「random array」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A RAM (Random Access Memory) 30 holds data that is to be written to the memory cell array 10 or data that is read out.例文帳に追加

ＲＡＭ（Random Access Memory）30は、メモリセルアレイ10に書き込まれるデータ、又は読み出されたデータを保持する。 - 特許庁

FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION RANDOM ACCESS MEMORY, SPIN VALVE RANDOM-ACCESS MEMORY, SINGLE FERROMAGNETIC FILM RANDOM-ACCESS MEMORY AND MEMORY CELL ARRAY USING THEM例文帳に追加

強磁性トンネル接合ランダムアクセスメモリ、スピンバルブランダムアクセスメモリ、単一強磁性膜ランダムアクセスメモリ、およびこれらをつかったメモリセルアレイ - 特許庁

A random access memory and a fuse array use the same active material.例文帳に追加

ランダムアクセスメモリとヒューズアレイは同一の有効材料を使用する。 - 特許庁

The PDPRAM (partial dual port random access memory) 20 is composed of a clock synchronization SRAM (static random access memory) interface (IF) 21, a DRAM cell array 22, a dual port DRAM cell array 23, and a DRAM cell array 24.例文帳に追加

ＰＤＰＲＡＭ２０は、クロック同期ＳＲＡＭインタフェース（ＩＦ）２１と、ＤＲＡＭセルアレイ２２と、デュアル・ポートＤＲＡＭセルアレイ２３と、ＤＲＡＭセルアレイ２４とから構成されている。 - 特許庁

DISTRIBUTED MEMORY ARRAY SUPPORTING RANDOM ACCESS AND FILE STORAGE OPERATIONS例文帳に追加

ランダムアクセス動作及びファイル格納動作をサポートする分散型メモリアレイ - 特許庁

A magnetic random access memory (MRAM) includes an array (12) of cells (14), and a plurality of first conductors on a first side of the array (12).例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)デバイスは、セル(14)のアレイ(12)と、アレイ(12)の第1の側に複数の第1の導体とを含む。 - 特許庁

The page buffer circuit has two planes consisting of a random access memory array.例文帳に追加

ページバッファ回路は、ランダムアクセスメモリアレイからなる２つのプレーンを有している。 - 特許庁

To provide a pseudo random number generation device, a pseudo random number generation method and its program for generating pseudo random numbers whose strength can be set from discrete array data.例文帳に追加

離散的配列データから強度設定可能な擬似乱数を生成する擬似乱数生成装置、擬似乱数生成方法及びそのプログラムを提供する。 - 特許庁

To propose a magnetic random access memory (MRAM) having a cell array structure suitable for high integration of a cell.例文帳に追加

セルの高集積化に適したセルアレイ構造のＭＲＡＭを提案する。 - 特許庁

A random access memory device has a memory array, and a refresh rate generator circuit.例文帳に追加

ランダムアクセスメモリデバイスは、メモリアレイと、リフレッシュ速度生成器回路とを備えている。 - 特許庁

Magnetic Random Access Memory (MRAM) element (812) can include an array of these memory cells (10).例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)素子(812)は、これらのメモリセル(10)のアレイを含むことができる。 - 特許庁

Also, an array of the magnetic random access memory cells and a method for manufacturing it are provided.例文帳に追加

また、磁気ランダムアクセスメモリセルのアレイと、それを製造する方法も提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming a resistive random access memory array and a fuse array on the same substrate and an integrated circuit therefor.例文帳に追加

抵抗ランダムアクセスメモリアレイが、ヒューズアレイと同一の基板上に形成する方法及びその集積回路を提供する。 - 特許庁

When the detector detects the game medium, a random number to be output by a random number generator (counter) is obtained, and the obtained random number is stored in one of a plurality of array areas of an array storage part.例文帳に追加

前記検出器が遊技媒体を検出したときに乱数発生器（カウンタ）が出力する乱数を取得するとともに、取得した当該乱数を配列記憶部の複数の配列領域のいずれかに格納する。 - 特許庁

MAGNETIC TUNNELING JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL, MAGNETIC TUNNELING JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL ARRAY, AND METHOD FOR SELECTING AND RECORDING MAGNETIC TUNNELING JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL例文帳に追加

磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセル、磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルアレイ、ならびに磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルの選択記録方法 - 特許庁

To provide a distributed memory array which supports both random access and file storage operations.例文帳に追加

ランダムアクセス動作及びファイル格納動作をサポートする分散型メモリアレイを提供する。 - 特許庁

QUANTUM DOT-BASED MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL, ARRAY THEREOF AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加

量子ドットをベースにした磁気ランダムアクセスメモリセルとそのアレイ、および、これらの製造方法 - 特許庁

The microlens array of the rear surface preferably consist of a plurality of microlenses having random diameters.例文帳に追加

裏面のマイクロレンズアレイは、ランダムな径を有する複数のマイクロレンズからなることが好ましい。 - 特許庁

The writing circuit (24) for a large-scale array (10) of a memory cell (12) of the magnetic random access memory(MRAM) device (8).例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)デバイス(8)のメモリセル(12)の大規模なアレイ(10)のための書き込み回路(24)。 - 特許庁

METHOD FOR REDUCING ELECTRIC POWER OF DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY ARRAY, AND INTEGRATED CIRCUIT DEVICE例文帳に追加

ダイナミックランダムアクセスメモリアレイの電力を低減するための方法および集積回路装置 - 特許庁

A semiconductor memory device includes at least: a memory cell array 11 where a plurality of memory cells MC is disposed; a random number generation circuit 16 for generating random numbers; and a controller 19 for controlling the memory cell array 11 and the random number generation circuit 16.例文帳に追加

実施形態によれば、半導体記憶装置は、複数のメモリセルＭＣが配置されるメモリセルアレイ１１と、乱数（Random number）を発生させる乱数発生回路１６と、メモリセルアレイ１１および乱数発生回路１６を制御するコントローラ１９とを少なくとも具備する。 - 特許庁

Registers (20, 22, 30, 32) are arranged at each of four sides of a dynamic random access memory cell array (1).例文帳に追加

ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリセルアレイ（１）の４辺それぞれにレジスタ（２０，２２，３０，３２）を配置する。 - 特許庁

A magnetic random access memory (MRAM) (100) includes an array of magnetic memory cells (102) arranged on intersection grids (104, 106, 108).例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)(100)は、交点グリッド(104,106,108)上に配列された磁気メモリセル(102)のアレイを含む。 - 特許庁

The reflective region is arranged at random with respect to the pixel electrode array in each of the pixel electrodes.例文帳に追加

各画素電極内で、反射領域は、画素電極の配列に対してランダムに配置される - 特許庁

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE INCLUDING AT LEAST ONE RANDOM ACCESS MEMORY ARRAY, AND METHOD FOR OPERATION THEREOF例文帳に追加

少なくとも１つのランダムアクセスメモリアレイを含む集積回路装置およびその動作のための方法 - 特許庁

MAGNETIC TUNNEL JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND MAGNETIC TUNNEL JUNCTION TYPE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY CELL ARRAY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルおよびその製造方法、ならびに磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルアレイおよびその製造方法 - 特許庁

To provide a static/random/access/memory (SRAM) including a plurality of SRAM cells arranged in an array state.例文帳に追加

アレイに配列された複数のＳＲＡＭセルを含むスタティック・ランダム・アクセス・メモリ（「ＳＲＡＭ」）が提供される。 - 特許庁

A plurality of scan path registers are connected by an array of static random access memory (SRAM) units of a plurality of memory cells.例文帳に追加

複数のスキャンパスレジスタは、複数のメモリセルからなるスタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)アレイによって接続される。 - 特許庁

Registers (20, 22, 30, 32) are disposed to four sides of a rectangular dynamic random access memory cell array (1), respectively.例文帳に追加

矩形状のダイナミック・ランダム・アクセス・メモリセルアレイ（１）の４辺それぞれにレジスタ（２０，２２，３０，３２）を配置する。 - 特許庁

MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE WITH SMALL-ANGLE TOGGLE WRITE LINES, ARRAY THEREOF, AND SWITCHING METHOD THEREOF例文帳に追加

微小角度トグル書き込み線を有する磁気抵抗ランダムアクセスメモリデバイス、そのアレイ及びそのスイッチング方法 - 特許庁

To provide a ferroelectric type nonvolatile semiconductor memory array permitting its application to random access use.例文帳に追加

ランダムアクセス用途への適用を可能とする強誘電体型不揮発性半導体メモリアレイを提供する。 - 特許庁

This ultrasonic diagnosis equipment is so formed that sub arrays formed by dividing a two-dimensional array 2 are random intersperse arrays separately and randomly disposed with transmission transducers X and receiving transducers R, and random patterns RP11, RP12, RP21 and RP22 of the random intersperse arrays are different for every adjoining sub array.例文帳に追加

２次元アレイ２を分割したサブアレイは、送信トランスデューサＸと受信トランスデューサＲとが別々にランダムに配列されたランダムインタースパースアレイであり、ランダムインタースパースアレイのランダムパターンＲＰ１１、ＲＰ１２、ＲＰ２１、ＲＰ２２を隣接するサブアレイ毎に異ならせた。 - 特許庁

In the case of carrying out the lottery, one of the plurality of array areas of the array storage part is selected to read the random number stored in the array area, and presence/absence of prize-winning and the kind of prize-winning are judged based on the read random number.例文帳に追加

抽選を行う際には、前記配列記憶部の複数の配列領域のいずれかを選択し当該配列領域に格納された乱数を読み出し、読み出された当該乱数に基づき入賞の有無又は入賞の種類を判定する。 - 特許庁

The random number sequences in use for the determination of the position of the heat haze object are used to determine the number array of the color indexes.例文帳に追加

陽炎オブジェクトの位置決定に使用する乱数列を用いてカラーインデックス番号配列を決定する。 - 特許庁

The memory array further includes second random access memory elements arranged in at least one additional column.例文帳に追加

本メモリアレイは、更に、少なくとも１個の付加的な列に配列された第二ランダムアクセスメモリ要素を包含している。 - 特許庁

Thus, as the pseudo random numbers P0-P3 after the array sequence is converted, scramble values S0-S3 are obtained.例文帳に追加

これにより、配列順序が変換された後の疑似乱数Ｐ０〜Ｐ３として、スクランブル値Ｓ０〜Ｓ３を得る。 - 特許庁

The write circuit (24) for a large array (10) of memory cells (12) of Magnetic Random Access Memory (MRAM) device (8).例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）装置（８）のメモリセル（１２）の大規模なアレイ（１０）のための書き込み回路（２４）。 - 特許庁

A random access memory array includes first random access memory elements arranged in a plurality of rows and columns for storing data words at a multiple memory locations.例文帳に追加

ランダムアクセスメモリアレイは、複数のメモリ位置においてデータワードを格納するために複数個の行及び列に配列された第一ランダムアクセスメモリ要素を包含している。 - 特許庁

The flash memory includes an array of memory cells arrayed in rows and columns, and a randomization and derandamization circuit configured to randomize data stored in the array, and the randomization and derandamization circuit generates an initial seed corresponding to random data according to whether data stored in the array is the random data, generates a random sequence based upon the initial seed, and randomizes the random data based upon the random sequence.例文帳に追加

ここに提供されるフラッシュメモリ装置は行と列に配列されたメモリセルのアレイと、前記アレイに格納されるデータをランダム化するように構成されたランダム化及びデランダム化回路と、を含み、前記ランダム化及びデランダム化回路は前記アレイに格納されるデータがランダムデータであるか否かにしたがって前記ランダムデータに対応する初期シードを生成し、前記初期シードに基づいてランダムシークェンスを発生し、前記ランダムシークェンスに基づいて前記ランダムデータをランダム化させる。 - 特許庁

In this random number generator 100 for generating a random number, on the basis of data obtained from the random number generating sources 101, a resistor array 10 composed of plural resistors having a line width smaller than this process rule line width is formed by a process rule for forming an LSI for constituting the random number generator 100, and this resistor array 10 is constituted as the random number generating sources 101.例文帳に追加

乱数発生源１０１から得られるデータに基き乱数を発生する乱数発生装置１００において、前記乱数発生装置１００を構成するＬＳＩを形成するためのプロセスルールにより、このプロセスルール線幅より小さい線幅を有する複数の抵抗体からなる抵抗体アレイ１０を形成し、この抵抗体アレイ１０を前記乱数発生源１０１として構成した - 特許庁

Within the random phase unit, the number of pixels corresponding to each of n phase modulation degrees are set in common, and the array pattern of the pixels corresponding to a phase modulation degree is set to be random between random phase units.例文帳に追加

そして、このランダム位相単位内での、ｎ個の位相変調度ごとに対応させる画素数は共通に定めたうえで、位相変調度が対応する画素の配列パターンについてはランダム位相単位間でランダムとなるようにする。 - 特許庁

An SRAM (Static Random Access Memory) system 1 has an SRAM array 2, a storage part 3, a search part 4 and a power control part 5.例文帳に追加

ＳＲＡＭシステム１は、ＳＲＡＭアレイ２と、格納部３と、検索部４と、電力制御部５とを有している。 - 特許庁

The system includes a flash memory (a cell array), a buffer memory, a random data input/output circuit, and a control circuit.例文帳に追加

本発明に従うフラッシュメモリ（セルアレイ）と、バッファメモリと、ランダムデータ入出力回路と、そして制御回路と、を備える。 - 特許庁

This system includes a flash memory (a cell array), a buffer memory, a random data input/output circuit, and a control circuit.例文帳に追加

本発明に従うフラッシュメモリ（セルアレイ）と、バッファメモリと、ランダムデータ入出力回路と、そして制御回路と、を備える。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE, NON-VOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY, FLOATING GATE MEMORY CELL SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY, AND METHOD OF FORMING THE SAME例文帳に追加

半導体装置、不揮発性ランダムアクセスメモリセル、フローティングゲートメモリセルの半導体メモリアレイ、及び、このアレイを形成する方法 - 特許庁