「single gate」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

GATE VALVE OF SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL PULLING APPARATUS例文帳に追加

半導体単結晶引上装置のゲートバルブ - 特許庁

LOGIC GATE BASED ON SINGLE FLUX QUANTUM THEORY例文帳に追加

単一磁束量子理論に基づく論理ゲート - 特許庁

SINGLE PHOTON GENERATION DEVICE, SINGLE PHOTON DETECTION DEVICE, AND LIGHT QUANTUM GATE例文帳に追加

単一光子発生デバイス、単一光子検出デバイス及び光量子ゲート - 特許庁

Front gate: A single bay Yakuimon gate constructed in 1700 at the same time as the main hall. 例文帳に追加

表門－一間薬医門で、本堂と同じ元禄13年(1700年)の造営。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

NONVOLATILE MEMORY WITH SINGLE GATE AND ITS OPERATING METHOD例文帳に追加

シングルゲートの不揮発性メモリ及びその操作方法 - 特許庁

Niomon gate: Built in 1350; irimoya-zukuri style (building with a half-hipped roof); shingled-roof; single storey eight-legged gate. 例文帳に追加

仁王門-貞和6年（1350年）入母屋造、柿（こけら）葺き単層の八脚門。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Shinmon gate: A large gate said to be made from a single trunk of 3000 year-old Taiwanese hinoki cypress. 例文帳に追加

神門--樹齢3千年というタイワンヒノキ1幹で立てられたという大門である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In a single screw compressor, a gate rotor assembly (60) is constituted by a gate rotor (50) and a gate rotor supporting member (55).例文帳に追加

シングルスクリュー圧縮機では、ゲートロータ（50）とゲートロータ支持部材（55）とによってゲートロータ組立体（60）が構成される。 - 特許庁

The gate insulating films 5 and 11 are formed of a single-layer film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜５，１１は単層膜で形成されている。 - 特許庁

The cells are read using only a single constant gate voltage.例文帳に追加

セルは、単一の一定のゲート電圧のみで読み込まれる。 - 特許庁

Therefore, single gate electrode wiring can be used.例文帳に追加

よって、単一のゲート電極配線を用いることができる。 - 特許庁

METHOD OF PROGRAMMING EEPROM HAVING SINGLE GATE STRUCTURE例文帳に追加

単一ゲート構造を有するＥＥＰＲＯＭのプログラミング方法 - 特許庁

The radiation test comprises Single Event Upset, Single Event Latch-up, Micro Latch-up, and Gate Rupture Test.例文帳に追加

放射線試験は、シングルイベントアップセット(ＳＥＵ：Single Event Upset)、シングルイベントラッチアップ(ＳＥＬ：Single Event Latch-up)、マイクロラッチアップ(Micro Latch-up)、およびゲートラプチャ−テスト(Gate Rupture Test)を含む。 - 特許庁

COMBINATIONAL LOGIC USING ASYNCHRONOUS SINGLE-FLUX QUANTUM GATE例文帳に追加

非同期単一磁束量子ゲートを用いた組み合わせ論理回路 - 特許庁

A silicon film for a floating gate electrode adjacent to a gate insulating film is made to be a non-single crystal silicon film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜に接する浮遊ゲート電極のシリコン膜を非単結晶のシリコン膜とする。 - 特許庁

A gate electrode 14 is provided through a gate oxide film 13 on the substrate of single crystal Si.例文帳に追加

単結晶Ｓｉの基板にゲート酸化膜１３を介してゲート電極１４が設けられている。 - 特許庁

A gate dielectric film directly below the first gate electrode is single layer whereas a gate dielectric film directly below the second gate electrode includes a charge storage means internally.例文帳に追加

第１のゲート電極直下のゲート誘電体膜は単層であるが、第２のゲート電極直下のゲート誘電体膜は電荷蓄積手段を内部に含む。 - 特許庁

This device has a child gate door single body 10 inside a parent gate door single unit 3 moving on a pair of tracks 2 and 2 installed on a predetermined place, and this child gate door single body is able to move in contact with the tracks 7 and 7 provided at the right and left inner side portions of the tracks and parent gate door single body.例文帳に追加

本発明は、所定場所に設置した一対の軌条２，２を移動する親門扉単体３の内部に子門扉単体１０を収納設置し、この子門扉単体は前記軌条および親門扉単体の左右内側部に設けた軌条７，７を移動するようにして成るものである。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory of a single layer gate type capable of suppressing deterioration of a gate insulation film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜の劣化を抑制することができる単層ゲート型の不揮発性メモリを提供すること。 - 特許庁

To disclose a single tunnel gate oxidation method for fabricating a NAND memory string where a gate oxide (24) of select transistor and floating gate memory transistor is fabricated in a single oxidation step.例文帳に追加

選択トランジスタと浮遊ゲート・メモリ・トランジスタのゲート酸化物（２４）を単一の酸化工程で製造する、ＮＡＮＤメモリ・ストリングを製造するための単一トンネル・ゲート酸化方法を開示する。 - 特許庁

To provide a single tunnel gate oxidation process for fabricating NAND memory strings in which gate oxide of the selection transistor and floating gate memory transistor is fabricated in a single oxidation step.例文帳に追加

選択トランジスタ及び浮遊ゲート・メモリ・トランジスタのゲート酸化物を１つの酸化工程で製造する、ＮＡＮＤメモリ・ストリングを製造するための単一トンネル・ゲート酸化方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor film 12 of a TFT 3 has a double gate structure in which the film intersect one part of a gate line 2 twice and only a gate 15 remote from a data line 1 has a dual gate structure in which the semiconductor film 12 is held between the gate line 2 and a gate electrode 17 and a gate 14 has a single gate structure.例文帳に追加

ＴＦＴ３の半導体膜１２はゲート線２の一部と２回交差するダブルゲート構造であり、データ線１に遠いゲート１５だけがゲート線２およびゲート電極１７に半導体膜１２が挟まれたデュアルゲート構造を有し、ゲート１４は単一のゲート構造である。 - 特許庁

To reduce a cell area in a flash memory device of a single gate structure.例文帳に追加

単層ゲート構造のフラッシュメモリ装置において、セル面積を縮小する。 - 特許庁

A surface gate electrode 24 is formed on a single-crystal silicon layer 22 and a buried gate electrode 20 is formed under the single-crystal silicon layer 22.例文帳に追加

単結晶シリコン層２２上に表面ゲート電極２４が形成され、単結晶シリコン層２２下に埋め込みゲート電極２０が形成されている。 - 特許庁

To provide a low-cost manufacturing technique of a metal gate wherein the metal gate and the interconnection thereof of a semiconductor device are formed in a single processing.例文帳に追加

メタルゲートおよびそのインタコネクトを単一処理する低コストメタルゲート製造技術を提供すること。 - 特許庁

A gate eletrode 12 is formed on the main front surface of the single crystal silicon layer through a gate insulating film 11.例文帳に追加

ゲート電極１２は単結晶シリコン層の主表面上にゲート絶縁膜１１を介して形成されている。 - 特許庁

The first and the second gate electrodes constitute substantially a single gate electrode, because they are adjacent to each other.例文帳に追加

第１のゲート電極と第２のゲート電極は隣接することで、実質的に単一のゲート電極を構成する。 - 特許庁

The single-crystal silicon layer 45 is subjected to patterning to form burial gate electrodes 11, 13, 15, and 17.例文帳に追加

次に、埋め込みゲート電極間に非晶質シリコン層５５が形成される。 - 特許庁

To provide a method of programming an EEPROM having a single gate structure.例文帳に追加

単一ゲート構造を有するＥＥＰＲＯＭのプログラミング方法を提供する。 - 特許庁

SINGLE ELECTRONIC MEMORY ELEMENT COMPRISING QUANTUM POINT BETWEEN GATE ELECTRODE AND SINGLE ELECTRONIC STORAGE ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加

ゲート電極と単一電子ストレージエレメントとの間に量子点を備える単一電子メモリ素子及びその製造方法 - 特許庁

The single layers function as channels and a gate dielectric layer for the OFET.例文帳に追加

この単層はＯＦＥＴのためのチャネル及びゲート誘電体層として機能する。 - 特許庁

To maintain proper state at the interface between the tunnel oxide of a first transistor having a composite gate and a floating gate, and to enable the wiring resistance of the single gate of a second transistor having a single gate, to be made fully low in resistance.例文帳に追加

複合ゲートを有する第１のトランジスタのトンネル酸化膜と浮遊ゲートとの界面を良好な状態に保つとともに、単一ゲートを有する第２のトランジスタの単一ゲートの配線抵抗を十分に低抵抗化できるようにする。 - 特許庁

The single conductor layer contains a gate conductor above the gate dielectrics while a ground plate above the capacitor node dielectrics.例文帳に追加

この単一の導体層は、ゲート誘電体の上方にゲート導体を含み、キャパシタ・ノード誘電体の上方に接地プレートを含む。 - 特許庁

The single crystal silicon TFTs Q_1-Q_n are switched sequentially by applying a saw-tooth shaped gate voltage to a common gate 8.例文帳に追加

共通のゲート電極８に鋸歯状波形のゲート電圧を印加して単結晶シリコンＴＦＴＱ_1 〜Ｑ_n を順次スイッチングする。 - 特許庁

To provide a single-bit non-conductive floating-gate memory cell driven on an ultralow voltage.例文帳に追加

超低電圧で駆動できる単一ビット非伝導性浮遊ゲートメモリーセルを提供する。 - 特許庁

A first gate driver circuit 2 can bring each gate pulse output stage into a high-impedance state by an external signal DIR and scans each gate line in a single direction.例文帳に追加

第１ゲートドライバ回路２は、各ゲートパルス出力段が外部信号ＤＩＲによりハイインピーダンス状態となることが可能で且つ単一方向に各ゲート線を走査する。 - 特許庁

The triacs 14 are each turned on/off with a negative gate signal to be simultaneously output from the single DC power source E of the gate driving circuit 17.例文帳に追加

トライアック１４は、ゲート駆動回路１７の単一の直流電源Ｅから同時に出力される負のゲート信号でオンオフする。 - 特許庁

Namely, the buried gate electrode 20, the single-crystal silicon layer 22, and the surface gate electrode 24 are laid to overlap vertically.例文帳に追加

すなわち、埋め込みゲート電極２０、単結晶シリコン層２２、表面ゲート電極２４が上下方向で重なるようにされている。 - 特許庁

This transistor comprises at least a single crystal semiconductor layer 1a and a gate insulating film 2 provided on the single crystal semiconductor layer 1a.例文帳に追加

単結晶半導体層１ａと、単結晶半導体層１ａ上に設けられたゲート絶縁膜２とを少なくとも備えてなる。 - 特許庁

In addition, a top gate-type TFT that is of the multi-gate structure and a top gate-type TFT that is of a single gate structure can be formed on the same substrate by merely changing the mask without increasing the number of processes.例文帳に追加

また、マスクを変更するだけで、工程数を増やすことなく、同一基板上に上記マルチゲート構造であるトップゲート型ＴＦＴとシングルゲート構造であるトップゲート型ＴＦＴを形成することができる。 - 特許庁

To reduce an area of a capacitor element without decreasing capacity of the capacitor element, and to prevent an electric short circuit between a gate electrode and a substrate of a circuit component having a single-layer gate structure in a semiconductor memory device including a 2-layer gate structure and the single-layer gate structure.例文帳に追加

キャパシタ素子の容量を低下させることなくキャパシタ素子の面積を縮小させると共に、２層ゲート構造と１層ゲート構造を有する半導体記憶装置における１層ゲート構造を有する回路素子のゲート電極と基板間の電気的短絡を防止する。 - 特許庁

These three sections have a common floating gate composed of a single polysilicon layer.例文帳に追加

これら３つの部位は、前記単一のポリシリコン層で構成される共通のフローティングゲートを有する。 - 特許庁

SINGLE-ENDED HIGH-VOLTAGE LEVEL SHIFTER FOR GATE DRIVER FOR A THIN FILM TRANSISTOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE例文帳に追加

薄膜トランジスタ液晶表示装置のゲートドライバに用いられるシングルエンド型高電圧レベルシフタ - 特許庁

Gate electrodes 6 and 9 of each transistor are formed of a single W polycide wiring 11.例文帳に追加

各トランジスタのゲート電極６，９は１本のＷポリサイド配線１１によって形成されている。 - 特許庁

On the other hand, the reference transistor RT is an MIS transistor having a single gate electrode 150.例文帳に追加

一方、リファレンストランジスタＲＴは、単一のゲート電極１５０を有するＭＩＳトランジスタである。 - 特許庁