「negative pattern」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

The first pattern exposure is performed to a resist film, consisting of negative type resist material by using the first photomask A, having a first hole light-shielding part 1 for forming the first hole patterns to be arranged sparsely, a second dummy light-shielding part 2 arranged in the periphery of the part 1 and a second hole light-shielding part 3 for forming the second hole patterns to be arranged densely.例文帳に追加

ネガ型のレジスト材料からなるレジスト膜に対して、疎に配置される第１のホールパターンを形成するための第１のホール用遮光部１と、該第１のホール用遮光部１の周辺に配置されたダミー遮光部２と、密に配置される第２のホールパターンを形成するための第２のホール用遮光部３を有する第１のフォトマスクＡを用いて第１回目のパターン露光を行なう。 - 特許庁

In the manufacturing method of an electroluminescent element in which a hole transport layer 4 and an electron transport luminous layer 5 are provided as a layer having a light-emitting region between a transparent picture element electrode 2 and a negative electrode 10, at least the electron transport luminous layer 5 is formed in a prescribed pattern by the transfer of its constituting material by the letterpress reverse-offset method.例文帳に追加

透明画素電極２と陰極１０との間に、発光領域を有する層としてホール輸送層４及び電子輸送性発光層５が設けられた電界発光素子の製造方法において、少なくとも電子輸送性発光層５を、その構成材料の凸版反転オフセット法による転写で所定パターンに形成することを特徴とする、電界発光素子の製造方法。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having satisfactory transmittance when a source of light with 157 nm is used, having a wide defocus latitude, less liable to cause line edge roughness, free of concern for negative formation because a resist film is substantially thoroughly dissolved when developed with a developer and ensuring slight trailing of a line-and-space pattern.例文帳に追加

１６０ｎｍ以下、特にＦ２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には１５７ｎｍの光源使用時に十分な透過性を示し、デフォーカスラチチュードが広く、ラインエッジラフネスが発生し難く、現像液で現像した際にレジスト膜が実質的に完全に溶解してネガ化の懸念がなく、ラインアンドスペースパターンの裾引きが小さいポジ型レジスト組成物を提供する。 - 特許庁

A transparent substrate is coated with negative type black resist, which is exposed through the photomask formed of a small opening part-light blocking part composite pattern equipped with many rectangular light blocking patterns arrayed in matrix longitudinally and laterally on the transparent mask substrate mutually at intervals so that many rectangular small opening parts having short sides along the light blocking patterns are successive across the light blocking parts.例文帳に追加

透明基板上にネガ型ブラックレジストを塗布し、透明マスク基板上に縦横に互いに間隔をおいてマトリックス配列で配列された多数の矩形の遮光パターンを備え、隣接する遮光パターンの間は、多数の、遮光パターンの辺に沿う短辺を有する矩形の小開口部が遮光部を介して連なる小開口部−遮光部複合パターンからなるフォトマスクを介して前記ネガ型レジストに露光する。 - 特許庁

A negative pattern of carbon nanotubes is formed by introducing double bond-containing functional groups participating in radical polymerization into surfaces of carbon nanotubes, dispersing the carbon nanotubes with a photo-initiator in an organic solvent, applying the dispersion liquid on a substrate to form a coating, exposing the coating to UV rays through a photomask to induce radical polymerization of the carbon nanotubes in an exposed part, and removing an unexposed part with a developer solution.例文帳に追加

炭素ナノチューブの表面に、ラジカル重合への参加が可能な二重結合を有する作用基を導入し、前記炭素ナノチューブを光開始剤と共に有機溶媒に分散させて基材上にコーティングし、その後フォトマスクに介してＵＶに露光させて露光部で炭素ナノチューブのラジカル重合を誘発した後、非露光部を現像液で取り除くことにより、炭素ナノチューブのネガティブパターンを形成する。 - 特許庁

A fabrication method of semiconductor device includes a process for pressing a mold 1 having a pattern formed thereon to a negative-type photoresist 2, a process for selectively irradiating an irradiated light 7 to the photoresist 2 by pressing the mold 1 to the photoresist 2 through the mold 1, and a process for patterning the photoresist 2 by removing an area of the photoresist 2 where the irradiated light 7 is not irradiated by developing the photoresist 2.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、パターンの形成されたモールド１をネガ型のフォトレジスト２に押し付ける工程と、モールド１をフォトレジスト２に押し付けた状態で、照射光７をモールド１を通じてフォトレジスト２に選択的に照射する工程と、フォトレジスト２を現像することによりフォトレジスト２の照射光７が照射されていない領域を除去してフォトレジスト２をパターニングする工程とを備えている。 - 特許庁

The prognostic determination method of the corpus uteri endometrioid adenocarcinoma comprises: measuring development patterns of a molecule, carbonyl reductase, which is bound to SCC antigen and is well known as a tumor marker of the epidermoid cancer, in a carcinoma tissue by an immune structure dyeing method using an antibody specifically bound to the carbonyl reductase; scoring the acquired development pattern; and, when the result is negative or weak positive, determining it as an adverse prognosis.例文帳に追加

癌組織において、扁平上皮癌の腫瘍マーカーとしてよく知られているＳＣＣ抗原に結合する分子カルボニルレダクターゼの発現パターンを、カルボニルレダクターゼと特異的に結合する抗体を用いた免疫組織染色法により測定し、得られた発現パターンをスコア化し、陰性であるか、弱陽性である場合を、予後不良と判定することを特徴とする子宮体部類内膜腺癌の予後判定方法を提供する。 - 特許庁

A negative pattern of carbon nanotubes is formed by introducing oxirane or anhydride groups capable of taking part in cationic polymerization into the surfaces of carbon nanotubes; dispersing the surface-modified carbon nanotubes, together with a photoacid or photobase generator, in an organic solvent; coating a substrate with the resulting coating liquid; exposing to UV through a photomask; inducing cationic polymerization of the carbon nanotubes in an exposed part; and removing an unexposed part with a developer.例文帳に追加

カーボンナノチューブの表面に陽イオン重合に参加することが可能なオキシラン基又はアンハイドライド基を導入し、前記カーボンナノチューブを光酸発生剤又は光塩基発生剤と共に有機溶媒に分散させ、基材上にコーティングした後、フォトマスクを介してＵＶに露光させ、露光部でカーボンナノチューブの陽イオン重合を誘発した後、非露光部を現像液で除去することにより、カーボンナノチューブのネガティブパターンを形成する。 - 特許庁

The patterning method of a wafer W includes a step for forming an L&S pattern 54A including multiple line patterns 40A on the surface of the wafer W, and a step for forming an L&S 56A including multiple linear resist patterns 42NA arranged between the multiple line patterns 40A on the surface of the wafer W so that the line widths of the line patterns 40A and the resist patterns 42NA have a negative correlation.例文帳に追加

ウエハＷにパターンを形成するパターン形成方法において、ウエハＷの表面に複数のラインパターン４０Ａを含むＬ＆Ｓパターン５４Ａを形成することと、ウエハＷの表面の複数のラインパターン４０Ａの間に配置される複数のライン状のレジストパターン４２ＮＡを含むＬ＆Ｓパターン５６Ａを、ラインパターン４０Ａの線幅とレジストパターン４２ＮＡの線幅とが負の相関を持つように形成することと、を含む。 - 特許庁

A negative pattern of carbon nanotubes is formed by introducing an oxirane group or anhydride group that can participate in cation polymerization of carbon nanotube surfaces, dispersing the carbon nanotubes in an organic solvent together with a photoacid generator or photobase generator, coating them on a group material, exposing them to an ultraviolet ray via a photo mask, inducing them into cation polymerization at an exposing part, and removing non-exposed parts by a developing solution.例文帳に追加

カーボンナノチューブの表面に陽イオン重合に参加することが可能なオキシラン基又はアンハイドライド基を導入し、前記カーボンナノチューブを光酸発生剤又は光塩基発生剤と共に有機溶媒に分散させ、基材上にコーティングした後、フォトマスクを介してＵＶに露光させ、露光部でカーボンナノチューブの陽イオン重合を誘発した後、非露光部を現像液で除去することにより、カーボンナノチューブのネガティブパターンを形成する。 - 特許庁