「schottky barrier height」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In order to vary the gate potential, the barrier height of a gate Schottky junction interface surface is smaller than the energy of an emitted light.例文帳に追加

ゲートポテンシャルを変化させるべく、ゲートショットキー接合界面の障壁高さを照射光のエネルギーよりも小さくしている。 - 特許庁

To provide a process for producing a Schottky junction semiconductor device, adapted to allow controlling the height of a Schottky barrier to a desired value to minimize electric power loss, without causing n factor to increase.例文帳に追加

ｎ因子を増加させることなくショットキー障壁の高さを電力損失が小さくなる所望の値に制御可能なショットキー接合型半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To contrive to set optimal conditions considering a barrier height of a Schottky metal and practice a device in a vertical-type MOS field-effect transistor comprising a Schottky junction on its reverse face.例文帳に追加

裏面にショットキー接合を備えた縦型ＭＯＳ電界効果トランジスターにおいて、ショットキー金属のバリア高さを考慮した最適条件の設定と、デバイスの実用化を図る。 - 特許庁

To effectively suppress leakage current by realizing a Schottky barrier having sufficient height which cannot be obtained by conventional techniques.例文帳に追加

従来技術では得ることのできなかった充分な高さを有するショットキ障壁を実現し、リーク電流を効果的に抑制すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for easily controlling a height and a width of a Schottky barrier and effectively suppressing a short-channel effect.例文帳に追加

ショットキー障壁の高さおよび幅を容易に制御でき、短チャネル効果を効果的に抑制できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

At least one of the electrodes 3 forms a Schottky junction having a barrier height not more than that of the photon energy of the light 6 between the electrode and the semiconductor layer 2.例文帳に追加

電極３のうち少なくとも１つは、半導体層２との間に光６のフォトンエネルギー以下の障壁高さを持つショットキー接合を形成する。 - 特許庁

In a nitride-based semiconductor, the height of a Schottky barrier Φ_B markedly changes with respect to the work function of a metal Φ_M, unlike GaAs and Si.例文帳に追加

ナイトライド系半導体では、ＧａＡｓ及びＳｉとは異なり、金属の仕事関数Φ_Mに対してショットキー障壁高さΦ_Bが顕著に変化する。 - 特許庁

To provide a silicon carbide Schottky junction semiconductor device capable of controlling a Schottky barrier height to a desired value, in a range of making a power loss minimum without increasing n-factors while using a Ta electrode as a Schottky electrode, and its manufacturing method.例文帳に追加

ｎ因子を増加させることなく、ショットキー障壁高さを電力損失が最小となる範囲内において所望の値に制御可能な、ショットキー電極としてＴａ電極を用いた炭化珪素ショットキー接合型半導体素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, the height of Schottky barrier appropriate for the nMOSFET10 and pMOSFET20 is realized for a high speed CMOSFET1.例文帳に追加

これにより、ｎＭＯＳＦＥＴ１０、ｐＭＯＳＦＥＴ２０それぞれに適したショットキー障壁高さを実現することが可能になり、高速のＣＭＯＳＦＥＴ１が得られる。 - 特許庁

To provide an SiC semiconductor device equipped with a schottky diode for controlling a barrier height to suppress the increase in a reverse leakage current value, and its production method.例文帳に追加

バリアハイトを制御し、逆方向リーク電流値が高くなることを抑制できるショットキーダイオードを備えたＳｉＣ半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a transistor having an electrode which has an excellent heat resistant property while keeping good characteristic values for the Schottky barrier height, the ideal coefficient, etc.例文帳に追加

この発明は、ショットキー障壁高さや理想係数値といった特性を良好な値に保ちつつ、耐熱性に優れた電極を備えるトランジスタを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a technique capable of achieving both metal source/drain position control and Schottky barrier height control in a MOS transistor having the metal source/drain.例文帳に追加

本発明は、メタルソース／ドレインを有するＭＯＳトランジスタにおいて、メタルソース／ドレインの位置制御且つショットキーバリアハイトの制御の両者を実現できる技術を提供することを課題とする。 - 特許庁

A Schottky barrier formed between the silicon carbide 13 and electrode 14 decreases in height and an ohmic contact is formed between the electrode 14 and silicon carbide 13 without using an alloying heat treatment.例文帳に追加

炭化珪素１３と電極１４との間に形成されるショットキー障壁の高さが低くなり、合金化熱処理を用いることなく、電極１４と炭化珪素１３との間にオーミックコンタクトが実現される。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor device having an electrode having high barrier height in a Schottky junction with a nitride semiconductor and high adhesion with the nitride semiconductor and a method for manufacturing the nitride semiconductor device.例文帳に追加

窒化物系半導体とのショットキー接合においてバリア高さが大きく、かつ窒化物半導体との密着性に優れた電極を有する窒化物半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier penetration single electronic transistor capable of artificially adjusting a height and a width of a tunnel barrier without using any process like PADOX, and capable of further raising a current driving ability; and to provide a method of manufacturing the transistor.例文帳に追加

ＰＡＤＯＸのような工程を用いず、トンネル障壁の高さ及び幅を人為的に調節することができる上、電流駆動能力をさらに向上させることができるショットキー障壁貫通単電子トランジスタ及びその製造方法の提供。 - 特許庁

In addition, in case when the light emitting device is applied to an electronic device, the n-type AlN layer extremely superior in electrical conductivity can be obtained thanks to the undoped AlN layer having less defect, so that Schottky barrier height or breakdown voltage can be increased.例文帳に追加

また、電子素子に適用した場合は、欠陥の少ないアンドープＡｌＮ層により電気伝導性が極めて優れたｎ型ＡｌＮ層が得られるので、ショットキーバリア高さや絶縁破壊電圧を大幅に増加することができる。 - 特許庁

A Schottky junction region 104 is formed on a region where an anode P layer 103 is not formed at an upper portion of the N- layer 102 by injecting impurities such as platinum of a barrier height lower than that of silicon.例文帳に追加

Ｎ−層１０２上部でアノードＰ層１０３が形成されていない領域に、シリコンに比べてバリアハイト（障壁の高さ）の低い、白金等の不純物を注入することにより、ショットキー接合領域１０４が形成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a MOS transistor capable of achieving both source/drain position control and Schottky barrier height control from a protective film edge attached to a sidewall of a gate electrode/gate insulating film to a gate edge in an ultrathin SOIMOS transistor having a metal source/drain.例文帳に追加

メタルソース／ドレインを有する極薄SOIMOSトランジスタにおいて、ゲート電極／ゲート絶縁膜の側壁につけた保護膜エッジからゲートエッジまでソース／ドレインの位置の制御とショットキーバリアハイトの制御の両者が実現できるＭＯＳトランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

By connecting a planar structure and a JBS structure within one chip in parallel, the JBS structure is applied in a low-current region with forward voltage characteristics, and the planar structure, i.e., a guard ring structure composed of a Schottky metal with a barrier height higher than 0.70 eV, is applied in a high-current region.例文帳に追加

プレーナ構造とＪＢＳ構造を１チップ内で並列接続することで、低電流領域での順方向電圧特性にはＪＢＳ構造、大電流域ではバリアハイトが０．７０ｅＶより高いショットキーメタルから構成されたガードリング構造（プレーナ構造）が作用する。 - 特許庁

A nonlinear resistance element for a lightning rod is constituted by a polycrystalline oxide which is composed of ZnO as a main component and a predetermined additive, and consists of a plurality of ZnO grains and grain boundary layers formed between ZnO grains, wherein the height of a Schottky barrier of the ZnO particle is ≥0.5 RT (wherein R is gas constant; and T is absolute temperature).例文帳に追加

主成分のＺｎＯと所定の添加物で組成され、多数のＺｎＯ粒子およびＺｎＯ粒子間に形成された粒界層からなる多結晶質酸化物としての避雷器用非線形抵抗素子において、前記ＺｎＯ粒子のショットキー障壁の高さを０．５ＲＴ（Ｒ：気体定数、Ｔ：絶対温度）以上とする。 - 特許庁

In a semiconductor hetero junction corresponding to the N channel and the P channel, a difference in height ϕB of a Schottky barrier formed between a source and drain formed of metal or intermetallic compound and a semiconductor layer used for each channel of a semiconductor is used for enabling selectively injecting the carriers into each channel.例文帳に追加

本発明はｎチャネル及びｐチャネルに相当する半導体へテロ接合において、金属もしくは金属間化合物で形成されたソース及びドレインと前記半導体の各チャネルに用いた半導体層との間に形成されるショットキー障壁の高さφ_Bの違いを用いて各チャネルに選択的にキャリア注入をできるようにする。 - 特許庁