「p-type semiconductor」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

Regions 12a, 16a are formed like thin lines at a p-type semiconductor 12 and an n-type semiconductor 16.例文帳に追加

Ｐ型半導体１２及びＮ型半導体１６には、細線状の領域１２ａ、１６ａが形成されている。 - 特許庁

A light emitting diode(LED) 20 is composed of an n-type semiconductor 21, a p-type semiconductor 22, an anode electrode 23 and a cathode electrode 24.例文帳に追加

発光ダイオ−ド（ＬＣＤ）２０は、ｎ形半導体２１、ｐ形半導体２２、アノ−ド電極２３、カソ−ド電極２４とで形成される。 - 特許庁

In this case, the total impurity quantity of the p-type semiconductor area 210 is made larger than that of the n-type semiconductor area 220.例文帳に追加

この場合には、ｐ型半導体領域２１０の総不純物量がｎ型半導体領域２２０の総不純物量よりも多くなるようにする。 - 特許庁

On a surface layer on the side of the front surface S1 of the n-type semiconductor substrate 10, the p^+-type impurity semiconductor area 11 is formed.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板１０の表面Ｓ１側における表層には、Ｐ^+型不純物半導体領域１１が形成されている。 - 特許庁

A thermoelectric conversion element 8 comprises an N-type semiconductor region 13, a P-type semiconductor region 14, and metal wires 12a to 12c.例文帳に追加

熱電変換素子８は、Ｎ型半導体領域１３、Ｐ型半導体領域１４および金属配線１２ａ〜１２ｃから構成される。 - 特許庁

A P type electrothermal conversion semiconductor 1 and an N type electrothermal conversion semiconductor 2 are bonded by electric discharge plasma junction method.例文帳に追加

Ｐ型熱電変換半導体１とＮ型熱電変換半導体２とを放電プラズマ接合法により接合した。 - 特許庁

The P-type semiconductor region and the N-type semiconductor regions of the PN junction (106) of the gate electrode are electrically insulated from each other.例文帳に追加

この際、ゲート電極のＰＮ接合部（１０６）のＰ型半導体領域とＮ型半導体領域とが電気的に絶縁されている。 - 特許庁

An n-type semiconductor 76d is disposed on one flexible beam 10b and a p-type semiconductor 76a is disposed on the other flexible beam 10a.例文帳に追加

一方の可撓ビーム１０ｂにｎ型の半導体７６ｄを配置し、他方の可撓ビーム１０ａにｐ型の半導体７６ａを配置する。 - 特許庁

When an electric current flows between the n-type semiconductor 76d and the p-type semiconductor 76a, heat is transferred between the flat plate part 8 and a substrate 4.例文帳に追加

ｎ型の半導体７６ｄとｐ型の半導体７６ａの間で通電すると、平板部８と基板４の間で熱が移送される。 - 特許庁

A PN junction is implemented at the contact portion between the P-type semiconductor film and the interconnector (N-type semiconductor).例文帳に追加

Ｐ型半導体膜とインターコネクタ（Ｎ型半導体）との接合部において、「ＰＮ接合」が実現される。 - 特許庁

In an element region, p-type semiconductor pillar layers 13 and n-type semiconductor pillar layers 14 are alternately formed to form a pillar layer 15.例文帳に追加

素子領域には、ｐ型半導体ピラー層１３とｎ型半導体ピラー層１４とを交互に形成してなるピラー層１５が形成される。 - 特許庁

On the upper surface of a sapphire substrate 1, an N-type semiconductor layer 2, an active layer 4, and a P-type semiconductor layer 5 are laminated in this order.例文帳に追加

サファイア基板１の上面には、Ｎ型半導体層２、活性層４、Ｐ型半導体層５がこの順に積層してある。 - 特許庁

A heavily doped region 22 is formed at the center between p-type semiconductor layers 4 sandwiching the n-type semiconductor layers 21, 2.例文帳に追加

このｎ型半導体層２１，２を挟むｐ型半導体層４間の中央には、高濃度領域２２が設けられている。 - 特許庁

Here is disclosed a light-emitting diode including an n-type semiconductor layer, an active layer, a p-type semiconductor layer, and a transparent electrode layer.例文帳に追加

ｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層、及び透明電極層を備える発光ダイオードが開示される。 - 特許庁

Furthermore, an external connection region 2 of same conductivity type as the semiconductor substrate is provided at the end of the P type semiconductor substrate 8.例文帳に追加

また、Ｐ型半導体基板８の端縁部に半導体基板と同一導電型の外部接続領域２を設ける。 - 特許庁

In particular, the N-type semiconductor 11, the P-type semiconductor 12 and the insulating layer 13 are integrated and formed.例文帳に追加

特に、Ｎ型半導体１１とＰ型半導体１２、及び絶縁層１３とが一体化されて形成されている点に特徴を有する。 - 特許庁

The i-type semiconductor layer 16 has at least one corner 16e which does not come into contact with the p-type semiconductor layer 14.例文帳に追加

ｉ型半導体層１６は、ｐ型半導体層１４に非接触な角部１６ｅを少なくとも１つ有する。 - 特許庁

The thermoelectric device 1 is provided in which the N-type semiconductor 11, the P-type semiconductor 12 and the insulating layer 13 between them are integrated.例文帳に追加

この熱電素子１においては、Ｎ型半導体１１、Ｐ型半導体１２とこれらの間の絶縁層１３が一体化されている。 - 特許庁

A base B and a subemitter S of p-type semiconductor are joined to a collector C of n-type semiconductor, so as not to contact each other.例文帳に追加

ｐ型半導体からなるベースＢとサブエミッタＳは、互いに接しないようにして、ｎ型半導体からなるコレクタＣに接合されている。 - 特許庁

An n-type semiconductor is bonded to a part of the surface of a second well 29_b made of a p-type semiconductor, so as to make a second pn joint diode 32_b.例文帳に追加

ｐ型半導体である第２のウェル２９_bの表面の一部にｎ型半導体を接合させて、第２ＰＮ接合ダイオード３２_bを形成する。 - 特許庁

An n-type semiconductor is bonded to a part of the surface of a fourth well 29_d made of a p-type semiconductor, so as to make a 7th pn joint diode 32_g.例文帳に追加

ｐ型半導体である第４のウェル２９_dの表面の一部にｎ型半導体を接合させて、第７ＰＮ接合ダイオード３２_gを形成する。 - 特許庁

An emitter electrode 1 uses a p-type diamond semiconductor, and a collector electrode 2 uses an n-type diamond semiconductor.例文帳に追加

エミッタ電極１にｐ型ダイヤモンド半導体を用いると共に、コレクタ電極２にｎ型ダイヤモンド半導体を用いている。 - 特許庁

To provide an organic n-type semiconductor material having improved solubility in an organic solvent and great linking ability to a p-type semiconductor.例文帳に追加

有機溶媒への溶解性が改善され、かつｐ型半導体への高い接合性を有する有機ｎ型半導体材料の提供。 - 特許庁

A photoelectric conversion portion includes the P-type semiconductor region 110 and the N-type semiconductor region 119.例文帳に追加

光電変換部は、Ｐ型半導体領域１１０とＮ型半導体領域１１９を含んで構成される。 - 特許庁

An opening divides the p-type compound semiconductor layer and active layer into at least two regions, and exposes the n-type compound semiconductor layer.例文帳に追加

開口部がｐ型化合物半導体層及び活性層を少なくとも二領域に分け、ｎ型化合物半導体層を露出する。 - 特許庁

A light emitting diode structure is formed by a p-type semiconductor layer 11, the light emitting layer 12 and an n-type semiconductor layer 13.例文帳に追加

ｐ型半導体層１１、発光層１２およびｎ型半導体層１３により発光ダイオード構造を形成する。 - 特許庁

A reflection layer 16 is formed on end surfaces 14 of the p-type semiconductor layer 11, the light emitting layer 12 and the n-type semiconductor layer 13.例文帳に追加

ｐ型半導体層１１、発光層１２およびｎ型半導体層１３の端面１４に反射層１６を形成する。 - 特許庁

The n-type GaN-based semiconductor layer 15, an active layer 19 and the p-type GaN-based semiconductor layer 17 are arrayed in a direction of a normal axis Nx.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ系半導体層１５、活性層１９及びｐ型ＧａＮ系半導体層１７は法線軸Ｎｘの方向に配列されている。 - 特許庁

Concretely, in the case of 0<a<5, it exhibits the properties as those of an N type semiconductor, and, in the case of 5<a<16/3, it exhibits the properties as those of a P type semiconductor.例文帳に追加

具体的には０＜a＜５の場合にＮ型半導体としての性質を示し、５＜a＜１６／３の場合にＰ型半導体としての性質を示す。 - 特許庁

The first conductive region is composed of an n-type semiconductor and the second conductive region is composed of a p-type semiconductor, whereby the occurrence of potential gradient is suppressed.例文帳に追加

また、第１の導電領域をｎ型、第２の導電領域をｐ型半導体で構成して電位勾配の発生をおさえる。 - 特許庁

In a semiconductor device; p-type impurity is selectively ion-implanted only in the base of the trench, and the low concentration impurity region 12 is formed in an n-type semiconductor layer (drain region) 2 where the base of the trench is positioned.例文帳に追加

しかし、ｎ−型半導体層の不純物濃度の低減は、ドレイン抵抗の増大を招き、問題である。 - 特許庁

The multiple stages of the substrate 11 are taken over to the buffer layer 12, the n-type semiconductor region 13, the active layer 14, and the p-type semiconductor region 15.例文帳に追加

基板１１の多段ステップをバッファ層１２、ｎ形半導体領域１３、活性層１４、ｐ形半導体領域１５に引き継がせる。 - 特許庁

A snow melting process on a road surface 10, a roof or the like is performed by using a thermoelectric element of a p-type thermoelectric semiconductor 21 and an n-type thermoelectric semiconductor 22.例文帳に追加

ｐ形熱電半導体２１およびｎ形熱電半導体２２の熱電素子を用いて路面１０や屋根などの融雪処理を行なう。 - 特許庁

A voltage is applied to a p-n junction of a surface light emission type semiconductor element by a modulation circuit installed in a surface light emission type semiconductor element and modulated.例文帳に追加

面発光型半導体素子に設置した変調回路により面発光型半導体素子のｐｎ接合に電圧を印加し変調する。 - 特許庁

To provide a p-type semiconductor film readily controlling a forbidden band width or an electron affinity distribution in the p-type semiconductor film constituted of a p-type semiconductor and used as a light absorbing layer of a solar cell, so as to provide a high conversion efficiency solar cell.例文帳に追加

ｐ型半導体で構成され、太陽電池の光吸収層として使用されるｐ型半導体膜内の禁制帯幅或いは電子親和力の分布を容易に制御することができ、変換効率の高い太陽電池を得ることができるｐ型半導体膜を提供する。 - 特許庁

To form a functional semiconductor layer which performs a stable functionality by controlling so as to suppress the diffusion amount of a p-type dopant to the functional semiconductor layer having predetermined functionalities, such as an activity layer, through a first dopant layer as a buffer layer from a p-type semiconductor layer doped with the p-type dopant.例文帳に追加

ｐ型ドーパントをドープしたｐ型半導体層から、バッファ層としての第１ドーパント層を介して活性層などの所定の機能を有する機能半導体層へのｐ型ドーパントの拡散量が抑制できるように制御し、安定した機能を実現する機能半導体層を形成すること。 - 特許庁

A light receiving element has a P region 20 consisting of a p-type semiconductor, an N region 30 consisting of an n-type semiconductor, and an I region 40 consisting of an i-type semiconductor provided between the P region 20 and the N region 30 on one side of a substrate 10.例文帳に追加

基板１０の一面側にｐ型半導体よりなるＰ領域２０と、ｎ型半導体よりなるＮ領域３０と、そのＰ領域２０およびＮ領域３０の間に設けられたｉ型半導体よりなるＩ領域４０とを有している。 - 特許庁

In a semiconductor laser, a stripe-like contact layer 3 is provided on a p-type compound semiconductor substrate 1 or a p-type semiconductor layer 2, and a light-emitting layer forming section 12 is provided on the contact layer 3, so that a p-type clad layer 4 comes into contact with the section 12.例文帳に追加

ｐ形化合物半導体基板１上またはｐ形半導体層２上にストライプ状のコンタクト層３が設けられ、ストライプ状のコンタクト層３上にｐ形クラッド層４が接するように発光層形成部１２が設けられている。 - 特許庁

The light emitting element has the light emitting layer formed of the zinc oxide system semiconductor, a p-type layer formed of a semiconductor material other than a zinc oxide system and the zinc oxide system semiconductor which is arranged between the light emitting layer and the p-type layer and comprises p-type dopant.例文帳に追加

酸化亜鉛系半導体からなる発光層と、酸化亜鉛系以外の半導体材料からなるｐ型層と、前記発光層と前記ｐ型層との間に設けられた、ｐ型ドーパントを含む酸化亜鉛系半導体からなる中間層と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

On one surface side of a substrate 10, the light receiving element has a P-region 20 composed of a p-type semiconductor, an N-region 30 composed of an n-type semiconductor, and an I-region 40 composed of an i-type semiconductor that is prepared between the P-region 20 and the N-region 30.例文帳に追加

基板１０の一面側にｐ型半導体よりなるＰ領域２０と、ｎ型半導体よりなるＮ領域３０と、そのＰ領域２０およびＮ領域３０の間に設けられたｉ型半導体よりなるＩ領域４０とを有している。 - 特許庁

In a method for manufacturing the semiconductor element, which comprises at least one group III nitride-based compound semiconductor layer where the p-type dopant is doped, the group III nitride-based compound semiconductor layer, where the p-type dopant is doped, is annealed at a temperature of 600°C or higher and then quenched, and thus the p-type dopant is activated.例文帳に追加

少なくとも１層のｐ型ドーパントをドープしたＩＩＩ族窒化物半導体層を有する半導体素子の製造方法において、前記ｐ型ドーパントをドープしたＩＩＩ族窒化物半導体層を６００℃以上の温度でアニールした後、急冷して、前記ｐ型ドーパントを活性化させる。 - 特許庁

In a nitride semiconductor laser element, including an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer, a superlattice layer is formed at an almost touching point to at least one side of the n-type active layer and the p-type semiconductor layer sides.例文帳に追加

上記目的を達成するため、本発明のレーザ素子は、ｎ型半導体層と、活性層と、ｐ型半導体層とを有する窒化物半導体レーザ素子において、超格子層が前記活性層のｎ型またはｐ型半導体層側の少なくとも一方にほぼ接して形成されることを特徴とする。 - 特許庁

The right side surface 30b faces a second n-type semiconductor region 22b disposed below the Schottky junction Jb, and the left side surface 30a faces a first n-type semiconductor region 22a disposed below the pn junction 13 between the n-type semiconductor region 22 and the p-type semiconductor region 14.例文帳に追加

右側面３０ｂは、ショットキー接合Ｊｂの下方に位置する第２n型半導体領域２２ｂに対向しており、左側面３０ａは、n型半導体領域２２とp型半導体領域１４とのpn接合１３の下方に位置する第１n型半導体領域２２ａに対向している。 - 特許庁

Since the insulating region serves as a barrier layer of holes injected to the n-type semiconductor layer from the p++ type semiconductor layer, even if impurity concentration of the p++ type semiconductor layer is high and its thickness is thick, the amount of holes injected into the n-type semiconductor layer can be controlled (suppressed).例文帳に追加

絶縁領域がｐ＋＋型半導体層からｎ−型半導体層に注入されるホールのバリア層となるので、ｐ＋＋型半導体層の不純物濃度が高く厚みが厚い場合でも、ｎ−型半導体層中のホール注入量を制御（抑制）可能となる。 - 特許庁

In the element, two electrode layers are both constituted of an n-type semiconductor or a p-type semiconductor and light is emitted by injecting a hole (when an electrode is constituted of an n-type semiconductor) or an electron (when an electrode is constituted of a p-type semiconductor) inside an active layer by Zener tunneling effect.例文帳に追加

２つの電極層がいずれもｎ型半導体又はｐ型半導体から構成され、ツェナートンネル効果（バンド間トンネル効果）によって活性層内に正孔（ｎ型半導体により電極が構成される場合）又は電子（ｐ型により電極が構成される場合）を注入し発光する素子。 - 特許庁