「single layer method」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a gallium oxide single crystal complex having a nitrided gallium modification layer which is capable of reducing the possibility of generation of defects and dislocations, and simply performing the crystal growth of III-V group nitride semi-conductors at low cost, and recyclable as a novel substrate on a surface layer part of the gallium oxide single crystal.例文帳に追加

欠陥や転位の発生のおそれをより低減でき、かつ、低コストで簡便にIII−Ｖ族窒化物半導体を結晶成長させる新規な基板としても利用可能性を有する、酸化ガリウム単結晶の表層部に窒化ガリウム変性層を備えた酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electric double-layer capacitor and a manufacturing method of the capacitor for increasing an electrostatic capacity, even if a single-layer carbon nanotube refined after being synthesized through arc discharging is used as a polarizing electrode material.例文帳に追加

アーク放電法によって合成した後に精製した単層カーボンナノチューブを分極性電極材料として使用しても、静電容量を増大させることができる電気二重層キャパシタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the electron emitting material includes a process for mixing single layer carbon nanotubes or two-layer carbon nanotubes 40 in elastomer 30 and dispersing them by shearing force to obtain a carbon fiber composite material 1.例文帳に追加

本発明の電子放出材料の製造方法は、エラストマー３０に、単層カーボンナノチューブまたは２層カーボンナノチューブ４０を混合させ、かつ剪断力によって分散させて炭素繊維複合材料１を得る工程を含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing carbon nanotubes capable of performing layer control in single layer/multilayer and shape control in rectilinear shape, spiral shape, or the like, and further capable of mass-producing carbon nanotubes in which size, length and orientation properties are uniform.例文帳に追加

単層／多層の層制御や直線状、螺旋状等の形状制御が可能であると共に、径や長さ、配向性の均一なカーボンナノチューブを大量生成することが可能なカーボンナノチューブの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the abrasion image forming method of single color having D-max, D-min and D-intermediate zones, the image of a recording element for abrasion comprising a substrate having a barrier layer and a coloring agent layer containing a coloring agent is heated by laser beams without employing any different receptive element.例文帳に追加

バリア層と着色剤を含む着色剤層と有する支持体を含むアブレーション用記録要素を、別個の受容要素無しに、レーザーで像様加熱する、D-max、D-min及びD-intermediate領域を有する単色のアブレーション画像形成法。 - 特許庁

In the method of manufacturing a solid-state imaging apparatus provided with the transfer electrodes having single-layer structures, sacrificial layer patterns 6 are formed along the charge transferring direction v and electrode material layers 7 are formed by burying the layers 7 among the sacrificial layer patterns 6 in a state where the patterns 6 are exposed.例文帳に追加

単層構造の転送電極を備えた固体撮像装置の製造方法であって、電荷転送方向ｖに沿って犠牲層パターン６を形成し、犠牲層パターン６を露出させた状態で犠牲層パターン間に電極材料層７を埋め込み形成する。 - 特許庁

A method of crystallizing a semiconductor thin-film includes steps of depositing an amorphous semiconductor thin-film on the insulation layer, bringing the monocrystalline semiconductor layer into contact with part of the former thin-film, and single-crystallizing the amorphous semiconductor thin-film with crystallinity of the monocrystalline semiconductor layer reflected by heat treatment.例文帳に追加

絶縁層上に非晶質半導体薄膜を堆積し、その一部に単結晶半導体層を接触させ、熱処理によって単結晶半導体層の結晶性を反映させ非晶質半導体薄膜を単結晶化する半導体薄膜の結晶化方法。 - 特許庁

The single-layer electrophotographic photoreceptor has a photosensitive layer on a substrate; the image forming apparatus including the same and the image formation method are also provided; and the photosensitive layer contains titanyl phthalocyanine crystals as a charge-generating agent and also contains an antioxidant and an ultraviolet absorber as additives.例文帳に追加

基体上に、感光層を有する単層型電子写真感光体、それを含む画像形成装置及び画像形成方法であって、感光層が電荷発生剤として、チタニルフタロシアニン結晶を含むとともに、添加剤として、酸化防止剤及び紫外線吸収剤を含む。 - 特許庁

To provide a single-sided multilayer phase transition type information recording medium wherein suitable initialization is made possible to any information layer, to provide its initialization method and to provide its recording and reproducing method.例文帳に追加

多層相変化型情報記録媒体において、どの情報層に対しても好適な初期化が可能な片面多層相変化型情報記録媒体、その初期化方法、及びその記録再生方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of forming quantum thin lines of various sizes on a single semiconductor substrate by growing an epitaxial layer in triangular structure having a variety of sizes on the semiconductor substrate by using a selective epitaxial growing method.例文帳に追加

選択的エピタキシャル成長法を利用して、半導体基板に多様な大きさを有する三角形構造のエピタキシャル層を成長させることで、単一半導体基板に多様な大きさの量子細線を形成する。 - 特許庁

This method for manufacturing a semiconductor wafer is provided with a process for growing epitaxially an SiGe layer on a surface of a first silicon single crystal wafer, a process for coupling a surface of the SiGe layer with a surface of a second wafer via an oxide film, and a process for thinning the first silicon single crystal wafer coupled with the second wafer and exposing the Si layer including lattice strain.例文帳に追加

第１のシリコン単結晶ウェーハの表面にＳｉＧｅ層をエピタキシャル成長する工程と、該ＳｉＧｅ層の表面と第２のウェーハの表面とを酸化膜を介して結合する工程と、該第２のウェーハと結合された該第１のシリコン単結晶ウェーハを薄膜化して格子歪みを内在するＳｉ層を露出させる工程と、を有するようにした。 - 特許庁

The antenna forming method forms an antenna film on an electrodeposition coat film or an intermediate coat film of the automobile outer sheet, and forms a single- or double-layer paint coat film on the antenna film.例文帳に追加

本発明は、自動車外板部に容易に形成することができて邪魔にならず、且つ耐久性にも優れた自動車用アンテナの形成方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing flexible and microscopic multilayer circuit boards by which continuity among several single-layer circuit boards is ensured by means of interconnection parts using microscopic openings such as via holes and the like.例文帳に追加

ビアホ−ル等の微細な開口部を用いた相互接続部により複数の単層回路基板の相互間を導通させる可撓性微細多層回路基板の製造法を提供する。 - 特許庁

To provide a terminal processing method for a super-extra-fine coaxial cable by which a thin-film shield is instantaneously melted and vaporized applying a low voltage by a single operation without damaging a dielectric layer.例文帳に追加

薄膜シールドを一回の操作で、瞬間的に、誘電体層へのダメージなしで、低電圧で溶融、蒸発させ得る超極細同軸ケーブルの端末加工方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a light emitting element having a single crystal semiconductor layer of good crystallinity formed on a low crystallinity amorphous substrate, for example, its fabricating method and a display.例文帳に追加

非晶質体などよりなる結晶性の低い基板の上に結晶性の良い単結晶の半導体層を備えた発光素子およびその製造方法並びに表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide an inexpensive conductive roller (electrifying roller) having simple structure that a single resistance layer is applied and formed by a simple method that a core bar is covered with a thin film tube.例文帳に追加

芯金の廻りに薄膜チューブを被せるという単純な方法により、単層の抵抗層を被覆形成した単純構造且つ安価な導電性ローラ（帯電ローラ）を提供する。 - 特許庁

To provide an SOI substrate adapted to improve both crystallinity and flatness of a single-crystal semiconductor layer fixed to a base board, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

ベース基板に固定された単結晶半導体層の結晶性が向上、および平坦性の向上したＳＯＩ基板および半導体装置の作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide an abrasive grain tool capable of controlling abrasive grain distributing density, not leaving lines on a grinding material surface and fastening abrasive grains on a working surface in a single layer and its manufacturing method.例文帳に追加

砥粒分布密度を制御することができ、しかも被削材表面に筋の残らない、作用面に砥粒を単層に固着した砥粒工具及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing method of an SiC single crystal substrate by which the presence of an affected layer can be grasped in a CMP (chemical mechanical polishing) process and the continuation and finish of the CMP process can be easily determined.例文帳に追加

ＣＭＰ工程中に加工変質層の有無を把握でき、ＣＭＰ工程の継続か終了を容易に判断できるＳｉＣ単結晶基板の研磨方法を提供する - 特許庁

To provide a manufacturing method of an SOI substrate having a single crystal semiconductor layer, which is thin and has high evenness of a thickness, on an insulating film, and shorten a time for adding hydrogen ions, and so shorten a manufacturing time of each SOI substrate.例文帳に追加

膜厚が薄く、且つ、その膜厚の均一性が高い単結晶半導体層を絶縁膜上に有するＳＯＩ基板の作製方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a solid state image sensing device which can form a transfer electrode of a single layer without generating short circuit of the transfer electrode and narrowing an opening area of a photosensitive part.例文帳に追加

転送電極の短絡や、受光部の開口面積を狭めることなく、単層の転送電極を形成することができる固体撮像装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electronic component, capable of suppressing a manufacturing cost by making use of a lift-off release device capable of forming a film pattern having a high aspect ratio using a resist pattern of a single layer in a lift-off method.例文帳に追加

リフトオフ法における単層でのレジストパターンを用いて、高アスペクト比の膜パターンが形成可能なリフトオフ用剥離装置により、製造コストを抑えた電子部品を提供する。 - 特許庁

To provide a single-sided dual-layer optical recording medium wherein satisfactory recording and playback characteristics can be obtained from two information layers, to provide its recording and playback method and to provide an optical recording and reproducing apparatus.例文帳に追加

２つの情報層から良好な記録再生特性が得られる片面２層型光記録媒体及びその記録再生方法、並びに光記録再生装置の提供。 - 特許庁

To provide a manufacturing method by which an SiC wafer having a single crystal silicon carbide layer having a surface roughness of ≤0.5 nm (RMS) can be manufactured without subjecting the wafer to a CMP treatment.例文帳に追加

ＣＭＰ処理を実施することなく、0.5ｎｍ（ＲＭＳ）以下の表面粗さの単結晶炭化シリコン層を有するＳｉＣウエハを製造することができる製造方法を提供する。 - 特許庁

A thick coating layer 4 of 37.5 μm film thickness is formed by a single coating method using a UV ray transmission type UV-curing resin on an optical fiber wire 1' consisting of a core and a clad.例文帳に追加

コア及びクラッドからなる光ファイバ素線１′に対し紫外線透過型紫外線硬化樹脂を用いて膜厚３７．５μｍの厚肉の被覆層４をシングルコートにより形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the thin-film transistor 1 forms a source electrode 3, a drain electrode 4, and a semiconductor layer 9 by applying a single wall carbon nanotube (SWCNT) dispersion solution.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１の製造方法は、シングルウォールカーボンナノチューブ（ＳＷＣＮＴ）分散溶液を塗布して、ソース電極３とドレイン電極４と及び半導体層９とを形成する。 - 特許庁

To provide a oxide thin film element in which a functional oxide thin film consisting of a high quality oxide epitaxial layer is grown on a substrate of a Si single crystal and its production method.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板を用い、その上に良質の酸化物エピタキシャル層からなる酸化薄膜の機能膜を成長させた酸化物薄膜素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide single-and multiple-layer bar arrangement spacers applied to various types of bar arrangement and to provide transportation and arranging methods for screen type erection bars used for the arranging method and bar arrangement using them.例文帳に追加

各種の鉄筋配置に適用される単層・複層配筋用スペーサと、それを用いた配筋方法及び配筋に使用するスダレ式組鉄筋の搬送・配筋方法を提供する。 - 特許庁

To provide a coating method capable of forming a uniform single layer film of powder on a substrate even in the case fine powder having the volume average grain size of ≤15 μm is used.例文帳に追加

体積平均粒子径が１５μｍ以下のような微小粉体を用いた場合でも、基体上に均一な粉体単層皮膜を形成することのできる塗装方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for eliminating a fillet forming step for the sake of improving step coverage, by forming a metallic shielding layer made of conductive epoxy by using a spray nozzle, and fabricating an SAW filter package with well-built structure even though only a single-layer metallic shielding layer without an anti-oxidation layer is formed, by forming the exterior form of the package in a top molding method.例文帳に追加

スプレーノズルを用いて導電性エポキシの金属遮蔽層を形成することによりステップカバレージ改善の為のフィレット形成工程を省略することができ、トップモールディング方式を利用してパッケージの製品外形を形成することにより酸化防止層無しの単一層の金属遮蔽層のみ形成しながら、構造の堅固なＳＡＷフィルターパッケージを製造することにある。 - 特許庁

The cadmium sulfide layer may be deposited preferably by a high-frequency sputtering method at an ambient temperature, and the cadmium telluride layer may be deposited preferably by a closed-space sublimation method at a so efficient increased temperature as to convert an amorphous cadmium stannate into a polycrystal cadmium stannate having a single spinel structure.例文帳に追加

好ましくは、硫化カドミウム層は周囲温度で高周波スパッタ法で堆積させ、テルル化カドミウム層は、非晶スズ酸カドミウムを単一スピネル構造を有する多結晶スズ酸カドミウムに変換させるのに効果的な昇温温度で、クローズスペース昇華法によって堆積する。 - 特許庁

In this activity evaluating method of an electrode catalyst, catalytic activity is evaluated by the test electrode which is obtained by applying a catalyst dispersion to the surface of a base material and drying it to form a catalyst layer and further forming an ionomer layer on the surface of the catalyst layer, and the catalyst layer is formed, by arranging catalyst particles or its primary flocs so as to form an almost single layer.例文帳に追加

触媒分散液を基材表面に塗布、乾燥して触媒層を形成し、さらにその表面にイオノマー層を作成した試験電極により、触媒活性を評価する方法であって、前記触媒層が、触媒粒子又はその一次凝集体がほぼ単層に配列されたものであることを特徴とする電極触媒の活性評価方法。 - 特許庁

By this method, a solar cell satisfying a single p-i-n junction having a single-intrinsic amorphous silicon layer having a thickness of 800 to 2,200 Å and having an open circuit voltage of a range from 0.887 V to 0.986 V and a fill factor of a range from 0.645 to 0.74 is manufactured.例文帳に追加

本方法により８００〜２２００Åの厚みの単−真性アモルファスシリコン層を有する単ｐ−ｉ−ｎ接合を具備し、０．８８７V〜０．９８６Vの範囲の開放電圧及び０．６４５〜０．７４の範囲の曲線因子を有する太陽電池を作製する。 - 特許庁

To provide a thin film single crystal solar cell module and a manufacturing method for the solar cell module having a high quality of superior durability and reliability without generating a failure or a crack when the solar cell module having a thin film single crystal layer is manufactured or used.例文帳に追加

薄膜単結晶層を有する太陽電池モジュールを製造及び使用する際に、欠陥やヒビなどが発生する事無く、耐久性、信頼性に優れた高品質の薄膜単結晶太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the production method for compound single crystal for epitaxially growing the compound single crystal layer, different from a compound single crystal substrate on the surface of this substrate, at least one part of the substrate surface has a plurality of projections, extending in one direction and each of such projections is provided, so that the defects to be grown with the epitaxial growth of this compound monocrystal layer can mutually meet.例文帳に追加

化合物単結晶基板の表面にこの基板とは異なる化合物単結晶層をエピタキシャル成長させる化合物単結晶の製造方法であって、前記基板表面の少なくとも一部が一方向に延在する複数の起伏を有し、かつこの起伏は前記化合物単結晶層のエピタキシャル成長に伴って成長する欠陥が互いに会合しあうように設けられた方法。 - 特許庁

To provide a thin-film magnetic head which comprises a very small size magnetic domain control layer capable of promoting the single magnetic domain formation of a magneto-sensitive layer and reducing Barkhausen noise, its forming method, and a magnetic disk device equipped with the thin-film magnetic head.例文帳に追加

磁気感受層の単磁区化を促進し、バルクハウゼンノイズを低減することのできる微小なサイズの磁区制御層を備えた薄膜磁気ヘッドおよびその形成方法ならびにその薄膜磁気ヘッドを備えた磁気ディスク装置を提供する。 - 特許庁

To provide a correcting method for development conditions which can correct the development conditions by film thickness variation of a photosensitive layer extremely easily buy automation when an image is formed through electrophotography by using an organic single-layer photoreceptor.例文帳に追加

有機単層感光体を用いて電子写真による画像形成を行うに際し、極めて簡単に、しかも自動化により、感光層の膜厚変動による現像条件の補正を行なうことが可能な現像条件の補正方法を提供する。 - 特許庁

The method is the one for manufacturing the filter for the display panel, where an electromaghetic wave shield material 2 and at least single layer of functional coating layers 3, 4 are arranged on a base material film 1, and the electromagnetic shield layer 2 is exposed to the surface in the whole circumference of the filter.例文帳に追加

基材フィルム１上に、電磁波シールド材２と、少なくとも１層の機能性塗工層３，４とを備え、フィルターの全周にわたり電磁波シールド層２が表面に露出してなるディスプレイパネル用フィルターの製造方法である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a partial SOI wafer that suppresses occurrence of a defect in a region of an embedded oxide film when converting amorphous or polycrystalline silicon under deposition in a hole part reaching a bulk layer from an active layer to a single crystal.例文帳に追加

活性層からバルク層に達した孔部で堆積中のアモルファスもしくは多結晶シリコンを単結晶化させる際に埋め込み酸化膜の領域での欠陥発生を抑制させる部分ＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing an insulating resin with a copper foil has a process for forming an insulating resin layer on the single surface of the copper foil and cutting the coated copper foil into a necessary size and subsequently treating the cut part of the insulating resin with the copper foil with a liquid for dissolving the insulating resin layer.例文帳に追加

銅箔の片面に絶縁樹脂層を形成し、必要なサイズに切断した後に、銅箔付き絶縁樹脂の切断部を、前記絶縁樹脂層を溶解する液体で処理する工程を有する銅箔付き絶縁樹脂の製造方法。 - 特許庁

To provide a plastic container with high gas barrier properties, in particular, high steam gas barrier properties which cannot be obtained with a conventional plastic container having a barrier layer formed of a single-layer thin film mainly comprising silicon compounds, and its manufacturing method.例文帳に追加

従来の単層の珪素化合物を主体とする薄膜からなるバリア層を有するプラスチック容器では得られない高度のガスバリア性を奏する、特に高度な水蒸気ガスバリア性を有するプラスチック容器及びそのの製造方法を提供する。 - 特許庁

The resist and the single-crystal semiconductor layer can also be grounded together with the foundation semiconductor layer through a grounding terminal by fixing the SOI substrate under the state on a sample table having the grounding terminal on a surface by using an electrostatic attraction method.例文帳に追加

この状態のＳＯＩ基板を、表面に接地端子を備えた試料台に静電吸着法を用いて固定することで、接地端子を介して下地半導体層とともにレジストおよび単結晶半導体層も接地することが可能となる。 - 特許庁

The manufacturing method gives the single-layer fine particle film wherein the film of the fine particles formed in one layer on the surface of the substrate is mutually bonded by a covalent bond with the first organic film formed on the surface of the substrate through the second organic film formed on the surfaces of the fine particles.例文帳に追加

基材表面に１層形成された微粒子の膜が微粒子表面に形成された第１の有機膜と基材表面に形成された第２の有機膜を介して互いに共有結合している単層微粒子膜を得る。 - 特許庁

To provide an electrode having a single layer of a conductive fine particle layer selectively arranged on the surface of a wire end part or one or more layers of the conductive fine particle layer, and its manufacturing method, a lead wire and its connecting method, and an electronic component and an electronic apparatus using them.例文帳に追加

導電性微粒子本来の機能を損なうことなく保持しており、配線末端部の表面に選択的に配列した単層の導電性微粒子層又は複数層の導電性微粒子層を有する電極及びその製造方法、リード配線及びその接続方法、並びにそれらを用いた電子部品及び電子機器を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the GaN single crystal substrate comprises an ingot forming step of forming an ingot 64 of a GaN single crystal by growing an epitaxial layer 62 comprising a hexagonal GaN on a GaN single crystal being a seed crystal and a cutting step for cutting the formed ingot 64 into a plurality of sheets.例文帳に追加

ＧａＮ単結晶基板の製造方法は、ＧａＮ単結晶を種結晶として当該ＧａＮ単結晶の上に六方晶のＧａＮからなるエピタキシャル層６２を成長させて、ＧａＮ単結晶のインゴット６４を形成するインゴット形成工程と、インゴット６４を複数枚に切断する切断工程と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁