「layer phase」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

A liquid phase width is enlarged to melt the Cr plating layer 31 (Step S4).例文帳に追加

液相幅を拡大させてＣｒめっき層３１を融解させる（ステップＳ４）。 - 特許庁

Then, the negative electrode layer has a laminated structure formed by a gas phase method.例文帳に追加

そして、負極層は、気相法により形成された積層構造を有する。 - 特許庁

(3) In this case, the thickness of the phase change layer B is 0.5-3.0 g/m2.例文帳に追加

上記 又は において、相変化層Ｂの膜厚が０．５〜３．０ｇ／ｍ^2である。 - 特許庁

Next, a homogeneous material layer is formed on the microstructure phase film pattern.例文帳に追加

次に、均質の材料層がマイクロ構造位相フィルムパターン上に形成される。 - 特許庁

COLOR FILTER HAVING PHASE DIFFERENCE CONTROL LAYER, ITS MANUFACTURING METHOD AND DISPLAY例文帳に追加

位相差制御層を有するカラーフィルタおよびその製造方法並びにディスプレイ - 特許庁

In the support layer 10s, a phase transition occurs from the rubber state to the glass state.例文帳に追加

支持層１０ｓでは、ゴム状態からガラス状態への相転移が起こる。 - 特許庁

MEASUREMENT METHOD AND DEVICE OF AMOUNT OF ADHESION OF METAL PHASE CONTAINED IN PLATED LAYER例文帳に追加

めっき層に含まれる金属相の付着量の測定方法および装置 - 特許庁

To provide a phase difference film capable of easily forming an antireflection layer.例文帳に追加

反射防止層を容易に形成することができる位相差フィルムを提供する。 - 特許庁

The porous dielectric layer is formed between the phase change memory and the first electrode.例文帳に追加

多孔質誘電層は、相変化層と第１電極との間に形成される。 - 特許庁

PHASE-CHANGE MEMORY APPLIED WITH ALN HEAT DISSIPATING LAYER AND TIN LOWER ELECTRODE例文帳に追加

ＡｌＮ熱放出層及びＴｉＮ下部電極が適用された相変化メモリ - 特許庁

SURFACE TREATMENT METHOD FOR POSITIVE ELECTRODE LAYER PHASE STRUCTURE OXIDE FOR LITHIUM SECONDARY BATTERY例文帳に追加

リチウム二次電池の正極用層相構造酸化物の表面処理方法 - 特許庁

The Ti plating layer 31 is melted by extending liquid phase width (step S5).例文帳に追加

液相幅を拡大させてＴｉめっき層３１を溶融させる（ステップＳ５）。 - 特許庁

In the halftone phase shifting mask blank 1 having a phase shifter film 5, the phase shifter film 5 has a phase adjusting layer 4 which chiefly controls the phase of exposure light and a transmittance adjusting layer 3 formed between a transparent substrate 2 and the phase adjusting layer 4 and having a function to chiefly control the transmittance of exposure light, and the thickness of the transmittance adjusting layer 3 is ≤90 Å.例文帳に追加

位相シフター膜５を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランク１において、前記位相シフター膜５は、主に露光光の位相を制御する位相調整層４と、透明基板２と位相調整層４との間に形成され主に露光光の透過率を制御する機能を有すると透過率調整層３とを有し、前記透過率調整層３の膜厚が、９０オングストローム以下であることを特徴とする。 - 特許庁

The lower layer barrier wall are provided while being phase shifted by one half of the pitch p from the upper layer barrier wall.例文帳に追加

この場合、下層隔壁は、上層隔壁に対し上記ピッチｐの１／２だけ位相をずらして設ける。 - 特許庁

Layer thickness t of the second coating layer comprising the vapor phase synthesized diamond is set in a range of 0.5-20 μm.例文帳に追加

気相合成ダイヤモンドからなる第２のコーティング層１６の層厚ｔを、０．５〜２０μｍの範囲に設定する。 - 特許庁

For the isotropic retardation plate, a spinel is used for a substrate and a layer for giving an anisotropic phase difference is a liquid crystal layer.例文帳に追加

基板にスピネルを用い、等方性の位相差を与える層は液晶層である等方性位相差板。 - 特許庁

A second layer of a second conductivity type is formed in a recessed part of the mesa structure of the first layer by a liquid-phase growing method.例文帳に追加

第１の層のメサ構造の凹部に、液相成長法により第２導電型の第２の層を形成する。 - 特許庁

To provide a phase change memory device having a lower electrode including a low-resistance lower layer and a high resistance upper layer.例文帳に追加

低抵抗の下層と高抵抗の上層とを含む下部電極を有する相変化メモリ素子を提供する。 - 特許庁

(2) In the phase transition type optical recording medium mentioned in (1) and having at least a first protective layer, the phase transition recording layer, a second protective layer and a reflection layer on a substrate, the second protective layer consists essentially of an germanium oxide and germanium concentration on the inner peripheral part side of the second protective layer is higher than that on the outer peripheral part side.例文帳に追加

（２）基板上に、少なくとも第一保護層、相変化記録層、第二保護層、反射層を有し、第二保護層が酸化ゲルマニウムを主成分とし、第二保護層の内周部側の方が、外周部側よりもゲルマニウム濃度が高い（１）記載の相変化型光記録媒体。 - 特許庁

The first phase (P1) is made to contain, at least an element other than the elements contained in the second phase (P2), the first phase (P1) is set to be more corrosion-resistant than the second phase, and the surface layer is made to have a corrosion-protecting function.例文帳に追加

第１の相を第２の相の元素の他に少なくとも１つの別の元素を含むように形成し、第１の相を第２の相よりも耐食性とし、表面層に腐食保護の役目をさせる。 - 特許庁

An X-ray capacitor lens has a carbon layer 3 as a core layer, ruthenium layers 2 and 4 as clad layers, an X-ray phase shifter layer 5 and an X-ray shielding layer 6.例文帳に追加

Ｘ線集光レンズは、コア層であるカーボン層３とクラッド層であるルテニウム層２，４とＸ線位相シフター層５とＸ線遮蔽層６とを有する。 - 特許庁

Each of the phase-change memory cells 53 includes the heating layer 45 disposed on a corresponding isolated region of the lower electrode 43, a phase-change material layer 46 disposed to cover the heating layer 45, and an upper electrode 47 disposed on the phase-change material layer 46.例文帳に追加

各々の相変化メモリセル５３は、下部電極４３の対応する分離領域上に形成された発熱層４５と、発熱層４５を覆うように形成された相変化物質層４６と、相変化物質層４６上に形成された上部電極４７とを備える。 - 特許庁

The blanks 104 and the halftone phase shift photomask have a halftone phase shift layer on a transparent substrate 101 and the phase shift layer comprises a multilayer film including at least a layer 103 consisting essentially of tantalum, silicon and oxygen and a layer 102, based on tantalum and not substantially containing silicon.例文帳に追加

透明基板１０１上のハーフトーン位相シフト層が、タンタル、シリコン、及び、酸素を主成分とする１層１０３と、タンタルを主成分とし実質的にシリコンを含まない１層１０２とを少なくとも含む多層膜で構成されているハーフトーン位相シフトフォトマスク及びブランクス１０４。 - 特許庁

The cathode active material layer 12 is a powder compact obtained by forming under pressure a pulverulent body containing cathode active material particles and solid electrolyte particles, and the electrolyte layer is a solid electrolyte layer (SE layer) 3 which is formed by a gas phase method, a solid phase method, or a liquid phase method.例文帳に追加

正極活物質層１２は、正極活物質粒子と固体電解質粒子を含む粉体を加圧成形して得られた粉末成形体であり、電解質層は、気相法、固相法あるいは液相法で形成された固体電解質層（ＳＥ層）３である。 - 特許庁

Where, the infrared rays L1 irradiated from a generation source 600 to a liquid crystal layer 50 is interrupted by a mask 500, so that the temperature of the liquid crystal layer 50 is not increased and the phase of the liquid crystal layer 50 is not changed from an amorphous phase to an isotropic phase.例文帳に追加

ここで、発生源６００から液晶層５０に向かう赤外線Ｌ１は、マスク５００によって遮られるため、液晶層５０の温度を上昇させることがなく、液晶層５０がアモルファス相から等方相に相転移しない。 - 特許庁

In the galvannealed steel sheet, a plating layer consists of only ζ phase or ζ phase and η phase, and Fe content in an outermost surface of the plating layer is higher than Fe content of the plating layer at an interface portion of the steel sheet.例文帳に追加

めっき層がζ相のみ、またはζ相およびη相からなり、前記めっき層最表面におけるＦｅ含有率が前記めっき層の鋼板界面部分のＦｅ含有率より高いことを特徴とする合金化溶融亜鉛めっき鋼板。 - 特許庁

In the phase change optical disk, a phase change material layer provided with activation energy E2 larger than the activation energy E1 for the crystallization of a phase change recording layer where data are to be recorded is formed in contact at the upper part of the recording layer.例文帳に追加

相変化光ディスクにおいて、データが記録される相変化記録層の上部に該記録層の結晶化に対する活性化エネルギーＥ１よりも大きい活性化エネルギーＥ２を有する相変化材料層を接して形成された相変化光ディスク。 - 特許庁

This ceramic complex for transplantation includes an apatite substrate phase, a secondary phase positioning n the substrate phase and comprising a ceramic material as a reinforcement, and a barrier layer comprising a ceramic material coating on the secondary phase, positioning in between the substrate phase and the secondary phase and suppressing an interface reaction reacted between the substrate phase and the secondary phase.例文帳に追加

アパタイト素地相と、該素地相内に位置する、補強材としてのセラミック材料からなる２次相と、該２次相をコーティングして、前記素地相と前記２次相間に位置し、前記素地相と前記２次相間との間で生じる界面反応を抑制するセラミック材からなる障壁層とを含んでなることを特徴とする生体移植用セラミック複合体。 - 特許庁

The light emitting layer portion 24 is formed in a metal organic vapor phase epitaxy process, and the current diffusion layer 7 having the n-type of conductivity is formed on the light emitting layer portion 24 in a hydride vapor phase epitaxy process.例文帳に追加

発光層部２４は有機金属気相成長法により形成し、該発光層部２４の上に導電型がｎ型とされる電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device includes a vapor phase growth process of carrying out vapor phase growth of a semiconductor growing layer of a nitride in the trench 42 of a semiconductor base layer 10 of a nitride having the trench 42 formed at a surface layer portion.例文帳に追加

表層部にトレンチ４２が形成されている窒化物の半導体下地層１０のトレンチ４２内に、窒化物の半導体成長層を気相成長させる気相成長工程を備えている。 - 特許庁

A film-stuck phase difference film 4 is characterized in that an adhesive layer 2 is provided on one surface of a phase difference layer 1 and a film 3, having ≥60 μm thickness is stuck on the adhesive layer 2.例文帳に追加

位相差フィルム（１）の一方の面に接着剤層（２）が設けられ該接着剤層（２）の上に厚み６０μｍ以上のフィルム（３）が貼着されてなることを特徴とするフィルム貼着位相差フィルム（４）。 - 特許庁

A substrate 1 holds a stack 2 of layers with a phase-change recording layer 5 between a first dielectric layer 4 and a second dielectric layer 6.例文帳に追加

基板１は、第一の誘電体の層４と第二の誘電体の層６との間に相変化記録層５をもつ層のスタック２を保持する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a phase change memory which prevents a phase change layer from being easily peeled from an insulating material layer in cleaning compared to a conventional method, the layer to which a countermeasure against peeling of a metal layer cannot be applied without any change.例文帳に追加

金属層に対する剥がれ対策をそのまま適用することができない相変化層を、洗浄時においても従来よりも絶縁材料層から剥がれにくくする相変化メモリの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the internal electrode layer, adhesion strength cannot be ensured between the internal electrode layer and the piezoelectric ceramics layer if the second phase is insufficient and the internal electrode layer does not exhibit its function if the second phase is excessive.例文帳に追加

内部電極層において、第２の相が少なすぎると内部電極層と圧電セラミックス層の接着強度を確保することができず、逆に第２の相が多すぎると内部電極層がその機能を発揮しがたくなる。 - 特許庁

This phase-change substance layer is a compound layer of four components containing indium, and the content (a) of In is 15 at.%≤a≤20 at.%, and the phase-change substance layer can be an In_aGe_bSb_cTe_d layer.例文帳に追加

インジウムを含む４成分化合物層であって、インジウム含有量（ａ）が１５ａｔ．％≦ａ≦２０ａｔ．％であることを特徴とする相変化物質層であり、該相変化物質層は、Ｉｎ_ａＧｅ_ｂＳｂ_ｃＴｅ_ｄ層でありうる。 - 特許庁

Three phases formed of at least a layer-like anti-ferromagnetic metal phase, an anti-ferromagnetic load charge arrangement insulation phase and a ferromagnetic metal phase coexist in a magnetic oxide thin film 2.例文帳に追加

磁性酸化物薄膜２は、少なくとも層状反強磁性金属相、反強磁性電荷整列絶縁相及び強磁性金属相からなる３相が共存する。 - 特許庁

A photosensitive layer is formed on a film as a base material, heated up to an isotropic phase transition temperature or more, and cooled to a glass phase-liquid crystal phase transition temperature or less.例文帳に追加

基材であるフィルムに感光性層を形成した後、これを等方相転移温度以上に加熱してからガラス相−液晶相転移温度以下に冷却する。 - 特許庁

In the phase change optical recording medium, a phase change recording material constituting a recording layer is formed from a phase change alloy containing at least Ga or In and Sb, Zr, and Mg.例文帳に追加

（１）記録層を構成する相変化記録材料が、少なくともＧａ又はＩｎと、Ｓｂ、Ｚｒ、Ｍｇを含む相変化合金である相変化型光記録媒体。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a liquid crystal display provided with an integral phase difference layer provided with an isotropic phase and a liquid crystal phase part without performing heating treatment.例文帳に追加

加熱処理を行わずに等方相部分と液晶相部分を設けた一体型の位相差層を備える液晶表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

As the brazing filler metal melted and solidified layer, the one with a metallic structure having a primary crystal Al phase, a CuAl_2 based alloy phase and a spike-shaped Si-concentrated phase is preferable.例文帳に追加

前記ろう材溶融凝固層は、初晶Ａｌ相、ＣｕＡｌ_2系合金相およびスパイク状のＳｉ濃化相を有する金属組織であるものが好ましい。 - 特許庁

Otherwise, the soft magnetic layer is constituted of CoFe alloy having at least two crystal phases of a face- centered crystal phase, the closest hexagonal crystal phase and an amorphous phase.例文帳に追加

又は、軟磁性層を面心立方晶相、最密六方晶相、非晶質相のうち少なくとも２つの結晶相を有するＣｏＦｅ系合金で構成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a phase-change material layer pattern, a method of manufacturing a phase-change memory device, and a phase-change material polishing slurry composition for use in the methods.例文帳に追加

相変化物質層パターンの形成方法、相変化メモリー装置の製造方法、及びこれに使用される相変化物質層研磨用スラリー造成物が開示される。 - 特許庁

The recording layer consists of a SbTe mother phase as the phase transition material and the Si element having no solubility in a solid in the whole range with the mother phase and is formed by sputtering.例文帳に追加

記録層はスパッタ法により、相変化材料であるＳｂＴｅの母相と、該母相に対して全域固溶性を持たないＳｉ元素とからなるものを成膜した。 - 特許庁

A phase difference optical element 10 has a phase difference layer 12 having a molecular structure of cholesteric regularity with planar alignment.例文帳に追加

位相差光学素子１０は、プレーナー配向されたコレステリック規則性の分子構造を有する位相差層１２を備えている。 - 特許庁

The recording layer 12 is made of a L1_0 regular alloy phase showing ferromagnetism and a FePt_3 regular alloy phase showing paramagnetism.例文帳に追加

記録層１２を、強磁性を示すＬ１_０規則合金相と常磁性を示すＦｅＰｔ_３規則合金相から形成する。 - 特許庁