「ldd.」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The polysilicon layer has a channel region 38, an LDD structure 36 in a periphery of the channel region, and a source/ drain region 34 in a periphery of the LDD structure.例文帳に追加

ポリシリコン層は、チャネル領域３８、前記チャ ネル領域周辺のLDD 構造３６、前記LDD 構造周辺のソース／ドレイン領域３４とを備える。 - 特許庁

To provide an active matrix display device having a novel structure of an LDD region.例文帳に追加

LDD領域の新規な構造を有するアクティブマトリクス表示装置を提供する。 - 特許庁

Otherwise both have the same behavior, and use the same support files and programs ldd (1), 例文帳に追加

それ以外の点では両方とも同じように動作し、同じサポートファイルとプログラムldd (1), - JM

LDD DEVICE AND ITS SIGNAL TRANSMISSION METHOD例文帳に追加

ＬＤＤ装置及びその信号伝送方法 - 特許庁

METHOD OF FORMING LDD OF SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体装置のＬＤＤを形成する方法 - 特許庁

GATE OVERLAP TYPE LDD POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR例文帳に追加

ゲートオーバーラップ型ＬＤＤポリシリコン薄膜トランジスタ - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE IN LDD STRUCTURE例文帳に追加

ＬＤＤ構造の半導体装置の製造方法 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING THIN-FILM TRANSISTOR HAVING LDD例文帳に追加

ＬＤＤを有する薄膜トランジスタの製造方法 - 特許庁

The other thin film transistor having a first LDD structure and a second LDD structure which is adjacent to the first LDD structure is also provided.例文帳に追加

他の薄膜トランジスタとして、第１のＬＤＤ構造と第２のＬＤＤ構造を有し、第２のＬＤＤ構造が第１のＬＤＤ構造に隣接したものが提供される。 - 特許庁

Therefore, the concentration of electric field in the pn junction part is relieved and the merits of an LDD structure are utilized effectively.例文帳に追加

このため、ｐｎ接合部における電界の集中が緩和され、LDD構造の利点が有効に生かされる。 - 特許庁

To form an impurity region having an LDD structure, only through a one-time ion implantation step, without forming a gate spacer film.例文帳に追加

ゲートスペーサ膜を形成せずに１回のイオン注入工程のみでLDD構造の不純物領域を形成する。 - 特許庁

THIN-FILM TRANSISTOR HAVING LDD/OFFSET STRUCTURE例文帳に追加

ＬＤＤ／オフセット構造を具備している薄膜トランジスター - 特許庁

To provide an LDD(lightly doped drain) MOS transistor for preventing the switching speed of a MOS transistor from decreasing, and a method for manufacturing the LDD MOS transistor.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタの切換速度を減少させないＬＤＤＭＯＳトランジスタ及びその製造方法に関する。 - 特許庁

To provide a higher driving capacity than with a single LDD structure by improving hot carrier resistance compared to a concentional MOSFET of single LDD layer and double LDD layer structure.例文帳に追加

従来の１重ＬＤＤ層及び２重ＬＤＤ層構造のＭＯＳＦＥＴよりもホットキャリア耐性を改善し、１重ＬＤＤ層構造のものよりも高駆動能力化する。 - 特許庁

The impurity concentration of the LDD low-concentration region 135 is lower than that of the LDD middle-concentration region 134.例文帳に追加

ＬＤＤ低濃度領域１３５の不純物濃度は、ＬＤＤ中濃度領域１３４の不純物濃度よりも低い。 - 特許庁

The source-drain area 7 includes a LDD area 8.例文帳に追加

更に、ソース・ドレイン領域７はＬＤＤ領域８を有する。 - 特許庁

THIN FILM TRANSISTOR WITH LDD STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＬＤＤ構造を有する薄膜トランジスタとその製造方法 - 特許庁

(ELF only) 例文帳に追加

(ELF のみ)空文字列でない場合、プログラムを普通に実行するのではなく、ldd (1) - JM

To prevent occurrence of variations of property of a Gate-Overlapped LDD (GOLD) structure caused by generation of asymmetry of left and right LDD regions resulting from overlapping accuracy, in a photoengraving process at the time of gate electrode formation, in the manufacturing method of the GOLD structure for improving reliability.例文帳に追加

信頼性向上のためのGate-Overlapped LDD(GOLD)構造の製造方法において、ゲート電極形成時の写真製版工程で、重ね合わせ精度に起因して左右のLDD領域に非対称性が発生することによって、特性のばらつきが発生することを抑制する。 - 特許庁

To provide a method of forming an LDD of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置のＬＤＤを形成する方法を提供する。 - 特許庁

THIN FILM TRANSISTOR WITH LDD STRUCTURE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ＬＤＤ構造を有する薄膜トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

TRANSISTOR HAVING LOCAL LDD REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

ローカルＬＤＤ領域を有するトランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

An electrostatic discharge(ESD) protecting circuit 20 includes an active load circuit 22 connected with a lateral diffused MOS transistor having a low density doped drain(LDD).例文帳に追加

静電放電（ESD）保護回路（２０）が、低濃度ドープドレイン（LDD）を有する横方向拡散MOSトランジスタに接続された能動負荷回路（２２）を含む。 - 特許庁

The buried LDD region is spaced laterally apart from the drain region, and a second LDD region of the first conductivity type is formed proximately to the upper surface of the semiconductor layer in the buried LDD region.例文帳に追加

この埋込みＬＤＤ領域はドレイン領域から横方向に離隔され、この埋込みＬＤＤ領域内の半導体層の上部表面の近傍に第１の導電型の第２のＬＤＤ領域が形成される。 - 特許庁

The first LDD diffusion region 318 is located under a first spacer.例文帳に追加

第１のＬＤＤ拡散領域３１８は第１のスペーサの下にある。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin film transistor whereby reduction in the photolithography step, facilitation of the width adjustment of LDD regions, and planarization of laminated thin films can be devised.例文帳に追加

フォトリソグラフィー工程の節減、LDD領域の幅調節の容易化と積層された薄膜の平坦化を図れる薄膜トランジスターの製造方法を提供する。 - 特許庁

At this time, an element, which belongs to the group 15 of a periodic table with a density higher than that of the LDD regions 717 to 720 is present on the LDD region 707.例文帳に追加

この時、ＬＤＤ領域７０７にはＬＤＤ領域７１７〜７２０よりも高い濃度で周期表の１５族に属する元素が存在する。 - 特許庁

The GOLD structure is formed in less number of processes, and generation of asymmetry of the left and right LDD regions is prevented, thereby variations of property of the GOLD structure is prevented.例文帳に追加

少ない工程数でGOLD構造を形成し、左右のLDD領域における非対称性の発生を抑えて特性のばらつきを抑制することができる。 - 特許庁

To improve transistor characteristics of the polysilicon thin film transistor of an LDD structure.例文帳に追加

ＬＤＤ構造のポリシリコン薄膜トランジスタのトランジスタ特性を改善する。 - 特許庁

An MOS structure is formed of the LDD region and the metal electrodes, and when the transistor is turned on, the MOS is also turned on and the resistance of LDD is reduced.例文帳に追加

ＬＤＤ領域と金属電極とでＭＯＳ構造が形成され、トランジスタがＯＮになると、ＭＯＳもＯＮになりＬＤＤの抵抗が下がる。 - 特許庁

A source of LDD structure and a drain are formed on the active layer 101.例文帳に追加

能動層１０１にはＬＤＤ構造のソース・ドレインが形成されている。 - 特許庁

The second LDD region is self-aligned to the gate and spaced laterally apart from the gate such that the gate does not overlap the second LDD region.例文帳に追加

第２のＬＤＤ領域は、ゲートに自己整合され、かつゲートから横方向に離隔され、その結果ゲートは第２のＬＤＤ領域に対して重ならない。 - 特許庁

In the LDD layer 5a, formed from the surface of the semiconductor substrate 1 down to a predetermined depth D1, a p-type diffusion layer 10 is so formed as to be surrounded by the LDD layer 5a, excluding the surface of the LDD layer 5a, while being extended from the surface of the LDD layer 5a to a depth D3.例文帳に追加

半導体基板１の表面から所定の深さＤ１にわたり形成されたＬＤＤ層５ａには、ＬＤＤ層５ａの表面を除いてＬＤＤ層５ａに取り囲まれるとともに、ＬＤＤ層５ａの表面から深さＤ３にわたりｐ型拡散層１０が形成されている。 - 特許庁

THIN FILM TRANSISTOR HAVING SELF-ALIGNMENT LDD STRUCTURE AND ITS FABRICATION PROCESS例文帳に追加

セルフアライメントＬＤＤ構造を備えた薄膜トランジスタ及びその製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING LDD-TYPE SOURCE/DRAIN REGION AND PRODUCTION METHOD THEREFOR例文帳に追加

ＬＤＤ型ソース／ドレイン領域を有する半導体素子及びその製造方法 - 特許庁

The LDD diffusion region 34 of the second MIS transistor Tr2 is formed under the same condition as the LDD diffusion region 44 of a third MIS transistor Tr3.例文帳に追加

第２のＭＩＳトランジスタＴｒ２のＬＤＤ拡散領域３４を第３のＭＩＳトランジスタＴｒ３のＬＤＤ拡散領域４４と同条件で形成する。 - 特許庁

Temperature gradient is applied to an LDD region of TFT to gradually increase impurity concentration for conductive control, as the LDD region comes closer to a drain region.例文帳に追加

ＴＦＴのＬＤＤ領域をドレイン領域に近づくにつれて徐々に導電型制御用の不純物元素の濃度が高くなるような濃度勾配を持たせる。 - 特許庁

An LDD region 103 and an LDD region 104 comprise a part which is overlapped with the second gate electrode 115, via a gate insulating film 112 and a part which does not overlap with the second gate electrode.例文帳に追加

ＬＤＤ領域１０３、１０４は第２のゲート電極１１５にゲート絶縁膜１１２を介して重なる部分と重ならない部分とを有している。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a high-reliability thin film transistor with less characteristics variation wherein the offset structure or LDD structure can be formed in a simple process.例文帳に追加

簡略な工程でオフセット構造、あるいはLDD構造を形成でき、特性変動の少ない信頼性の高い薄膜トランジスタの製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

Concretely, a first LDD region is formed below the tapered portion of the gate electrode, and a second LDD region is formed below the tapered portion of the gate insulating film.例文帳に追加

具体的には、第１のＬＤＤ領域はゲート電極のテーパー部の下に設けられ、第２のＬＤＤ領域はゲート絶縁膜のテーパー部の下に設けられる。 - 特許庁

After the annealing processing, an S/D preinjection processing for forming the source/drain regions of the MOS transistor and an LDD injection processing for forming the impurity diffusing regions for LDD are performed.例文帳に追加

このアニール処理後にソース・ドレイン領域を形成するＳ／Ｄ前注入処理と、ＬＤＤ用不純物拡散領域を形成するＬＤＤ注入処理とを行う。 - 特許庁

A second gate layer 46 is subjected to pattern formation to the first gate layer and extended to cover a prescribed region of the gate insulation layer 40 and to cover the LDD structure 36.例文帳に追加

第二ゲート層４６は前記第一ゲート層にパターン形成され、延伸して前記ゲート絶縁層４０の所定領域を被覆し、その下の前記LDD 構造３６を被覆する。 - 特許庁

Further, a LDD spacer 540 is formed on the side wall of the select gate 506, and a drain diffusion region has a LDD structure with a HALO region 536.例文帳に追加

更には選択ゲート５０６の側壁にＬＤＤスペーサ５４０が形成され、ドレイン拡散領域はＨＡＬＯ領域５３６を有するＬＤＤ構造となっている。 - 特許庁

By controlling the LDD length at the drain terminal in each transistor 123, 125 to be longer than the LDD length of the driving transistor 121, leak currents in the transistors are reduced.例文帳に追加

各トランジスタ１２３，１２５のドレイン端ＤのＬＤＤ長を、駆動トランジスタ１２１のＬＤＤ長よりも長くすることで、それらのリーク電流を低減させる。 - 特許庁

By providing no LDD region on the LOCOS offset transistor and providing an LDD region on the regular transistor, the two can have no off leakage current.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳオフセットトランジスタにはＬＤＤ領域を設けず、通常のトランジスタにはＬＤＤ領域を設けることにより、ともにオフリーク電流をなくすることができる。 - 特許庁