「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(85ページ目) - Weblio英語例文検索

This electronic component-mounting substrate P1 comprises a bonding pad 4, in which a conductor layer 21 is covered with a nickel plated layer 22 and a gold plated layer 23.例文帳に追加

この電子部品搭載用基板Ｐ１は、導体層２１をニッケルめっき層２２と金めっき層２３とによって被覆してなるボンディングパッド４を備える。 - 特許庁

A photoresist layer 2, an intermediate layer 3 made of In_2O_3, and a photoresist layer 4 are sequentially stacked on a glass substrate 1 to form a photoresist master disk 10.例文帳に追加

ガラス基盤１上にフォトレジスト層２、Ｉｎ_2 Ｏ_3 からなる中間層３およびフォトレジスト層４を順次積層してフォトレジスト原盤１０とした。 - 特許庁

A silicon oxide film 2 is formed in a surface layer of a silicon-contained substrate 1, and an amorphous silicon layer (a-Si layer) is formed on the silicon oxide film 2.例文帳に追加

シリコン含有基材１の表層部にシリコン酸化膜２を形成し、このシリコン酸化膜２の上にアモルファスシリコン層（ａ−Ｓｉ層）を形成する。 - 特許庁

This semiconductor laser is provided with a first conductivity type clad layer 102, an active layer 103 and a second conductivity type clad layer 106 on a first conductivity type semiconductor substrate 101.例文帳に追加

第一導電型半導体基板１０１上に、第一導電型クラッド層１０２、活性層１０３および第二導電型クラッド層１０６を有する。 - 特許庁

On a multilayer substrate 1, a resist layer 2 and a fourth conductor layer 3d of a thickness of about 70-100 μm formed on the resist layer 2 are provided.例文帳に追加

多層基板１には、レジスト層２及びこのレジスト層２上に形成された厚さが約７０〜１００μｍの第４導体層３ｄが設けられている。 - 特許庁

The method further comprises a step of forming a concentration gradient of the impurity by the layer 20 along the in-plane direction as the substrate between the collector layer 13 and the emitter layer 14.例文帳に追加

このイオン注入層２０により、コレクタ層１３とエミッタ層１４との間で、半導体基板の面内方向に不純物の濃度勾配を形成する。 - 特許庁

A trench 6 is formed in the cell of a semiconductor substrate 5 to penetrate an n^+-type layer 4 and a p^+-type layer 3 to an n^--type drift layer 2.例文帳に追加

半導体基板５のセル部に、Ｎ^＋型層４、Ｐ^＋型層３を貫通してＮ^−型ドリフト層２まで達するようにトレンチ６を形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a second gate dielectric layer different in thickness from a first gate dielectric layer without causing damage to the first gate dielectric layer on a semiconductor device substrate.例文帳に追加

半導体デバイス基板の第１ゲート誘電層に害を与えずに、異なる厚さの第２ゲート誘電層を製造する方法を提供する。 - 特許庁

An SiO_2 mask layer is formed on the surface Si layer of an SOI substrate and a mask opening corresponding to a nozzle opening is formed in the formed SiO_2 mask layer.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の表面Ｓｉ層の上にＳｉＯ_２マスク層を形成し、形成したＳｉＯ_２マスク層にノズル開口に対応するマスク開口を形成する。 - 特許庁

The transfer sheet, for example, is manufactured, by forming the water-repellent layer on one surface of the substrate and then forming the catalyst layer on the water-repellent layer.例文帳に追加

転写シートは、例えば、基材の一方面に撥水層を形成させ、該撥水層の上に触媒層を形成させることにより製造される。 - 特許庁

To adopt a configuration which leads sunlight to a depletion layer or an intrinsic layer with no electrode layer interposed therebetween, and to attain the configuration by using a cheap glass substrate.例文帳に追加

電極層を介さず太陽光を空乏層あるいは真性層に導く構成を採用するとともに、これを安価なガラス基板等で実現する。 - 特許庁

It is also possible that the copper or copper alloy plated layer is formed as a substrate for the tin or tin alloy plated layer, and a copper/tin alloy layer may be formed by reflow treatment.例文帳に追加

錫又は錫合金めっき層の下地として銅又は銅合金めっき層を形成し、リフロー処理により銅−錫合金層を形成してもよい。 - 特許庁

The MR elements 42A to 42D including a magnetic reference layer are formed on the same substrate 35 and a protective layer and a hard magnet layer are formed to cover them.例文帳に追加

同一基体３５上に、磁気リファレンス層を含むＭＲ素子４２Ａ〜４２Ｄを形成し、それらを覆うように保護層とハードマグネット層とを形成する。 - 特許庁

The transfer sheet, for example, is manufactured, by forming the water-repellent layer on one surface of the substrate and then forming the catalyst layer on the water-repellent layer.例文帳に追加

本発明転写シートは、例えば、基材の一方面に撥水層を形成させ、該撥水層の上に触媒層を形成させることにより製造される。 - 特許庁

On the opposite sides of the gate electrode 13, an NiGe layer 15 which is a Germanide layer composed of NiGe is formed on the surface layer of a Ge substrate 2.例文帳に追加

ゲート電極１３の両側におけるＧｅ基板２の表層には、ＮｉＧｅで構成されたGermanide層であるＮｉＧｅ層１５が形成されている。 - 特許庁

A trench 15 is formed from the surface of a source layer 14 into the semiconductor substrate 11 through a well layer 13 and a drift layer 12.例文帳に追加

ソース層１４の表面からウエル層１３及びドリフト層１２を貫いて半導体基板１１内に至るまでトレンチ溝１５が形成されている。 - 特許庁

An electrode layer provided with a recessed portion is formed over a substrate and a transparent dielectric layer is formed to cover the recessed portion of the electrode layer.例文帳に追加

本願発明では、基板上に、凹部を有する電極層を形成し、透明誘電層が形成されて、電極層の凹部を被覆するものとした。 - 特許庁

A second diffusion prevention layer 7, a second interlayer insulating film 8, and a cap layer 9 are formed on a semiconductor substrate 2, in which a copper wiring layer 1 is formed.例文帳に追加

銅配線層１が形成された半導体基板２の上に、第２の拡散防止層７、第２の層間絶縁膜８およびキャップ層９を形成する。 - 特許庁

The master disk for manufacturing the optical information recording medium includes the inorganic resist layer formed on a substrate and a light transmissive protective layer for covering the inorganic resist layer.例文帳に追加

光学情報記録媒体製造用の原盤は、基板上に設けられた無機レジスト層と、無機レジスト層を被覆する透光性の保護層と、を備える。 - 特許庁

In the TMR effect element 10, a lower electrode layer 12, a magnetization fixing layer 13 and a lower magnetic layer 14 are sequentially formed on a substrate 11.例文帳に追加

ＴＭＲ効果素子１０においては、基板１１上に、下部電極層１２、磁化固定層１３、下部磁性層１４が順に形成されている。 - 特許庁

To provide a substrate useful for a semiconductor process, having a layer deposited by an ALD (atomic layer deposition) on a dielectric layer formed with an organic material-containing material.例文帳に追加

有機物含有材料でつくられている誘電体層上にＡＬＤにより堆積された層を有する、半導体プロセスに有用な基板を提供する。 - 特許庁

In the step S101, a first clad layer, an active layer, and a second clad layer are sequentially grown on a semiconductor substrate by a liquid epitaxy method.例文帳に追加

成長工程Ｓ１０１では，半導体基板上に第１クラッド層と活性層と第２クラッド層とを液相エピタキシ法により順次成長させる。 - 特許庁

In this organic EL device 1, a pixel electrode 11, a functional layer 13, a negative electrode 14, a negative electrode cover layer 15 and a resin layer 16 are stacked on a substrate 10.例文帳に追加

有機ＥＬ装置１は、基板１０上に、画素電極１１、機能層１３、陰極１４、陰極カバー層１５、および樹脂層１６が積層されている。 - 特許庁

An undoped AlN layer, an n-type AlN layer and a p-type AlN layer are epitaxially grown on a semiconductor or insulator substrate, thereby forming an AlN pn joint.例文帳に追加

半導体または絶縁体基板上に、アンドープＡｌＮ層、ｎ型ＡｌＮ層、ｐ型ＡｌＮ層をエピタキシャル成長し、ＡｌＮのｐｎ接合を形成する。 - 特許庁

On a glass substrate 1, a lower layer 2 is formed of non- photosensitive water-soluble resin and on the lower layer, an upper layer 3 is formed of photosensitive resin.例文帳に追加

ガラス基板１上に非感光性の水溶性樹脂からなる下層２を形成し、この下層上に感光性樹脂からなる上層３を形成する。 - 特許庁

The floating gate has an at least two layer structure, and a first layer touching the first insulation layer is preferably smaller than the band gap of the semiconductor substrate.例文帳に追加

浮遊ゲートは少なくとも二層構造とし、第１の絶縁層に接する第１層は、半導体基板のバンドギャップより小さいことが好ましい。 - 特許庁

A first gate electrode, a first gate insulation layer, a semiconductor layer, a second gate insulation layer and a second gate electrode are formed sequentially on a substrate.例文帳に追加

第１ゲート電極、第１ゲート絶縁層、半導体層、第２ゲート絶縁層、および第２ゲート電極が、基板上にこの順で形成されている。 - 特許庁

A III-V layer 103 and an insulator layer are selectively removed from a first region, thereby a semiconductor layer of the first substrate is exposed.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ層１０３および絶縁体層は第１領域から選択的に除去されて、これにより第１基板の半導体層が露出する。 - 特許庁

Thereby an adhesion layer 3a containing molybdenum oxide is formed on the glass substrate 2, and the molybdenum layer 3b can be formed on the adhesion layer 3a.例文帳に追加

これにより、酸化モリブデンを含む密着層３ａをガラス基板２上に成膜し、この密着層３ａの上にモリブデン層３ｂを成膜することができる。 - 特許庁

A covered substrate including an antireflection composition layer containing a basic material and a crosslinking agent and a photoresist layer on the antireflection composition layer is provided.例文帳に追加

塩基性物質および架橋剤を含む反射防止組成物層、および該反射防止組成物層の上のフォトレジスト層、を含む被覆された基体。 - 特許庁

An n^+-type semiconductor layer 2 is formed on an n-type semiconductor substrate 1, and a p-type epitaxial layer 3 is formed on the n^+-type semiconductor layer 2.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１上には、ｎ^＋半導体層２が形成されており、ｎ^＋半導体層２上にｐ型エピタキシャル層３が形成されている。 - 特許庁

A multilayer printed wiring board 23 has a substrate 1, a lower layer conductor circuit 2, an interlayer resin insulating layer 10 and upper layer conductor circuits 15 and 16.例文帳に追加

基板１と下層導体回路２と層間樹脂絶縁層１０と上層導体回路１５，１６とを備えている多層プリント配線板２３を提供する。 - 特許庁

After forming a lower electrode layer, including at least a lower electrode film on a substrate, a ferroelectric layer is formed on the lower electrode layer.例文帳に追加

基板上に少なくとも一つの下部電極膜を含む下部電極層を形成した後、下部電極層上に強誘電体層を形成する。 - 特許庁

To provide a piezoelectric actuator that prevents the occurrence of exfoliation between a dummy layer and a substrate and between a first electrode layer and a piezoelectric layer.例文帳に追加

ダミー層と基板との間及び第１の電極層と圧電層との間での剥離の発生を防ぐことが可能な圧電アクチュエータを提供すること。 - 特許庁

Then, after insides of the trenches where the seed layer is exposed are filled with metal substances, the dielectric layer on the top of the semiconductor substrate and the seed layer are etched.例文帳に追加

次いで、シードレイヤが露出されたトレンチ内部を金属物質で満たした後、半導体基板上部の絶縁層およびシードレイヤを食刻する。 - 特許庁

An Mg layer 22 of and a Ce layer 23 of a single crystal are formed continuously on an Si substrate 21, and then O2 molecule 24 is supplied on the Ce layer 23.例文帳に追加

Ｓｉ基板２１上に単結晶のＭｇ層２２，Ｃｅ層２３を連続して形成した後、Ｃｅ層２３の上にＯ_2 分子２４を供給する。 - 特許庁

After the photoresist layer 2 is removed, openings 8 are formed by forming a second photoresist layer 6 on the surface of the substrate 22 and patterning the layer 6.例文帳に追加

つづいて第１のフォトレジスト層２を除去した後、基板の表面に第２のフォトレジスト層６を形成しパターン化して開口部８を形成する。 - 特許庁

An AlN high-quality buffer on the sapphire substrate has an AlN nucleation layer 3, a pulse supply AlN layer 5, and a continuous growth AlN layer 7.例文帳に追加

サファイア基板上のＡｌＮ高品質バッファは、ＡｌＮ核形成層３と、パルス供給ＡｌＮ層５と、連続成長ＡｌＮ層７とを有している。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for HBT reducing the lattice distortion of a buffer layer and a substrate, or the buffer layer and a subcollector layer, and to obtain HBT using it.例文帳に追加

バッファ層と基板またはバッファ層とサブコレクタ層の格子ひずみを減少させたＨＢＴ用エピタキシャルウェハ及びこれを用いたＨＢＴを得る。 - 特許庁

A substrate having a dielectric layer and a protective layer formed is stored in vacuum, in a dry gas or in an inert gas after forming the protective layer.例文帳に追加

誘電体層および保護層が形成された基板を、保護層成膜後に真空中あるいは乾燥ガス中あるいは不活性ガス中で保管する。 - 特許庁

A reflective layer 102 reflecting EUV light is formed by laminating a high transmittance/low reflection layer and a low transmittance/high reflection layer alternately on a substrate 101.例文帳に追加

基板１０１上に高透過率・低反射層と低透過率・高反射層とを交互に積層して、ＥＵＶ光を反射する反射層１０２を形成する。 - 特許庁

A cover layer and a Ru under layer are formed on a flexible substrate and then a CoPtCr alloy magnetic film containing an oxide and a protective layer are sequentially formed.例文帳に追加

可撓基板上に、カバー層及び、Ｒｕ下地層を形成した後、酸化物を含有したＣｏＰｔＣｒ合金磁性膜及び保護層を順次形成する。 - 特許庁

A cover layer and a Cr under layer are formed on a flexible substrate and then a CoPtCr alloy magnetic film containing an oxide and a protective layer are sequentially formed.例文帳に追加

可撓基板上に、カバー層及び、Ｃｒ下地層を形成した後、酸化物を含有したＣｏＰｔＣｒ合金磁性膜及び保護層を順次形成する。 - 特許庁

To obtain a multilayer wiring board having an insulation layer comprising an insulation film layer formed on a substrate in which bonding strength of the insulation layer is prevented from lowering.例文帳に追加

基板上に絶縁フィルム層による絶縁層を形成した多層配線基板の絶縁層において絶縁層の接着強度の低下を防止する。 - 特許庁

The multilayer wiring includes a first wiring layer 151 formed on a semiconductor substrate and a second wiring layer 153 formed on the first wiring layer.例文帳に追加

半導体基板上に形成された第１の配線層部１５１と、第１の配線層部の上に形成された第２の配線層部１５３と、を具備する。 - 特許庁