「random array」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Alternatively, the tops (S) are regulated by coordinates (x_s", y_s") obtained from the coordinates (x_p, y_p) of all points (P) restricted by an array of facets each of which has the edge contour like the equilateral hexagon by random variation using the Monte Carlo method.例文帳に追加

あるいは、頂部（Ｓ）は、正六角形形状の縁輪郭をもつ小面のモンテカルロ法を用いたランダムな変分による配列によって限定されるすべての点（Ｐ）の座標（ｘ_ｐ，ｙ_ｐ）から得られる座標（ｘ_ｓ”，ｙ_ｓ”）によって規定される。 - 特許庁

The semiconductor random access memory having a complex shape is provided with a ROM device storing an all latent row data pattern to be input to a memory cell array during test procedure, a variable step address generator, a comparing device, and a control device.例文帳に追加

複雑な形状を持つ半導体ランダムアクセス・メモリが、試験手順の間に記憶セル・アレイに入力すべき悉くの潜在的な行データ・パターンを記憶するＲＯＭ装置、可変ステップ・アドレス発生器、比較装置及び制御装置を備えている。 - 特許庁

This automatic system is provided with a product line, having random variations in the stream of the series of products, adjusting shock absorbers 230a and 230b provided with product followers 232 and 234 for putting together the random variations in the stream of products; an automatic output device 300 for choosing X and Y array product units among adjusted products and conveying to a succeeding processing station; and a control means.例文帳に追加

この自動装置は、一連の製品の流れに無作為な変化を有する製品ラインと、製品の流れにおける無作為な変化を取りまとめる製品フォロワ２３２，２３４を備える取りまとめ緩衝装置２３０ａ，２３０ｂと、取りまとめられた製品からＸ，Ｙアレーの製品ユニットを選択し後続の処理ステーションへ搬送する自動出力装置３００と、制御手段とを備えている。 - 特許庁

Even when random connection is made to connectors CON1-CON8 of a base station when antennas ANT1-ANT8 are connected to the base station, later an antenna changeover switch 2 switches the connection, and connection relation suitable for reception of a diversity system and reception by an adaptive array processing can be established.例文帳に追加

アンテナＡＮＴ１〜ＡＮＴ８を基地局に接続するときに基地局のコネクタＣＯＮ１〜ＣＯＮ８に対してランダムに接続が行なわれても、後からアンテナ切換スイッチ２によって切換を行ないダイバーシティ方式の受信やアダプティブアレイ処理による受信に最適な接続関係とすることができる。 - 特許庁

The fixed priority order is configured by arraying readout request signals A1 and C1 of the circuit blocks A and C in the prescribed sequence, and arranging readout request signals B10, B11 and B12 of the circuit block B at random at the head and tail of the array and between them.例文帳に追加

固定優先順位は、回路ブロックＡ，Ｃの読み出し要求信号Ａ１，Ｃ１が所定の順番に配列され、この配列の先頭、最後尾及びその間に回路ブロックＢの読み出し要求信号Ｂ１０，Ｂ１１，Ｂ１２がそれぞればらばらに配置されたものである。 - 特許庁

By respectively imparting or superimposing a change amount according to a random number to the depth of each recess constituting a step equivalent to a lens or the lens array in a transparent base material, the recessed part with irregular phase changes is formed and the diffraction type lens element 6 is prepared.例文帳に追加

透明基材において、レンズ又はレンズアレイと等価なステップを構成する凹部のそれぞれの深さに対して、乱数に従う変化量を個別に付与又は重畳することにより、不規則な位相変化をもった凹部を形成して回折型レンズ素子６を作成する。 - 特許庁

When recording time sequential data groups, such as video and music data, on a disk array part 30 capable of random access, file management information which shows the relation of a plurality of time-ordered data groups from a time code of the time-ordered data group is prepared by a file unit and is stored in an SRAM 405 of an operation management part 40.例文帳に追加

映像や音楽データ等の時間順データ群をランダムアクセス可能なディスクアレイ部３０に記録する際に、時間順データ群のタイムコードから複数の時間順データ群のつながりを示すファイル管理情報をファイル単位で作成して動作管理部４０のＳＲＡＭ４０５に記憶させる。 - 特許庁

The micro lens array sheet is constituted so that approximately semi-spherical unit lenses 2 are two-dimensionally arrayed at a 200μm pitch or less, and it is characterised in that a fine rugged part of which the surface roughness Ra is ≥0.001μm is formed on the lens surface of each unit lens 2 and the fine rugged part is fine and approximately semi-spherical ruggedness arranged at random.例文帳に追加

略半球状単位レンズ２がピッチ２００μｍ以下で２次元配列されてなり、各単位レンズ２のレンズ表面に表面粗さＲａが０．００１μｍ以上の微細な凹凸部を有し、さらに前記微細な凹凸部が、微細な略半球状凹凸であって、ランダムに配されていることを特徴とする。 - 特許庁

In this pachinko machine, when a game ball enters a starting prize winning hole 13, a pattern variable display device 10 variably displays plural patterns, and when a random number for lot is obtained to draw lots for a large success, and patterns are stopped in a predetermined array, a great success state is caused.例文帳に追加

パチンコ遊技機は、始動入賞口１３に遊技球が入賞すると、図柄変動表示装置１０が複数の図柄を変動表示し、抽選用の乱数を取得して大当たり等の抽選を行なうと共に、図柄が予め決められた配列に揃って停止した時、大当たり状態を発生させる。 - 特許庁

The method of manufacturing a dynamic random access memory, having a memory array region arranged on a semiconductor substrate, a peripheral circuit region, and a silicon nitride film provided in between the memory array and peripheral circuit regions includes at least a process 1 for removing the silicon nitride film provided in the peripheral circuit region and a process 2 for treating a substrate to be treated obtained by the process 1 under a hydrogen gas atmosphere.例文帳に追加

半導体基板に配置されたメモリアレイ領域と、周辺回路領域とを備え、 前記メモリアレイ領域と前記周辺回路領域とに設けられた窒化シリコン膜を有するダイナミックランダムアクセスメモリの製造方法であって、（１）前記周辺回路領域に設けられた窒化シリコン膜を除去する工程と、（２）水素ガス雰囲気下に前記工程（１）により得られた被処理基板を処理する工程と、 を少なくとも有することを特徴とする、ダイナミックランダムアクセスメモリの製造方法。 - 特許庁

As for each defective memory cell (unit bit defect) by a so-called random defect without providing any redundant cell array, data to be stored in the defective memory cell is held by a latch circuit 22 disposed between column data 12 and an I/O buffer 21, and the held data is output in place of the data of the defective memory cell.例文帳に追加

冗長セルアレイを持たず、所謂ランダム欠陥による各個の欠陥メモリセル（単ビット欠陥）に関して、この欠陥メモリセルに格納されようとするデータを、列データ１２と入出力バッファ２１との間に設けられたラッチ回路２２によってデータを保持し、また、該保持されたデータを欠陥メモリセルのデータに替えて出力するようにした。 - 特許庁

In the method for fabricating a dynamic random access memory having a data storage capacitor structure and a data transfer gate, a dummy gate member 13 wider than the transfer gate 12 is formed together with the transfer gate 12 contiguously to the end of an array of the transfer gate 12 prior to a step for forming the capacitor structure 16 on the transfer gate 12 through an interlayer dielectric.例文帳に追加

データ蓄積用のキャパシタ構造及びデータのトランスファゲートを有するダイナミックランダムアクセスメモリの製造に関し、トランスファゲート１２上方に層間絶縁膜１２を介してキャパシタ構造１６を形成する前の工程において、トランスファゲート１２配列の端部に隣接してトランスファゲート１２より幅広のダミーゲート部材１３をトランスファゲート１２と共に形成する。 - 特許庁

To prevent propagation of a soft error between adjoining column groups in a static random access memory comprising a semiconductor substrate on which a first conductivity type common well is formed, and a memory cell array consisting of memory cells arranged in matrix in the common well on the semiconductor substrate, so that a group of memory cells connected with a common bit line while being arranged in the column direction forms a memory cell column.例文帳に追加

第１の導電型の共通ウェルが形成された半導体基板と、前記半導体基板上の前記共通ウェルに行列状に配列されたメモリセルよりなり、列方向に整列して共通のビット線に接続される一群のメモリセルがメモリセルカラムを形成するメモリセルアレイからなるスタティックランダムアクセスメモリにおいて、隣接カラム群間のソフトエラーの伝搬を抑制する。 - 特許庁

A semiconductor random access memory device with the characteristics of having the matrix of memory cells (C11) that includes the first MIS element (QW11), the drain (3) or the source (4) of the first MIS element (QW11) and the second MIS element (QR11) formed above the first MIS element (QW11), gate input capacity information storage capacitor (CS11) for the second MIS element (QW11). In the matrix of the memory array, the drain of the said first MIS element (QW11) electrically connected to the drain of the second MIS element (QW11), … connecting so that the data line (D1) orthogonally to sense (S1) and word (W1) lines of the each memory cell of the array. 例文帳に追加

第１のMIS素子（Qｗ11）と、第１のMIS素子（Qｗ11）のソース及びドレインのいずれか一方の領域をゲートとして用いて前記第１のMIS素子（Qｗ11）の上に積み重ね形成された第２のMIS素子（QR11）と、この第２のMIS素子（QR11）のゲート入力容量である情報蓄積用のキャパシタ（Cｓ11）とを有したメモリセル（C11）をマトリックス状に配列したメモリアレイにおいて前記第１のMIS素子（Qｗ11）のドレインを第２のMIS素子（QＲ11）のドレインと電気的に結合して、……、データ線（D1）をメモリアレイの各メモリセル間にセンス線（S1）及びワード線（W1）に直交するように配線することを特徴とする半導体ランダムアクセスメモリ装置。 - 特許庁