「si type」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

HATCH-TYPE VERTICAL HSG-SI FORMING APPARATUS例文帳に追加

バッチ式縦型ＨＳＧ−Ｓｉ形成装置 - 特許庁

By this setup, the resistivity of the p-type layer containing Si can be reduced to 40 to 90% of that of a Si-free p-type layer.例文帳に追加

これによりp型層の抵抗率は、Siが実質的に含有されていない場合に比べて40〜90％に低減する。 - 特許庁

The upper Si oxide film and the Si nitride film 5 inside the ONO gate insulating film G are separated from the Si nitride film 9 inside the anti-reflection film F in a region over the P+-type channel blocking regions 12.例文帳に追加

ONOゲート絶縁膜G内の上のSi酸化膜6及びSi窒化膜5と、反射防止膜Fの内のSi窒化膜9とをp^+型チャネル阻止領域12上の領域で切り離している。 - 特許庁

The Si layer 14 comprises an n-type Si layer with the concentration of an n-type impurity of about 7×10^18 atoms cm^-3, and a p-type Si layer with the concentration of a p-type impurity of about 2×10^17 atoms cm^-3 which is formed on the n-type Si layer.例文帳に追加

Ｓｉ層１４は、ｎ型不純物濃度が７ｘ１０^18atoms・cm^-3程度のｎ型Ｓｉ層と、ｎ型Ｓｉ層の上に形成され、ｐ型不純物濃度が２ｘ１０^17atoms・cm^-3程度のｐ型Ｓｉ層とからなる。 - 特許庁

A nitride ferroelectric film 4, that is made of Sr2NbN3, is formed on a p-type Si substrate 1.例文帳に追加

p型Si基板１上にSr_2NbN_3からなる窒化物強誘電体膜４を形成する。 - 特許庁

An i-type Si semiconductor layer is disposed between an n-type Si semiconductor layer or p-type Si semiconductor layer and an i-type Si_xGe_1-x semiconductor layer (where 0≤x≤0.6).例文帳に追加

ｎ型Ｓｉ半導体層又はｐ型Ｓｉ半導体層とｉ型Ｓｉ_ｘＧｅ_１−ｘ半導体層（但し、０≦ｘ≦０．６）の間に、ｉ型Ｓｉ半導体層を配置することとした。 - 特許庁

For example, a-Si film 13 and n^+-type a-Si film 15 accomplish the bank.例文帳に追加

例えば、ａ−Ｓｉ膜１３とｎ＋型ａ−Ｓｉ膜１５とがバンクを成している。 - 特許庁

An n-type poly-Si resistor 7 and a p-type poly-Si resistor 8 in which the ratio of their height to their width is at one or higher are formed at the beam 15.例文帳に追加

梁１５には、高さ／幅が１以上のｎ型およびｐ型ポリＳｉ抵抗７，８が形成される。 - 特許庁

PRECIPITATION-HARDENING TYPE Al-Si BASED ALUMINUM ALLOY CASTING例文帳に追加

析出硬化型Ａｌ−Ｓｉ系アルミニウム合金鋳物 - 特許庁

Al-Mg-Si TYPE ALUMINUM COMPOUND EXTRUSION MATERIAL例文帳に追加

Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系アルミニウム合金押出形材 - 特許庁

The diode has an Si substrate 4, a first conductivity-type Si film 3 laminated and formed on the Si substrate and a second conductivity-type SiGe film 2 laminated and formed on the first conductivity-type Si film.例文帳に追加

Ｓｉ基板４と、このＳｉ基板上に積層形成された第１導電型のＳｉ膜３と、この第１導電型Ｓｉ膜の上に積層形成された第２導電型のＳｉＧｅ膜２とを有する。 - 特許庁

Therefore, the resistivity of the p-type layer is reduced to 40-90%, as compared with the case where the p-type layer does not substantially contain Si.例文帳に追加

これによりp型層の抵抗率は、Siが実質的に含有されていない場合に比べて40〜90％に低減する。 - 特許庁

The crystal thin film 42 consists of i-type poly-Si.例文帳に追加

結晶薄膜４２は、ｉ型ｐｏｌｙ−Ｓｉからなる。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING Si/C COMPLEX TYPE NEGATIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL例文帳に追加

Ｓｉ／Ｃ複合体型負極活物質の製造方法 - 特許庁

Information (ESOB_TY:b12="1" or invalid value of information of PSI, SI) indicating invalidity of information (PSI, SI) about broadcasting contents is included in the management information (ESOB_TY) of a type (TYPE_B) not specifying the broadcasting station.例文帳に追加

前記放送局を特定しないタイプ（TYPE_B）の管理情報（ESOB_TY）内に放送コンテンツに関する情報（PSI, SI）の無効を示す情報（ESOB_TY：b12=“1”またはPSI, SIの情報の無効値）を含む。 - 特許庁

To obtain a larger area to take out light without including an n-type Si substrate and a buffer layer, concerning a GaN-base LED to be formed by using a GaN-LED on Si substrate.例文帳に追加

GaN-LED on Si基板を利用して形成されるGaN系LEDにおいて、n型Si基板及びバッファ層を含まず、かつ光を取り出すための領域の面積を広く取ることが可能である。 - 特許庁

An i-type a-Si layer 2 and a p-type a-Si layer 3 are deposited on the substrate 1 (an n-type silicon wafer), and a PIN junction is formed (a).例文帳に追加

基板１（ｎ型シリコンウエハ）上に、ｉ型ａ−Ｓｉ層２及びｐ型ａ−Ｓｉ層３を堆積させてｐｉ接ｎ合を作成する（ａ）。 - 特許庁

The n-type silicon oxide film 2 includes a plurality of quantum dots 21 made of n-type Si.例文帳に追加

ｎ型シリコン酸化膜２は、ｎ型Ｓｉからなる複数の量子ドット２１を含む。 - 特許庁

The p-type silicon nitride film 3 includes a plurality of quantum dots 31 made of p-type Si.例文帳に追加

ｐ型シリコン窒化膜３は、ｐ型Ｓｉからなる複数の量子ドット３１を含む。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING Mg DOPED P-TYPE Si AND THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL例文帳に追加

Ｍｇドープｐ型Ｓｉの作製方法および熱電変換材料 - 特許庁

The glass insulating layers 16 to 19 are formed of Si-based, an Si-B-based, an Si-Al-based and an Si-Zn-based glass paste, and it contains at least one type of Ca, Sr, Ba and Mg.例文帳に追加

ガラス絶縁層１６〜１９は、Ｓｉ系、Ｓｉ−Ｂ系、Ｓｉ−Ａｌ系もしくはＳｉ−Ｚｎ系のガラスペーストからなり，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｍｇのうち少なくとも１種類以上を含む。 - 特許庁

A high concentration phosphoric ion is implanted into a region for forming a pn junction varactor on a p-type Si substrate, and after a carbon is implanted, a low concentration n-type Si layer is formed on the Si substrate.例文帳に追加

Ｐ型Ｓｉ基板上のＰＮ接合バラクタの形成領域に高濃度のリンイオンを注入し、カーボンを注入した後、Ｓｉ基板上に低濃度のＮ型Ｓｉ層を形成する。 - 特許庁

For example, an n-type epitaxial layer 12 is grown on the surface of an n-type Si substrate 11.例文帳に追加

たとえば、ｎ型Ｓｉ基板１１の表面に、ｎ型エピタキシャル層１２を成長させる。 - 特許庁

A p-type impurity doping region 11a is formed to an n-type silicon (Si) board 11.例文帳に追加

ｎ型シリコン（Ｓｉ）基板１１に、ｐ型不純物ドープ領域１１ａが形成されている。 - 特許庁

Thereafter, an N type epitaxial layer 4 is formed so as to cover the whole face of the P type Si substrate 1.例文帳に追加

その後、Ｐ型Ｓｉ基板１の全面を覆うように、Ｎ型エピタキシャル層４を形成する。 - 特許庁

Recesses (scribe line) 45 are cut in the P--type Si layer 25 beyond the N+-type Si layer 24, and a positive electrode 32 is filled into the recess 45 through the intermediary of a P+-type Si layer 26.例文帳に追加

半導体層２４、２５の裏面に、ｎ^+型Ｓｉ層２４を超えｐ^-型Ｓｉ層２５をもえぐる凹部（スクライブライン）４５があり、前記凹部４５のなかにｐ^+型Ｓｉ層２６を介して正電極３２が埋め込まれている。 - 特許庁

An Si dope GaN layer (n-type GaN layer) 84 is grown thereon.例文帳に追加

その上に、ＳｉドープＧａＮ層（ｎ型ＧａＮ層）８４を成長した。 - 特許庁

To enhance power generation efficiency by facilitating to increase optical intensity on the interface of a p-type Si film and an n-type Si film.例文帳に追加

本発明は、該ｐ型Ｓｉ膜とｎ型Ｓｉ膜との界面の光強度を上げやすくして発電効率を高めることを課題とする。 - 特許庁

An n-type polycrystalline Si thin film 3 and a p-type polycrystalline Si thin film 4 are formed on the metal electrode 2 by an epitaxial growth method.例文帳に追加

ｎ型多結晶Ｓｉ薄膜３及びｐ型多結晶Ｓｉ薄膜４は、エピタキシャル成長法により金属電極２上に形成する。 - 特許庁

Two boundary lines between the n-type polycrystalline Si 5a and p-type polycrystalline Si 5b are on the n-type CCD channel area 3 adjacent to the boundary between the n-type CCD channel area 3 and p+-type channel stop area 4.例文帳に追加

ｎ型多結晶Ｓｉ５ａとｐ型多結晶Ｓｉ５ｂとの境界線は２個所ともｎＣＣＤチャネル領域３とｐ^+型チャネル阻止領域４との境界近傍のｎ型ＣＣＤチャネル領域３上にある。 - 特許庁

A p/i interfacial layer 5 such as amorphous silicon (a-Si) of p-type and low impurity concentration whose band gap is wider than that of a p-layer 6 is held between the μc-Si p-layer 6 and an amorphous silicon germanium (a-SiGe) i-layer 4.例文帳に追加

μc-Siのｐ層６と非晶質シリコンゲルマニウム（a-SiGe）のｉ層４との間に、ｐ層６よりバンドギャップが広く、ｐ型で低不純物濃度の例えば非晶質シリコン（a-Si）のｐ／ｉ界面層５を挟む。 - 特許庁

An imaging portion 10A uses one surface of a p-type Si substrate as an imaging surface.例文帳に追加

撮像部１０Ａは、ｐ型Ｓｉ基板の一表面を撮像面とする。 - 特許庁

A P--type Si layer 25 and an N+-type Si layer 24 are laminated successively in this sequence from a viewpoint of an incident light 28 which is incident on a solar cell.例文帳に追加

太陽電池の光入射側４８から見て、ｐ^-型Ｓｉ層２５とｎ^+型Ｓｉ層２４の順に配列して半導体層を積層する。 - 特許庁

The collision energy absorbing member made of aluminum alloy is composed of a hot forging of Al-Mg-Si type aluminum alloy and can be manufactured by subjecting the Al-Mg-Si type aluminum alloy to hot forging, solution heat treatment and artificial aging treatment.例文帳に追加

Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系アルミニウム合金を熱間鍛造し、溶体化処理および人工時効処理を施すことにより製造する。 - 特許庁

The cage type silica porous body and the carbon source are mixed in such a manner that the molar ratio (C/Si) between the silicon (Si) in the cage type silica porous body and carbon (C) in the carbon source satisfies the relation of 0.8<C/Si<3.0.例文帳に追加

ケージ形シリカ多孔体と炭素源とは、ケージ形シリカ多孔体中のケイ素（Ｓｉ）と炭素源中の炭素（Ｃ）とのモル比（Ｃ／Ｓｉ）が、関係０．８＜Ｃ／Ｓｉ＜３．０を満たすように混合される。 - 特許庁

The layer 30 also has a heavily doped n-type Si body area 22, n--type Si area 23, SiGe channel area 24 containing an n-type impurity at a low concentration, lightly doped n-type Si cap layer 25, and contact 26 which is a conductor member connecting a gate electrode 17 to the Si body area 22.例文帳に追加

また、高濃度のｎ型Ｓｉボディ領域２２と、ｎ^- Ｓｉ領域２３と、低濃度のｎ型不純物を含むＳｉＧｅチャネル領域２４と、低濃度のｎ型Ｓｉキャップ層２５と、ゲート電極１７とＳｉボディ領域２２とを電気的に接続する導体部材であるコンタクト２６とが設けられている。 - 特許庁

A Si adhesive substrate is constituted by sticking one surface 20b of an N^--type high resistivity Si substrate 20 having face orientation (111) different from the Si substrate 10 on a surface 10a of an N^+-type low resistivity Si substrate 10 having face orientation (100).例文帳に追加

面方位が（１００）のＮ^＋型低比抵抗Ｓｉ基板１０の面１０ａ上に、面方位がＳｉ基板１０とは異なる（１１１）のＮ^−型高比抵抗Ｓｉ基板２０の一方の面２０ｂを貼り合わせて、Ｓｉ貼合基板を構成する。 - 特許庁

A plurality of IGBT cells are formed on an n-type Si substrate 10.例文帳に追加

ｎ型Ｓｉ基板１０上に複数のＩＧＢＴセルが形成されている。 - 特許庁

Cu-Ni-Si TYPE COPPER ALLOY SHEET WITH EXCELLENT PROOF STRESS AND BENDABILITY例文帳に追加

耐力および曲げ加工性に優れたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金板材 - 特許庁

Furthermore, the coating composition comprises the polyorganosiloxane compound, a silane or a silicone resin having an RO-Si type group and a curing catalyst.例文帳に追加

並びに、該ポリオルガノシロキサン化合物と、RO-Si型基を有するシラン又はシリコーンレジンと硬化触媒とからなるコーティング組成物。 - 特許庁

To prevent an increase in leakage current in a bottom gate type TFT where a poly-Si layer and an a-Si layer are laminated.例文帳に追加

ｐｏｌｙ−Ｓｉ層およびａ−Ｓｉ層が積層されたボトムゲートのＴＦＴにおいて、リーク電流の増大を防止する。 - 特許庁

SiOx, are arranged at one or both ends of a grain boundary 30 formed between columnar crystals in the μc-Si layer 14, short circuit of an electric current via the grain boundary 30 can be prevented between the n-type a-Si regions 131 and p-type a-Si regions 151.例文帳に追加

これにより、μc-Si層１４内で柱状晶間に形成される結晶粒界３０の一方もしくは両方の端部に絶縁部材であるSiOxから成る層（第１絶縁層１３２及び第２絶縁層１５２）が配置されるため、n型a-Si層１３１とp型a-Si層１５１との間で結晶粒界３０を介して電流が短絡することを防ぐことができる。 - 特許庁

While a P-channel type MISFET is covered by a mask layer RM, ion (at least one of F, Si, C, Ge, Ne, Ar, and Kr is included) is implanted into an N-type source region and an N-type drain region of N-channel type MISFET.例文帳に追加

マスク層ＲＭによりＰチャネル型ＭＩＳＦＥＴを覆いつつ、Ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのＮ型ソース領域およびＮ型ドレイン領域に、イオン（F,Si,C,Ge,Ne,Ar,Krのうち少なくとも一種類を含む）を注入する。 - 特許庁

The n-type layer 3 comprises, for example, a p-type dopant, such as Mg as well as an n-type dopant like Si, while the p-type layer 5 comprises, for example, an n-type dopant such as Si as well as p-type dopant such as Mg.例文帳に追加

このｎ形層３が、たとえばＳｉのようなｎ形ドーパントだけでなく、たとえばＭｇのようなｐ形ドーパントを含有しており、また、ｐ形層５も、たとえばＭｇのようなｐ形ドーパントだけでなく、たとえばＳｉのようなｎ形ドーパントを含有している。 - 特許庁

An NPN type bipolar transistor BT, in which an N well 11 is a collector layer, a P+ type Si layer 12A formed on a surface of the N wall 11 is a base layer, and an N+ type Si layer 15 formed on a surface of the P+ type Si layer 12A is an emitter layer, is formed.例文帳に追加

Ｎウエル１１をコレクタ層とし、Ｎウエル１１の表面に形成されたＰ＋型Ｓｉ層１２Ａをベース層とし、Ｐ＋型Ｓｉ層１２Ａの表面に形成されたＮ＋型Ｓｉ層１５をエミッタ層とする、ＮＰＮ型のバイポーラトランジスタＢＴが形成されている。 - 特許庁