１１側から順番に、ｎ型多層反射層１２（第１の反射層）、吸収層１３、ｐ型位相調整層１４およびアノード電極１５（第２の反射層）が形成されている。 - 特許庁

To provide a determination method for the quantity of an alloy phase in a plated layer in plated covering metal materials, such as alloying melted zinc-plated steel plate for directly and accurately determining the quantity of the alloy phase in a plated layer.例文帳に追加

めっき層中合金相を、直接、精度良く定量することが可能な合金化溶融亜鉛めっき鋼板などめっき被覆金属材のめっき層中合金相の定量方法の提供。 - 特許庁

In the edge, its cross-sectional surface is made into a taper shape so that the film thickness of the phase transformation layer may change in the upper portion of the contact area of the lower electrode and the phase transformation layer, and the edge is embedded into an oxide film 20.例文帳に追加

エッジ部は、下部電極と相変化層とのコンタクトエリアの上方で相変化層の膜厚が変化するようにその断面がテーパー形状とされ、酸化膜２０により埋め込まれている。 - 特許庁

To provide a resin multilayered film having one layer comprising a styrenic resin, useful as a phase difference film and good in adhesiveness even if an adhesive layer is not used, and to obtain the negative phase difference film by stretching the resin multilayered film.例文帳に追加

スチレン系樹脂を一つの層とし、位相差フィルムとして有用で、接着層を用いなくても接着性が良好な樹脂多層フィルムを提供し、それを延伸して負の位相差フィルムにする。 - 特許庁

The alignment films 18 and 29 have a slow phase axis substantially orthogonal to the predetermined azimuth direction, and optically compensate the phase difference of the liquid crystal layer 50 as an optical compensation layer.例文帳に追加

配向膜１８，２９は、所定の方位角方向に対して略直交した遅相軸を有しており、配向膜１８，２９は光学補償層として液晶層５０の位相差を光学的に補償している。 - 特許庁

The atomic concentration of the non-soluble phase in the first magnetic layer 16 is set higher than the atomic concentration of the non-soluble phase in the second magnetic layer 17.例文帳に追加

第１磁性層１６および第２磁性層１７は磁性粒子と非磁性の非固溶相からなり、第１磁性層１６を第２磁性層１７よりも非固溶相の原子濃度を高く設定する。 - 特許庁

It becomes evident that a moving distance of Pt in a gas phase is less than 25 μm, and since the thickness of the barrier layer is as thick as 25 μm or more, even when Pt moves in a gas phase, it cannot reach the Rh-supporting coat layer 4.例文帳に追加

Ptの気相移動距離は25μｍ未満であることが明らかとなり、バリア層は厚さが25μｍ以上と厚いので、Ptが気相移動したとしてもRh担持コート層４まで到達し得ない。 - 特許庁

Let Rc be the reflectance of the non-recorded part under a chrystalline phase in the recording layer and let Rmark be the reflectance of the recorded part under an amorphous phase in the recording layer, the above reflectances satisfy the following inequality: Rmark>Rc.例文帳に追加

前記記録層は、結晶相である未記録部の反射率をＲｅとし、そして、記録層がアモルファス相である記録部の反射率をＲmarkとしたときに、次の式 Ｒmark＞Ｒｃ を満たしている。 - 特許庁