「single layer method」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide maintainability testing method and device/system implementing the method which can be applied to various porous materials including such filter devices as single layer thin film, double layer thin film, etc., providing non-correlated universal standards for characteristic evaluation of porous material.例文帳に追加

単層薄膜装置及び複層薄膜装置等のフィルター装置を含む多様な多孔性材料に対して適用することができ、多孔性材料の特性の評価に対して非相関的で普遍的な標準を与える保全性試験の方法及びその方法を実施する装置及びシステムを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an electrophotographic photoreceptor for achieving both mechanical durability and electrostatic durability, and having a single layer type photoreception layer for outputting an image of high quality even when used repeatedly for a long period, and to provide the electrophotographic photoreceptor manufactured by the method, and an image forming device and a process cartridge using the same.例文帳に追加

機械的耐久性と静電的耐久性を両立し、長期繰り返し使用でも高画質画像が出力可能な単層型感光層を有する電子写真感光体の製造方法、及びそれによって製造される電子写真感光体、それを用いた画像形成装置及びプロセスカートリッジを提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electrophotographic photoreceptor having a single layer type photosensitive layer capable of attaining both mechanical durability and electrostatic durability and outputting an image of high image quality even after repeated use for a long term, to provide the eletrophotographic photoreceptor manufactured by the method, and to provide an image forming apparatus and a process cartridge using the photoreceptor.例文帳に追加

機械的耐久性と静電的耐久性を両立し、長期繰り返し使用でも高画質画像が出力可能な単層型感光層を有する電子写真感光体の製造方法、及びそれにより製造される電子写真感光体、それを用いた画像形成装置及びプロセスカートリッジを提供する。 - 特許庁

To provide a carbon nanotube device and a method for manufacturing a carbon nanotube device, in particular, to provide a carbon nanotube device having carbon nanotubes with specified number density distribution on a substrate, and to provide a method for manufacturing a carbon nanotube device having high-quality single layer carbon nanotubes by carrying nano-size catalyst particles without coarsening.例文帳に追加

カーボンナノチューブの合成条件は１０００℃前後、低くても６００℃程度と高温であり、その様な条件下、基板上の触媒金属ナノ粒子は、凝集・融合・粗大化を起こし、ナノサイズを保つのが困難になる。 - 特許庁

This method for manufacturing an FRP member comprises forming a multilayered FRP layer by winding fibers containing matrix resins 12a, 12b and 12c, respectively around a substrate material 20 employing the filament winding process, and heating to cure the multilayered FRP layer, wherein the matrix resins used have each different starting temperature of curing for every single layer or a plurality of layers in the multilayered FRP layer.例文帳に追加

基材２０にフィラメントワインディング法を用いてマトリックス樹脂１２ａ、１２ｂ、１２ｃを含む繊維を巻き付けて多層ＦＲＰ層を形成し、前記多層ＦＲＰ層を加熱硬化させてＦＲＰ部材を製造するＦＲＰ部材の製造方法であって、前記多層ＦＲＰ層の単層毎又は複数層毎に、硬化開始温度の異なるマトリックス樹脂を用いる。 - 特許庁

The bank winding is a winding method for winding a conductor in a single layer toward one flange part 16A then overlapping the conductor on layer already wound from one flange part 16A and for forming the coil for an antenna while shifting this winding operation toward the other flange part 16B of the core 12.例文帳に追加

バンク巻とは、一方の鍔部１６Ａ側から導線を１層づつ重ねながら、外側に向かうに従って該一方の鍔部１６Ａ側に傾くように巻回し、この巻回操作を前記巻芯１２の他方の鍔部１６Ｂ側にずらしながら行なうようにして形成する巻回手法である。 - 特許庁

In its manufacturing method, a resin tube of a long-length consisting of a single layer or a plurality of resin layers is extrusion-molded, and after a rubber composition for forming the protector layer 2 is extrusion-coated on an outer periphery of the resin tube, the rubber composition is subjected to the oven vulcanization to be free-foamed.例文帳に追加

そして、その製法では、単層ないし複数の樹脂層からなる長尺の樹脂製チューブを押出成形し、上記樹脂製チューブの外周面にプロテクタ層２形成用ゴム組成物を押出被覆した後、上記ゴム組成物をオーブン加硫してフリー発泡させる。 - 特許庁

In the magnetic reproducing head for reproducing the information recorded on a disk medium by the perpendicular magnetic recording method, a magneto-resistive element having a free layer 1, the resistance value of which is varied in response to a change of an external magnetization, and hard bias layers 9, 10 for making the free layer 1 to form a single magnetic domain are provided.例文帳に追加

垂直磁気記録方式によりディスク媒体に記録された情報を再生する磁気再生ヘッドにおいて、外部磁化の変化に感応して抵抗値の変化するフリー層１を備える磁気抵抗効果素子と、フリー層１を単磁区化するハードバイアス層９，１０とを具備する。 - 特許庁

To provide a flexible laminated board cladded with a copper layer on a single site totally made of polyimide superior in a heat resistivity and transparency of a polyimide layer, which is preferably used for mounting electronic members or the like comprised of a flexible wiring board, a semiconductor package, a TAB structure or a COF structure, and also to provide a manufacturing method of it.例文帳に追加

ポリイミド層の耐熱性、透明性に優れ、フレキシブル配線板や半導体パッケージ、ＴＡＢ構造やＣＯＦ構造からなる電子部品実装等に好適に用いることのできるオールポリイミドのフレキシブル片面銅張積層板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This method for manufacturing a photovoltaic device comprises the steps of forming a substantially true i-type amorphous silicon layer 2a on the surface of an n-type single crystal silicon substrate 1, and thereafter introducing hydrogen into the substantially true i-type amorphous silicon layer 2a.例文帳に追加

この光起電力装置の製造方法は、ｎ型単結晶シリコン基板１の表面上に実質的に真性なｉ型非晶質シリコン層２ａを形成する工程と、この後、前記実質的に真性なｉ型非晶質シリコン層２ａに水素を導入する工程とを備えている。 - 特許庁

To provide an effective method of obtaining a surface of high quality by removing a layer deteriorated by processing from the surface of a silicon carbide single crystal wafer which has been rough-lapped for chemical stability, and then finish polishing.例文帳に追加

本発明は、荒研磨(ラップ)した化学的に安定な炭化珪素単結晶ウェハ表面から加工変質層を除去して仕上げ研磨(ポリッシュ)することで、高品質な表面を得る効果的な方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a developing roller which can be manufactured from a low-priced material, which has a single layer structure and a low resistance, has no change with the lapse of time in electric field force and resistance and has a low surface friction coefficient.例文帳に追加

安価な材料により製造され、単層構造を有し、低抵抗で電界力および抵抗に経時的な変化がなく、表面の摩擦係数が低い、現像ローラの製造方法を提供する。 - 特許庁

In the process of growing a carbon-doped silicon single crystal by the CZ (Czochralski) method from a silicon melt to which carbon is added, a quartz crucible having an aluminum low concentration layer with aluminum concentration of ≤0.1 ppm on the inner surface is used.例文帳に追加

炭素が添加されたシリコン溶融液からＣＺ法により炭素ドープシリコン単結晶を育成するに際し、内表面側にアルミニウム濃度が０．１ｐｐｍ以下のアルミニウム低濃度層を有する石英ルツボを用いる。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a compound semiconductor element which is capable of growing an MgZnO series oxide element layer with high quality even when an inexpensive ZnO single crystal substrate whose crystal quality is not so good is employed.例文帳に追加

結晶品質がそれ程良好でない安価なＺｎＯ単結晶基板を用いても、ＭｇＺｎＯ系酸化物素子層を高品質にて成長できる化合物半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high sound-quality resistance film, having a small temperature coefficient of resistance (TCR) and a high sheet resistance, and ensuring a practically necessary film thickness by using a single-layer TaN film, and to provide a method for manufacturing the film.例文帳に追加

ＴａＮ膜の単層膜を使用して、ＴＣＲ値が小さく、シート抵抗が大きく、実用上必要な膜厚を確保できる高抵抗の高音質抵抗膜及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film magnetic head in which a magnetosensitive layer can be satisfactorily made a single domain, which can correspond to the formation of high recording density and further which can realize a larger rate of resistance change, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

高記録密度化に対応しつつ、感磁層の単磁区化を良好に行うことができ、さらに、より大きな抵抗変化率を発現することのできる薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a polycrystalline thin film capable of directly forming the polycrystalline thin film having the excellent orientation property close to that of the single crystal without using any bed layer on a base material of non-orientation.例文帳に追加

無配向である基材上にベッド層を用いることなく、単結晶に近い良好な配向性を有する多結晶薄膜を直接形成することが可能な多結晶薄膜の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A sandwiching type cell is formed by forming an NTCDA single crystal 2 having a thickness of 167 μm as a photocurrent multiplying layer and forming Au thin films on both surfaces as electrodes 4 and 6 by a vapor depositing method in a thickness of 20 nm of each.例文帳に追加

厚さが１６７μｍのＮＴＣＤＡ単結晶２を光電流増倍層とし、その両面に電極４，６として蒸着法によりＡｕ薄膜を２０ｎｍの厚さに形成して、サンドイッチ型セルとした。 - 特許庁

To provide a translucent sound insulation wall capable of having a single layer and sufficient weather resistance on a translucent plate, and having fine hydrophilic from an initial stage and exhibiting an antifouling property and its manufacturing method.例文帳に追加

透光板上に単層で十分な耐候性を有するとともに初期段階から良好な親水性を有し、防汚性を発現することのできる透光性遮音壁およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Homogenous high tensile strength molecularly oriented plastic rod-like bodies of a single layer are used and a large number of crossing parts arranged before and behind as well as left and right mutually are intermittently bonded at the same time by using a vibration bonding method.例文帳に追加

単一層の均質な高抗張力分子配向プラスチック棒状体を使用し、互いに前後左右に配置される多数の交差部分を振動接合技術を用いて同時に断続状に接合する。 - 特許庁

In this method for forming a coupled substrate, ions of a semiconductor material are implanted into a depth selected by a wafer on the surface of a wafer 15 of a single crystal semiconductor material, and an amorphous layer of the semiconductor material is formed at a position adjacent to the surface.例文帳に追加

単結晶半導体材料のウエハ１５表面に、そのウエハの選択された深さへ半導体材料のイオンを注入させ、表面に隣接した位置に、半導体材料のアモルファス層を形成させる。 - 特許庁

To provide an image reading device mounted with a color separating filter using a single layer of inorganic material and an image reading method, wherein a color shift hardly occurs in the periphery of a read image.例文帳に追加

単層の無機材料を用いた色分離フィルタを搭載した画像入力装置及び入力方法であって、画像周辺部の色ずれの無い画像入力装置及び画像入力方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing thermal transfer image receiving paper capable of obtaining a thermal transfer image of a high quality with a simplicity and at a low cost by forming a receptive layer on plain paper in a single step.例文帳に追加

単一の工程によって普通紙上に受容層を形成して、簡単且つ低廉でありながら、高品質の熱転写画像を得ることができる熱転写受像紙を製造する方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit designing device, a semiconductor integrated circuit designing method, and a semiconductor integrated circuit designing program for arranging cells in various ways in the vertical direction of a design layer even in defining layout of a single cell.例文帳に追加

単一のセルのレイアウトの定義であっても、デザインレイヤーの垂直方向に対して様々な配置の形態を実現することのできる半導体集積回路の設計装置、方法及びプログラムを提供する。 - 特許庁

The silicon epitaxial wafer 100 is manufactured by a CZ method, and a silicon epitaxial layer 2 is formed on a silicon single crystal substrate 1 wherein boron has been doped so that resistivity reaches not more than 0.018 Ωcm.例文帳に追加

シリコンエピタキシャルウェーハ１００は、ＣＺ法により製造され、かつ、抵抗率が０．０１８Ω・ｃｍ以下となるようにボロンがドープされたシリコン単結晶基板１上に、シリコンエピタキシャル層２を形成してなる。 - 特許庁

To provide a depositing method of a self-aggregate single molecule layer on a metal oxide using the micro-contact printing in the patterning substantially of the derivative and the surface, and a derivative substance manufactured thereby.例文帳に追加

本発明は、概ね誘導および表面のパターン化に関し、マイクロコンタクト・プリンティングを用いる金属酸化物に自己集合分子単一層の形成方法およびこれらにより製造された誘導体物体を提供する。 - 特許庁

To provide a surface treatment method removing a natural oxide film on the surface of a substrate consisting of a biboride single crystal, while coating the surface of the substrate with a specific protective layer and inhibiting reoxidation of the surface of the substrate.例文帳に追加

二硼化物単結晶から成る基板の表面の自然酸化膜を除去するとともに、基板の表面を特定の保護層で覆い、基板の表面の再酸化を抑制する表面処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a thin film semiconductor substrate comprising an epitaxial layer using single crystal silicon or polycrystal silicon, at a low cost with less cracking.例文帳に追加

単結晶シリコン又は多結晶シリコンを用いたエピタキシャル層を有する薄膜半導体基板を、割れを少なく低コストで製造することができる薄膜半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The growth member 7 is subjected to wet etching to etch the buffer layer 2 from end parts of each growth portion 9, and then, a group III nitride single crystal is grown on the seed crystal film 3 by a flux method.例文帳に追加

育成用部材７をウエットエッチングに供することによってバッファ層２を育成部９の端面からエッチングし、次いでＩＩＩ族窒化物単結晶を種結晶膜３上にフラックス法によって育成する。 - 特許庁

This method of manufacturing silicon epitaxial wafer includes a step of gradually growing a silicon epitaxial layer on a single-crystal silicon substrate, by gradually increasing the heating power to the silicon substrate and also gradually increasing the feed rate of a gaseous starting material.例文帳に追加

シリコン単結晶基板に対する加熱力を漸増させるとともに、原料ガスの供給量を漸増させながらシリコン単結晶基板上にシリコンエピタキシャル層を成長する漸増成長工程を有する。 - 特許庁

To provide a hydrophilic composite sheet which can prevent hydrophobic matters from adhering to the surface of a first hydrophilic layer and preferably retaining hydrophilicity of the surface of the first hydrophilic layer when it is stored in a roll shape or laminated single plate on an opposite surface of the first hydrophilic layer functioning as the hydrophilic layer by providing the second hydrophilic layer according to various kinds of applications, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

各種用途に応じた、親水性層として機能する第１の親水性層の反対面に、第２の親水性層を設けることにより、ロール状あるいは積み重ねられた単板状にて保管された場合に第１の親水性層表面への疎水性物質の付着を防ぐことができ、該第１の親水性層表面の親水性を好ましく保持することができる親水性複合シートとその製造方法を提供すること。 - 特許庁

In the method for manufacturing the electrophotographic photoreceptor including a step of depositing, on a conductive substrate, at least a photoconductive layer comprising a non-single-crystal material based on silicon atoms and a surface layer, the surface layer is formed by sequentially depositing a high hardness region and a low hardness region and then grinding the surface.例文帳に追加

導電性基体上に少なくともシリコン原子を母体とする非単結晶材料で構成された光導電層、及び表面層を堆積する工程を有する電子写真感光体の製造方法において、該表面層は硬度の大きい領域、硬度の小さい領域をこの順に積層して形成し、その後、表面を研磨することを特徴とする。 - 特許庁

The single crystal diamond substrate is composed of at least two layers in which the contents of nitrogen atoms are different, and includes a first layer containing nitrogen atoms and a second layer in which the content of nitrogen atoms is low in comparison with that of nitrogen atoms in the first layer, wherein the two layers are formed by a vapor phase synthetic method.例文帳に追加

ダイヤモンド単結晶基板であって窒素原子含有量の異なる少なくとも二以上の層から形成されており、窒素原子を含有した第一層と、該第一層に比較して窒素原子の含有量が低い第二層とを有し、これらの層が気相合成法によって形成されていることを特徴とするダイヤモンド単結晶基板である。 - 特許庁

The method for manufacturing the forming die includes steps of: making the forming die (51) of a single crystal material and forming a transfer pattern (29) by etching on the surface (20A) of the forming die (51); and converting the proximity (22A) of the surface including the surface (20A) into a hardened layer (22) comprising a compound of the element constituting the single material.例文帳に追加

また、成形型（５１）を単結晶材で形成し、成形型（５１）の表面（２０Ａ）にエッチングで転写形状（２９）を形成する工程と、表面（２０Ａ）を含むその近傍（２２Ａ）を単結晶材を構成する元素の化合物からなる硬化層部（２２）にする工程とを有する成形型の製造方法とした。 - 特許庁

The polypropylene film for a capacitor comprises a single polypropylene resin layer wherein the difference of a surface gloss of one side from that of another side is 3-20%, and Δd (a thickness measured by a micrometer method minus a thickness measured by a mass method) of the film is 0.05-0.25 μm.例文帳に追加

単一のポリプロピレン樹脂層からなり、一方の面の表面グロスともう一方の面の表面グロスの差が３〜２０％であり、かつフィルムのΔｄ（マイクロメータ法厚さ−質量法厚さ）が０．０５〜０．２５μｍであることを特徴とするコンデンサ用ポリプロピレンフィルム。 - 特許庁

A method for manufacturing an SOI substrate includes the steps of irradiating a single crystal semiconductor substrate with ions to form an embrittled region in the single crystal semiconductor substrate, bonding the single crystal semiconductor substrate to a base substrate with an insulating film therebetween, and separating the single crystal semiconductor substrate and the base substrate at the embrittled region to form a semiconductor layer over the base substrate with the insulating film therebetween.例文帳に追加

単結晶半導体基板にイオンを照射して、前記単結晶半導体基板中に脆化領域を形成する工程と、絶縁膜を介して前記単結晶半導体基板とベース基板とを貼り合わせる工程と、前記脆化領域において前記単結晶半導体基板と前記ベース基板とを分離して、前記ベース基板上に前記絶縁膜を介して半導体層を形成する工程とを有することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法である。 - 特許庁

The manufacturing method of silicon carbide substrate is characterized in manufacturing a substrate including a single crystal layer formed on a polycrystal substrate with the steps of preparing at least for single crystal silicon carbide substrate having density of micropipe of 30 pieces/cm^2 or less and polycrystal silicon carbide substrate and then bonding the single crystal silicon carbide substrate and the polycrystal silicon carbide substrate, and thereafter making thinner the single crystal silicon carbide substrate.例文帳に追加

炭化珪素基板の製造方法であって、少なくとも、マイクロパイプの密度が３０個／ｃｍ^２以下の単結晶炭化珪素基板と多結晶炭化珪素基板を準備し、前記単結晶炭化珪素基板と前記多結晶炭化珪素基板とを貼り合わせる工程を行い、その後、前記単結晶炭化珪素基板を薄膜化する工程を行い、多結晶基板上に単結晶層を形成した基板を製造することを特徴とする炭化珪素基板の製造方法。 - 特許庁

In this laminating method of ceramics, many fine projected part or projected part are formed on a substrate metal surface, and the surface layer 1 is made into ceramics (part 2) to superimpose and laminate a single or a plurality of ceramics layer 3, 4, different in the generation method or composition, on the surface.例文帳に追加

基板金属の表面に微細な凸部或いは突起部分を多数設けた後、その表面層１をセラミックス化し（２の部分）、その表面に異なった生成法または組成の単層または複数のセラミックス層３，４を重畳積層するところの、セラミックス化した凸部或いは突起部分が各界面、および各セラミックス層に混在する構成のセラミックスの積層法。 - 特許庁

To provide a touch panel member having an optical adjustment layer provided for light reflection formed as the a single layer, which is capable of preventing or reducing the visibility of a patterned transparent electrode layer in the touch panel member and can be formed by a simple method of coating means as well, a manufacturing method of the touch panel member, and a coordinate detection device including the touch panel member.例文帳に追加

光反射のために設けられる光学調整層を単層とした上で、タッチパネル部材におけるパターニングされた透明電極層の視認を防止し、または低減させることができ、しかも、塗工手段という簡易な方法によっても形成可能な光学調整層を備えるタッチパネル部材、および上記タッチパネル部材の製造方法、および、上記タッチパネル部材を備える座標検出装置を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a compound semiconductor comprises a first heating step for heating a GaN single crystal substrate 2 under a first gas atmosphere containing at least hydrogen gas, a second heating step for heating the GaN single crystal substrate 2 under a second gas atmosphere containing at least ammonia, and an epitaxial growth step for forming a nitride compound semiconductor layer 3 on the GaN single crystal substrate 2.例文帳に追加

本発明による化合物半導体の製造方法は、少なくとも水素ガスを含む第１ガス雰囲気下でＧａＮ単結晶基板２を加熱する第１加熱工程と、少なくともアンモニアを含む第２ガス雰囲気下でＧａＮ単結晶基板２を加熱する第２加熱工程と、ＧａＮ単結晶基板２上に窒化物系化合物半導体層３を形成するエピタキシャル成長工程とを含む。 - 特許庁

The hollow polymer fine particle is obtained by the method and comprises the shell and hollow part, wherein the shell has a single layer structure composed of a polymer or a copolymer of at least one crosslinkable monomer.例文帳に追加

この方法により得られるシェル及び中空部からなる中空高分子微粒子であって、シェルが少なくとも１種の架橋性モノマーの重合体もしくは共重合体からなる単層構造を有する中空高分子微粒子。 - 特許庁

To provide a plate thickness measuring method which can find the plate thickness of a plate material having heterogeneous layers such as a scale or coating at least on one flank through single-time measurement without being affected by an error due to the heterogeneous layer.例文帳に追加

スケール又はコーティング等の異質層を少なくとも一側面に有する板材の板厚を異質層に起因する誤差の影響を受けずに一回の測定で求めることが可能な板厚測定手法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for decontaminating the component of a nuclear facility or a surface having an oxide layer of a system which is able to overcome the defects in conventional apparatuses and methods, to function effectively, and in particular, which can be carried out in a single step.例文帳に追加

従来の装置及び方法の上記欠点を克服して、有効に機能し、特に１工程で実施することができる、原子力施設の部品又は系の酸化物層を有する表面を汚染除去する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate where a high-quality silicon carbide single crystal film is formed by forming a buffer layer having fewer grate mismatches to cubic crystal silicon carbide (3C-SiC), and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

立方晶炭化珪素（３Ｃ−ＳｉＣ）に対してより格子ミスマッチの少ないバッファ層を形成することで、高品位（高品質）な炭化珪素単結晶膜を形成した半導体基板と、その製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a contact charging method by which a single layer organic photoreceptor is uniformly and efficiently charged and problems such as toner adhesion and the lowering of durability due to pressure of the contact part with a charging member can be also effectively avoided.例文帳に追加

単層有機感光体を均一に且つ効率よく帯電し、しかも帯電部材との接触部の圧力によるトナー付着や耐久性の低下等の問題も有効に回避することが可能な接触帯電方法を提供する。 - 特許庁