「p/n」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

#define cfree(p, n, s) free((p)) to your file. 例文帳に追加

#define cfree(p, n, s) free((p))をファイルに追加すること。 - JM

The maximum P/N ratio or the minimum P/N ratio is selected and a noise signal at the input of the gate can be simulated.例文帳に追加

最大のP/N比又は最小のP/N比を選択して、ゲートの入力におけるノイズ信号をシミュレートすることができる。 - 特許庁

Each pixel P_n, m includes at least one first sub-pixel P_n, m (1) and a second sub-pixel P_n, m (2), which respectively includes sub-pixel electrodes.例文帳に追加

各画素Ｐ_n,mは、副画素電極をそれぞれ有する第１の副画素Ｐ_n,m（１）および第２の副画素Ｐ_n,m（２）を少なくとも含む。 - 特許庁

P-N JUNCTION ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND TRANSISTOR USING P-N JUNCTION ELEMENT例文帳に追加

Ｐ—Ｎ接合素子及びその製造方法、Ｐ−Ｎ接合素子を利用するトランジスタ - 特許庁

When an FET is identified, a P/N ratio is calculated for every possible input combination.例文帳に追加

FETが識別されると、可能性のある全ての入力の組合せについてP/N比が計算される。 - 特許庁

The photoelectric converting element 1 includes a p-n junction.例文帳に追加

光電変換素子１は、ｐ−ｎ接合を含む。 - 特許庁

TRANSPARENT OXIDE P-N JUNCTION DIODE例文帳に追加

透明酸化物ｐ−ｎ接合ダイオード - 特許庁

DIAMOND P-N JUNCTION DIODE AND ITS MANUFACTURE例文帳に追加

ダイヤモンドｐｎ接合ダイオードおよびその作製方法 - 特許庁

P_n=A_D×EXP(-k_n×n) (1).例文帳に追加

Ｐ_ｎ＝Ａ_Ｄ×ＥＸＰ（−ｋ_ｎ×ｎ） （１） - 特許庁

PRODUCTION OF P-N-SUBSTITUTED AMINOBENZALDEHYDE例文帳に追加

ｐ−Ｎ−置換アミノベンズアルデヒドの製造方法 - 特許庁

A parallel p-n structure is formed by this processes.例文帳に追加

ここまでのプロセスで、並列ｐｎ構造が形成される。 - 特許庁

FORMATION METHOD FOR VERY SHALLOW P-N JUNCTION OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

半導体基板の極浅ｐｎ接合の形成方法 - 特許庁

The parallel p-n structure is formed through the above processes.例文帳に追加

ここまでのプロセスで、並列ｐｎ構造が形成される。 - 特許庁

VCSEL SYSTEM WITH LATERAL P-N JUUNCTION例文帳に追加

横方向Ｐ／Ｎ接合を有するＶＣＳＥＬシステム - 特許庁

P-N JUNCTION ORGANIC DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

ｐｎ接合型有機ダイオードとその製造方法 - 特許庁

COMPOUND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH p-n JUNCTION例文帳に追加

ｐｎ接合を有する化合物半導体基板 - 特許庁

A communication time predicting part 18 predicts p(n).例文帳に追加

通信時間予測部１８がｐ（ｎ）を予測する。 - 特許庁

At least two P-N junction elements of the first P-N junction element, the second P-N junction element, the third P-N junction element and the fourth P-N junction element are connected between two different potential lines in forward bias to form an electrostatic protection circuit.例文帳に追加

第一のＰＮ接合素子、第二のＰＮ接合素子、第三のＰＮ接合素子、および第四のＰＮ接合素子のうちの少なくとも２つのＰＮ接合素子を、異なる２つの電位配線間に順方向バイアスに接続して静電気保護回路とする。 - 特許庁

A library 12 and a layout 14 are provided with a reference cell and a P/N ratio change cell obtained by changing a P/N ratio with respect to the reference cell.例文帳に追加

ライブラリ１２やレイアウト１４は、基準セルと、この基準セルに対し、Ｐ／Ｎ比を変更したＰ／Ｎ比変更セルとを備える。 - 特許庁

Each superconducting wire rod layer is formed by winding around a thin-film wire rod 120 at a winding radius of R_(n)(m) and a winding pitch of P_(n)(m).例文帳に追加

各超電導線材層は、薄膜線材120を巻き付け半径R_(n)(m)、巻き付けピッチP_(n)(m)で巻回することで形成されている。 - 特許庁

To provide an organic photocatalyst the production process of which can be simplified and to provide a p-n junction particle and a method for producing the p-n junction particle.例文帳に追加

製造プロセスの簡便化を実現可能な有機光触媒、並びにｐ−ｎ接合型粒子及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

In a step S27, client codes and part numbers P/N are changed into a stylized form by specification of half/full of character size, deletes of '-', etc.例文帳に追加

ステップＳ２７においては、半角／全角の指定、「−」の削除等によって、取引先コードや、部品番号P/N が定型化される。 - 特許庁

The battery has a sealing film 7 which covers the power generation area G but does not cover the current collection areas P, N.例文帳に追加

そして、本発明の電池は、発電エリアGを覆うが、両集電エリアP,Nは覆わない封止フィルム7を備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having asymmetric p/n junctions.例文帳に追加

非対称的なｐ／ｎ接合を有する半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING P-N JUNCTION例文帳に追加

ｐｎ接合を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置 - 特許庁

The N-point signal bandwidth is widened to P×N points.例文帳に追加

Ｎポイントの信号に対し、Ｐ×Ｎポイントに帯域を拡張する。 - 特許庁

An account server generates a new password P_n+1 of a user, uses the new password P_n+1, a current password P_n and a second function G for calculating ΔP_n+1, registers P_n+1 as the current password, and transmits ΔP_n+1 to a synchronizing server.例文帳に追加

アカウントサーバはユーザの新しいパスワードＰ_ｎ＋１を生成し、新しいパスワードＰ_ｎ＋１と現在のパスワードＰ_ｎと第２の関数Ｇを用いてΔＰ_ｎ＋１を算出し、Ｐ_ｎ＋１を現在のパスワードとして登録し、ΔＰ_ｎ＋１を同期サーバへ送信する。 - 特許庁

In a lamp diagnosis device provided with a N-P-N type transistor 15 supplying minute current to a stop lamp 1 and a computer 10 diagnosing the stop lamp 1 based on voltage applied to the stop lamp 1, the N-P-N transistor 15 intermittently supplies the minute current.例文帳に追加

本発明は、ストップランプ１に微電流を入力するn-p-n型トランジスタ１５と、ストップランプ１に加えられている電圧に基づいてストップランプ１を診断するコンピュータ１０と、を備えたランプ診断装置において、n-p-n型トランジスタ１５を、前記微電流を断続的に入力するようにした。 - 特許庁

THIN-FILM CRYSTAL WAFER HAVING P-N JUNCTION, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ｐｎ接合を有する薄膜結晶ウェーハとその製造方法 - 特許庁

The developing device is provided with a developer housing 60, arrays P_1 to P_n of a dispenser 66 for distributing various color toners to achieve the custom color, and a customer selectable color mixture controller 142 for deciding the appropriate quantity of toner to be added from each of dispenser arrays P_1 to P_n.例文帳に追加

本発明の現像装置は、現像剤ハウジング６０と、カスタムカラーを得るために、異なる色のトナーを分配するディスペンサ６６のアレイＰ_1〜P_nと、各ディスペンサアレイＰ_1〜P_nから追加するトナーの適切な量を決定するカスタマ選択可能カラーの混色コントローラ１４２とを備える。 - 特許庁

Moreover, the present invention provides a manufacturing method of the P-N junction element.例文帳に追加

さらに、本発明は、Ｐ−Ｎ結合素子の製造方法も提供する。 - 特許庁

To solve such a problem that the calorific value of a snubber resistor 18#(#=p,n) is not negligible.例文帳に追加

スナバ抵抗体１８＃（＃＝ｐ，ｎ）の発熱量が無視できないこと。 - 特許庁

To provide a P-N junction element and its manufacturing method, especially the P-N junction element including an organic composite material, to provide its manufacturing method, and to provide an organic transistor using the P-N junction.例文帳に追加

本発明は、Ｐ—Ｎ接合素子及びその製造方法に係り、特に有機複合材料を含むＰ—Ｎ接合素子及びその製造方法、該Ｐ−Ｎ接合を利用する有機トランジスタに関する。 - 特許庁

The color difference data Cr(n) of the target pixel P(n) is replaced by the color difference data CrB(n) close to achromatic color (closest to 0 value) among the pixels P(n), P(n-1), and P(n+1).例文帳に追加

すなわち、注目画素Ｐ（ｎ）の色差データＣｒ（ｎ）を、画素Ｐ（ｎ）、Ｐ（ｎ−１）、Ｐ（ｎ＋１）の中で無彩色に近い（最も０値に近い）色差データＣｒＢ（ｎ）に置換する。 - 特許庁

The voltage-controlled variable capacitance 15 has a P-N junction, and this P-N junction is constituted into superstaged junction, where the concentration of impurities in an N-type region is reduced as one goes away from P-N junction surface.例文帳に追加

電圧制御可変容量１５はＰＮ接合を持ち、このＰＮ接合はＰＮ接合面から離れるに従ってＮ型領域の不純物濃度が低くなる超階段接合に構成される。 - 特許庁

A determining means (S3-3) sequentially detects waveform peaks (P_N-2, P_N-1, P_N and P_N+1) retrospectively on the time base and compares the detected peaks (P_N-2 to P_N+1) with a predetermined noise level range (NLR).例文帳に追加

判定手段（Ｓ３−３）は波形のピーク（Ｐ_Ｎ−２，Ｐ_Ｎ−１，Ｐ_Ｎ，Ｐ_Ｎ＋１）を前記時間軸を遡って順次検出し、かつ検出したピーク（Ｐ_Ｎ−２〜Ｐ_Ｎ＋１）を予め定められたノイズレベル範囲（ＮＬＲ）と比較する。 - 特許庁

Color difference data Cr(n), Cr(n-1), and Cr(n+1) of a target pixel P(n), and pixels P(n-1) and P(n+1) adjoining the target pixel P(n) in a preset color shift direction are obtained.例文帳に追加

注目画素Ｐ（ｎ）と、注目画素Ｐ（ｎ）に対し予め設定された色ずれ方向で隣接する隣接画素Ｐ（ｎ−１）及びＰ（ｎ＋１）との色差データＣｒ（ｎ）、Ｃｒ（ｎ−１）、Ｃｒ（ｎ＋１）を得る。 - 特許庁

By using a recursion Formula (P_n+1=2×P_n+f×P_n^2), which approximates an inverse number to multiplication, a comparator 15 acquires an initial value P_0 of approximating calculation from (=1/f≈1/2^x).例文帳に追加

それを、演算器１６で逆数演算して駆動パルスの周期１／ｆを求めるが、逆数を乗算に近似する漸化式（Ｐ_ｎ＋１＝２×Ｐ_ｎ＋ｆ×Ｐ_ｎ^２）を用い、比較器１５で、その近似演算の初期値Ｐ_０を（＝１／ｆ≒１／２^ｘ）から求める。 - 特許庁

The voltage withstand structure section has an inner peripheral structure section 30 which is formed adjacently to the first parallel p-n structure of the drain/drift section 22 and has the same repeating pitch P1 and impurity concentration the p-n structure has and an outer peripheral structure section 40 which is the second parallel p-n structure formed adjacently to the section 30.例文帳に追加

この耐圧構造部は、ドレイン・ドリフト部２２の第１の並列ｐｎ構造に隣接して繰り返しピッチ及び不純物濃度が同じである内周構造部３０と、この内周構造部３０に隣接した第２の並列ｐｎ構造である外周構造部４０とを有する。 - 特許庁

diode such that light emitted at a p-n junction is proportional to the bias current 例文帳に追加

バイアス電流と比例するそのようなその光がPN接合で放射されたダイオード - 日本語WordNet

The dehydrogenation catalyst contains a transition metal and a phosphorus compound having P-N bond.例文帳に追加

遷移金属及びＰ−Ｎ結合を有するリン化合物を含む脱水素触媒。 - 特許庁

TRI-(P-N-ENAMINE SUBSTITUTED-AMINOPHENYL)BENZENE COMPOUND AND ORGANIC ELECTRO-LUMINESCENT ELEMENT例文帳に追加

トリ−（ｐ−Ｎ−エナミン置換−アミノフェニル）ベンゼン化合物および有機電界発光素子 - 特許庁

The solar cell includes a substrate having a light collecting surface and a P-N rectifying junction.例文帳に追加

本発明の太陽電池は、光受容表面及びＰ−Ｎ整流接合を有する基板を含む。 - 特許庁

NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER HAVING LATERAL P-N JUNCTION FORMED BY SINGLE ELOG GROWTH例文帳に追加

単一のＥＬＯＧ成長により形成される横方向のｐ−ｎ接合を有する窒化物半導体レーザ - 特許庁

SCHOTTKY, P-N JUNCTION DIODE, AND PIN JUNCTION DIODE AND THEIR MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

ショットキーダイオード、ｐｎ接合ダイオード、ｐｉｎ接合ダイオード、および製造方法 - 特許庁