「single layer method」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a contact electrifying method by which the deterioration of the characteristic of a photoreceptor is suppressed by positively and suitably wearing the surface of the photoreceptor in accordance with its use in a device, in which a positively electrifying single layer type organic photoreceptor is mounted and an image forming device provided with an electrophotographic process, including the contact electrifying method.例文帳に追加

正帯電用単層型有機感光体を搭載した装置において、その感光体の表面を使用と共に積極的に適度に磨耗させることにより、感光体の特性劣化を抑制することのできる接触帯電方法及びその接触帯電方法を含む電子写真プロセスを備えた画像形成装置を提供する。 - 特許庁

The polishing method finish polishes (polishes) the surface of the silicon carbide single crystal roughly polished (lapped) by a diamond mechanical polishing with a colloidal silica slurry having a high oxidizing property or including a large amount of dissolved oxygen to remove the work-affected layer occurred during the diamond mechanical polishing, efficiently creating the high quality surface.例文帳に追加

ダイヤモンド機械研磨で荒研磨(ラップ)した炭化珪素単結晶ウェハ表面を、酸化性が高い或いは溶存酸素を豊富に含むコロイダルシリカスラリーで仕上げ研磨(ポリッシュ)することで、ダイヤモンド機械研磨で発生した加工変質層を除去して高品質な表面を効率的に創成する研磨方法である。 - 特許庁

The method for forming the single particulate layer comprises: depositing a dispersion 8 in which the particulates 3 of a grain size from about sub-nanometer to micron order is dispersed on a particulate holder 1; pressing the particulate holder 1 by a pressing plate 9 and horizontally vibrating the particulate holder and the pressing plate 9; and vacuum drying both to separate the pressing plate 9 from the particulate holder 1.例文帳に追加

サブナノメーターからミクロン程度のオーダーの粒径の微粒子３が分散された分散液８を微粒子保持体１上に被着した後、プレス板９により押圧しかつ微粒子保持体１とプレス板９とを水平方向に振動させ、その後真空乾燥して、プレス板９を微粒子保持体１上から分離する。 - 特許庁

According to this method, the necessary change of a circuit is effected through a single layer of all wiring layers, and a desired wiring correction for changing chip version is effected by wiring layers necessary for the correction of mask accompanied by the addition of a function or the correction of bug whereby the shortening of the diffusion period of time and the reduction of expense for the mask are realized.例文帳に追加

これにより、所望の回路変更を全ての配線層の単一層のみで行うことができ、機能追加やバグ修正に伴うマスク修正に必要な配線層のみで、チップバージョンを変更する所望の配線修正が行え、拡散期間の短縮、マスク費用削減が実現できる。 - 特許庁

To use an induction welding method which has been limited to the welding of a simple cylindrical oil pipe having a single layer for welding a complicated piston structure so as to achieve a strong joint having a minimum heat affected zone which is uniform over the entire interface of joining surfaces, and having high bonding property.例文帳に追加

従来は単純な単層の筒状石油パイプの接合に限定されていた前述の誘導溶接手法を、接合面のインターフェイス全体にわたって均一であるが最小限の熱影響域を有する、強固で結合性の高い継手を達成する態様で、複雑なピストン構造を接合するためにうまく利用する。 - 特許庁

The method of manufacturing the epitaxial wafer at least comprises a heat treatment process conducting heat treatment for a silicon single crystal in ingot state, a wafer processing process wherein the heat-treated ingot is sliced into wafers with mirror surface, and an epitaxial growth process wherein an epitaxial layer is formed on the wafers.例文帳に追加

エピタキシャルウエーハの製造方法であって、少なくとも、インゴット状態のシリコン単結晶に熱処理を行なう熱処理工程と、前記熱処理したインゴットを鏡面状のウエーハに加工するウエーハ加工工程と、前記ウエーハ上にエピタキシャル層を形成するエピタキシャル成長工程を有するエピタキシャルウエーハの製造方法。 - 特許庁

To provide a wiring having a single conductive particulate layer or a plurality of conductive particulate layers holding original functions of conductive particulates without impairing them and selectively arrayed on an arbitrary base material surface, to provide a manufacturing method thereof, and to provide an electronic component and electronic equipment using the wiring.例文帳に追加

導電性微粒子本来の機能を損なうことなく保持しており、任意の基材表面に選択的に配列した単層の導電性微粒子層又は複数層の導電性微粒子層を有する配線及びその製造方法並びに配線を用いた電子部品及び電子機器を提供する。 - 特許庁

In a method of manufacturing a semiconductor apparatus 28 for each unit lead frame to a lead frame material 10 in which a plurality of unit lead frames are arranged in multiple lines or a single line, after the lead frame material 10 is half-etched from a front surface side using a first plating layer 17 as a resist film, plating burr is removed by at least two or more means.例文帳に追加

複数の単位リードフレームが多列又は単列に配置されたリードフレーム材１０に、単位リードフレーム毎に半導体装置２８を製造する方法であって、リードフレーム材１０を表面側から第１のめっき層１７をレジスト膜としてハーフエッチングした後、少なくとも２以上の手段でめっきバリ除去を行う。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a glass plate having a single layer low reflective film, the glass plate which is coated with a silicon oxide film and whose visible light reflectance is made small by controlling the refractive index of the silicon oxide film by firing conditions, the silicon oxide film being excellent in durability such as wear resistance or chemical resistance and having high hardness at an arbitrary thickness.例文帳に追加

焼成条件によって酸化珪素膜の屈折率を制御することによって、可視光線反射率を小さくし、しかも、耐磨耗性や耐薬品性などの耐久性に優れ、任意の膜厚で高硬度の酸化珪素膜で被覆された単層の低反射膜付きガラス板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The toner used for a nonmagnetic single-component image forming method comprises a combination of toner having specified ranges of mode circularity of the toner and of particle size distribution of the toner, and an elastic toner carrier 1 comprising a specified polyether polyurethane and an acrylic surface layer 4, as a toner carrier 1 charging the toner.例文帳に追加

非磁性一成分画像形成方法に用いるトナーであって、トナーのモード円形度とトナーの粒度分布が特定の範囲にあるトナーと、そのトナーへの帯電付与を行うトナー担持体１として特定のポリエーテルポリウレタンとアクリル表層４からなる弾性トナー担持体１の組合せを特徴とする。 - 特許庁

A linearly tearable oriented polyester film is used as a single layer or in lamination in a transverse direction to an end side of an envelope- like seam in a package having an envelope-like seamed seal and in a parallel direction to an end side of a hutt seam in a package having a butt-seamed seal, thereby providing the easy-to-unseal packaging method.例文帳に追加

封筒貼りシール部を有する包装にあっては、封筒貼り部端辺を横断する方向に、合掌貼りシール部を有する包装にあっては、合掌貼り部端辺と平行方向に、直線引き裂き性を有する延伸ポリエステルフィルムを単層または積層して用いてあることを特徴とする易開封包装方法。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing solar cell which can clear the process for formation of the inner electrode of the solar cell, formation of the outer electrode, and formation of an insulating layer between both electrodes with a single process, and is satisfactory in adhesion between a substrate and a spherical cell and high in reliability, and to provide the solar cell.例文帳に追加

太陽電池の内側電極の形成、外側電極の形成、および、両電極間の絶縁層形成するための工程を一工程で製造でき、基板と球体セルの固着性が良く信頼性の高い太陽電池の製造方法および太陽電池を提供することを目的とする。 - 特許庁

By injecting the Cl-based gas or Br-based gas in the step of growing a nitride single crystal layer containing Al by using a lateral epitaxial overgrowth method (LEO), an adverse influence on the crystal growth due to the Al element (such as formation of a polycrystal) on the upper face of the dielectric mask can be eliminated.例文帳に追加

本発明によると、横方向エピタキシャル過成長法(LEO)を利用してAlを含んだ窒化物結晶層を成長させる場合に、Cl系ガスまたはBr系ガスを注入することにより誘電体マスクの上面においてAl元素による結晶成長への悪影響(例えば、多結晶体の形成)を解消することができる。 - 特許庁

The machining method by high-power ultra-short pulse laser is characterized in that a single high-power ultra-short pulse laser ray applied to solid organic-compound 10, the absorption coefficient of which is not more than 10 μm-1, only surface layer of the area where solid organic-compound 10 absorbs a half of laser beam, is machined.例文帳に追加

高強度超短パルスレーザー加工方法であって、高強度超短パルスレーザーを、吸収係数が１０μｍ^-1以下の固体状有機化合物に対して単発で照射し、レーザー光の半分が固体状有機化合物１０に吸収される領域の表面層のみが加工されることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a crystalline polymer microporous film in which a layer with a different function can be provided by using only a material with a molecular structure of a single variety, a minute pore diameter is possessed, a fine particle of tens of nanometer size can be efficiently caught, and which is high flux, and also to provide a method of manufacturing the same, and a filtration filter.例文帳に追加

単一種の分子構造を持つ材料のみを用いて、機能の異なる層を設けることができ、微小な孔径を有し、数十ｎｍサイズの微粒子を効率良く捕捉することができ、高流量である結晶性ポリマー微孔性膜及びその製造方法、並びに、濾過用フィルタの提供。 - 特許庁

To use an induction welding method which has been limited to the welding of a simple cylindrical oil pipe having a single layer for welding a complicated piston structure so as to achieve a strong joint having a minimum heat affected zone which is uniform over the entire interface of joining surfaces, and having high bonding property.例文帳に追加

従来は単純な単層の筒状石油パイプの接合に限定されていた前述の誘導溶接手法を、接合面のインターフェイス全体にわたって均一であるが最小限の熱影響域を有する、強固で結合性の高い継手を達成する態様で、複雑なピストン構造を接合するためにうまく利用する。 - 特許庁

To provide an electrothermal nanowire that is manufactured by growing a single-crystal electrothermal nanowire from an electrothermal material using a compressive stress caused by a difference in a thermal expansion coefficient after laminating an oxide layer and an electrothermal material having different thermal expansion coefficients from each other on a substrate, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

基板の上に熱膨張係数が互いに異なる酸化物層と熱電物質を積層した後熱膨張係数の差による圧縮応力を利用して熱電物質から単結晶の熱電のナノワイヤを成長させて製造される熱電のナノワイヤ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a laminate comprises impregnating a sheet type fiber base material with a thermosetting resin, heating and drying the base material to produce a prepreg, and heat and pressure-forming a layer of the prepreg in a single sheet or a plurality of sheets, wherein the thermosetting resin comprises a resin exhibiting liquid crystal property as the main agent.例文帳に追加

シート状繊維基材に熱硬化性樹脂を含浸し、これを加熱乾燥してプリプレグを製造し、このプリプレグを１枚または複数枚重ねて形成した層を加熱加圧成形して積層板を製造する方法において、前記熱硬化性樹脂は液晶性を示す樹脂を主剤とする。 - 特許庁

To solve the problem that it has been difficult to determine a constituent profile in a thickness direction since it is difficult to scrape a sample from a sample surface in the case where the sample is a single-layer film of an organic compound and a molecular-binding compound in a solid surface by an analytical method of surface structures using conventional time-of-flight secondary ion mass spectrometry.例文帳に追加

従来の飛行時間型二次イオン質量分析を利用した表面構造の解析方法では、試料が固体表面の有機化合物や分子結合性化合物の単層膜の場合に、試料表面から削っていくことが困難なために、厚さ方向の組成プロファイルを求めることが困難である。 - 特許庁

To provide a flash EEPROM cell of a multi-level type which can prevent reduction of the quality of a tunnel oxidation film and can increase a coupling ratio, by simply forming two floating gates having different sizes for a single cell with use of a hard mask layer, and also to provide a method for manufacturing the cell.例文帳に追加

マルチレベルセルにおいてハードマスク層を用いて１つのセルに大きさの異なる２つのフローティングゲートを簡単に形成することにより、トンネル酸化膜の膜質の低下を防止することができ、カップリング比を増加させることができるフラッシュＥＥＰＲＯＭセル及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a release multilayered film enhanced in the leaching of a cover-lay adhesive dissatisfied in a conventional single-layer film while keeping characteristics excellent in releasability, shape followability, uniform moldability, plating properties and FPC finish appearance wrinkles, and a cover-lay molding method using the same.例文帳に追加

離型性、対形状追従性、均一な成形性、メッキ付き性、ＦＰＣ仕上がり外観シワに優れた特性を維持しながら、従来の離型単層フィルムでは不満足であったカバーレイ接着剤のシミ出しを向上させた離型多層フィルム及びそれを用いたカバーレイ成形方法を提供すること。 - 特許庁

The method comprises a step for providing a semiconductor substrate wherein a prescribed process is carried out for forming a semiconductor element and a step for forming an ion implantation layer 105 by injecting trivalent impurities having a larger atomic weight than that of boron and consisting of a single atom to a prescribed depth of the semiconductor substrate by an ion implantation process.例文帳に追加

半導体素子を形成するための所定の工程が行われた半導体基板を提供する段階と、前記半導体基板の所定深さに、ホウ素より大きい原子量を有し且つ単原子からなる３価不純物をイオン注入工程によって注入してイオン注入層１０５を形成する段階を含む。 - 特許庁

This method of manufacturing a compression-molded board 1 containing the husks of agricultural products comprises compression-molding a material with an isocyanate-based adhesive 13 mixed in the agricultural product husks 12 crushed in predetermined size, in a single layer at a heating temperature of 140-180°C and at a pressure of 15-50 kg/cm^2 for 20-40 minutes.例文帳に追加

農作物の殻を含有する圧縮成形ボード１の製造方法であって、所定の大きさに粉砕された農作物の殻１２にイソシアネート系の接着剤１３を配合した素材を単層にして、加熱温度１４０〜１８０℃、加圧力１５〜５０ｋｇ／ｃｍ^２で、２０〜４０分圧縮して成形する。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor integrated circuit device comprises steps of uniformly depositing an amorphous silicon film on a substrate in which a memory cell region and an element region are formed, patterning the amorphous silicon film on the memory cell region while the amorphous silicon film remains coating on the element region on the substrate, and forming a laminated gate electrode or a single layer gate of the flash memory unit.例文帳に追加

メモリセル領域と素子領域とを画成された基板上にアモルファスシリコン膜を一様に堆積し、さらに基板上の素子領域を前記アモルファスシリコン膜で覆ったまま、メモリセル領域において前記アモルファスシリコン膜をパターニングし、フラッシュメモリ装置の積層ゲート電極あるいは単層ゲートを形成する。 - 特許庁

In the nonmagnetic single-component developing method of developing electrostatic latent images on an electrostatic latent image carrier 5, by forming a thin layer of the nonmagnetic toner on the surface of a toner carrier 4 by a regulating member 3; the toner carrier has at least a substrate and a surface coating layer, containing a nitrogenous compound on the substrate; and the nonmagnetic toner contains a binder resin, a colorant and a resin having sulfur atoms.例文帳に追加

規制部材３によりトナー担持体４表面に非磁性トナーの薄層を形成して、静電潜像担持体５上の静電潜像を現像する非磁性一成分現像方法において、 該トナー担持体は、少なくとも基体及び前記基体上に含窒素化合物を含有する表面被覆層を有し、該非磁性トナーは、結着樹脂、着色剤、硫黄原子を有する樹脂を含有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor substrate that repairs a semiconductor layer missing region more efficiently by avoiding an increase in operation time, and reduces breaking and loss of a silicon film due to remaining foreign matter etc., during laser irradiation by accurately and effectively separating and removing the foreign matter remaining in the missing region of a single-crystal semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層欠損領域の修復の際に作業時間の増大を回避し、より効率的に修復を行うことができ、さらに単結晶半導体層の欠損領域に残存する異物を的確、有効に分離除去することにより、レーザ照射時における異物の残存等に伴うシリコン膜の破裂・消失を低減させることができる半導体基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In an MIS(Metal Insulator Semiconductor) type semiconductor device by the manufacturing method of forming a mixed layer composed of Si and one or more kinds of metal elements, oxidizing the mixed layer, and forming a gate insulation film; a high capacity MIS transistor element with suppressed low dielectric constant SiO_2 formation is manufactured between an Si single crystal substrate and the gate insulation film.例文帳に追加

本発明は、ＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型半導体装置において、Ｓｉと一種以上の金属元素からなる混合層を形成し、前記混合層を酸化処理しゲート絶縁膜を形成する製造方法により、Ｓｉ単結晶基板とゲート絶縁膜間に低誘電率なＳｉＯ_２形成を抑制した高容量なＭＩＳトランジスタ素子を作製することができるものである。 - 特許庁

The optical recording medium having an optical memory layer containing a photochromic compound comprises providing the optical recording medium with a cut layer capable of substantially shielding the light of a wavelength region where a single photon photochromic reaction is induced and of transmitting the light of the wavelength at which the two-photon photochromic reaction of the photochromic compound can be induced and the recording/ reproducing method for the same.例文帳に追加

本発明は、フォトクロミック化合物を含有してなる光メモリー層を有する光記録媒体において、１光子フォトクロミック反応が誘起される波長域の光を実質的に遮蔽することができ、かつフォトクロミック化合物の２光子フォトクロミック反応を誘起することができる波長の光を透過することができるカット層を設けたことを特徴とする光記録媒体、及びその記録／再生方法に関する。 - 特許庁

To provide electrophotographic toner that possesses stable electrostatic charging property in an image forming method by electrophotography, in particular, in a single component developing method, that gives an appropriate and uniform toner layer thickness on a developing sleeve, that shows high image density and a long life property (that is, maintaining high image density through continuous printing of a large number of sheets) with a less consumed amount of the toner.例文帳に追加

本発明の課題は、電子写真法による画像形成方法、特に一成分現像方法において、安定した帯電性を有し、現像スリーブ上のトナー層厚が適切で均一であり、高画像濃度でロングライフ性を有し（多数枚連続プリントを通じて高画像濃度を維持すること）、かつ、トナー消費量が少ない電子写真用トナーを提供することにある。 - 特許庁

In the manufacturing method of the semiconductor device in which the gate insulation film is formed on a silicon single crystal substrate for the gate insulation film, an oxide layer is formed by an organic metal chemical vapor deposition method using a gaseous mixture having an oxidizing gas and an organic metal gas composed of the cyclopentadienyl complex of elements composed of one or more kinds of Ln (Ln is rare earth element).例文帳に追加

本発明は、シリコン単結晶基板上に、ゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造法において、前記ゲート絶縁膜を、Ｌｎ（Ｌｎは希土類元素）の１種類以上からなる元素のシクロペンタジエニル錯体からなる有機金属ガスと酸化性ガスとを有する混合ガスを用いた有機金属化学気相成長法によって酸化物層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

(1) This manufacturing method includes processes of: forming polysilicon layers on outer surfaces of a silicon wafer formed with a non-defect region cut out from a silicon single-crystal ingot grown by Czochralski method; applying an RTA process to the wafer with the polysilicon layers formed thereon; and removing the polysilicon layer at least on one-side principal surface of the wafer after the RTA process.例文帳に追加

（１）チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶インゴットから切り出された無欠陥領域からなるシリコンウェーハの外表面にポリシリコン層を形成する工程と、前記ポリシリコン層を形成したウェーハにＲＴＡ処理を施す工程と、ＲＴＡ処理後のウェーハのすくなくとも一方の主面のポリシリコン層を除去する工程とを有する製造方法。 - 特許庁

In the barrier laminated film having a base material film comprising a thermoplastic resin and at least one composite polymer layer laminated on at least the single surface of the base material film, the composite polymer layer comprises a straight chain composite polymer obtained by the polycondensation of a composition containing alkoxysilane, 8 or more C straight chain higher alcohol and an ethylene/vinyl alcohol copolymer by a sol-gel method and based on the ethylene/vinyl alcohol copolymer.例文帳に追加

熱可塑性樹脂からなる基材フィルムと、前記基材フィルムの少なくとも片面に積層された少なくとも１層の複合ポリマー層とを有するバリアー性積層フィルムであって、前記複合ポリマー層はアルコキシシラン、炭素数が８以上の直鎖状高級アルコール及びエチレン・ビニルアルコールコポリマーを含有する組成物をゾル−ゲル法により重縮合して得られ、主成分がエチレン・ビニルアルコールコポリマーよりなる直鎖状複合ポリマーからなる。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus capable of suppressing the occurrence of a white streak in a gray image by using a conductive brush stipulated with the fiber density in a specified range, even if the conductive brush is used as a precharge member of a single layer type electrophotographic photoreceptor of positive electrostatic charge, and an image forming method using the same.例文帳に追加

正帯電の単層型電子写真感光体において、前帯電部材として導電性ブラシを用いた場合であっても、繊維密度を所定範囲内に規定した導電性ブラシを用いることで、グレー画像におけるシロ筋の発生を抑制できる画像形成装置及びそれを用いた画像形成方法を提供する。 - 特許庁

This silicon wafer is a silicon wafer which is obtained from a silicon single crystal rod grown by doping with nitrogen by CZ method, has 2-12 μm defect-free layer depth after gettering heat treatment and after device production and heat treatment of silicon wafer and 1×108 to 2×1010 defects/cm3 internal fine defect density after gettering heat treatment and after device production and heat treatment.例文帳に追加

ＣＺ法により窒素をドープして育成されたシリコン単結晶棒から得たシリコンウエーハであって、該シリコンウエーハのゲッタリング熱処理後またはデバイス製造熱処理後の無欠陥層深さが２〜１２μｍであり、かつゲッタリング熱処理後またはデバイス製造熱処理後の内部微小欠陥密度が１×１０^８〜２×１０^１０ケ／cm^3であるシリコンウエーハ。 - 特許庁

To provide a multilayer optical recording medium whose manufacturing method is relatively easy, and in which a reflectance change having good responsiveness is obtained and an intermediate reflective layer having a large reflectance changing width is provided, a multilayer optical recording medium with which multiple recording/reproducing can be performed with a single optical head, and its driving device.例文帳に追加

製造方法が比較的容易で、応答性の良い反射率変化を得ることができ、反射率の変化幅のおおきい中間反射層を有する多層光記録媒体の提供、および、単一の光ヘッドで多重記録とその再生が可能である多層光記録媒体および該多層光記録媒体用ドライブ装置の提供。 - 特許庁

To provide a laminate constituted by providing a coating film on a base material to show high stainproof properties, having light transmittance higher than that of the base material and capable of having higher light transmittance as compared with a case that the coating film wherein a plurality of films are laminated is used as a single layer, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

基材上に塗膜を備え高い防汚性を示す積層体であって、基材よりも高い光線透過率を有し、しかも、複数の層を積層した塗膜を用いることにより、その塗膜を単層で用いる場合よりも高い光線透過率を有することが可能となる積層体及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a single layer fixed abrasive grain wire saw having a narrow and approximately uniform wire diameter, making a kerf width small in cutting, providing a cutting face with superior face accuracy as a result of the cutting and improving the yield of the material and the working efficiency, and also to provide a cutting method for ingot.例文帳に追加

線径が細くてほぼ均一となり、切断加工時におけるカーフ幅を小さくできると共に、切断加工の結果、面精度の良好な切断面を得ることができて、材料の歩留まりを向上させることができ、加工効率も向上させることが可能な単層固定砥粒ワイヤーソー、並びにシリコンインゴットの切断方法を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method for the inkjet head which has the cavity substrate 1 formed of a single crystal silicon, and an electrode substrate 2 where electrodes are set, after the cavity substrate 1 and the electrode substrate 2 are joined and the cavity substrate 1 is thinned by machining, an affected layer formed on the cavity substrate 1 due to machining is removed.例文帳に追加

単結晶シリコンからなるキャビティ基板１と、電極が設けられる電極基板２を備えたインクジェットヘッドの製造方法であって、キャビティ基板１と電極基板２を接合し、キャビティ基板１を機械加工により薄板化した後に、機械加工によってキャビティ基板１に生じた加工変質層を除去するものである。 - 特許庁

A surfactant-removed extracted fraction obtained by removing the TritonX-114, from a surfactant fraction obtained by extracting the surfactant layer as the surfactant fraction, by an ethanol precipitation method has an action of increasing an IgE amount as the index of Th2-mediated immunopotentiation, increasing the number of eosinophils or increasing IL-4 expression level by oral administration for a single time.例文帳に追加

かかる界面活性剤層を界面活性剤画分として抽出した界面活性剤画分からエタノール沈殿法によりTritonX-114を除去した脱界面活性剤抽出画分は、単回の経口投与によりＴｈ２免疫賦活化の指標であるＩｇＥ量の増加、好酸球数の増加、又はＩＬ−４発現量の増加作用を有する。 - 特許庁

To provide an orientational single layer ferroelectric oxide thin film which has a smooth surface and is useful for making a high quality switching element, to provide a method for profitably produce the same, and to provide a high quality switching element obtained by laminating a conductive thin film to the ferroelectric oxide thin film having the smooth surface.例文帳に追加

平滑な表面を有し、高品質なスイッチング素子の作製ために有用な配向性単層強誘電体酸化物薄膜及びその工業的に有利な製造方法並びに該平滑な表面を有する強誘電体酸化物薄膜上に導電体薄膜を積層してなる高品質なスイッチング素子を提供すること。 - 特許庁

To provide an apparatus and method of inspecting a quartz glass crucible for silicon single crystal pulling which detect only impurity component contained in an outermost surface layer of a surface of the crucible by irradiating a laser beam, specifying the impurity component from wavelength and intensity of fluorescence generated by the irradiation and calculating a content of the impurity component.例文帳に追加

レーザ光を照射し、照射によって生じる蛍光の波長と強度から不純物成分を特定し、かつ不純物成分の含有量を算出することによって、ルツボ内表面の極表層に含まれる不純物成分のみを検出するシリコン単結晶引上用石英ガラスルツボの検査装置及び検査方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the nitride gallium substrate includes a step of forming a porous nitride gallium substrate 11a having a thickness of 10 nm to 1000 nm by etching a nitride gallium substrate 11 in an atmosphere of HCl and NH_3 gas in a reaction chamber of an HVPE apparatus, and further includes a step of forming a nitride gallium growth layer 20 in a single reaction chamber by in situ process.例文帳に追加

ＨＶＰＥ装置の反応チャンバ内でＨＣｌ及びＮＨ_３ガス雰囲気で窒化ガリウム基板１１をエッチングして１０〜１０００ｎｍの厚さの多孔性窒化ガリウム層１１ａを形成するステップを含み、ひいては、単一の反応チャンバ内でインシチュで窒化ガリウム成長層２０を形成するステップをさらに含む窒化ガリウム基板の製造方法。 - 特許庁

In the ink jet recording method where recording is performed by ejecting ink containing at least fine resin particles, a water soluble dye, water and a water soluble organic solvent toward an ink jet recording medium provided with a layer having an air gap structure on a support, the quantity of ink liquid per single ejecting operation is set in the range of 0.5-3.0 pl (pico liter).例文帳に追加

支持体上に、空隙構造を有する層を設けたインクジェット記録媒体に、少なくとも樹脂微粒子、水溶性染料、水及び水溶性有機溶媒を含有するインクを吐出させて記録するインクジェット記録方法であって、一吐出動作当たりのインク液滴量が０．５〜３．０ｐｌ（ピコリットル）であることを特徴とするインクジェット記録方法。 - 特許庁

Single or mixed grain of diamond, CBN, ceramic and alumina, etc., are stuck on each sliding surface 20 of a cylinder and a screw of the resin injection molding machine and the resin melt extruder in two layers by an electrodeposition method so that large grains 22 are stuck on the sliding surface side and the intervals thereof are buried by small grains 24 and further an embedded plating layer 26 is formed.例文帳に追加

ダイヤモンド、ＣＢＮ、セラミック、アルミナなどの単独、あるいは混合した粒子を、樹脂射出成形機、樹脂溶融押出機のシリンダ、スクリュウの各摺動面に電着法により、摺動面側には大きな粒子を、その間隙を小さな粒子のもので埋めるように２層に付着させ、さらに埋め込みメッキ層を形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the thin-piece element arrayed substrate, in which the thin-piece elements are arranged in the single layer on the substrate, includes a process of carrying the thin-piece elements with an inclined flow of liquid using element carrying liquid, a process of integrating the thin-piece elements, and a process of arraying the integrated thin-piece elements on the substrate.例文帳に追加

薄片状素子を基板に単層で配列させる薄片状素子配列化基板の製造方法において、素子搬送液体を用いて液体傾斜流で該薄片状素子を搬送する工程と、該薄片状素子を集積化する工程と集積した薄片状素子を基板上に配列させる工程とを有する薄片状素子配列化基板の製造方法。 - 特許庁