「spin coupling」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

If a composite SIL including coupling of the high PMA multi-layer structure (A1/A2)_x and the high Bx layer is used, the spin injection layer can be made stiffer.例文帳に追加

高いＰＭＡの多層構造（Ａ１／Ａ２）_x と高Ｂｓ層との結合を含む複合ＳＩＬを用いれば、スピン注入層をより強固にできる。 - 特許庁

The current generated by the electromagnetic coupling between a spin drum and a circular magnet 63 rotating in association with the spin drum which is formed on the inner peripheral side of the spin drum is measured (current sensor 64) and compared with the current during the normal rotation of the spin drum to judge whether the behavior of the reels is normal or not at the cycle shorter than the specified cycle (MPU 401).例文帳に追加

回胴と連動して回転する、回胴のフレーム内周側面に形成された環状の磁石６３との間の電磁結合により生成される電流を計測し（電流センサ６４）、回胴の正常回転時における電流と比較して異常を検出することで、特定周期より短い周期でリールの挙動が正常か否かの判断を行う（ＭＰＵ４０１）。 - 特許庁

To provide an exchangeable coupling film which can reduce the thickness of a film thinner than that of a prior art and has sufficient exchangeable coupling energy, and also to provide a spin valve film, thin film magnetic head, magnetic head device and magnetic recording/reproducing apparatus using the same film.例文帳に追加

従来よりも膜厚を薄くすることが可能でかつ十分な交換結合エネルギーを有する交換結合膜、これを用いたスピンバルブ膜、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置、磁気記録再生装置を提供する。 - 特許庁

This fluid coupling between a first component (connector body) for transferring the fluid and a second component (pipe end part) for transferring the fluid, is formed by spin welding.例文帳に追加

流体を移送する第一のコンポーネント（コネクタ・ボディ）と、流体を移送する第二のコンポーネント（管端部）との間の流体継手が、スピン溶着により形成される。 - 特許庁

As a result, a thin film spacer can be formed, and the nano-constricted MR spin valve is formed having low coercivity and low interlayer coupling between the free layer and the pinned layer.例文帳に追加

その結果、薄膜スペーサを形成することができ、低保磁力とフリー層とピン層の間の低層間結合とを有するナノ狭窄ＭＲスピンバルブが形成される。 - 特許庁

To provide a multi-chamber film-forming apparatus capable of manufacturing spin-valve giant magnetoresistive films satisfying both high magnetoresistive change ratio (MR ratio) and low interlayer coupling magnetic field (Hin).例文帳に追加

高い磁気抵抗変化率(ＭＲ比)と低い層間結合磁界(Ｈｉｎ)を両立するスピンバルブ型巨大磁気抵抗薄膜を製造することができるマルチチャンバ成膜装置を提供する。 - 特許庁

A magnetic head is provided with a recording magnetic pole 22, a return yoke 24 magnetic-coupling with the recording magnetic pole, and at least two spin torque oscillators 26a, 26b provided at the vicinity of the recording magnetic pole.例文帳に追加

記録磁極２２と、記録磁極と磁気結合するリターンヨーク２４と、記録磁極の近傍に設けられた少なくとも２つのスピントルク発振子２６ａ、２６ｂと、を備えている。 - 特許庁

To provide a drum washing machine that a coupling structure between a damper and a cabinet is improved and that a cabinet vibration caused by a tab vibration generated at the time of transient vibration and normal spin dry is minimized.例文帳に追加

本発明は、ダンパーとキャビネットとの結合構造を改善し、過度振動時及び正常脱水時発生するタブの振動によるキャビネットの振動を最小化したドラム洗濯機を提供する。 - 特許庁

The spin valve film 8 has a fixed layer 19 in which four layers of ferromagnetic layers 12, 141, 142, 143 are laminated on the upper part of an anti-ferromagnetic layer 11, and through anti-ferromagnetic coupling layers 131, 132, 133 between respective layer.例文帳に追加

ＧＭＲヘッド１０は、下部磁気シールド層及び上部磁気シールド層の間に、スピンバルブ膜８と、スピンバルブ膜８の両端部に配置された下地層４と磁区制御層５と電極層６の積層構造とを有する。 - 特許庁

An NOT gate is realized by the interaction of two (1/2)-spin inner products and a 1-bit addition gate under the consideration of advancing is realize by the generation of a two level system and the interaction of the coupling of an annihilation operator and the state transition operator of a three level system.例文帳に追加

２つの(1/2)-スピン内積の相互作用により否定ゲートを、二順位系の生成、消滅演算子と三順位系の状態遷移演算子の結合による相互作用により、繰り上げを考慮した1-bit加算ゲートを実現する。 - 特許庁

To provide a structure can prevent diffusion of an element such as Ge in a reference layer while keeping exchange coupling between the reference layer and other layer, in a spin valve film of a CPP magnetoresistive effect element.例文帳に追加

ＣＰＰ型の磁気抵抗効果素子のスピンバルブ膜においてリファレンス層と他の層との間の交換結合を維持しつつリファレンス層中のＧｅ等の元素の拡散を防止し得る構成を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element and a magnetoresistive effect head which can sufficiently obtain spin dependent scattering without lowering an exchange coupling magnetic field between a diamagnetic layer and a fixed layer and has higher GMR effect than usual.例文帳に追加

反強磁性層と固定層の交換結合磁界が低下することなく、スピン依存散乱を十分に得ることができ、従来よりもＧＭＲ効果が高い磁気抵抗効果型素子および磁気抵抗効果型ヘッドを提供する。 - 特許庁

The magneto-resistive element, formed on a substrate and having a spin-valve magneto-resistive structure including a free layer and a pinned layer separated by a non-magnetic spacer layer, includes layers of a third ferromagnetic layer-a second antiparallel coupling layer-a second ferromagnetic layer-a first antiparallel coupling layer-a first ferromagnetic layer-an antiferromagnetic layer formed on the top of said spacer layer.例文帳に追加

基板上に形成され、非磁性スぺーサ層により分離されているフリー層と固定層を含むスピンバルブ磁気抵抗構造において、前記スぺーサ層の上部に、第３強磁性層−第２反平行結合層−第２強磁性層−第１反平行結合層−第１強磁性層−反強磁性層を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A spin valve structure 1 is a CPP-GMR sensor having: a free layer 18; a non-magnetic spacer layer 17; and an SyAP layer 16 in which a first ferromagnetic layer 15, a coupling layer 14, and the second ferromagnetic layer 13 are sequentially laminated from a free layer 18 side.例文帳に追加

スピンバルブ構造１は、フリー層１８と、非磁性スペーサ層１７と、フリー層１８の側から第１強磁性層１５と結合層１４と第２強磁性層１３とが順に積層されたＳｙＡＰ層１６とを有するＣＰＰ−ＧＭＲセンサである。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a magnetoresistance effect thin-film magnetic head which can enhance the intensity of the exchange coupling magnetic field of an SV-GMR (spin valve-type magnetoresistance effect) element, the magnetoresistance change rate of the element and the heat-resistant stability of the element, can be formed by a simple process.例文帳に追加

SV-GMR素子の交換結合磁界強度を向上させ、磁気抵抗変化率を向上させ、さらに耐熱安定性を向上させることができる磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを簡易なプロセスで形成できる製造方法を提供する。 - 特許庁

By the ferromagnetic coupling in-between the high-coercitivity magnetic layer 2, each conduction electron, having electron spins S11, S12, and S13 in an arbitrary direction that pass through the conductive layer 4, is respectively converted into each spin-polarized electron having electron spins S21, S22, and S23 in a direction parallel to a magnetization J2 direction.例文帳に追加

高保磁力磁性層２との強磁性的結合により、導電層４を通過する任意方向の電子スピンＳ１１，Ｓ１２，Ｓ１３を有する各伝導電子が、磁化Ｊ２の方向に平行な方向の電子スピンＳ２１，Ｓ２２，Ｓ２３を有するスピン偏極電子にそれぞれ変換される。 - 特許庁

The electret is formed by applying a spin-coat on a copper substrate with a coating fluoropolymer composition which contains a fluorine-containg polymer having a ring structure in the main chain, a silane coupling agent, an aprotic and fluorine-containing solvent, and a fluorine-containing alcohol as a protic, fluorine-containing solvent, followed by baking.例文帳に追加

主鎖に環構造を有する含フッ素重合体並びにシランカップリング剤、非プロトン性含フッ素溶媒及びプロトン性含フッ素溶媒としての含フッ素アルコールを含むコーティング用含フッ素重合体組成物を銅基板上にスピンコートし、これを焼成することによりエレクトレットを形成した。 - 特許庁

The storage element stores information by inverting magnetization of the storage layer by utilizing spin torque magnetization reversal occurring in association with a current flowing in a lamination direction of a layer structure having the storage layer, the intermediate layer and the magnetization fixed layer, and the magnetization coupling layer is composed of a laminate structure of two layers.例文帳に追加

そして記憶層、中間層、磁化固定層を有する層構造の積層方向に流れる電流に伴って発生するスピントルク磁化反転を利用して上記記憶層の磁化を反転させることにより情報の記憶を行うとともに磁気結合層が２層の積層構造となっている。 - 特許庁

To provide a magnetic detecting element which can have a saturation magnetic field (Hs), a spin flop magnetic field (Hsf), and antiferromagnetic coupling energy (J_A) within proper ranges and also has superior heat resistance, especially, without varying the film thickness of a nonmagnetic intermediate layer forming a laminated ferrimagnetic structure.例文帳に追加

特に、積層フェリ構造を構成する非磁性中間層の膜厚を特に変更することなく、飽和磁界（Ｈｓ）、スピンフロップ磁界（Ｈｓｆ）及び及び反強磁性結合エネルギー（Ｊ_Ａ）を適切な範囲内に収めることができ、さらに耐熱性にも優れる磁気検出素子を提供することを目的としている。 - 特許庁

A spin injection magnetic random access memory has an antiferromagnetic coupling structure in which filter layers 22, 32 composed of ferromagnetic layers 23, 33, nonmagnetic layers 24, 34, and ferromagnetic layers 25, 35, a plurality of ferromagnetic tunnel junction elements 21, 31 having mutually different switching current characteristics being stacked in series, and equalized in plane area of each ferromagnetic tunnel junction elements 21, 31.例文帳に追加

フィルター層２２，３２が強磁性層２３，３３／非磁性層２４，３４／強磁性層２５，３５からなる反強磁性結合構造を有するとともに互いに異なったスイッチング電流特性を有する強磁性トンネル接合素子２１，３１を直列に複数個積層し、且つ、前記各強磁性トンネル接合素子２１，３１の平面面積を同じにする。 - 特許庁

Consequently, the saturation magnetic field (Hs), spin flop magnetic field (Hsf), and antiferromagnetic coupling energy (J_A) can property be weakened as compared with a case wherein the nonmagnetic intermediate layer 4b is made of only Rh without specially varying the film thickness of the nonmagnetic intermediate layer 4b (even when adjustments are made within a film thickness range which is generally used so far).例文帳に追加

これにより、前記非磁性中間層４ｂの膜厚を特に変更することなく（従来から一般的に用いられている膜厚範囲内で調整しても）、飽和磁界（Ｈｓ）、スピンフロップ磁界（Ｈｓｆ）及び反強磁性結合エネルギー（Ｊ_Ａ）を、前記非磁性中間層４ｂをＲｈだけで形成した場合に比べて適度に弱めることが出来る。 - 特許庁