「n-single crystal」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

This method for manufacturing a photovoltaic device comprises the steps of forming a substantially true i-type amorphous silicon layer 2a on the surface of an n-type single crystal silicon substrate 1, and thereafter introducing hydrogen into the substantially true i-type amorphous silicon layer 2a.例文帳に追加

この光起電力装置の製造方法は、ｎ型単結晶シリコン基板１の表面上に実質的に真性なｉ型非晶質シリコン層２ａを形成する工程と、この後、前記実質的に真性なｉ型非晶質シリコン層２ａに水素を導入する工程とを備えている。 - 特許庁

In a thin-film solar battery containing pin junction in which a non-single crystalline silicon thin film containing a crystal is used as an i- layer, the oxygen atom concentration on the interface between a p-type or an n-type conductive layer on a substrate side and the i-layer is suppressed to be 5×10^20 atoms/cm^3 or below.例文帳に追加

結晶質を含む非単結晶シリコン系薄膜をｉ層として用いたｐｉｎ接合を含む薄膜太陽電池における基板側のｐまたはｎ型導電層とｉ層との界面における酸素原子濃度を５×１０^20ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下に抑制する。 - 特許庁

In a non-punch through-trench IGBT device with extremely low voltage drop quantity V_CEON, an n^- non-epitaxial float zone 126 constituting a part of a buffer area is formed in a single crystal silicon wafer 125 and an additional depletion stop layer 30 to be an n^+ buffer layer is formed on the surface of its bottom.例文帳に追加

極めて低い電圧低下量Ｖ_CEONの非パンチスルートレンチＩＧＢＴデバイスにおいて、単結晶シリコンウエハ１２５中に、バッファー領域の一部を構成するＮ^−非エピタキシャルフロートゾーン１２６とその底部表面にＮ^＋バッファー層である追加の空乏ストップ層３０を設ける。 - 特許庁

The element main body unit 60 comprises an n-type GaAs single crystal substrate 1 (shown simply as a substrate hereinafter) as a substrate for growth, an n-type GaAs buffer layer 2 formed on a first main surface, a light emitting layer unit 24 formed on the buffer layer 2, and a current diffusion layer 20 formed on the light emitting layer unit.例文帳に追加

この素子本体部６０は、成長用基板としてのｎ型ＧａＡｓ単結晶基板（以下、単に基板という）１と、その第一主表面上に形成されるｎ型ＧａＡｓバッファ層２と、このバッファ層２上に形成される発光層部２４と、この発光層部上に形成される電流拡散層２０とを含む。 - 特許庁

This nitride-based light emitting element comprises: an n-clad layer disposed on a single crystal wafer; a porous layer formed by subjecting the n-clad layer from the upper surface to a predetermined depth to surface treatment in a mixed gas atmosphere of HCl and NH_3; and an activated layer and p-clad layer disposed on the porous layer in this order.例文帳に追加

単結晶ウェハ上に形成されたｎ−クラッド層と、ｎ−クラッド層の上面から所定深さまでＨＣｌとＮＨ_３との混合ガス雰囲気で表面処理して形成された多孔性層と、多孔性層上に順次に形成された活性層及びｐ−クラッド層と、を備える窒化物系発光素子である。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon single crystal wafer consisting of an N-region where neither V-rich region nor I-rich region is present and the defect density is extremely low in the entire surface of the crystal produced by the CZ method, under the condition that can be controlled easily in a wide range, while maintaining high yield and high productivity.例文帳に追加

制御幅が広く、制御し易い製造条件の下で、Ｖ−リッチ領域およびＩ−リッチ領域のいずれも存在しない、結晶全面に亙って極低欠陥密度であるＮ−領域からなるＣＺ法によるシリコン単結晶ウエーハを、高歩留り、高生産性を維持しながら製造する方法を提供する。 - 特許庁

On the SiC substrate 102 of the light emitting diode element 100, a porous layer 124 composed of porous single-crystal 6H type SiC to which B and N are added is formed, and when the porous layer 124 is excited with ultraviolet light emitted from a nitride semiconductor layer, visible light of blue to green can be obtained.例文帳に追加

発光ダイオード素子１００のＳｉＣ基板１０２に、Ｂ及びＮが添加されたポーラス状の単結晶６Ｈ型ＳｉＣからなるポーラス層１２４を形成し、窒化物半導体層から発せられる紫外光によりポーラス層１２４が励起されると、青色から緑色の可視光が得られるようにした。 - 特許庁

The light emitting diode has an SiC layer formed of a 6H type SiC single-crystal substrate doped with B and N, and a nitride semiconductor layer of ≤408 nm in light emission wavelength, and the SiC layer is excited with primary light from the nitride semiconductor layer to emit secondary light in the visible range.例文帳に追加

発光ダイオードにおいて、Ｂ及びＮがドーピングされた６Ｈ型ＳｉＣ単結晶蛍光体からなるＳｉＣ層と、発光波長が４０８ｎｍ以下である窒化物半導体層と、を備え、前記ＳｉＣ層は、前記窒化物半導体層からの１次光により励起され、可視領域の２次光を発するようにした。 - 特許庁

This photovoltaic power apparatus includes a photoelectric conversion layer made of an n-type single crystal silicon substrate 1 in which light is incident from the surface side, and the transparent conductive film 4 formed on the surface of the photoelectric conversion layer including an indium oxide layer having the surface orientation (222) and including two peaks of the surface (222) of the indium oxide layer.例文帳に追加

この光起電力装置は、表面側から光が入射されるｎ型単結晶シリコン基板１からなる光電変換層と、光電変換層の表面上に形成され、（２２２）面の配向を有する酸化インジウム層を含むとともに、酸化インジウム層における（２２２）のピークが、２つのピークを含む透明導電膜４とを備えている。 - 特許庁

In this electro-optical device, a scanning line driving circuit 400 and a data line driving circuit 200 which make a TFT (thin film transistor) having a channel region consisting of a single crystal silicon layer one of structural elements are formed on an active matrix substrate and N-channel TFTs which form source-tie structure are used in the scanning line driving circuit 400 and the data line driving circuit 200.例文帳に追加

本発明の電気光学装置は、アクティブマトリクス基板上に、単結晶シリコン層からなるチャネル領域を有するＴＦＴを構成要素の一つとする走査線駆動回路４００およびデータ線駆動回路２００が形成され、走査線駆動回路４００およびデータ線駆動回路２００にソースタイ構造をなすＮチャネルＴＦＴが用いられている。 - 特許庁

This light emitting element 100 has a structure in which the light emitting layer 24 is stuck to the main surface MP2 of a conductive n-type single-crystal Si substrate 7 through an Au layer 40 on the Si substrate side 7 and an ITO layer (transparent conductive oxide layer for joining) 10 which is in contact with the Au layer 40 and on the light emitting layer 24 side.例文帳に追加

発光素子１００は、導電性基板であるｎ型Ｓｉ単結晶基板７の主表面ＭＰ２上に、該ｎ型Ｓｉ単結晶基板７側のＡｕ層４０と、これと接する発光層部２４側のＩＴＯ層（接合用透明導電性酸化物層）１０とを介して、発光層部２４が貼り合わされた構造を有する。 - 特許庁

The photovoltaic element 1 includes semiconductor each layer (2 to 4, 9 and 10), including an n-type single crystal silicon substrate 2, and a ZnO layer 7 formed on the semiconductor each layer (2 to 4, 9 and 10) and comprising an optically transparent material, and having, on an incidence side of light, a through-hole 7a that extends in the film thickness direction.例文帳に追加

この光起電力素子１では、ｎ型単結晶シリコン基板２を含む半導体各層（２〜４、９および１０）と、半導体各層（２〜４、９および１０）上に形成され、光が入射する側に、膜厚方向に延びる貫通孔７ａを有する透光性材料からなるＺｎＯ層７とを備えている。 - 特許庁

A gate insulating film 13 and a gate electrode 14 of an nMOS transistor are formed on a silicon substrate 10 with non-single-crystal silicon, and a source-drain region of the nMOS transistor is formed by implanting an n-type dopant having a relatively large mass number (the mass number ≥70) such as As or Sb using the gate electrode 14 as a mask.例文帳に追加

シリコン基板１０上にｎＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜１３およびゲート電極１４を非単結晶シリコンで形成し、ゲート電極１４をマスクとして例えばＡｓやＳｂ等の比較的質量数が大きい（質量数７０以上）ｎ型ドーパントを注入することで、ｎＭＯＳトランジスタのソースドレイン領域を形成する。 - 特許庁

In a photovoltaic device provided with a substantially intrinsic amorphous silicon layer containing hydrogen between an n-type single crystal silicon substrate and a p-type amorphous silicon layer containing hydrogen, a trap layer is formed between the p-type amorphous silicon layer and the intrinsic amorphous silicon layer, wherein the hydrogen concentration of the trap layer is lower than that of the intrinsic amorphous silicon layer.例文帳に追加

この発明は、ｎ型単結晶シリコン基板と水素を含有するｐ型非晶質シリコン層との間に、水素を含有する実質的に真性な非晶質シリコン層を設けた光起電力装置において、前記ｐ型非晶質シリコン層と前記真性な非晶質シリコン層との間に、前記真性な非晶質シリコン層の水素濃度より水素濃度が低いトラップ層を設ける。 - 特許庁

The second clad layer 109 and the p-type ZnO contact layer 110 are formed to have mesa-shaped cross sections which are made wider on the second clad layer 109 side than the p-type ZnO contact layer 110 side in the direction parallel to the surface of the n-type ZnO single-crystal substrate 101.例文帳に追加

上記ｐ型ＭｇＺｎＯ第２クラッド層１０９およびｐ型ＺｎＯコンタクト層１１０は、ｎ型ＺｎＯ単結晶基板基板１０１の表面と平行な方向の断面が、ｐ型ＺｎＯコンタクト層１１０側よりもｐ型ＭｇＺｎＯ第２クラッド層１０９側で広いメサ形状になっている。 - 特許庁

This method also includes a fourth step of coating the single crystal obtained in the step 3 with the p- or n-type semiconductor material and baking the material.例文帳に追加

Ｂｉ、Ｔｅからなる原料を溶融する第１のステップと、該第１のステップで得られた溶融後の母材を粉砕することにより、粉末状のｐ型、若しくはｎ型半導体材料を得る第２のステップと、該第２ステップで得られたｐ型、若しくはｎ型半導体材料を加圧整形した後、溶融することにより単結晶を得る第３ステップと、該第３ステップで得られた単結晶をｐ型、若しくはｎ型半導体材料で被覆焼成する第４ステップと、からなることを特徴とする。 - 特許庁

Then, an n-channel transistor and a p-channel transistor are formed each having a <110> axis of the single crystal semiconductor layer in a channel length direction.例文帳に追加

（１１０）面を主表面に有する単結晶半導体基板において、主表面にイオンを照射して単結晶半導体基板中に脆化層を形成し、単結晶半導体基板の主表面に絶縁層を形成し、絶縁層と、絶縁表面を有する基板とを接合させ、単結晶半導体基板を、脆化層において分離させることにより、絶縁表面を有する基板上に、（１１０）面を主表面とする単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層の＜１１０＞軸方向がチャネル長方向となるように、ｎチャネル型のトランジスタとｐチャネル型のトランジスタを形成する。 - 特許庁

The light emitting device comprises a light emitting element 2 composed of an n-type clad layer 3 of a GaAs compound single crystal film, an active layer 4 and a p-type clad layer 5 laminated one above another on the upside of a substrate 1 and the element 2 is energized to recombine electrons with holes in the active layer 4, thereby causing the emitting element 2 to emit a light.例文帳に追加

基板１の上面に、ＧａＡｓ系化合物半導体の単結晶薄膜から成るｎ型クラッド層３、活性層４及びｐ型クラッド層５を積層してなる発光素子２を備え、該発光素子２に通電しながら活性層４内で電子と正孔とを再結合させることによって発光素子２を発光させる半導体発光装置において、前記発光素子２の活性層４に、Ｚｎを不純物として１×１０^19個／ｃｍ^3〜２×１０^20個／ｃｍ^3の密度でドーピングする。 - 特許庁

This silicon single crystal ingot is characterized by pulling it out using Czochralski method from a molten silicon liquid 7 obtained by doping nitrogen N to a polysilicon, having 1×1013-1.2×1015 atoms/cm3 nitrogen concentration and setting ≤200 min passing time through 1,100-700°C temperature zone for solving the unevenness of the BMD density on the wafer surface caused by the OSF ring.例文帳に追加

ポリシリコンに窒素をドーピングしたシリコン融液からチョクラルスキー法を用いて引上げられ、その結晶中の窒素濃度は１×１０^１３〜１．２×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３であり、結晶育成中に結晶が体験する１１００〜７００℃の温度領域の通過時間を２００分以下となるようにし、ＯＳＦリングに起因するＢＭＤ密度のウェーハ面内における不均一性を解消することを特徴とするシリコン単結晶インゴットの製造方法。 - 特許庁