| 例文 |
single layer methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 711件
To provide: a laminated substrate that can suppress the manufacturing cost of a substrate having a nonpolar plane or semipolar plane of GaN single crystal on a surface, and actualizes a light-emitting element provided with a nitride-based compound semiconductor layer on a transparent conductive substrate such as a ZnO substrate and a β-Ga_2O_3 substrate; a method of manufacturing the laminated substrate; and a light-emitting element.例文帳に追加
ＧａＮ単結晶の非極性面または半極性面を表面に有する基板の製造コストを抑えることができ、且つ、ＺｎＯ基板やβ−Ｇａ_２Ｏ_３基板といった透明導電性基板の上に窒化物系化合物半導体層が設けられた発光素子を実現できる貼り合わせ基板、貼り合わせ基板の製造方法、及び発光素子を提供する。 - 特許庁
To provide a silicon single crystal wafer which well displays the gettering effect by avoiding the abuses of the conventional IG method, contains little impurity or crystal strain on the surface layer at the device forming side and has gettering sites compactly existing in the wafer interior, without deteriorating various characteristics such as intensity characteristic, electric resistance characteristics, etc.例文帳に追加
従来のＩＧ法による弊害が回避され、ゲッタリング効果を良好に発揮できるシリコン単結晶ウエハを提供すること、デバイス形成側面の表層には不純物や結晶歪みがほとんど存在せず、しかも強度特性、電気抵抗特性等の諸特性を損なうことなくウエハ内部（バルク）にゲッタリングサイトが密に存在するシリコン単結晶ウエハを提供すること。 - 特許庁
The single crystal layer 11 of zinc oxide is grown by blowing a material gas containing at least an organic zinc compound material not containing an oxygen atom and steam on the substrate 10 using an organic metal compound not containing oxygen and steam by an MOCVD method at a growing temperature of 250-450°C and a growing pressure of 1-30 kPa.例文帳に追加
ＭＯＣＶＤ法により酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気を用い、成長温度が２５０℃から４５０℃の範囲内で、かつ、成長圧力が１ｋＰａから３０ｋＰａの範囲内であって、酸素原子を含まない有機亜鉛化合物材料と水蒸気とを少なくとも含む材料ガスを基板１０に吹き付けて酸化亜鉛の単結晶層１１を成長させる。 - 特許庁
To provide a vinylidene chloride-based copolymer particle having a specific particle size distribution and a bulk specific gravity, a copolymer particle which can improve the extrusion characteristics such as an extrusion stability and an uniform film thickness for obtaining an oriented or non-oriented film, a single layer material or a multilayer material by an ordinary melt molding method and an obtained film.例文帳に追加
特定の粒子径分布とかさ比重を持つ塩化ビニリデン系共重合体粒子を提供するとともに、通常の溶融成形法により、延伸または未延伸、単層体または多層構造体のフィルムとする場合に、押出安定性及びフィルム膜厚みの均一性などの押出特性が改良することができる共重合体粒子及び得られるフィルムを提供する。 - 特許庁
The synthetic method of the single layer carbon nanotube includes a 1st step for preparing a liquid mixture containing an organic metallic compound of a precursor for the carbon nanotube synthesis and a carbon supply source, a 2nd step for adding a supporting body on the surface of which the carbon nanotube is synthesized into the liquid mixture and a 3rd step for irradiating the liquid mixture into which the supporting body is added with ultrasonic wave.例文帳に追加
カーボンナノチューブ合成の前駆体である有機金属化合物と炭素供給源とを含む混合液を調製する第１段階と、表面上でカーボンナノチューブが合成される支持体を混合液に添加する第２段階と、支持体が添加された混合液に超音波を照射する第３段階と、を含むことを特徴とする単層カーボンナノチューブの合成方法である。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a liquid crystal display device, capable of reducing the connection resistance of a pixel electrode and a drain electrode through a interlayer insulating film, and also, capable of satisfactorily patterning an ITO film free from a short circuit between mounted terminals on a single etching processing stage at the time of forming the pixel electrode, as for the liquid crystal display device having a pixel uppermost layer structure.例文帳に追加
画素最上層構造を有する液晶表示装置において、層間絶縁膜を介した画素電極とドレイン電極の接続抵抗を低減できると共に、画素電極形成時に、ＩＴＯ膜を一回のエッチング処理工程で実装端子間に短絡のないかつ良好なパターン形状にパターニングすることのできる液晶表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a film structure analyzing method constituted so as to analyze the structure of a film structure comprising a single-layer film or a multilayered film and analyzing a plurality of measuring data, which is obtained by measuring the same film sample under a measuring condition different in at least either one of resolving power and a dynamic range, at the same time to determinate the film structure.例文帳に追加
単層膜または多層膜からなる膜試料の構造をＸ線反射率測定法により解析する膜構造解析方法において、同一の膜試料を分解能およびダイナミックレンジのうちの少なくともいずれかの条件が異なる測定条件により測定した複数の測定データを同時に解析することにより膜構造を決定することを特徴とする膜構造解析方法を提供する。 - 特許庁
The image forming method having a photoconductive layer composed of a non-single crystalline material consisting of silicon atoms as its parent body comprises using toners containing at least a binder resin, coloring agents and particulates containing at least a zinc oxide at 0.5 to 30 mol% in terms of a zinc element and metallic elements exclusive of the zinc element at 0.1 to 30 mol% of the zinc element in the zinc oxide.例文帳に追加
シリコン原子を母体とする非単結晶材料で構成された光導電層を有する画像形成方法において、結着樹脂と、着色剤と、少なくとも酸化亜鉛を亜鉛元素換算で０．５〜３０ｍｏｌ％含有し且つ亜鉛元素以外の金属元素を前記酸化亜鉛中の亜鉛元素に対して０．１〜３０ｍｏｌ％含有する微粒子とを少なくとも含有するトナーを用いることを特徴とする。 - 特許庁
To provide a method and a device for repairing an affected layer caused by machining work so as to have a crystal structure just the same as a substrate part without removing a material of a surface of a single crystal wafer.例文帳に追加
本発明の目的は、単結晶ウエハー表面の材料を除去することがなく、機械加工により生じた加工変質層を基板部分と全く同様な結晶構造に修復することであり、部品の加工精度を維持したままで、生産コストの削減、環境負荷の低減が期待できる、大気中で作動可能で、高速・高能率で簡単な単結晶ウエハーの表面欠陥の修復方法及び修復装置を提供することである。 - 特許庁
A method of manufacturing an epitaxial wafer that uses the sheet type epitaxial device forming an epitaxial layer on a surface of a mounted wafer by horizontally placing the single semiconductor wafer on a susceptor provided in a chamber and rotating in a horizontal state, and supplying a material gas into the chamber while rotating the susceptor so that the material gas flow in the horizontal direction is characterized in that the susceptor revolves while rotating in the horizontal direction.例文帳に追加
チャンバ内に設けられた水平状態で回転するサセプタの上に単一の半導体ウェーハを水平に載置し、サセプタを回転させながらチャンバ内に水平方向に流れるように原料ガスを供給して、載置したウェーハの表面にエピタキシャル層を形成する枚葉式エピタキシャル装置を用いたエピタキシャルウェーハの製造方法において、サセプタが水平状態で自転しながら公転することを特徴とする。 - 特許庁
To provide a manufacturing method by which degradation of superconductive characteristics can be suppressed and the superconductive thin film wiring material can be obtained at a superior yield rate, and productivity can be improved sufficiently, when manufacturing a lengthy superconductive thin film wiring material by continuously forming an intermediate layer on a lengthy orientation metal substrate at a single time of processing, and furthermore by continuously forming an oxide superconductor thin film.例文帳に追加
長尺の配向金属基板上に中間層を１回の処理で連続的に形成し、さらに酸化物超電導体薄膜を連続的に形成して長尺の超電導薄膜線材を製造するに際して、超電導特性の低下を抑制することができ、歩留まりよく超電導薄膜線材を得て、充分に生産性を向上させることができる製造方法を提供する。 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
検索履歴を保存できる！
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
