「rocking curve」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

When determining a characteristic parameter by fitting the theoretical rocking curve acquired in this way to a measured rocking curve, reliability of quantitative evaluation of orientation of the polycrystal material is improved.例文帳に追加

そのようにして得られた理論ロッキングカーブを測定ロッキングカーブにフィッティングさせて特性パラメータを求めれば，多結晶材料の配向性の定量評価の信頼性が向上する。 - 特許庁

Thus, a X-ray rocking curve half-width on the surface (100) of the III group nitride film is made 800 seconds or less, and a X-ray rocking curve half-width on the surface (002) is made 200 seconds or less.例文帳に追加

その結果、前記III族窒化物膜の（１００）面におけるＸ線ロッキングカーブ半値幅を８００秒以下とし、（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブ半値幅を２００秒以下とすることができる。 - 特許庁

Further, the base layer 14a is a group III nitride compound semiconductor having ≤100 arcsec rocking curve half-value width on a (0002) plane and ≤250 arcsec rocking curve half-value width on a (10-10) plane.例文帳に追加

さらに、下地層１４ａは、（０００２）面のロッキングカーブ半値幅が１００ａｒｃｓｅｃ以下であり（１０−１０）面のロッキングカーブ半値幅が２５０ａｒｃｓｅｃ以下であるIII族窒化物化合物半導体である。 - 特許庁

In the mean time, theoretical diffraction X ray intensity is calculated based on the orientation density distribution function ρ, and the characteristic parameter of the orientation density distribution function is obtained so that the theoretical rocking curve approaches the measurement rocking curve most.例文帳に追加

一方，配向密度分布関数ρに基づいて理論的な回折Ｘ線強度を計算し，理論ロッキングカーブが測定ロッキングカーブに最も近づくように配向密度分布関数の特性パラメータを求める。 - 特許庁

The X-ray detector 1 detects the diffracted X rays 9 through the mold and can acquire a rocking curve.例文帳に追加

Ｘ線検出器１は、モールド越しに回折Ｘ線９を検出し、ロッキング曲線を取得することができる。 - 特許庁

The variation of intensity for a particular diffracted beam with the direction of the incident beam is known as a rocking curve. 例文帳に追加

入射ビームの方向(の変化)に伴う特定の回折ビームについての強度の変化は、ロッキングカーブとして知られている。 - 科学技術論文動詞集

The sliding surface 156 is formed to curve toward the driving cam side so that the distance from the center of the cam shaft 120 becomes larger as the distance from the rocking center of the rocking member 150 becomes larger.例文帳に追加

また、スライド面１５６は、揺動部材１５０の揺動中心からの距離が大きくなるほどカム軸１２０の中心からの距離が大きくなるように駆動カム側に湾曲して形成する。 - 特許庁

In the support substrate 1, rocking curve half-value width is not larger than 59 sec in a plane crystal orientation at the side wall 1b of the opening or the recess.例文帳に追加

支持基板１は、開口部又は凹部の側壁１ｂにおける、面の結晶方位でロッキングカーブ半値幅が５９ｓｅｃ以下である。 - 特許庁

Furthermore, a full width at half maximum (FWHM) of a peak (0.0.24) measured by an XRD rocking curve of the superconductive crystal of the Bi2223 phase is 18° or less.例文帳に追加

また、Ｂｉ２２２３相よりなる超電導結晶のＸＲＤロッキングカーブで測定された（０．０．２４）ピークのＦＷＨＭが１８°以下である。 - 特許庁

The half-value width of the X-ray rocking curve of the first AlGaN layer 13 on the (0002) plane and the (10-12) plane is less than 1000 [arcsec].例文帳に追加

第１のＡｌＧａＮ層１３の（０００２）面及び（１０−１２）面におけるＸ線ロッキングカーブの半値幅は、１０００［ａｒｃｓｅｃ］未満である。 - 特許庁

To measure the thickness of a thin film by an X-ray diffraction method by performing the parameter fitting of a theoretical rocking curve of diffracted X-ray intensity considering orientation to a measured rocking curve, even when film thickness measurement by an X-ray reflectivity method can not be performed because of a reason as existence of a contiguous layer having an approximate density or the like.例文帳に追加

密度が近い隣接層が存在するなどの理由でＸ線反射率法による膜厚測定ができない場合でも，配向性を考慮した回折Ｘ線強度の理論ロッキングカーブを測定ロッキングカーブにパラメータフィッティングすることで，Ｘ線回折法によって薄膜の膜厚を測定可能にする。 - 特許庁

Using a scale factor found beforehand concerning a standard substance of an already-known film thickness, parameter fitting is performed so that the theoretical rocking curve may coincide most with a measured rocking curve, by changing the characteristic parameters of the distribution function ρ and the thickness (t) of the thin film, and consequently the film thickness (t) is determined.例文帳に追加

既知の膜厚の標準試料についてあらかじめ求めておいたスケール因子を用いて，配向密度分布関数ρの特性パラメータと，薄膜の膜厚ｔとを変化させて，理論ロッキングカーブが測定ロッキングカーブに最も合致するように，パラメータフィッティングを実施し，これによって膜厚ｔを決定する。 - 特許庁

The transparent conductive film grown on a base by doping ZnO with a group-III element oxide is formed to have a Zn (002) rocking curve half-width of 13.5° or more.例文帳に追加

ＺｎＯにIII族元素酸化物をドーピングして基体上に成長させた透明導電膜において、ＺｎＯ（００２）ロッキングカーブ半値幅が１３．５°以上であるようにする。 - 特許庁

The cap layer 16 is of a polycrystalline structure in which a half width of an X-ray diffraction rocking curve on a (004) plane is within an angle range of 4,000-12,000 seconds.例文帳に追加

キャップ層１６は、（００４）面におけるＸ線回折ロッキングカーブの半値幅が４０００秒〜１２０００秒の角度範囲内に含まれる多結晶構造とする。 - 特許庁

Thus, a rocking curve half-value width of the ZnO buffer layer 3 of c-axis orientation is 4.5° or less, providing the ZnO buffer layer 3 of good c-axis orientation.例文帳に追加

これによってｃ軸配向したＺｎＯバッファ層３のロッキングカーブ半値幅は４.５゜以下となり、ｃ軸配向性の良好なＺｎＯバッファ層３を得ることができる。 - 特許庁

The group III nitride compound semiconductor light-emitting element comprises a substrate 11, an interlayer 12 provided on the substrate 11, and a base layer 14a provided on the interlayer 12 where the rocking curve half peak width of (0002) plane is 100 arcsec or smaller and the rocking curve half peak width of (10-10) plane is 300 arcsec or smaller.例文帳に追加

基板１１と、基板１１上に設けられた中間層１２と、中間層１２上に設けられ、（０００２）面のロッキングカーブ半価幅が１００ａｒｃｓｅｃ以下であり、かつ（１０‐１０）面のロッキングカーブ半価幅が３００ａｒｃｓｅｃ以下である下地層１４ａとを備えてなるＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子とする。 - 特許庁

A measured rocking curve is obtained by measuring the intensity of diffracted X-rays by making X rays impinge on the surface of the thin film by an incident angle α with respect to the surface, and performing those measurements changing the incident angle α.例文帳に追加

薄膜の表面に対して入射角αでＸ線を入射して回折Ｘ線の強度を測定し，入射角αを変化させて測定ロッキングカーブを得る。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor substrate having a favorable half-value width in an X-ray rocking curve and inducing no degradation of the crystallinity of an epitaxial layer when the epitaxial layer is grown on the substrate.例文帳に追加

上層にエピタキシャル層を成長させた場合に、その結晶性を劣化させることのない、Ｘ線ロッキングカーブ半値幅が良好な窒化物系半導体基板を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is equipped with a substrate (11), and a dielectric thin film (12) which is epitaxially formed on the substrate (11) and has a rocking curve half-value width of 1° or below, and 0.7 to 10.0 nm in thickness.例文帳に追加

基板（１１）と、前記基板上にエピタキシャル成膜されたロッキングカーブ半値幅が１度以内で膜厚が０．７ｎｍ以上１０．０ｎｍ以下の誘電体薄膜（１２）とを具備する半導体装置である。 - 特許庁

The piezoelectric layer 5B in the peripheral area has a rocking curve half-value width of X-ray diffraction, which is less than or equal to two degrees, and a surface roughness indicated by RMS fluctuations of the top surface height of the base, which is less than or equal to 2 nm.例文帳に追加

周辺領域の圧電体層５Ｂは、Ｘ線回折のロッキングカーブ半値幅が２．０度以下で、下地の上面の高さのＲＭＳ変動で表される表面粗さが２ｎｍ以下である。 - 特許庁

The entire CBED refinement process is best handled by minimizing a weighted goodness of fit index because different parts of the rocking curve show different sensitivities to different parameters. 例文帳に追加

全CBED精密化プロセスは重みをつけた「goodness of fit」指数を最小にすることによって最もよく処理される; なぜなら、ロッキングカーブの異なる部分は、異なるパラメータに対して異なる感受性を示すからである。 - 科学技術論文動詞集

A group III nitride base layer including at least aluminum and having a dislocation density of 1×10^11/cm^2 or less with 200 seconds or less of a X-ray rocking curve half-value-width on a (002) surface is formed on a predetermined wafer material.例文帳に追加

所定の基材上において、少なくともＡｌを含み、転位密度が１×１０^11／ｃｍ^2以下であり、（００２）面のＸ線ロッキングカーブ半値幅が２００秒以下であるIII族窒化物下地層を形成する。 - 特許庁

A group III nitride base layer including at least alminum and having a dislocation density of 1 X 10^11/cm^2 or less with 200 seconds or less of a X-ray rocking curve half-value-width on a (002) surface is formed on a predetermined wafer material.例文帳に追加

所定の基材上において、少なくともＡｌを含み、転位密度が１×１０^１１／ｃｍ^２以下であり、（００２）面のＸ線ロッキングカーブ半値幅が２００秒以下であるＩＩＩ族窒化物下地層を形成する。 - 特許庁

The non-magnetic garnet single crystal substrate is used when the bismuth substituted-type magnetic garnet film is obtained by the LPE method and characterized in that the half-value width of a rocking curve of the substrate is characterized by being one for ≤140 sec.例文帳に追加

ＬＰＥ法によりビスマス置換型磁性ガーネット膜を得るに際して用いる基板であって、該基板がロッキングカーブの半値幅が１４０秒以下のものであることを特徴とする非磁性ガーネット単結晶基板である。 - 特許庁

The degree is analyzed by simultaneous use of the rocking curve method by XRD and a fluorescent X-ray fundamental parameter method.例文帳に追加

ＸＲＤによるロッキングカーブと蛍光Ｘ線ファンダメンタル・パラメータ法の併用により、結晶性の基板または層上に製膜された、格子定数のミスマッチによる結晶歪みを有する組成比未知の結晶性固溶体薄膜の結晶歪み度合いを分析する。 - 特許庁

X rays 10 enter the surface of a sample 12 at an incident angle α for measuring intensity in diffracted X rays 14, the incident angle α is changed for obtaining a change in the intensity in the diffracted X rays 14, and a measurement rocking curve is obtained.例文帳に追加

試料１２の表面に対して入射角αでＸ線１０を入射して回折Ｘ線１４の強度を測定し，入射角αを変化させて回折Ｘ線１４の強度の変化を求めて，測定ロッキングカーブを得る。 - 特許庁

In the preparing step, an anisotropically shaped powder 1 comprising oriented grains with an anisotropic shape and in which the full width at half maximum of the oriented planes according to a rocking curve method is ≤10° and fine powder 2 having the average grain diameter 1/3 or less that of the anisotropically shaped powder are prepared.例文帳に追加

準備工程においては、異方形状の配向粒子からなり、ロッキングカーブ法による配向面の半値幅が１０°以下の異方形状粉末１と、その１／３以下の平均粒径を有する微細粉末２とを準備する。 - 特許庁

The skirt portion 13 which is the sliding surface of a piston 10 is coated with a highly oriented specific graphite 15 (exhibiting a remarkable low frictional property) in which the full width at half maximum is equal to or less than 7° in the rocking curve at a (002) diffraction position of graphite-2H by X-ray diffraction measurement.例文帳に追加

ピストン１０の摺動面であるスカート部１３が、Ｘ線回折測定によるグラファイト−２Ｈ ００２回折位置でのロッキングカーブにおける半値幅が７°以下の高配向性の特定グラファイト（著しい低摩擦特性を示す）１５で被覆されている。 - 特許庁

This nitride semiconductor self-supporting substrate has a mirror-finished surface of the substrate, and the half-value width of the nitride semiconductor crystal (0002) plane from the result obtained by X-ray rocking curve measurement for the nitride semiconductor self-supporting substrate is 15 sec or more but less than 30 sec.例文帳に追加

本発明に係る窒化物半導体自立基板は、該基板の表面が鏡面であり、前記窒化物半導体自立基板に対するＸ線ロッキングカーブ測定により得られる結果で窒化物半導体結晶の(０００２)面の半値幅が15 sec以上30 sec未満であることを特徴とする。 - 特許庁

A layer of a nitride of group III elements containing at least Al having ≤1×10^11/cm^2 dislocation density and ≤200 sec half value width of an X-ray rocking curve in a (002) plane is formed on a base material having ≥600 μm thickness to form the epitaxial substrate.例文帳に追加

厚さが６００μｍ以上の基材上に、転位密度が１×１０^１１／ｃｍ^２以下であり、（００２）面におけるＸ線ロッキングカーブ半値幅が２００秒以下であり、少なくともＡｌを含むＩＩＩ族窒化物層を形成してエピタキシャル基板を作製する。 - 特許庁

The orientation properties of the magnetic layer of a plane- anisotropic magnetic recording medium are judged using half value width obtained by a rocking curve method or half value width obtained by a ϕ scanning method so as to obtain the objective magnetic recording medium having magnetostatic characteristics and electromagnetic transducing characteristics adapted to high recording density.例文帳に追加

面内異方性磁気記録媒体の磁性層の配向性をロッキングカ−ブ法で求めた半価幅またはφスキャン法で求めた半価幅を用いて判定することにより、高記録密度に対応した静磁気特性や電磁変換特性を有する磁気記録媒体を得ることが出来る。 - 特許庁

This method for producing the bismuth-substitution type magnetic garnet membrane employs an LPE(liquid phase epitaxy) process, characterized in that a non-magnetic garnet single crystal substrate having a half-value width of the rocking curve in lattice(8 8 8) plane of the substrate of ≤140 seconds is used for growing the bismuth-substitution type magnetic garnet membrane by the LPE process.例文帳に追加

ＬＰＥ法によりビスマス置換型磁性ガーネット膜を得る方法であり、ＬＰＥ法によりビスマス置換型磁性ガーネット膜を育成するに際して用いる非磁性ガーネット単結晶基板を、該基板（８ ８ ８）面のロッキングカーブの半値幅が１４０秒以下のものを用いることを特徴とするものである。 - 特許庁

When a theoretical diffraction X-ray intensity distribution is calculated based on a diffraction surface normal distribution function P by using overlapped orientation density distribution functions to which periodicity is given as the diffraction surface normal distribution function P(ϕ), its rocking curve reflects excellently an actual diffraction phenomenon.例文帳に追加

回折面法線分布関数Ｐ（φ）として，配向密度分布関数を周期化し，かつ，重ね合わせたものを用いることにより，この回折面法線密度分布関数Ｐに基づいて理論的な回折Ｘ線強度分布を計算すると，そのロッキングカーブは，現実の回折現象を良く反映したものになる。 - 特許庁

A superconducting member for high frequency 10 includes an R-plane sapphire substrate 12; a buffer layer 14 that is formed on one side or both sides of the substrate 12 and comprises ceria with a half-value width of 0.7 or above and 1.1 or below, in the rocking curve measurement of a (002) peak using an XRD; and a superconducting layer 16 on the buffer layer 14.例文帳に追加

Ｒ面サファイア基板１２と、この基板１２の片面または両面に形成され、ＸＲＤを用いた（００２）ピークのロッキングカーブ測定において半値幅０．７以上１．１以下であるセリアのバッファ層１４と、このバッファ層１４上の超電導層１６とを有することを特徴とする高周波用超電導部材１０。 - 特許庁

The GOI evaluation method of the silicon wafer is provided, which determines quality of electric characteristics of a gate oxidation film by at least forming the gate oxide film on the silicon wafer, by performing X-ray diffraction measurement to silicon wafer surface layer part directly under the formed gate oxide film, and whether or not half width of a rocking curve to be obtained by measurement is 0.00110° or less.例文帳に追加

少なくとも、シリコンウェーハ上にゲート酸化膜を形成し、形成されたゲート酸化膜直下のシリコンウェーハ表層部をＸ線回折測定して、測定により得られるロッキングカーブの半値幅が０．００１１０°以下であるか否かにより、ゲート酸化膜の電気的特性の良否判定をするシリコンウェーハのＧＯＩ評価方法を提供する。 - 特許庁