「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索

A strippable layer 20 comprising fullerene is formed on a glass substrate 10.例文帳に追加

フラーレンからなる剥離層２０をガラス基板１０上に形成する。 - 特許庁

METHOD AND SYSTEM FOR SEALING EPITAXIAL SILICON LAYER ON SUBSTRATE例文帳に追加

基板上でエピタキシャルシリコン層をシールするための方法及びシステム - 特許庁

The hole 3 is formed on an insulating layer 2 on the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１上の絶縁層２に穴３を形成する。 - 特許庁

METAL OXIDE LAYER FORMED ON SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

基板上に形成された金属酸化物層とその作製方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR LAYER GROWTH SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

半導体層成長用基板およびそれを用いた半導体装置 - 特許庁

This integrated circuit 28 contains a conductive layer adjacent to a semiconductor substrate 30.例文帳に追加

集積回路は半導体基板に隣接した伝導層を含む。 - 特許庁

To stably peel a high-quality GaN layer from a sapphire substrate after the GaN layer is formed on the substrate.例文帳に追加

サファイア基板上に高品質のＧａＮ層を形成し、サファイア基板からＧａＮ層を単純な方法により安定的に剥離する。 - 特許庁

A tungsten interconnect 12 is formed on the upper layer of a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１の上層にタングステン配線１２を形成する。 - 特許庁

SUBSTRATE WITH EPITAXIAL LAYER, SEMICONDUCTOR ELEMENT AND THESE MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

エピタキシャル層付き基板、半導体素子およびこれらの製造方法 - 特許庁

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR LAYER例文帳に追加

半導体基板、半導体素子および半導体層の形成方法 - 特許庁

STAIN RESISTANT FINISHING AGENT FOR SUBSTRATE WITH GLASS LAYER, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, STAIN RESISTANT FINISHING METHOD OF SUBSTRATE WITH GLASS LAYER AND PRODUCT THEREBY例文帳に追加

ガラス層をもつ基体用防汚処理剤及びその製造方法並びにガラス層をもつ基体の防汚処理方法及びその製品 - 特許庁

The film 14 is removed to separate the layer 16 from the substrate 10 and the layer 16 is inverted and bonded to a substrate to obtain a pattern.例文帳に追加

膜１４を除去して層１６を基板１０から分離した後、層１６を上下逆にして基板に接着し、型とする。 - 特許庁

The copper layer is a plated substrate formed with the plating method.例文帳に追加

前記銅層はめっき法により形成されためっき基板である。 - 特許庁

The optical recording medium has a visible information recording layer provided on a substrate.例文帳に追加

基板上に可視情報記録層を有する光記録媒体。 - 特許庁

An SOI substrate comprising a second substrate 20 and an active layer 1 sandwiching an oxide film layer 2 is bonded directly to a first wafer 10.例文帳に追加

第二基板２０と活性層１の間に酸化膜層２がはさまれたＳＯＩ基板と第１ウエハ１０を直接接合する。 - 特許庁

It is also possible that an element retaining layer is formed on the surface of the second substrate.例文帳に追加

第二基板の表面には、素子保持層を形成してもよい。 - 特許庁

The EBC is provided between the substrate and the top layer.例文帳に追加

耐環境コーティング（ＥＢＣ）は、基材と上層との間に備えられる。 - 特許庁

The third semiconductor layer extends in a vertical direction with respect to a substrate.例文帳に追加

第３半導体層は、基板に対して垂直方向に延びる。 - 特許庁

The optical information recording medium consists of a substrate 2, an information layer 3 deposited on one surface of the substrate 2, and a protective layer 4 covering the outer face of the information layer 3.例文帳に追加

基板２と、当該基板２の片面に担持された情報層３と、当該情報層３の外面を覆う保護層４とから光情報記録媒体を構成する。 - 特許庁

The substrate with film has a scattering layer and a low resistance layer provided on at least one side of a substrate in this order, and the surface roughness of the low resistance layer is 5-20 nm.例文帳に追加

基板の少なくとも片面に、散乱層および低抵抗化層をこの順に設けてなり、該低抵抗化層上の表面粗さが５〜２０ｎｍである膜付き基板。 - 特許庁

The pseudo-lattice matching layer 13 formed between the substrate and the active layer 15 is composed of GaN with film thickness of 1ML (molecular layer) or more and critical film thickness or less to the ZnO substrate 12.例文帳に追加

この基板と活性層１５の間に形成された擬似格子整合層１３は、膜厚が1ML（分子層）以上、ZnO基板１２に対して臨界膜厚以下のGaNからなる。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element 1 includes a substrate 110, an intermediate layer 120 laminated on the substrate 110, and a base layer 130 laminated on the intermediate layer 120.例文帳に追加

半導体発光素子１は、基板１１０と、基板１１０上に積層される中間層１２０と、中間層１２０上に積層される下地層１３０とを備える。 - 特許庁

The metal laminate comprises a substrate and a barrier layer, a metal thin film layer, and a metal layer, arranged in this order, on at least one surface of this substrate.例文帳に追加

基材と、この基材の少なくとも一方の面に、バリア層と、金属薄膜層と、金属層とがこの順序で配置されていることを特徴とする、金属積層体。 - 特許庁

The second passivation layer 30 is disposed between the substrate 10 and the first passivation layer 20, and the material of the second passivation layer 30 is an oxide of the material of the substrate.例文帳に追加

第２のパッシベーション層３０は基板１０と第１のパッシベーション層２０との間に配置され、第２のパッシベーション層３０の材料は、基板の材料の酸化物である。 - 特許庁

The incident side substrate 6 and the reflection side substrate 7 are disposed opposite each other, and a liquid crystal layer 1 is sandwiched between the alignment layer 2 and the alignment layer 3.例文帳に追加

入射側基板６と反射側基板７とは対向して配置されており、配向膜２と配向膜３との間には液晶層１が挟持されている。 - 特許庁

The vertical magnetic recording medium contains a vertical magnetic recording layer provided on a substrate and a soft magnetic foundation layer provided between the substrate and the vertical magnetic recording layer.例文帳に追加

基板上に設けられた垂直磁気記録層と、基板と垂直磁気記録層との間に設けられた軟磁性下地層とを具備する垂直磁気記録媒体である。 - 特許庁

The substrate is formed like a sheet; a sticking agent layer is formed on the surface, on the other side of the radiation emitting layer, of the substrate; and a release paper is superposed on the sticking agent layer.例文帳に追加

基材がシート状のものであり、基材における放射線発生層と反対面に貼着剤層を形成すると共にその上に剥離紙を重ねてある。 - 特許庁

The optical disk 1 is equipped with a translucent substrate 2, a recording layer 3 including dyes, and a reflection layer 4, and a resin substrate 7 is stuck thereon via an adhesive layer 6.例文帳に追加

この光ディスク１は、透光性基板２、色素を含む記録層３、反射層４を備え、接着層６を介して樹脂基板７が貼り合わされている。 - 特許庁

The thin film structure for an optical recording medium has at least a substrate 10, a transparent layer 30 formed on the substrate and a reflecting layer 40 formed on the transparent layer.例文帳に追加

光記録媒体用薄膜構造は、少なくとも基板１０と、基板上に形成される透明層３０と、その上に形成される反射層４０とを有している。 - 特許庁

The flat plate 11 is provided with a transparent substrate 31, a resin layer 32 formed on the transparent substrate 31, and a CNT layer 33 formed on the resin layer 32.例文帳に追加

平板１１は、透明基板３１と、透明基板３１上に形成された樹脂層３２と、樹脂層３２上に形成されたＣＮＴ層３３と、を備える。 - 特許庁

A method for coating a substrate involves depositing a substantially crystalline first layer on at least a portion of the substrate and successively depositing a breaker layer on the first layer.例文帳に追加

基体を被覆する方法は、基体の少なくとも一部分の上に実質的に結晶質の第１層を堆積し、次いで、第１層上にブレーカー層を堆積することを含む。 - 特許庁

The flexible imaging member comprises a substrate 10, a charge generating layer 18 disposed on the substrate 10, and at least one charge transport layer 20 disposed on the charge generating layer 18.例文帳に追加

基材１０と、基材１０上に配置された電荷発生層１８と、電荷発生層１８上に配置された少なくとも１つの電荷輸送層２０と、を備える。 - 特許庁

The flexible flat cable with gap parts is provided with a first substrate 11, a first conductive layer, a second substrate 21, a second conductive layer, an adhesive layer 3, and a cluster part 4.例文帳に追加

隙間部を有するフレキシブルフラットケーブルは、第１の基板１１、第１の導電層、第２の基板２１、第２の導電層、粘着層３及びクラスタ部４を備える。 - 特許庁

The substrate 10 for a semiconductor element is provided, on the surface of the substrate 11, with a first thin film layer 12, a second thin film layer 13 and a surface thin film layer 14 in this order.例文帳に追加

半導体素子用基板１０は、基板１１の表面に、第１薄膜層１２と第２薄膜層１３と表面薄膜層１４とをこの順に積層して備える。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a substrate 1, a 1st SiC layer 2 formed on the substrate 1 and a 2nd SiC layer 12 formed on the 1st SiC layer 2.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、基板１と、基板１の上に設けられた第１ＳｉＣ層２と、第１ＳｉＣ層２の上に設けられた第２ＳｉＣ層１２とを有している。 - 特許庁

This surface protection tape 3 obtained by forming an adhesive layer 1 on a substrate material layer 2 is characterized in that the substrate material layer 2 consists of a material having voids at its inside.例文帳に追加

基材層２に粘着剤層１が形成された表面保護テープ３であって、該基材層２は内部に空隙を有する材料よりなる表面保護テープ。 - 特許庁

An InGaAs buffer layer 21 is disposed between a GaAs substrate 12 and a GaAs layer (semiconductor layer) 22, where a lattice constant difference to the substrate 12 is not more than 1.5%.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１２と、基板１２との格子定数差が１．５％以下であるＧａＡｓ層（半導体層）２２との間に、ＩｎＧａＡｓバッファ層２１を配置する。 - 特許庁

A negative electrode 1, EL layer 2, particle-containing transparent electrode layer 3', low refractive index layer, and translucent substrate 5 such as a glass substrate are laminated in this order.例文帳に追加

陰極１、エレクトロルミネッセンス層２、粒子含有透明電極層３’，低屈折率層及びガラス基板等の透光性の基板５がこの順に積層配置されている。 - 特許庁

In the ceramic substrate 10, an insulating layer, that is, a highly Al-concentrated layer 12 is formed on a surface of the ceramic substrate 10, wherein the insulating layer is high in Al concentration than the inside thereof.例文帳に追加

本発明のセラミックス基板１０は、セラミックス基板１０の表面に、Ａｌ濃度が内部よりも高い絶縁体層（=Ａｌ高濃度層１２）を構成する。 - 特許庁

The lure 10 is equipped with a substrate 11 in which the surface layer is a reflective layer and a transparent coated layer 12 formed in uneven film thickness on the surface of the substrate 11.例文帳に追加

ルアー１０は、表層が反射層である基体１１と、この基体１１の表面に不均一な膜厚で形成された透明被膜層１２とを備えている。 - 特許庁

A rear surface irradiation type image sensor includes a substrate, a rear surface protection layer disposed on a rear surface of the substrate, and a transparent conductive layer disposed on the rear surface protection layer.例文帳に追加

裏面照射型イメージセンサは、基板と、上記基板の裏面上に配置された裏面保護層と、上記裏面保護層上に配置された透明導電層とを備えている。 - 特許庁

A polarizing layer 1 is provided on an observer side of the front-side transparent substrate 3 and a polarizing layer 5 is provided between the liquid crystal layer 4 and back-side transparent substrate 8.例文帳に追加

前面側透明基板３の観察者側には、偏光層１が設けられ、液晶層４と背面側透明基板８の間には偏光層５が設けられている。 - 特許庁

The optical waveguide device has a substrate, an organic polymer layer 10 having an optical waveguide structure disposed on the substrate, and the electrode layer 7 disposed on the organic polymer layer 10.例文帳に追加

基板と、該基板上に配置された光導波路構造を有する有機高分子層１０と、該有機高分子層１０の上に配置された電極膜７とを有する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a substrate capable of precisely controlling the thickness of a semiconductor layer in a substrate with a partial insulation layer under a thin semiconductor layer.例文帳に追加

薄い半導体層の下に部分的な絶縁層を有する基板における該半導体層の厚さを精密に制御可能な基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The magnetic side includes a support layer formed over the substrate and a magnetic recording layer formed over the support layer to define a magnetic recording surface opposite the substrate.例文帳に追加

磁気側は、基材上に形成された支持層と、基材と反対側の磁気記録表面を画定するために支持層上に形成された磁気記録層とを含む。 - 特許庁