「programming method」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

The method includes steps of: determining a packet identifier for identifying transport packets associated with a selected program from a received packetized transport stream; programming a match detector to match with the packet identifier; analyzing the packetized transport stream using the programmed match detector; and specifying and capturing a desired sequence of transport packets in accordance with the packet identifier.例文帳に追加

本方法は、受信したパケット化トランスポート・ストリームから、選択されたプログラムと関連するトランスポート・パケットを識別するためのパケット識別子を割り出し、そのパケット識別子との一致検出器をプログラムし、そのプログラムされた一致検出器を用いてパケット化トランスポート・ストリームを解析し、そのパケット識別子に応じて、所望の一連のトランスポート・パケットを特定して獲得する。 - 特許庁

The programming operation method for a flash memory device includes: a plurality of multi-level cells connected to a plurality of bit line pairs and a plurality of word lines respectively; and a page buffer circuit including a high-order bit register for storing input data and outputting the input data or inverted input data, and a low-order bit register for receiving the transmission of the input data through the high-order bit register.例文帳に追加

複数のビットライン対と複数のワードラインにそれぞれ連結される複数のマルチレベルセルと、入力データを格納し、前記入力データあるいは反転された入力データを出力する上位ビットレジスタと、前記上位ビットレジスタを介して入力データの伝達を受ける下位ビットレジスタを含むページバッファ回路とを含むフラッシュメモリ装置のプログラム動作方法。 - 特許庁

In the programming method, the memory cells belonging to each layer of a YZ plane are programmed to multi-bit data by a shadow program system and when the memory cell in N-th layer (where N is 1 or constant number larger than 1) of the YZ plane is programmed, remaining memory cells of an XZ plane corresponding to the N-th layer are programmed before memory cells of other layers of the YZ plane are programmed.例文帳に追加

本発明のプログラム方法によると、シャドープログラム方式によってＹＺ平面の各層に属したメモリセルがマルチビットデータにプログラムされ、ＹＺ平面のＮ番目の層（ここで、Ｎは１、またはそれより大きい定数）のメモリセルがプログラムされる場合、ＹＺ平面の他層のメモリセルがプログラムされる前にＮ番目の層に対応するＸＺ平面の残りのメモリセルがプログラムされる。 - 特許庁

The method for programming the NAND-type flash memory device comprises a first process for applying first voltage to one or more unselected wordlines, a second process for applying a predetermined bitline voltage to an unselected bitline, and a third process for applying a second voltage to the un-selected wordlines and applying a third voltage to a selected wordline out of the wordlines.例文帳に追加

ナンド型フラッシュメモリ装置で、プログラミング法は、ワードラインのうち一つ以上の非選択のワードラインに第１電圧を印加する第１過程と、ビットラインのうち非選択のビットラインに所定のビットライン電圧を印加する第２過程と、前記非選択のワードラインには第２電圧、前記ワードラインのうち選択されたワードラインには第３電圧を印加する第３過程とを備える。 - 特許庁

This programming method includes the first step of decoding a signal entered to a signal input part, the second step of activating, when a predetermined program mode is indicated as a result of the decoding, a program mode operation signal corresponding to the program mode to inactivate the signal input part, and the third step of carrying out the program mode according to the program mode operation signal.例文帳に追加

強誘電体メモリ装置のプログラム方法は、信号入力部に入力された信号をディコーディングする第１の段階、ディコーディングの結果、所定のプログラムモードを示す場合にプログラムモードに対応するプログラムモード動作信号を活性化し、信号入力部を非活性化する第２の段階、及びプログラムモード動作信号に応えてプログラムモードを行う第３の段階を含む。 - 特許庁

This method includes a first step to create a source code, a second step to analyze the created source code according to grammar definition of a programming language, and a third step to apply processing rules corresponding to the platform using the created source code to the analyzed source code, process the analyzed source code, and output the source code corresponding to the platform.例文帳に追加

ソースコードを生成する第１のステップと、生成されたソースコードをプログラム言語の文法定義に従って解析する解析する第２のステップと、解析済みのソースコードに対し、生成したソースコードを使用するプラットフォームに対応した加工ルールを適用し、前記解析済みのソースコードを加工し、プラットフォーム対応のソースコードを出力する第３のステップとを備える。 - 特許庁

The method for operating the memory system including a flash memory device includes: programming at least one page belonging to a selected memory block of the flash memory device; and determining the selected memory block or the flash memory device to be invalid according to whether the number of times of a loop of the programmed page is out of a reference loop range.例文帳に追加

フラッシュメモリ装置を含むメモリシステムの動作方法において、前記フラッシュメモリ装置の選択されたメモリブロックに属する少なくとも一つのページをプログラムする段階と、前記プログラムされたページのループ回数が基準ループ範囲を外れるか否かに従って、前記選択されたメモリブロック又は前記フラッシュメモリ装置が無効であることを決定する段階とを有する。 - 特許庁

The programming method of the nonvolatile memory device further includes steps of: performing a program operation by applying stepwise dummy program pulses having a second pulse width and increasing the program pulses by a second step voltage; performing a program operation by applying program pulses having a first step voltage and a first pulse width; and verifying whether the program is completed by the program operation.例文帳に追加

また、本発明の不揮発性メモリ装置のプログラム方法は、第２のパルス幅を有し、第２のステップ電圧ずつ増加する階段状ダミープログラムパルスを印加してプログラム動作を行う段階と、第１のステップ電圧及び第１のパルス幅を有するプログラムパルスを印加してプログラム動作を行う段階と、前記プログラム動作によりプログラムが完了したかを検証する段階を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The radio frequency identification programming method comprises a stage to receive the radio frequency identification signal from outside; a stage to extract only the radio frequency identification data from the received radio frequency identification signal; a stage to change format of the radio frequency identification data according to a serial protocol; and a stage to store the converted radio frequency identification data in the memory part according to the serial protocol.例文帳に追加

無線周波数識別プログラミング方法は、外部から無線周波数識別信号を受信する段階と、受信した無線周波数識別信号から無線周波数識別データのみを抽出する段階と、無線周波数識別データのフォーマットをシリアルプロトコルに合わせて変更する段階と、シリアルプロトコルに合わせて変換された無線周波数識別データをメモリ部に貯蔵させる段階とからなる。 - 特許庁

A programming method of the ferroelectric memory device includes; a first step for decoding a signal inputted to a signal inputting part; a second step for activating a program mode operation signal corresponding to a program mode and deactivating the signal input part in the case that the decoding result corresponds to a prescribed program mode; and a third step for performing the program mode in response to the program mode operation signal.例文帳に追加

また、強誘電体メモリ装置のプログラム方法は、信号入力部に入力された信号をディコーディングする第１の段階、前記ディコーディング結果所定のプログラムモードに該当する場合、前記プログラムモードに対応するプログラムモード動作信号を活性化して前記信号入力部を非活性化する第２の段階、及び前記プログラムモード動作信号に応えてプログラムモードを行う第３の段階を含む。 - 特許庁

A programming method of the nonvolatile data storage device including a plurality of memory blocks sharing one block word line includes the steps of: selecting the plurality of memory blocks, applying program voltage to a selected word line of a memory block in which the program is executed among the plurality of memory blocks, and applying bipolar-prohibited voltage to a word line of a memory block in which a program in the plurality of memory blocks is prohibited.例文帳に追加

一つのブロックワードラインを共有する複数のメモリブロックを含む不揮発性データ貯蔵装置のプログラム方法は、前記複数のメモリブロックを選択する段階と、前記複数のメモリブロックの中でプログラムが実行されるメモリブロックの選択されたワードラインにプログラム電圧を印加する段階と、前記複数のメモリブロックの中のプログラムが禁止されるメモリブロックのワードラインにバイポーラ禁止電圧を印加する段階とを含む。 - 特許庁

The method of programming the nonvolatile memory device includes steps of: performing a program operation on a first page; counting a program pulse application number until the program operation on the first page is completed; comparing the counted program pulse application number with a threshold to reset the program start voltage; and performing the program operation on a second page using the reset program start voltage.例文帳に追加

第１頁に対してプログラム動作を行う段階と、前記第１頁に対するプログラム動作が完了するまでプログラムパルス印加回数をカウントする段階と、前記カウントされたプログラムパルス印加回数としきい値を比較してプログラム開始電圧を再設定する段階と、第２頁に対して前記再設定されたプログラム開始電圧に応じてプログラム動作を行う段階とを含む構成としたことを特徴とする。 - 特許庁

The programming method of the nonvolatile memory device includes steps of: receiving a first program operation instruction; performing a program operation according to a program start voltage stored in a program start voltage storage part; and updating the program start voltage with a program voltage applied when a memory cell programmed at a verify voltage or higher during the program operation is first generated.例文帳に追加

本発明の不揮発性メモリ装置のプログラム方法は、第１プログラム動作命令が入力される段階と、プログラム開始電圧格納部に格納されたプログラム開始電圧に応じてプログラム動作を行う段階と、前記プログラム動作中に検証電圧以上にプログラムされたメモリセルが最初に発生した時点で印加されるプログラム電圧を前記プログラム開始電圧として更新する段階とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

A method for programming the semiconductor memory device includes the steps of: charging at least one inhibit string channel connected to a program bit line among a plurality of bit lines and at least one channel among inhibit strings connected to an inhibit bit line, to a precharge voltage supplied to a common source line; and boosting the precharged channel by supplying a word line voltage to a plurality of cell strings.例文帳に追加

本発明による半導体メモリー装置のプログラム方法は、複数のビットラインの中でプログラムビットラインに連結される少なくとも１つのインヒビットストリングのチャンネルと、インヒビットビットラインに連結されるインヒビットストリングの中で少なくとも何れか１つのチャンネルとを共通ソースラインに供給されるプリチャージ電圧に充電する段階と、ワードライン電圧を複数のセルストリングに供給してプリチャージされたチャンネルをブースティングさせる段階と、を有する。 - 特許庁

The method for adapting to changes in the base system in an aspect oriented programming environment including an aspect system for implementing aspects to be woven into the base system using a weaver, includes: steps of, in response to a change in the base system, evaluating the importance of the change in the base system; and if the evaluation of the system change is found to be important, taking an adaptive action to compensate for the change.例文帳に追加

ウィーバを用いてベースシステムへとウィービングされるべきアスペクトを実行するアスペクトシステムを含むアスペクト指向プログラミング環境におけるベースシステム内の変化に適応する方法は、前記ベースシステム内のある変化に応じて、前記ベースシステム内の前記変化の重要性を評価するステップと、前記評価により前記変化に重要性があると判明した場合、前記変化を補償するために適応動作を行うステップとを含む。 - 特許庁