「n-single crystal」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method for manufacturing the silicon single crystal by a Czochralski method, the single crystal in which the whole surface of the crystal is the N region and/or I region is grown by doping boron and carbon so that the total concentration of the dopants in the crystal becomes within a range of ≥1×10^17 atoms/cc when the single crystal is grown.例文帳に追加

チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造する方法において、単結晶を育成する際に、ボロン及び炭素を、単結晶中の濃度が合せて１×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上の範囲となるようにドープして、結晶全面がＮ領域及び／又はＩ領域の単結晶を育成することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 - 特許庁

The method of detecting the defect of the silicon carbide single crystal is characterized in etching the n-type silicon carbide single crystal with an etchant prepared by adding at least one kind among Na_2O_2, BaO_2, NaNO_3, and KNO_3 to molten KOH, and detecting the defect of the crystal from a formed etch pit.例文帳に追加

溶融ＫＯＨにＮａ_２Ｏ_２，ＢａＯ_２，ＮａＮＯ_３，ＫＮＯ_３の少なくとも１種を添加したエッチング液によりｎ型炭化珪素単結晶をエッチングし、形成されたエッチピットにより結晶の欠陥を検出することを特徴とする炭化珪素単結晶の欠陥検出方法。 - 特許庁

In a method of manufacturing a single crystal by Czochralski method by pulling a single crystal from the feed melt liquid in a crucible heated and melted by a heater, this method uses a heater having an inner diameter of ≥1.26 times the inner diameter of the crucible and manufactures N region crystal in total surface.例文帳に追加

チョクラルスキー法によりヒータで加熱溶融されたルツボ中の原料融液から単結晶を引上げて単結晶を製造する方法において、前記ヒータの内径をルツボの内径の１．２６倍以上として全面Ｎ領域結晶を製造する単結晶の製造方法。 - 特許庁

A Schottky diode 10 is provided with an n+ type single-crystal silicon carbide substrate 12 and an n-type epitaxial silicon carbide layer 14, while through-holes (micropipes) 16 exist in the substrate 12 and the epitaxial silicon carbide layer 14.例文帳に追加

ショットキーダイオード１０はｎ^＋型の単結晶炭化珪素基板１２とｎ^−型のエピタキシャル炭化珪素層１４とを有し、基板１２及びエピタキシャル炭化珪素層１４には貫通孔（マイクロパイプ）１６が存在する。 - 特許庁

The negative electrode 200 includes, orderly on the reverse surface of the n-type single crystal silicon substrate 1, an i-type amorphous silicon film 4, an n-type amorphous silicon film 6, a reverse surface electrode 8 and a collector electrode 10.例文帳に追加

負極２００は、ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面上に順に形成されたｉ型非晶質シリコン膜４、ｎ型非晶質シリコン膜６、裏面電極８および集電極１０を含む。 - 特許庁

The photo-semiconductor light emitting device comprises an n-GaAs substrate (1) consisting of semiconductor single crystal having an n-side electrode (6) at the rear surface and an n1-GaAsP layer (21) formed thereon as a growth layer.例文帳に追加

裏面にｎ側電極(6)を持つ半導体単結晶から成るｎ−ＧａＡｓ基板(1)、その上に成長層として形成されたｎ１−ＧａＡｓＰ層(21)を有する。 - 特許庁

In the cathode film 3, a part in contact with the n^--single crystal silicon substrate 1 becomes an n^+ buffer region 7 having high density, and a p base region 6 is formed adjacently to this region.例文帳に追加

また、カソード膜３において、ｎ^-単結晶シリコン基板１と接触する部分が高濃度のｎ^+バッファ領域７となり、その隣にｐベース領域６を形成する。 - 特許庁

The n-type semiconductor diamond 1 is formed on a substrate 3 which is a diamond {110} single crystal substrate, and provided with a first non-doped diamond layer 7 and an n-type diamond layer 5.例文帳に追加

ｎ型半導体ダイヤモンド１は、ダイヤモンド｛１１０｝単結晶基板である基板３上に形成されており、第１のノンドープダイヤモンド層７及びｎ型ダイヤモンド層５を備えている。 - 特許庁

On a P-type single crystal silicon substrate 50, an N-type epitaxial silicon layer 51 is grown, and a P-type well area 52 is formed in this N-type epitaxial silicon layer 51.例文帳に追加

Ｐ型単結晶シリコン基板５０上にＮ型のエピタキシャル・シリコン層５１を成長させ、このエピタキシャル・シリコン層５１内にＰ型ウエル領域５２を設ける。 - 特許庁

The i-type amorphous silicon film 6 has a two layer structure of an i-layer 61 on the n-type single crystal silicon substrate 1 side and an i-layer 62 on the n-type amorphous silicon film 7 side.例文帳に追加

ｉ型非晶質シリコン膜６は、ｎ型単結晶シリコン基板１側のｉ層６１およびｎ型非晶質シリコン膜７側のｉ層６２からなる２層構造を有する。 - 特許庁

An n^- drift layer 2 is formed on an n^+ single crystal SiC substrate, a p^+ base layer 3 is formed on the layer 2, trenches 4 reach as far as the layer 2, and the layer 3 is formed so as to have a prescribed width W.例文帳に追加

ｎ^+型単結晶ＳｉＣ基板１上にｎ^-ドリフト層２が形成され、ドリフト層２上にｐ^+ベース層３が形成され、トレンチ４はドリフト層２に達し、かつ、ベース３が所定幅Ｗとなるように形成されている。 - 特許庁

On a ZnO single crystal substrate 1, an n-type contact layer 6, an n-type clad layer 7, an active layer 8, p-type clad layer 9, and a p-type contact layer 10 are sequentially laminated.例文帳に追加

ＺｎＯ単結晶基板１上にｎ形コンタクト層６、ｎ形クラッド層７、活性層８、ｐ形クラッド層９、及びｐ形コンタクト層１０が順次積層されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a single crystal capable of enhancing productivity by increasing pulling speed in manufacturing a low oxygen N (neutral) region crystal, and its manufacturing unit.例文帳に追加

低酸素Ｎ領域結晶を製造する際の引上速度を高速化して、生産性を向上することができる単結晶の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a photovoltaic device, which is a lamination of a plurality of unit elements having p-n or p-i-n structures made of a silicon-based non-single crystal semiconductor material, with its photovoltaic efficiency enhanced by stabilizing the p/n interface structures for improvement on interfacial characteristics and in film adhesion.例文帳に追加

シリコン系非単結晶半導体材料からなるｐｎ又はｐｉｎ構造を有する複数の単位素子を積層した光起電力素子において、ｐ／ｎ界面の構造を安定させ、界面特性および膜密着性を向上させることにより、光電変換効率の高い光起電力素子を提供する。 - 特許庁

The plane size of the light-emitting device can be made smaller than an n-type electrode 9 is formed on the n-type contact layer 3 because the n-type electrode 9 is formed on the substrate 11 by imparting a conductivity to the substrate 11 composed of the ZnO single crystal in this case.例文帳に追加

このとき、ＺｎＯ単結晶の基板１１に導電性を持たせることで、基板１１にｎ型電極９を形成することができるため、ｎ型コンタクト層３上に、ｎ型電極９を形成する場合より、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の平面サイズを小さくすることができる。 - 特許庁

The method for producing the silicon single crystal by the FZ method produces the N-type silicon single crystal by doping using, as a doping gas, Ar-based PH_3 gas and Ar-based B_2H_6 gas.例文帳に追加

ＦＺ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、ドープガスとしてＡｒベースのＰＨ_３ガスとＡｒベースのＢ_２Ｈ_６ガスとを用いてドープすることによりＮ型のシリコン単結晶を製造することを特徴とするＮ型シリコン単結晶の製造方法。 - 特許庁

This method for producing an N- or P-type single crystal with a resistivity of 1-50 Ω.cm comprises the following practice: a silicon single crystal seed 1 containing germanium at a concentration of 1018 to 1020 atoms/cm3 is used and a neck part 2 comparable in diameter to the seed is parallel-grown.例文帳に追加

チョクラルスキー法により抵抗値１〜５０Ω・ｃｍのＮ型又はＰ型のシリコン単結晶を製造するに際し、１０^18〜１０^20 atoms／ｃｍ^3 のゲルマニウムを含むシリコン単結晶のシード１を使用し、シードと同程度の直径のネック部２をパラレル成長させる。 - 特許庁

The method of manufacturing silicon single crystal wafer and silicon single crystal are characterized in that in the silicon single crystal water grown by the Czochralski method, in N region out side of OSF ring generated in ring state at the time of heat oxidizing process for all surfaces of the wafer, no defective region is existing which is to be detected by Cu deposition.例文帳に追加

チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶ウエーハにおいて、ウエーハ全面が熱酸化処理をした際にリング状に発生するＯＳＦの外側のＮ領域であって、Ｃｕデポジションにより検出される欠陥領域が存在しないものであることを特徴とするシリコン単結晶ウエーハ及びシリコン単結晶の製造方法。 - 特許庁

A thin amorphous silicon film is formed on a glass substrate 1 having a level difference and irradiated with light from a high pressure mercury lamp to cause graphoepitaxial growth using the level difference as a seed thus forming a polycrystal or single crystal silicon thin film 4 which is then used for forming polycrystal or single crystal silicon TFTs Q_1-Q_n.例文帳に追加

段差を設けたガラス基板１上に非晶質シリコン薄膜を形成し、高圧水銀ランプ光を照射して段差をシードとするグラフォエピタキシャル成長を起こさせて多結晶または単結晶シリコン薄膜４を形成し、これを用いて多結晶または単結晶シリコンＴＦＴＱ_1 〜Ｑ_n を形成する。 - 特許庁

An n-type nitride semiconductor layer 32, active layer 33, and p-type nitride semiconductor layer 34 are formed sequentially on a nitride single crystal growth substrate 31, and at a nearly central region across the n-type nitride layer's surface, a high-resistance region 34a where the nitride single crystal is damaged is formed via a mask M whose middle is made open.例文帳に追加

窒化物単結晶成長用基板３１上に順次ｎ型窒化物半導体層３２、活性層３３、ｐ型窒化物半導体層３４を形成し、ｎ型窒化物層の表面の少なくとも一面のほぼ中央領域に中央が開放されたマスクＭを介して窒化物単結晶が損傷された高抵抗領域３４ａを形成する。 - 特許庁

An N-type first single-crystal silicon layer (collector region) 10c is provided on a silicon substrate 10a via a first insulating film 10b, and a P-type first polysilicon layer (base extracting region) 12 is provided on the N-type first single-crystal silicon layer 10c through the intermediary of a second insulating film 11.例文帳に追加

シリコン基板１０ａの上に第１の絶縁膜１０ｂを介してｎ型の第１の単結晶シリコン層（コレクタ領域）１０ｃが設けられており、該第１の単結晶シリコン層１０ｃの上には第２の絶縁膜１１を介してｐ型の第１のポリシリコン層（ベース用引き出し領域）１２が設けられている。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor element includes the steps of dissolving silver to an electrolyte containing hydrogen fluoride; and contacting an n-type single crystal silicon substrate 1 with the electrolyte, into which silver is dissolved to form a rugged shape 1a onto the surface of the n-type single crystal silicon substrate 1 without the need for power application.例文帳に追加

この半導体素子の製造方法は、フッ化水素を含有する電解液に、銀を溶解させる工程と、銀が溶解された電解液に、ｎ型単結晶シリコン基板１を接触させることにより、通電を行うことなく、ｎ型単結晶シリコン基板１の表面に凹凸形状１ａを形成する工程とを備えている。 - 特許庁

Crystal plane orientations of single crystal semiconductor layer that become a channel region of an N conductivity type thin film transistor and a channel region of a P conductivity type thin film transistor both formed on the same substrate flat surface are formed to be optimum crystal plane orientations in the respective thin film transistors.例文帳に追加

同一基板平面上に形成されたＮ導電型薄膜トランジスタのチャネル領域とＰ導電型薄膜トランジスタのチャネル領域となる単結晶半導体層の結晶面方位が、それぞれの薄膜トランジスタにおいて最適な結晶面方位となるように形成する。 - 特許庁

To be concrete, the solar battery cell is manufactured by forming a gallium-doped region 49 in the single crystal silicon substrate 41 formed by working a boron-doped single crystal silicon crystal pulled up by the CZ method by diffusing gallium in the substrate 41 from the first main surface side of the substrate 41 and forming a p-n junction section 48 in the region 49.例文帳に追加

具体的には、ＣＺ法によりボロンを添加したシリコン単結晶を引き上げ、該シリコン単結晶を加工したシリコン単結晶基板４１に第一主表面側からガリウムを拡散してガリウム添加領域４９を形成し、そのガリウム添加領域４９にｐ−ｎ接合部４８を形成して太陽電池セルとなす。 - 特許庁

In a semiconductor device, an n+-type drain diffusion areas 4 which is formed as an impurity diffusion layer is formed in the n-type silicon layer (silicon active layer) of an SOI substrate constituted by forming the silicon layer 3 on a single-crystal silicon substrate 1 through a silicon oxide insulating layer 2.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１上にシリコン酸化膜からなる絶縁層２を介してｎ形シリコン層（シリコン活性層）３を有するＳＯＩ基板のｎ形シリコン層３に不純物拡散層たるｎ^+形ドレイン拡散領域４が形成されている。 - 特許庁

A recess is formed on the main surface of a single-crystal silicon substrate 101 so as to form a trench, n+ diffusion layers 117 as a pair of counter electrodes are formed by sandwiching the trench in the face direction of the substrate, and an n+ diffusion layer 117 is formed in a direction at right angles to the face direction of the substrate.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１０１の主表面に凹部，トレンチを形成し、基板面方向にトレンチを挟んで一対の対向電極としてのｎ＋拡散層１１７を形成するとともに、基板面方向に直交する方向にｎ＋拡散層１１７を形成する。 - 特許庁

In the oxide semiconductor light emitting element, an n-type MgZnO clad layer 103, a non-doped quantum well active layer 105, a p-type MgZnO second clad layer 109, and a p-type ZnO contact layer 110, are successively laminated upon an n-type ZnO single-crystal substrate 101.例文帳に追加

ｎ型ＺｎＯ単結晶基板基板１０１上に、ｎ型ＭｇＺｎＯクラッド層１０３、ノンドープ量子井戸活性層１０５、ｐ型ＭｇＺｎＯ第２クラッド層１０９およびｐ型ＺｎＯコンタクト層１１０を順次積層する。 - 特許庁

On a n-type ZnO bulk single crystal substrate 10 formed into low resistance by doping a donor impurity, as a p-type layer 11, a semiconductor thin film composed of a ZnO-based compound, in which nitrogen is doped, is formed to make a p-n junction.例文帳に追加

ドナー不純物のドーピングによって低抵抗化したｎ形ＺｎＯバルク単結晶基板１０上に、ｐ形層１１として窒素をドープしたＺｎＯ系化合物からなる半導体薄膜を形成してｐｎ接合させている。 - 特許庁

Since no grain boundary exists in these p-n junction and p-i-n junction or in the channel region, the concentration of the catalytic substance is lowered and a diode or a transistor having characteristics close to those attained by using a single crystal can be manufactured.例文帳に追加

この場合、これらのｐ−ｎ接合やｐ−ｉ−ｎ接合領域またはチャネル領域内に結晶粒界がなく、触媒物質濃度が低くなり、単結晶を用いた場合に近い特性のダイオードやトランジスタを作製することができる。 - 特許庁

A single-crystal silicon layer 8 and a metal silicide layer 13 layered on it are formed on a bulk silicon substrate side of a planar structure p-n junction, formed in an SOI layer which is a thermoelectric transducing part of a forward bias p-n junction type non-cooled infrared sensor.例文帳に追加

順バイアスｐｎ接合型の非冷却赤外線センサの熱電変換部となる、ＳＯＩ層に形成されたプレーナ構造ｐｎ接合のバルクシリコン基板側に単結晶シリコン層８と積層された金属シリサイド層１３が形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer with an epitaxially deposited layer which has especially low resistivity, and has a substrate wafer of single crystal silicon doped with dopant atoms of an n type or p type.例文帳に追加

比抵抗が特に低い、ｎ型又はｐ型のドーパント原子でドープされた単結晶シリコンからなる基板ウェハを有する、エピタキシャル層を備えた半導体ウェハ - 特許庁

The switching circuit 10 includes the Schottky diode 8 equipped with an n-type Ga_2O_3 substrate 80 comprising β-Ga_2O_3 single crystal.例文帳に追加

スイッチング回路部１０は、β—Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなるｎ型Ｇａ_２Ｏ_３基板８０を備えたショットキーダイオード８を含んで構成される。 - 特許庁

At that time, the gas-doping amount of the impurity is adjusted so that the resistivity of the N-type silicon single crystal becomes lower than that of the raw material rod.例文帳に追加

その際、前記不純物のガスドープ量を、前記Ｎ型のシリコン単結晶の抵抗率が前記原料棒の抵抗率より低くなるように調整している。 - 特許庁

An N-type silicon single crystal substrate having volume resistivity ranging from 1 to 100 Ωcm is anodized by using a mixed solution of water, a hydrofluoric acid and ethanol with a specified concentration as an electrolyte.例文帳に追加

１Ω・ｃｍ乃至１００Ω・ｃｍの範囲の体積抵抗率を有するＮ型のシリコン単結晶基板を、所定濃度の水／フッ酸／エタノール混合溶液を電解液として用い、陽極酸化する。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon film 2 and an antireflection film 3 composed of an amorphous silicon nitride or the like are formed successively on the main surface of an n-type single-crystal silicon substrate 1.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１の主面上にｉ型非晶質シリコン膜２および非晶質窒化シリコン等からなる反射防止膜３が順に形成されている。 - 特許庁

Hydrogen ions are injected in a layer from the uneven surface of an N-type single-crystal silicon to a depth of 100 nm, then the uneven surface is stuck to an electrode layer 3 on a glass substrate 2.例文帳に追加

Ｎ型単結晶シリコンの凹凸面から１００nmの深さまで水素イオンを層状にイオン注入した後、ガラス基板(2) 上の電極層(3) に前記凹凸面を固着する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 comprises a single crystal semiconductor portion 19 including an n-type first semiconductor layer 15 and a p-type second semiconductor layer 17 arranged alternately on the surface of a semiconductor substrate to constitute a stripe plane.例文帳に追加

半導体装置１は、ストライプ状の平面が構成されるように、半導体基板の表面上に交互に配置されたｎ型の第１半導体層１５とｐ型の第２半導体層１７を含む単結晶半導体部１９を備える。 - 特許庁

On the silicon carbide single crystal substrate 1, an n-type epitaxial layer 2 made of silicon carbide and a p-type semiconductor region 3 made of silicon carbide are stacked.例文帳に追加

炭化珪素単結晶基板１の上に、炭化珪素よりなるｎ型エピタキシャル層２および炭化珪素よりなるｐ型半導体領域３を積層する。 - 特許庁

An n-type single crystal silicon wafer 1 has a substantial square-shape composed of four sides 30, and its four corners are truncated linearly to form four hypotenuses 31.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコンウエハ１は、４つの辺３０からなる略正方形状を有し、４つの角部が直線状に切り取られることにより４つの斜辺３１が形成されている。 - 特許庁

The diaphragm 1 capable of displacement under measurement pressure is formed by an n-type silicon single crystal region 2 and insulation films formed on its surface and rear face.例文帳に追加

被測定圧力を受けて変位可能なダイヤフラム１が、ｎ型シリコン単結晶領域２とその表裏に形成された絶縁膜によって形成されている。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon film 2 and a p-type amorphous silicon film 3 are formed sequentially on the major surface of an n-type single crystal silicon substrate 1.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１の主面上にｉ型非晶質シリコン膜２およびｐ型非晶質シリコン膜３が順に形成されている。 - 特許庁

In this optical semiconductor device, an N+ type buried layer 34 is formed between a P-type single crystal silicon substrate 24 and a first epitaxial layer 25 in the dummy photodiode 22.例文帳に追加

この光半導体装置では、ダミーホトダイオード２２におけるＰ型の単結晶シリコン基板２４と第１のエピタキシャル層２５との間にＮ^+型埋め込み層３４が形成される。 - 特許庁

An i-type amorphous silicon film 2 and a p-type amorphous silicon film 3 are formed sequentially on the major surface (surface side) of an n-type single crystal silicon substrate 1.例文帳に追加

ｎ型単結晶シリコン基板１の主面（表側の面）上にｉ型非晶質シリコン膜２およびｐ型非晶質シリコン膜３が順に形成されている。 - 特許庁

In a silicon structure, on a single crystal N type silicon substrate 12, a plurality of holes 11 each having a side wall almost vertical to a substrate spread surface are formed.例文帳に追加

シリコン構造体においては、単結晶Ｎ型シリコン基板１２に、それぞれ基板広がり面に対してほぼ垂直な側壁を有する複数の孔１１が形成されている。 - 特許庁

The concentration of the hydrogen atom (about 6×10^21cm^-3) of an interface between the n-type single crystal silicon substrate 1 and the undoped amorphous silicon film 2a is higher than the concentration of hydrogen atom in the undoped amorphous silicon film 2a.例文帳に追加

そして、ｎ型単結晶シリコン基板１とノンドープ非晶質シリコン膜２ａとの界面の水素原子濃度（約６×１０^２１ｃｍ^−３）が、ノンドープ非晶質シリコン膜２ａ中の水素原子濃度よりも高い。 - 特許庁