「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

An n-contact layer 2, an n-clad layer 3, an MQW active layer 4 and a p-first clad layer 5 are sequentially formed on a saphire substrate 1.例文帳に追加

サファイア基板１上にｎ−コンタクト層２、ｎ−クラッド層３、ＭＱＷ活性層４およびｐ−第１クラッド層５が順に形成される。 - 特許庁

An SiGe layer is formed on an Si substrate 1, and an Si layer 5 having a selection ratio smaller than that of the SiGe layer is formed on the SiGe layer.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＳｉＧｅ層を形成し、ＳｉＧｅ層よりもエッチングの選択比が小さなＳｉ層５をＳｉＧｅ層上に形成する。 - 特許庁

A layered substrate having three-layer structure with an insulating layer 2 formed between a support layer 1 and an active layer 3 is processed to form this dynamic quantity sensor.例文帳に追加

支持層１と活性層３の間に絶縁層２が形成されている３層構造を有する積層基板を加工して力学量センサを形成する。 - 特許庁

The EL light emission part 1 is constituted by laminating a light emission layer 4, an insulation layer 5, and the back electrode layer 6 sequentially on the transparent electrode layer on a transparent substrate 3.例文帳に追加

ＥＬ発光部１は、透明基板３上の透明電極層上に、発光層４、絶縁層５、背面電極層６を順次積層してなる。 - 特許庁

A BSF layer 12, a photoelectric conversion layer 22, a window layer 18, a contact layer 20 and a surface electrode 24 are formed in order on an N-type semiconductor substrate 10.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１０上に順次にＢＳＦ層１２、光電変換層２２、窓層１８、コンタクト層２０及び表面電極２４を設ける。 - 特許庁

The synthetic resin layer has the inside resin layer 2 laminated to the metal panel 1 being the base material and the outside resin layer 4 applied to the substrate layer 5.例文帳に追加

合成樹脂層は、基材をなす金属板１に積層される内側樹脂層２と、下地層が５施される外側樹脂層４とを有する。 - 特許庁

On one surface of the substrate 1, a resin layer 2, metal layer 3 comprising aluminum, primer treatment layer 4 and peeling treatment layer 5 are laminated in this order.例文帳に追加

この基材１の一方の片面には、樹脂層２、アルミニウムからなる金属層３、プライマー処理層４、剥離処理層５が、この順序で積層されている。 - 特許庁

The substrate and the layer pairs are interleaved with a single layer film (3) consisting of a material including molybdenum is formed so that the a part of the single layer film is not covered with the layer pair.例文帳に追加

基板と層対との間に、モリブデンを含む材料からなる単層膜（３）を、単層膜の一部が層対で覆われないように成膜している。 - 特許庁

In the semiconductor epitaxial wafer 2 having the buffer layer 2 on a substrate 1, the buffer layer 2 forms an AlN buffer layer 22 and a GaN buffer layer 21 successively.例文帳に追加

基板１の上にバッファ層２を有する半導体エピタキシャルウェハにおいて、前記バッファ層２がＡｌＮバッファ層２２、ＧａＮバッファ層２１を順に形成する。 - 特許庁

A projecting and recessing layer 18, the reflection layer 17, a protective layer 1, a flattening layer 16 and a transparent electrode 14 are successively laminated on the liquid crystal side surface of the lower substrate.例文帳に追加

下側基板の液晶側の面には、凹凸層１８、反射層１７、保護層１、平坦化層１６、及び透明電極１が順次積層されている。 - 特許庁

An SOI (silicon-on-insulator) substrate is prepared, which includes a silicon base 101, a lower cladding layer 102 comprising an embedded oxide layer, and a surface silicon layer (SOI layer) 201.例文帳に追加

シリコン基部１０１，埋め込み酸化層からなる下部クラッド層１０２，および表面シリコン層（ＳＯＩ層）２０１を備えるＳＯＩ基板を用意する。 - 特許庁

In this method of manufacturing the nitride semiconductor laser, an n-type cladding layer 2, an n-type guide layer 3, an active layer 4 and an undoped guide layer 5 are formed on an n-type GaN substrate in an MOCVD method.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ基板の上に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ型クラッド層２、ｎ型ガイド層３、活性層４、アンドープガイド層５を形成する。 - 特許庁

An n-type layer is formed by epitaxial growth on a heavily doped substrate which becomes an n^+-type cathode layer 1, and then a p-type anode region 3 is formed on a surface layer of the n-type layer.例文帳に追加

ｎ^+ カソード層１となる高濃度基板上にエピタキシャル成長でｎ層を形成し、このｎ層の表面層にｐアノード領域３を形成する。 - 特許庁

A semiconductor laser element is constituted with an n-type contact layer 3, an n-type clad layer 4, an MQW active layer 5, and a p-type first clad layer 6a formed successively on a sapphire substrate 2.例文帳に追加

サファイア基板２上にｎ−コンタクト層３、ｎ−クラッド層４、ＭＱＷ活性層５およびｐ−第１クラッド層６ａが順に形成される。 - 特許庁

The optical information recording medium has a reflection layer, a recording layer, a barrier layer, and a cover layer in this order on the surface of a substrate having a pregroove thereon.例文帳に追加

プリグルーブを表面に有する基板の該表面上に、反射層、記録層、バリア層、およびカバー層をこの順に有する光情報記録媒体。 - 特許庁

In the method of forming the phase-change material layer pattern, an insulation layer having a recessed portion is formed on a substrate, and then a phase-change material layer is formed on the insulation layer while filling the recessed portion (S20).例文帳に追加

基板上に窪みを有する絶縁膜を形成した後、絶縁膜上に窪みを埋めながら相変化物質層を形成する。 - 特許庁

The optical information recording medium comprises a reflective layer, a recording layer, a barrier layer, and a cover layer in this order on the surface of a substrate with a pregroove on its surface.例文帳に追加

プリグルーブを表面に有する基板の該表面上に、反射層、記録層、バリア層、およびカバー層をこの順に有する光情報記録媒体。 - 特許庁

The invention relates to the laminated board with conductive layer 20 comprising a substrate sheet 22, an adhesive layer (resin layer) 24 and the conductive layer 26 in this order.例文帳に追加

本発明の導体層張り積層板２０は、シート状の基材２２と、接着層（樹脂層）２４と、導体層２６とをこの順に備えた構造を有している。 - 特許庁

An electroluminescence display unit 16 (an organic EL device) has a transparent substrate 27, an anode layer 31, an insulating layer 40, an organic layer 45, and a cathode layer 50.例文帳に追加

発光表示部１６（有機ＥＬ素子）は、透明基板２７と、陽極層３１と、絶縁層４０と、有機層４５と、陰極層５０とを備える。 - 特許庁

To provide a broad-spectrum Al(1-x-y)InyGa_xN LED, comprising: a substrate, a buffer layer, an N-type cladding layer, at least one quantum dot emitting layer, and a P-type cladding layer.例文帳に追加

基板、バッファー層、Ｎ型クラッド層、少なくとも１つの量子ドット放出層およびＰ型クラッド層を備える広域スペクトルAl_(1-x-y)In_yGa_xN LEDを提供すること。 - 特許庁

An n-type clad layer 11, an active layer 12, a p-type clad layer 13, and a p-type contact layer 14, are formed in this order on a conductive substrate 10.例文帳に追加

導電性の基板１０上にｎ型クラッド層１１、活性層１２、ｐ型クラッド層１３およびｐ型コンタクト層１４がこの順に形成されている。 - 特許庁

The method for manufacturing the CMOS device of the double vertical channel thin film transistor comprises the steps of covering a gate layer 20 formed on a substrate 10 with a first insulating layer 30, and forming a semiconductor layer 40 on the first insulating layer.例文帳に追加

基板１０上に形成されたゲート層２０を第一絶縁層３０で被覆し、第一絶縁層上に半導体層４０を形成する。 - 特許庁

Next, a black light shielding layer BM is formed on the reflection layer and subsequently a coloring layer is formed on the transmissive part and on the reflection layer of the lower substrate.例文帳に追加

次に、反射層上に黒色遮光層ＢＭを形成し、その後、下側基板の透過部上及び反射層上に着色層を形成する。 - 特許庁

A light-emitting diode 40 comprises a substrate 41, a buffer layer 42, an n-type semiconductor layer 43, a conformational active layer 44 and a p-type semiconductor layer 45.例文帳に追加

発光ダイオード４０は、基板４１，バッファ層４２，ｎ型半導体層４３，コンフォーメーション活性層４４及びｐ型半導体層４５を有する。 - 特許庁

A carrier block layer 2 is in contact with a half-insulating semiconductor substrate 1, and the sub-collector layer 3 is formed between the carrier block layer 2 and a collector layer 4.例文帳に追加

キャリアブロック層２は半絶縁性半導体基板１に接しており、サブコレクタ層３はキャリアブロック層２とコレクタ層４の間に形成されている。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer 2 is formed, as a resistive layer, on a substrate 1 separately from the n-type semiconductor layer 2 of a light-emitting semiconductor layer.例文帳に追加

基板１上には、発光用の半導体層のｎ型半導体層２と分離させて抵抗層としてのｎ型半導体層２を形成してある。 - 特許庁

The space layer 2 functions as a low-refractive-index layer such that light incident from a transparent electrode layer 3 is refracted by the interface between the space layer 2 and the substrate 1.例文帳に追加

空間層２は低屈折率層として機能し、透明電極層３側より入射してきた光は空間層２と基板１との界面で屈折する。 - 特許庁

A metal-based layer 130 including a metal layer, a metal compound layer, or a mixture layer of these layers is formed on a substrate 100 having a conductive structure.例文帳に追加

導電性構造物を含む基板１００上に金属層、金属化合物層またはこれらの混合層からなる金属含有層１３０を形成する。 - 特許庁

A semiconductor layer for a light-emitting element layered with an n-type semiconductor layer 2, an active layer and a p-type semiconductor layer 3 is formed on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に発光素子用のｎ型半導体層２、活性層及びｐ型半導体層３を積層した半導体層を形成してある。 - 特許庁

The space layer 2 is formed by forming a sacrificial layer 8 and the transparent electrode layer 3 on the substrate 1, and then etching only the sacrificial layer 8 for removal.例文帳に追加

空間層２は、基板１の上に犠牲層８と透明電極層３を形成した後、犠牲層８だけをエッチング除去することによって形成される。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element includes a buffer layer, a substrate layer, a first semiconductor layer, a light-emitting part, and a second semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態によれば、バッファ層と、下地層と、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

A film in which a black matrix layer and an electrode layer is integrally formed is laminated one time to simultaneously form the black matrix layer and the electrode layer on a substrate.例文帳に追加

ブラックマトリクス層と電極層が一体に形成されたフィルムを１回ラミネートして、ブラックマトリクス層と電極層を基板上に同時に形成する。 - 特許庁

A tin layer and a nickel layer are successively deposited on a prescribed substrate, respectively, to form a multilayered film consisting of the tin layer and the nickel layer.例文帳に追加

所定の基板上に、すず層とニッケル層 とをそれぞれ順次に析出させて、前記すず層と前記ニッケル層とからなる多層膜を形成する。 - 特許庁

The electromagnetic wave shield film 1 includes a substrate film layer 2 composed of a transparent resin, an oligomer diffusion preventing layer 3, a print receptive layer 4, and a conductive mesh layer 5.例文帳に追加

電磁波シールドフィルム１は、透明樹脂からなる基材フィルム層２、オリゴマー拡散防止層３、印刷受容層４及び導電性メッシュ層５を含む。 - 特許庁

In the manufacture of a lithography mask, an etched layer, a membrane layer, a lithography mask layer, and a protecting layer are successively formed on one face of a substrate.例文帳に追加

リソグラフィーマスクの製造において、基板の何れか一面上に蝕刻終了層、メンブレイン層、リソグラフィーマスク層及び保護層を順次に形成する。 - 特許庁

An outer layer through-hole 36 is formed in a core substrate 30, a resin filler is filled in the outer layer through-hole 36 to form an outer layer insulating layer 42.例文帳に追加

コア基板３０に外層スルーホール３６を形成し、外層スルーホール３６内に樹脂充填剤を充填して外層絶縁層４２を形成する。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a SOI(silicon-on-insulator) substrate that includes a base substrate (layer), an insulating layer, and a silicon layer; a trench capacitor that is formed in the SOI substrate and includes at least one trench penetrating the silicon layer and the insulating layer and extending to the base substrate (layer), and a resistance element that is formed in the SOI substrate (210).例文帳に追加

本発明による半導体装置は、ベース基板（層）と絶縁層とシリコン層とを含むＳＯＩ（シリコン−オン−インシュレータ）基板と；そのＳＯＩ基板中に形成され、そのシリコン層と絶縁層とを貫通してそのベース基板（層）にまで伸びる少なくとも１個のトレンチを含むトレンチ・キャパシタ（３００）と；そのＳＯＩ基板中に形成された抵抗素子（２１０）と；を含んでいる。 - 特許庁

A guard fence bolt comprises a chemical conversion treatment layer 2 formed on the surface of a bolt head, a primer layer 3 formed on the chemical conversion treatment layer 2, a retroreflection substrate layer 4 formed on the primer layer 3, and a retroreflective bead layer 5 formed on the retroreflection substrate layer 4.例文帳に追加

ボルト頭部の表面上に形成された化成処理層２と、化成処理層２の上に形成されたプライマー層３と、プライマー層３の上に形成された再帰反射下地層４と、再帰反射下地層４の上に形成された再帰反射用ビーズ層５とからなる。 - 特許庁

To produce a fluorocarbon resin coating in which an indication layer is prepared on the surface of a fluorocarbon resin coat layer and which does not need a topcoat layer without hurting the fluorocarbon resin coat layer prepared on a metal substrate layer and without spoiling the adhesiveness between the fluorocarbon resin coat layer and the metal substrate layer.例文帳に追加

金属基板層上に設けられたフッ素樹脂被膜層を傷めず、該フッ素樹脂被膜層と金属基板層との接着性を損なうことなく、該フッ素樹脂被膜層表面に表示層を設けた、トップコート層を設けなくてもよいフッ素樹脂被覆物を製造する。 - 特許庁

The liquid crystal display device 100 is equipped with: a first polarizing layer 101; a first optical compensating layer 102; a first glass substrate 103; a first alignment layer 104; a liquid crystal layer 105; a second alignment layer 106; a second glass substrate 107; a second optical compensating layer 108; and a second polarizing layer 109.例文帳に追加

液晶表示装置１００は、第１偏光層１０１、第１光学補償層１０２、第１ガラス基板１０３、第１配向膜１０４、液晶層１０５、第２配向膜１０６、第２ガラス基板１０７、第２光学補償層１０８、及び、第２偏光層１０９を備える。 - 特許庁

In the spin polarized electron generating element consisting of a substrate, a buffer layer, and a distorted superlattice layer formed on the buffer layer, an intermediate layer is interposed between the substrate and the buffer layer, the intermediate layer being made of crystal having a lattice constant larger than that of crystal constituting the buffer layer.例文帳に追加

基板と、バッファ層と、バッファ層上に形成された歪み超格子層とを有するスピン偏極電子発生素子において、基板とバッファ層との間に、バッファ層を構成する結晶の格子定数よりも大きな格子定数を有する結晶から成る中間層を介在させた。 - 特許庁

The packaging laminated material for the chocolate consists of a paper substrate having a printing layer, a reinforcing layer laminated on the above paper substrate, a heat fusion nature resin layer overlying the above reinforcing layer and an aluminum vapor deposition layer overlying the above reinforcing layer and/or the heat fusion nature resin layer.例文帳に追加

印刷層を有する紙基材と、前記紙基材に積層された補強層と、前記補強層に積層された熱融着性樹脂層と、前記補強層および／または熱融着性樹脂層に積層されたアルミ蒸着層とからなることを特徴とする、チョコレート用包装積層材である。 - 特許庁

This substrate 1 for carbon nanotube growth includes a reaction preventing layer 3 formed on the substrate 1, a catalyst material layer 4 formed on the reaction preventing layer 3, a dispersion layer 5 formed on the catalyst material layer 4 and a dispersion promoting layer 6 formed on the dispersion layer 5.例文帳に追加

カーボンナノチューブ成長用基板１は、基材１上に形成された反応防止層３と、反応防止層３上に形成された触媒材料層４と、触媒材料層４上に形成された分散層５と、分散層５上に形成された分散促進層６とを備える。 - 特許庁

The other process for treating the substrate comprises depositing a dielectric layer on the substrate, etching the dielectric layer to form a feature, depositing an electroconductive barrier layer in the feature, depositing a phosphorous doped seed layer on the electroconductive barrier layer, and depositing an electroconductive metal layer on the phosphorous doped seed layer.例文帳に追加

別の面における基体を処理する方法は、基体上に誘電体層を堆積させ、誘電体層内にフィーチャをエッチングし、フィーチャ内に導電性バリヤー層を堆積させ、導電性バリヤー層上に燐ドープシード層を堆積させ、燐ドープシード層上に導電性金属層を堆積させる。 - 特許庁

A conductive layer is formed on a substrate, while shearing the conductive layer, the conductive layer and the substrate are pressed from the upper part of the conductive layer so that the shear planes of this conductive layer face mutually and are exposed, a semiconductor layer is formed so as to contact respectively the shear planes of the conductive layer.例文帳に追加

基板上に導電層を形成し、当該導電層を剪断すると共にこの導電層の剪断面同士が対向して露出するように導電層の上方から導電層及び基板をプレスし、導電層の剪断面にそれぞれ接するように半導体層を形成することとした。 - 特許庁