「n-single crystal」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A high-concentration n-type single crystal semiconductor layer 8, an n-type single crystal semiconductor layer 4, a p-type single crystal semiconductor substrate 1 and a high-concentration p-type single crystal semiconductor layer 10 are function as a photoelectric conversion layer.例文帳に追加

高濃度ｎ型の単結晶半導体層８、ｎ型の単結晶半導体層４、ｐ型の単結晶半導体基板１、高濃度ｐ型の単結晶半導体層１０は、光電変換層として機能する。 - 特許庁

At the heterointerface of the n-type single crystal SiGe layer and the p-type single crystal SiGeC layer, a band gap of the p-type single crystal SiGeC layer is not smaller than the n-type single crystal SiGe layer.例文帳に追加

ｎ型単結晶ＳｉＧｅ層とｐ型単結晶ＳｉＧｅＣ層のヘテロ界面において、ｐ型単結晶ＳｉＧｅＣ層のバンドギャップは、ｎ型単結晶ＳｉＧｅ層以上である。 - 特許庁

An exemplary SiGeC heterojunction bipolar transistor has a collector comprising an n-type single crystal Si layer and an n-type single crystal SiGe layer.例文帳に追加

ＳｉＧｅＣヘテロ接合バイポーラトランジスタの代表例のコレクタは、ｎ型単結晶Ｓｉ層、及びｎ型単結晶ＳｉＧｅ層からなる。 - 特許庁

An n type single-crystal silicon layer 12 is formed, and a groove 13 is provided on a first principal plane of a high concentration n type single-crystal silicon substrate 11.例文帳に追加

高濃度のｎ型単結晶シリコン基板１１の第１主面上にｎ型単結晶シリコン層１２を形成し、溝１３を設ける。 - 特許庁

An oxide film 2 is selectively formed on an n^--single crystal silicon substrate 1.例文帳に追加

ｎ^-単結晶シリコン基板１上に酸化膜２を選択的に形成する。 - 特許庁

The first layer 11 comprises an n-type single crystal gallium nitride(GaN).例文帳に追加

第１層１１はｎ型単結晶の窒化ガリウム（ＧａＮ）からなっている。 - 特許庁

METHOD FOR INJECTING DOPANT AND N-TYPE SILICON SINGLE CRYSTAL例文帳に追加

ドーパントの注入方法及びＮ型シリコン単結晶 - 特許庁

The semiconductor substrate 1 is composed of n^+ type single crystal silicon.例文帳に追加

半導体基板１は、ｎ^＋型単結晶シリコンからなる。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL, AND N-TYPE HIGHLY DOPED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

シリコン単結晶の製造方法及びＮ型高ドープ半導体基板 - 特許庁

A threshold voltage of the single crystal silicon TFTs Q_1-Q_n is set to become larger sequentially.例文帳に追加

単結晶シリコンＴＦＴＱ_1 〜Ｑ_n の閾値電圧は順次高くなるように設定する。 - 特許庁

The n-GaInN second clad layer 5 comprises n-GaInN in non-single crystal state.例文帳に追加

ｎ−ＧａＩｎＮ第２クラッド層５は、非単結晶状態のｎ−ＧａＩｎＮからなる。 - 特許庁

METHOD FOR DOPING OXYGEN TO GALLIUM NITRIDE CRYSTAL AND OXYGEN-DOPED n-TYPE GALLIUM NITRIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE例文帳に追加

窒化ガリウム結晶への酸素ドーピング方法と酸素ドープされたｎ型窒化ガリウム単結晶基板 - 特許庁

In this production, at the time of growing a silicon single crystal by a CZ method, the single crystal is pulled up while doping the crystal with nitrogen under conditions such that the whole crystal surface of any of the resulting single crystal wafers becomes an N-region.例文帳に追加

ＣＺ法によってシリコン単結晶を育成する際に、窒素をドープしながら結晶全面がＮ−領域となる条件で引上げるシリコン単結晶ウエーハの製造方法である。 - 特許庁

The light-emitting diode further comprises multiple single crystal ZnO rods 13 formed on a single crystal n-type ZnO transparent electrode film 12.例文帳に追加

この発光ダイオードは、単結晶ｎ型ＺｎＯ透明電極膜１２上に形成された複数の単結晶ＺｎＯロッド１３をさらに具備する。 - 特許庁

The base of the transistor comprises a heavily doped p-type single crystal SiGeC layer, and its emitter comprises an n-type single crystal Si layer.例文帳に追加

又、ベースは高濃度ｐ型単結晶ＳｉＧｅＣ層からなり、更にエミッタはｎ型単結晶Ｓｉ層からなる。 - 特許庁

To provide a method for producing an N-type silicon single crystal, in which generation of OSF (oxidation-induced stacking fault) is prevented even when a silicon single crystal is produced by an FZ (floating zone) method, particularly, a silicon single crystal having a diameter of 8 inches (200 mm) or more is produced, and the N-type silicon single crystal.例文帳に追加

ＦＺ法によりシリコン単結晶、特には直径８インチ（２００ｍｍ）以上のシリコン単結晶を製造する場合であっても、ＯＳＦの発生を防止することができるＮ型シリコン単結晶製造方法及びＮ型シリコン単結晶を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon single crystal, by which an N-type highly doped single crystal can be stably produced without causing abnormal growth in crystal when the silicon single crystal is grown by a Czochralski method.例文帳に追加

チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を育成するに際して、結晶中に異常成長を生じさせずに、安定してＮ型高ドープの単結晶を製造することのできるシリコン単結晶の製造方法を提供すること。 - 特許庁

When a silicon single crystal is grown in accordance with the CZ method, the method for producing the silicon single crystal wafer comprises pulling the silicon single crystal while doping nitrogen under such a condition that the entire surface of the crystal becomes the N-region.例文帳に追加

ＣＺ法によってシリコン単結晶を育成する際に、窒素をドープしながら結晶全面がＮ−領域となる条件で引上げるシリコン単結晶ウエーハの製造方法である。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an n-type SiC single crystal with a decreased stress, the n-type SiC single crystal with a decreased stress obtained by the method, and applications of the crystal.例文帳に追加

応力を低減したｎ型ＳｉＣ単結晶を製造する方法、前記の方法によって得られる応力を低減したｎ型ＳｉＣ単結晶およびその用途を提供する。 - 特許庁

The method for producing a silicon single crystal by using the FZ method includes using a P-type silicon crystal formed by a CZ method as a raw material rod, and then forming an N-type silicon single crystal by performing gas-doping with an N-type impurity.例文帳に追加

ＦＺ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、ＣＺ法により形成されたＰ型のシリコン結晶を原料棒とし、Ｎ型の不純物をガスドープして、Ｎ型のシリコン単結晶を形成する。 - 特許庁

Additionally, on the back of the n^+ single crystal semiconductor substrate 1, a drain electrode 9 is formed.例文帳に追加

また、ｎ^+単結晶半導体基板１の裏面にはドレイン電極９が形成されている。 - 特許庁

An oxide film 21 is selectively formed on an n^--single crystal silicon substrate 29.例文帳に追加

ｎ^-単結晶シリコン基板２９上に酸化膜２１を選択的に形成する。 - 特許庁

An n-type epitaxial layer 8 is formed on a p-type single crystal silicon substrate 6.例文帳に追加

Ｐ型の単結晶シリコン基板６上にＮ型のエピタキシャル層８が形成されている。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon film 4 is formed on a back of an n-type single crystal silicon substrate 1.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面にｉ型非晶質シリコン膜４を形成する。 - 特許庁

An antireflective film 3 is formed on a main surface of an n-type single-crystal silicon substrate 1.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１の主面上に反射防止膜３が形成されている。 - 特許庁

A photodiode 41 comprises a basic body 42 of n-type single- crystal silicon.例文帳に追加

フォトダイオード４１はｎ型単結晶シリコンからなる基体４２を備えている。 - 特許庁

An n+-type silicon single crystal area 28 is formed in the area 26a of an IGBT1.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１の領域２６ａには、ｎ^+型シリコン単結晶領域２８が形成されている。 - 特許庁

In addition, a buried emitter is formed with little dimensional fluctuation on the single-crystal structure section 111a positioned in the emitter opening 114 by forming an n-type semiconductor layer.例文帳に追加

またこの上にＮ型半導体層で埋めエミッタ寸法バラツキを少なく形成する。 - 特許庁

The n-AlGaN second cladding layer 5 is made of n-A1GaN in a non-single crystal state.例文帳に追加

ｎ−ＡｌＧａＮ第２クラッド層５は、非単結晶状態のｎ−ＡｌＧａＮからなる。 - 特許庁

METHOD FOR SYNTHESIZING LOW RESISTANCE N-TYPE AND LOW RESISTANCE P-TYPE SINGLE CRYSTAL AlN THIN FILMS例文帳に追加

低抵抗ｎ型および低抵抗ｐ型単結晶ＡｌＮ薄膜の合成法 - 特許庁

In this semiconductor device, an N-type epitaxial layer 3 is formed on an N-type single crystal silicon substrate 2.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｎ型の単結晶シリコン基板２上にＮ型のエピタキシャル層３が形成されている。 - 特許庁

On an n^+ single crystal semiconductor substrate 1, an n^- epitaxial layer 2 that becomes a drain region is formed.例文帳に追加

ｎ^+単結晶半導体基板１上には、ドレイン領域となるｎ^-エピタキシャル層２が形成されている。 - 特許庁

The single crystal silicon TFTs Q_1-Q_n are switched sequentially by applying a saw-tooth shaped gate voltage to a common gate 8.例文帳に追加

共通のゲート電極８に鋸歯状波形のゲート電圧を印加して単結晶シリコンＴＦＴＱ_1 〜Ｑ_n を順次スイッチングする。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon film 6 and an n-type amorphous silicon film 7 are formed sequentially on the rear surface of the n-type single crystal silicon substrate 1.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面には、ｉ型非晶質シリコン膜６およびｎ型非晶質シリコン膜７が順に形成されている。 - 特許庁

A plurality of n-type first semiconductor regions 9 are formed, by providing a plurality of trenches 13 in an n-type single crystal silicon layer.例文帳に追加

ｎ型の複数の第１半導体領域９は、ｎ型の単結晶シリコン層に複数のトレンチ１３を設けることにより形成される。 - 特許庁

To provide a film of a semiconductor single crystal of n-type (100) face-oriented diamond doped with a phosphorous atom, and a process for producing the film.例文帳に追加

リン原子がドープされたn型(100)面方位ダイヤモンド半導体単結晶膜及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A silicon oxide film 10 is formed on the rear surface and each end face of an n-type single crystal silicon substrate 1 by subjecting the rear surface of the n-type single crystal silicon substrate 1 to thermal oxidation or ozone oxidation.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面を熱酸化またはオゾン酸化することにより、ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面および各端面に酸化シリコン膜１０を形成する。 - 特許庁

Finally, the n-type single crystal silicon substrate 1 is immersed into liquid HF thus removing the silicon oxide film 10 formed on the rear surface and each end face of the n-type single crystal silicon substrate 1.例文帳に追加

次に、ｎ型単結晶シリコン基板１を液体ＨＦに浸すことにより、ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面および各端面に形成された酸化シリコン膜１０を除去する。 - 特許庁

To provide a silicon single-crystal wafer,capable of having gettering capability with oxygen precipitates, even in an n/n^+ wafer, and to provide a method of manufacturing the same, and an epitaxial wafer using the silicon single-crystal wafer.例文帳に追加

ｎ／ｎ^+ウェーハにおいても酸素析出物によるゲッタリング能力を持たせることのできるシリコン単結晶ウェーハ、その製造方法、及びそのシリコン単結晶ウェーハを用いたエピタキシャルウェーハを提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an n-type SiC single crystal having small specific resistance despite low nitrogen (N) content, the SiC single crystal which can be prepared thereby and has small specific resistance, and the use thereof.例文帳に追加

窒素（Ｎ）の量を少なくしても比抵抗の小さいｎ型ＳｉＣ単結晶を製造する方法、前記の方法によって得られる比抵抗が小さいＳｉＣ単結晶およびその用途を提供する。 - 特許庁

The silicon carbide semiconductor device includes: a Schottky metal portion 8 for an N-type epitaxial layer 2 on an SiC single-crystal substrate 1; and the ohmic electrode 5 for a p-type silicon carbide single crystal 4 provided to the N-type epitaxial layer.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶基板１上のＮ型エピタキシャル層２に対するショットキー金属部８と、Ｎ型エピタキシャル層に設けられたｐ型炭化珪素単結晶４に対するオーミック性電極５とを備える。 - 特許庁

A barrier formed of the n+-type silicon single crystal area 28 and a p-type base area 14a has a value by which a hole cannot be diffused from the n+-type silicon single crystal area 28 to the p-type base area 14a.例文帳に追加

ｎ^+型シリコン単結晶領域２８とｐ型ベース領域１４ａとで形成されるバリアは、ホールがｎ^+型シリコン単結晶領域２８からｐ型ベース領域１４ａに拡散できない値である。 - 特許庁

The ultraviolet sensor 1 has an n-type β-Ga_2O_3 single-crystal substrate 2 and detection electrodes 3a and 3b which detect a current or voltage excited by receiving ultraviolet rays by the n-type β-Ga_2O_3 single-crystal substrate 2.例文帳に追加

紫外線センサ１は、ｎ型β−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶基板２と、ｎ型β−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶基板２が紫外線を受光して励起された電流あるいは電圧を検出する検出電極３ａ，３ｂとを備えている。 - 特許庁

The first opening is filled with a single crystal layer which has grown from the surface of an N-type epitaxial layer 5 and a poly-crystal layer which has grown from part of the bottom of the P-type poly-crystal silicon layer 11, and the single crystal layer includes at least the P-type single crystal silicon layer.例文帳に追加

第１の開口はＮ型のエピタキシャル層５の表面から成長した単結晶層とＰ型の多結晶シリコン層１１の底面の一部から成長した多結晶層で埋められ、上記単結晶層は少なくともＰ型の単結晶シリコン層を含む。 - 特許庁

A melt is made to contain Si and C in addition to Al and N by using an SiC single crystal as a seed crystal substrate 3.例文帳に追加

種結晶基板３としてＳｉＣ単結晶を使用し、融液にＡｌ、Ｎに加えてＳｉとＣを含有させる。 - 特許庁