「rf sputtering method」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide an RF sputtering device and a manufacturing method for semiconductor device, with which the release of a coating film on a stage can be suppressed in RF sputtering.例文帳に追加

ＲＦスパッタ時にステージ上のコーティング膜の剥離を抑制できるＲＦスパッタ装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The conductive membrane is formed on the substrate by a deposition method, a sputtering method, or an RF ion plating method.例文帳に追加

蒸着法、スパッタ法、ＲＦイオンプレーティング法により基板上に導電性の膜を形成する。 - 特許庁

The method for producing the nanometal-glass particle aggregate comprises intermittently turning on and off an RF power source while plasma is in an unstable state immediately after RF voltage application in a vacuumed, gas-replaced RF magnetron sputtering apparatus.例文帳に追加

真空引き、ガス置換が終了したＲＦマグネトロンスパッタ装置において、ＲＦ電圧印加直後のプラズマが不安定な状態で、ＲＦ電源を間欠的にＯＮ−ＯＦＦする。 - 特許庁

A mask pattern to mask an electrode pad on the LED chip is formed, and a fluorescent film is thin and evenly deposited on the LED chip using Pulsed DC, an RF sputtering method or a PLD method.例文帳に追加

LEDチップの上の電極パッドをマスクするマスクパターンを形成して、Pulsed DCまたはRFスパッタリング法、或いはPLD法を使用してLEDチップ上に蛍光膜を薄くて均一に蒸着する。 - 特許庁

The seed layer can be formed by an organic metal deposition method, spray pyrolysis method, RF sputtering method, or spin-on method, such as oxidation of the seed layer, as an alternative method.例文帳に追加

シード層は、代替の方法として、有機金属堆積法、スプレイ熱分解法、ＲＦスパッタリング法またはシード層の酸化などのスピンオン法によって形成されることが出来る。 - 特許庁

The active material thin film formed on the collector 1 is composed of an interfacial layer formed on the collector and an active material layer formed on the interfacial layer, the interfacial layer is formed by an RF sputtering method by an RF sputtering source, and the active material layer is formed by a DC pulse sputtering method by a DC pulse sputtering source 5.例文帳に追加

集電体１上に形成される活物質薄膜が、集電体上に形成される界面層と、該界面層上に形成される活物質層とから構成されており、界面層がＲＦスパッタ源４によるＲＦスパッタ法により形成され、活物質層がＤＣパルススパッタ源５によるＤＣパルススパッタ法により形成されることを特徴としている。 - 特許庁

This ZnOx semiconductor layer is formed by using various thin film forming techniques such as a spin coat method, a DC sputtering method, an RF sputtering method, a metal organic vapor phase deposition (MOCVD) or an atomic layer deposition (ALD).例文帳に追加

このＺｎＯｘ半導体層を、スピンコート法、ＤＣスパッタリング法、ＲＦスパッタリング法、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）または原子層堆積法（ＡＬＤ）のような様々な薄膜形成技術を用いて形成する。 - 特許庁

The powder prepared in this way is used as a target to deposit a thin film on a quartz glass substrate by the RF sputtering method (step S18).例文帳に追加

次に、以上のようにして得た粉末をターゲットとして、ＲＦスパッタリング法により石英ガラス基板上に薄膜を作製する（ステップＳ１８）。 - 特許庁

To provide a silicon monoxide sintered compact which combines securement of a film deposition rate and stability of film properties by an RF (radio-frequency reactive sputtering) method.例文帳に追加

ＲＦ法によって、成膜速度を確保するとともに膜特性の安定化を両立させる一酸化珪素焼結体を提供する。 - 特許庁

This method for manufacturing the magneto-optical recording medium comprises grounding a substrate 260 to make a sputtering atom 250 fly so as to have the directivity vertical to the substrate, without applying an RF bias, accumulating the sputtering atoms on the substrate to form the prescribed underlaid or recording layer.例文帳に追加

基板２６０を接地し、スパッタ原子２５０を基板に対して垂直な指向性を有するように、ＲＦバイアスを印加することなく飛行させ、基板上にスパッタ原子を堆積して、所定の下地層や記録層を形成する。 - 特許庁

A silicon oxide film 12 is formed on a glass substrate 11, and an a-Si film 13 is formed thereon through an RF sputtering method and turned to microcrystal in a hydrogen atmosphere.例文帳に追加

ガラス基板１１上に酸化珪素膜１２を形成し、その上にａ−Ｓｉ膜１３をＲＦスパッタ法により成膜し水素雰囲気中で熱結晶化を行う。 - 特許庁

When a silicon nitride target is used as is conventional to form a silicon oxynitride type gas barrier layer by an RF sputtering method, the gas barrier layer becomes brown if oxgen or the like is not introduced.例文帳に追加

従来、窒化珪素ターゲットを使用し、ＲＦスパッタリング法によって酸化窒化珪素系のガスバリア層を形成すると、成膜時に酸素等を導入しないと茶褐色となる。 - 特許庁

These can be obtained by the RF magnetron sputtering method in which titanium oxide having a diameter of 100 mm is used as a target, and boron (B) chips each having a 5 mm square are uniformly arranged on the target.例文帳に追加

これらは、ターゲットを直径１００ｍｍの酸化チタンとし、この上に５ｍｍ角のホウ素（Ｂ）チップを均一に配置し、ＲＦマグネトロンスパッタ法により得ることができる。 - 特許庁

The high-dielectric thin-film capacitor is manufactured by forming an alloy electrode 2 of AlNi containing 30 at.% of Ni on a glass substrate by an RF magnetron sputtering method, then forming SrTiO 3 on the electrode 2 by the RF magnetron sputtering method and forming again an alloy electrode 2 of AlNi containing 30 at.% of Ni on the high-dielectric thin- film.例文帳に追加

ガラス基体上にＲＦマグネトロンスパッタ法によりＮｉが３０ａｔ％含有されたＡｌＮｉの合金電極を形成後、前記電極上にＲＦマグネトロンスパッタ法によりＳｒＴｉＯ3を形成し、再び前記高誘電体薄膜上にＮｉが３０ａｔ％含有されたＡｌＮｉの合金電極を形成することにより高誘電体薄膜コンデンサとする。 - 特許庁

After the GeSbTe is processed to from the wiring, a thin film of SiO2 413 is formed by the RF sputtering method, the resist is coated, and apertures are provided at the terminals 421 and 422 of the wiring with the lithographic dry etching.例文帳に追加

以上の形状にＧｅＳｂＴｅを加工後、ＲＦスパッタ法でＳｉＯ_2 薄膜４１３を成膜し、レジストを塗布し、リソグラフィー・ドライエッチングで配線の端子部分４２１，４２２に開口を形成する。 - 特許庁

An amorphous silicon film (a-Si film) 2 is deposited at room temperatures on a silicon substrate 1 by a RF sputtering method, and the deposited amorphous silicon film 2 is annealed at temperatures from 600 °C to 850 °C in a vacuum.例文帳に追加

ＲＦスパッタ法によりシリコン基板１上に室温でアモルファスシリコン膜（ａ−Ｓｉ膜）２を堆積し、堆積したアモルファスシリコン膜２を６００℃から８５０℃の温度で真空中でアニールする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a magnetooptic disk which can form a magnetooptic recording film of small particle size enough for good magnetic field sensitivity and high-density recording by using an inductively coupled RF plasma supported magnetron sputtering device.例文帳に追加

誘導結合ＲＦプラズマ支援マグネトロンスパッタ装置を用いて、磁界感度が良く、高密度記録に適した十分に粒径の小さな光磁気記録膜を成膜できる光磁気ディスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for depositing a mixed film of a metal and titanium oxide, by which the mixed film can be deposited more stably at a higher speed in comparison with a conventional RF sputtering using a target formed of a metal-titanium oxide sintered compact.例文帳に追加

従来の金属−チタン酸化物の焼結体ターゲットを用いたＲＦスパッタリングよりも、高速、且つ、安定して金属とチタン酸化物の混合膜を形成する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To prepare an amorphous Si thin film produced on a substrate by atmospheric plasma CVD capable of film deposition at a high speed ≥10 times that in the conventional film deposition methods such as an RF sputtering method and a plasma CVD method under the reduced pressure.例文帳に追加

ＲＦスパッタリング法、減圧下でのプラズマＣＶＤ法等の従来の成膜方法による成膜速度より１０倍以上の高速成膜が可能な大気圧プラズマＣＶＤによって基板上に作製したアモルファスＳｉＣ薄膜を提供する。 - 特許庁

A high dielectric thin film capacitor is manufactured in such a way that, after an Al metallic electrode 2 is formed on a glass substrate 1 by the DC magnetron sputtering method, an SrTiO3 film 3 is formed on the electrode 2 as a high dielectric thin film by the RF magnetron sputtering method and another Al metallic electrode 2 is formed on the thin film 3.例文帳に追加

ガラス基体１上にＤＣマグネトロンスパッタ法によりＡｌの金属電極２を形成後、前記電極２上にＲＦマグネトロンスパッタ法により高誘電体薄膜としてＳｒＴｉＯ_3３を形成し、再び前記高誘電体薄膜３上にＡｌの金属電極２を形成することにより高誘電体薄膜コンデンサとする。 - 特許庁

The forming method of the solid oxide thin film has a process depositing lanthanum gallate on the anode 3 by RF magnetron sputtering; and a process heat-treating the anode 3 on which lanthanum gallate is deposited at temperature less than 1,200°C.例文帳に追加

固体酸化物薄膜の形成方法は、ＲＦマグネトロンスパッタリングにより、アノード電極３上にランタンガレートを堆積する工程と、前記ランタンガレートを堆積した前記アノード電極３を１２００℃未満で熱処理する工程とを備える。 - 特許庁

By using a reactive sputtering method, a nitride film having sealability is formed on a substrate, and a negative RF voltage (bias) is applied to the substrate, at the same time, which attains sealing film formation in a brief time, without causing defects, such as, the holes or the grooves, even if foreign matters adhere to the substrate.例文帳に追加

反応性スパッタリング法により基板上に封止性能を有す窒化膜を形成しつつ、同時に基板に負のＲＦ電圧（バイアス）を印加することで、基材に異物が付着した場合においても、孔や溝などの欠陥を生じることなく、短時間での封止膜形成が可能になる。 - 特許庁

The piezoelectric thin film element 1 has such a structure that a platinum lower electrode 3, a first SrTiO_3 thin film 4, an (Na, K, Li)NbO_3 piezoelectric thin film 5, a second SrTiO_3 thin film 6, and a platinum upper electrode 7 are formed on an MgO substrate 2A in sequence by an RF magnetron sputtering method.例文帳に追加

この圧電薄膜素子１は、ＭｇＯ基板２Ａ上に、ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、白金下部電極３、第１のＳｒＴｉＯ_３薄膜４、（Ｎａ，Ｋ，Ｌｉ）ＮｂＯ_３圧電薄膜５、第２のＳｒＴｉＯ_３薄膜６および白金上部電極７を順次形成した構造を有する。 - 特許庁

Further, an interlayer insulating film 22 composed of silicon nitride film of 20-50 nm is laminated by a sputtering method using an RF power supply.例文帳に追加

ソース領域またはドレイン領域１２ｂ、１３ｂ、１４ｂに達するコンタクトホールを形成した後、層間絶縁膜２０上に上端部に曲面を有する感光性の有機絶縁物材料から成る層間絶縁膜２１を形成し、さらに、ＲＦ電源を用いたスパッタ法により２０〜５０ｎｍの窒化シリコン膜からなる層間絶縁膜２２を積層する。 - 特許庁

The manufacturing method of the electrode for a lithium secondary cell is provided with a process forming a positive electrode active material layer including Li-Co-O layer on a collector 8 under an atmosphere including an Ar element being cation, using a sputtering method in a condition of a voltage impressed on the collector 8 using an RF power source 7 so that a potential of the collector 8 is to be practically negative.例文帳に追加

このリチウム二次電池用電極の製造方法は、集電体８の電位が実質的に負電位になるように、ＲＦ電源７を用いて集電体８に電圧を印加した状態で、スパッタリング法を用いて、正イオンになるＡｒ元素を含む雰囲気下で、集電体８上に、Ｌｉ−Ｃｏ−Ｏ層を含む正極活物質層を形成する工程を備える。 - 特許庁

The manufacturing method of ferroelectric film in which the ferroelectric film is formed on a substrate disposed on an anode by using a target made from a ferroelectric substance disposed on a cathode according to an RF magnetron sputtering method comprises: a substrate heating process for heating the substrate; and a charged particle neutralizing process for neutralizing charged particles of the ferroelectric substance which fly and deposit on the substrate.例文帳に追加

ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、カソードに設けた強誘電体を原料とするターゲットを用いて、アノードに設けた基板の上に強誘電体膜を形成する強誘電体膜の製造方法において、前記基板を加熱するための基板加熱工程と、前記強誘電体膜となる、前記基板に飛来し堆積する前記強誘電体の帯電した粒子を中和するための帯電粒子中和工程と、を含む。 - 特許庁

In the preparing method for a semiconductor device, a first amorphous semiconductor film where the concentration of oxygen is set to 7×10^19 cm^-3 or less is formed on an insulating board, the first amorphous semiconductor film is crystallized by heat treatment, and a second amorphous semiconductor film is formed by a magnetron type RF sputtering method using a single crystal silicon as a target under an atmosphere containing argon.例文帳に追加

本発明によると、絶縁基板上に酸素濃度が７×１０^１９ｃｍ^−３以下である第１の非晶質性半導体膜を形成し、前記第１の非晶質性半導体膜を熱処理により結晶化し、アルゴンを含む雰囲気下、単結晶シリコンをターゲットに用いたマグネトロン型ＲＦスパッタ法により、第２の非晶質性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法が提供されている。 - 特許庁