「n-single crystal」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The manufacture of the SiC single crystal by a solution method includes: adding a nitrogen and an aluminum to a melt with the ratio of concentration of 1≤[N]/[Al]≤50, when the concentrations of nitrogen and aluminum that are a donor element to assume an n-type semiconductor are represented by [N] and [Al], respectively; and immersing the SiC seed crystal to grow up n-type SiC single crystal.例文帳に追加

溶液法によるＳｉＣ単結晶の製造において、ｎ型半導体とするためのドナー元素である窒素およびアルミニウムの濃度を各々［Ｎ］および［Ａｌ］で表わしたときに、窒素とアルミニウムとの濃度比を、１≦［Ｎ］／［Ａｌ］≦５０として融液に添加し、ＳｉＣ種結晶を浸漬することにより、ｎ型ＳｉＣ単結晶を成長させる。 - 特許庁

To provide a method for growing an n-type silicon single crystal of P-dope comprising only performing the addition at a primary stage prior to the crystal growing without the additional addition of a secondary dopant during the crystal growth to uniformalize the resistivity distribution in the crystal axial direction.例文帳に追加

Ｐドープのｎ型シリコン単結晶において、副ドーパントを結晶育成中に追加添加せず、結晶育成前の初期添加のみで、結晶軸方向の抵抗率分布を均一化する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon carbide single crystal that prevents certainly a silicon carbide single crystal from taking in remaining n-type impurities and p-type impurities having adverse effects on half-insulation properties of the silicon carbide single crystal.例文帳に追加

炭化ケイ素単結晶の半絶縁性に悪影響を及ぼす、余剰となるｎ型不純物・ｐ型不純物などが炭化ケイ素単結晶に取り込まれることを確実に防止することができる炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing the compound semiconductor single crystal comprises growing an Al_xGa_yIn_1-(x+y)N (0≤x≤1; 0≤y≤1; x+y≤1) single crystal of a hexagonal system, where the growing direction of the single crystal is changed at least in two steps of the thickness direction and the lateral direction.例文帳に追加

化合物半導体単結晶の製造方法は、六方晶系のＡｌ_xＧａ_yＩｎ_1-(x+y)Ｎ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１）単結晶の育成過程において、その単結晶の成長方向が少なくとも厚み方向と横方向の２段階に変更されることを特徴とする。 - 特許庁

When the SiC single crystal is grown, along with nitrogen (N) that serve as a donor element for achieving an n-type semiconductor, gallium (Ga) is added so that N (amount) and Ga (amount), which are amounts of N and Ga elements expressed in atm, respectively, satisfy the relation: N (amount)>Ga (amount).例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶を結晶成長する際に、ｎ型半導体とするためのドナー元素である窒素（Ｎ）とともにガリウム（Ｇａ）を、両元素のａｔｍ単位で表示して量であるＮ（量）およびＧａ（量）がＮ（量）＞Ｇａ（量）となるようにする。 - 特許庁

On a P-type single crystal silicon substrate 50, an N-type epitaxial silicon layer 51A and an N-type epitaxial silicon layer 51B are laminated, and P-type well area 52C is formed in the N-type epitaxial silicon layer 51B.例文帳に追加

Ｐ型の単結晶シリコン基板上５０に、Ｎ型エピタキシャル・シリコン層５１ＡとＮ型エピタキシャル・シリコン層５１Ｂとを積層し、Ｎ型エピタキシャル・シリコン層５１Ｂの中にＰ型ウエル領域５２Ｃを設ける。 - 特許庁

On this cathode film 24, a portion in contact with the n^--single crystal silicon substrate 29 is formed as a high-density n^+ buffer region 25, a p-base region 27 is formed next to this buffer region and an n^+ source region 26 is further formed next to this base region.例文帳に追加

このカソード膜２４において、ｎ^-単結晶シリコン基板２９と接触する部分が高濃度のｎ^+バッファ領域２５となり、その隣にｐベース領域２７を形成し、さらにその隣にｎ^+ソース領域２６を形成する。 - 特許庁

Then, the temperature is heated to 500°C, a gap is formed in the layer of the hydrogen ions, and the single-crystal silicon is separated by the gap, thus forming an N-type single- crystal silicon layer 4 on the electrode layer 3.例文帳に追加

その後、５００℃に加熱して前記水素イオンの層に空隙を形成して前記単結晶シリコンを前記空隙により切り離し、前記電極層(3) 上にＮ型単結晶シリコン層(4) を形成する。 - 特許庁

Even when the effective neutral base is enlarged by the increase of collector current, no energy barrier is formed in a conduction band at the heterointerface of the n-type single crystal SiGe layer and the p-type single crystal SiGeC layer.例文帳に追加

コレクタ電流の増加によって、実効的な中性ベースが拡大した場合でも、ｎ型単結晶ＳｉＧｅ層とｐ型単結晶ＳｉＧｅＣ層のヘテロ界面における伝導帯に、エネルギー障壁が発生しない。 - 特許庁

To provide a method of forming a single crystal of BNA (N-benzyl-2-methyl-4-nitroaniline), which is large in size and has an excellent crystallinity, and the single crystal of its derivative.例文帳に追加

大型で結晶性に優れたＢＮＡ（Ｎ−ベンジル−２−メチル−４−ニトロアニリン単結晶およびその誘導体の単結晶の形成方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a method for growing a gallium nitride single crystal into which oxygen can be incorporated as an n-type dopant.例文帳に追加

酸素をｎ型ドーパントとして取り込むことができる窒化ガリウム単結晶の成長方法を提供すること。 - 特許庁

In the inventive semiconductor device, an n-type epitaxial layer 4 is formed on a p-type single crystal silicon substrate 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｐ型の単結晶シリコン基板３上にＮ型のエピタキシャル層４が形成されている。 - 特許庁

In this semiconductor device, an n-type epitaxial layer 5 is formed on a p-type single crystal silicon substrate 4.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｐ型の単結晶シリコン基板４上にＮ型のエピタキシャル層５が形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor device, an N-type epitaxial layer 3 is formed on a P-type single crystal silicon substrate 2.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｐ型の単結晶シリコン基板２上にＮ型のエピタキシャル層３が形成されている。 - 特許庁

N-TYPE GaP SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, ITS MANUFACTURING METHOD, GaP GREEN LIGHT EMITTING DIODE AND EPITAXIAL SUBSTRATE THEREFOR例文帳に追加

ｎ型ＧａＰ単結晶基板、その製造方法、ＧａＰ緑色系発光ダイオード用エピタキシャル基板およびＧａＰ緑色系発光ダイオード - 特許庁

To provide a semiconductor device having an approximately intrinsic, single crystal GaN film being selectively doped to an n-type or a p-type.例文帳に追加

真性に近い単結晶ＧaＮ膜を有し、かつこの膜をｎ形又はｐ形に選択的にドープした半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus for producing a single crystal GaN film being nearly intrinsic and for selectively doping to make the formed film n-type or p-type.例文帳に追加

真性に近い単結晶ＧaＮ膜を作製しかつこれらの膜をｎ形又はｐ形に選択的にドープするための装置を提供する。 - 特許庁

A high concentration n type single-crystal silicon layer 18 from the first principal plane of the semiconductor layer 12 to the semiconductor substrate 11 is formed.例文帳に追加

半導体層１２の第１主面から半導体基板１１に至る高濃度のｎ型単結晶シリコン層１８を形成する。 - 特許庁

The solar cell is configured by integrating a P-N junction diode on a single-crystal silicon semiconductor substrate 1.例文帳に追加

太陽電池は、単結晶シリコン半導体基板１上にＰＮ接合ダイオードを集積化して構成される。 - 特許庁

FILM OF SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL OF N-TYPE (100) FACE-ORIENTED DIAMOND DOPED WITH PHOSPHORUS ATOM AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

リン原子がドープされたｎ型（１００）面方位ダイヤモンド半導体単結晶膜及びその製造方法 - 特許庁

It is desirable to form the p-type layer 11 on the surface including zinc atoms of the n-type ZnO bulk single crystal substrate 10.例文帳に追加

ｎ形ＺｎＯバルク単結晶基板１０の亜鉛原子を含む面にｐ形層１１を形成するのが望ましい。 - 特許庁

In this semiconductor device, two n-type epitaxial layers 5, 6 are formed on a p-type single crystal silicon substrate 4.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｐ型の単結晶シリコン基板４上に２層のＮ型のエピタキシャル層５、６が形成されている。 - 特許庁

In this semiconductor device, two n-type epitaxial layers 4, 5 are formed on a p-type single crystal silicon substrate 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、Ｐ型の単結晶シリコン基板３上に、２層のＮ型のエピタキシャル層４、５が形成されている。 - 特許庁

To grow a calcium fluoride single crystal having high optical uniformity (▵n=1×10^-6) and low birefringence (δ=0.5 to 1.0 nm/cm).例文帳に追加

高い光学的均質性（Δｎ＝１×１０^—６）および低い複屈折（δ＝０．５〜１．０ｎｍ／ｃｍ）を持つフッ化カルシウム単結晶を成長させる。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon film 2 is then formed on the major surface of the n-type single crystal silicon substrate 1 by plasma CVD (chemical vapor deposition).例文帳に追加

次に、プラズマＣＶＤ（化学蒸着）法によりｎ型単結晶シリコン基板１の主面上にｉ型非晶質シリコン膜２を形成する。 - 特許庁

A p-type polysilicon layer 7 is disposed on a n-type semiconductor layer 2 which is a single crystal silicon layer.例文帳に追加

単結晶シリコン層であるｎ−型半導体層２の上に、ｐ型の多結晶シリコン層７を設ける。 - 特許庁

As a means for forming a depletion layer in the n- silicon single crystal layers 5 and 11, the insulating embedded electrodes 7a-7e are used.例文帳に追加

ｎ^-シリコン単結晶層５、１１に空乏層を形成するため手段として、絶縁埋め込み電極７ａ〜７ｅを用いている。 - 特許庁

To produce an n-type high resistivity CdTe single crystal suitable for efficiently detecting X-ray without using any dopant.例文帳に追加

ドーパントなしで、効率的にＸ線検出用に適したｎ型・高抵抗率のＣｄＴｅ単結晶を製造する。 - 特許庁

A diaphragm 4 is formed by etching a prescribed amount of a pressure sensitive area of n-type single crystal Si layer 3.例文帳に追加

ｎ型単結晶Ｓｉ層３の感圧領域を所定の量だけエッチングしてダイアフラム４を形成する。 - 特許庁

On the major surface of the n-type single crystal silicon wafer 1, an i-type amorphous silicon film and a p-type amorphous silicon film are formed sequentially.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコンウエハ１の主面上にｉ型非晶質シリコン膜およびｐ型非晶質シリコン膜が順に形成されている。 - 特許庁

An insulating layer 6 is formed on the single crystal silicon layer 3 including the n-type and the p-type impurity regions 3a, 3b.例文帳に追加

Ｎ型およびＰ型不純物領域３ａ，３ｂを含む単結晶シリコン層３の上には絶縁層６が形成される。 - 特許庁

The substrate 2 is constituted of an n^+-type silicon single crystal substrate in which orientation of the upper surface is (100).例文帳に追加

半導体基板２は、その上面の面方位が（１００）面からなるｎ^＋型のシリコン単結晶基板から構成されている。 - 特許庁

On it, a second n^- layer (second semiconductor layer) 13 which is silicon single crystal is selectively epitaxially grown (figure 1(b): first growing step).例文帳に追加

この上に、シリコン単結晶である第２ｎ^−層（第２の半導体層）１３を選択エピタキシャル成長させる（図１（ｂ）：第１成長工程）。 - 特許庁

Because of this, a window part 7 consisting of an n-type single crystal silicon layer is formed in each groove part 3b in almost a rod type.例文帳に追加

このため、各溝部３ｂには、ｎ型単結晶シリコンからなる窓部７が略棒状に形成されている。 - 特許庁

A part used for a pressure sensitive area of n-type single crystal Si layer 1 is etched up to a SiO2 layer 2 used as an etching stopper layer.例文帳に追加

ＳｉＯ_2 層２をエッチングストッパ層としてｎ型単結晶Ｓｉ層１の感圧領域に相当する部分をＳｉＯ_2 層２までエッチングする。 - 特許庁

The base body 2 is formed of an n-type single crystal silicon layer which is used as a first conductivity type semiconductor layer.例文帳に追加

基体２は、第１導電型半導体としてのｎ型単結晶シリコンによって形成されている。 - 特許庁

The base body 2 is constituted of a substrate 11, and an epitaxial layer 12 which both consist of an N-type single crystal silicon film.例文帳に追加

基体２は、ともにｎ型単結晶シリコンからなる基板１１とエピタキシャル層１２とから構成されている。 - 特許庁

By using the single crystal diamond, the mechanical performance, stability and electrical properties of an N/MEMS device can be improved.例文帳に追加

単結晶ダイヤモンドを使用することによって、Ｎ／ＭＥＭＳデバイスの機械性能、安定性および電気特性を改良することができる。 - 特許庁

The n-type base area 24 is provided with a first partial area 24a made of single crystal silicon and a second partial area 24b made of silicon carbide.例文帳に追加

ｎ型ベース領域２４は、単結晶シリコンの第１部分領域２４ａと、炭化シリコンの第２部分領域２４ｂを有する。 - 特許庁

To produce an n-type group III nitride single crystal that has a high quality and a low resistance by a simple process.例文帳に追加

簡単な工程によって、高品質かつ低抵抗であるｎ型ＩＩＩ族窒化物単結晶を製造する。 - 特許庁

A positive electrode 100 and a negative electrode 200 are adjacently mounted on a reverse surface of the n-type single crystal silicon substrate 1.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面には、正極１００および負極２００が隣接するように設けられている。 - 特許庁

In the n-type silicon single crystal region 2, the dispersed resistance layer 7 functioning as a deformation detector is formed at the part of the diaphragm 1.例文帳に追加

ｎ型シリコン単結晶領域２には、ダイヤフラム１の部分において、歪み検出素子として機能する拡散抵抗層７が形成されている。 - 特許庁

Then a heat treatment is carried out to recrystallize the amorphous layer 12 into n-type silicon carbide 13 of cubic single crystal.例文帳に追加

次に、熱処理することで、アモルファス層１２を立方晶単結晶のｎ型炭化珪素１３に再結晶化させる。 - 特許庁

There are sequentially formed a buffer layer of BP material, a cubic-system p-type single crystal layer of BP material, a p-type group III nitride semiconductor crystal layer of hexagonal system, and an n-type group III nitride semiconductor crystal layer on a substrate comprising Si single crystal of p-type conductivity.例文帳に追加

ｐ形導電性のＳｉ単結晶からなる基板上に、ＢＰ系材料からなる緩衝層と、ＢＰ系材料からなる立方晶のｐ形単結晶層と、立方晶のｐ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層と、六方晶のｎ形ＩＩＩ族窒化物半導体結晶層とを順次形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor wafer includes a step of forming a temporary n-type single crystal silicon wafer 21a, wherein slicing a second n-type single crystal silicon ingot 110 with a multi wire saw 200 is started from an addition part 110a.例文帳に追加

本実施形態に係る半導体ウェハの製造方法によれば、仮ｎ型単結晶シリコンウェハ２１ａを形成する工程において、マルチワイヤーソー２００による第２ｎ型単結晶シリコンインゴット１１０のスライスを付加部１１０ａから開始する。 - 特許庁