「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(87ページ目) - Weblio英語例文検索

An inductor layer 2 provided with an inductor 7, an organic insulating material layer 3, a capacitor layer 4 provided with capacitor 6, and a low dielectric layer 5 are laminated in this order on an insulating substrate 1.例文帳に追加

絶縁基板１上に、インダクタ７が設けられたインダクタ層２，有機絶縁物層３，コンデンサ６が設けられたコンデンサ層４および低誘電体層５が順に積層されている。 - 特許庁

The liquid crystal device has a reflection layer 11, insulating film 12, color filter layer 13 and transparent electrode layer 15 on at least a first substrate 10 facing a liquid crystal layer 50.例文帳に追加

液晶装置は、少なくとも第１基板（１０）上の液晶層（５０）に面する側に、反射層（１１）、絶縁膜（１２）、カラーフィルタ層（１３）及び透明電極層（１５）を備える。 - 特許庁

The epitaxially grown layer 20 with an AIN buffer layer 22, a GaN channel layer 24 and an AlGaN carrier supply layer 26 laminated, is formed on a crystal growth substrate 10.例文帳に追加

先ず、結晶成長基板１０上に、ＡｌＮバッファ層２２、ＧａＮチャネル層２４及びＡｌＧａＮキャリア供給層２６が積層されたエピタキシャル成長層２０を形成する。 - 特許庁

The recording medium 2 is constituted in such a manner that a transparent electrode layer 5 is disposed on an intermediate layer 8 made of a quartz substrate and the photosensitive layer 9 is disposed on the transparent electrode layer 5.例文帳に追加

記録媒体２は、石英基板からなる中間層８上に、透明電極層５を配置し、この透明電極層５上に感光層９を配置して構成している。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element 10 comprises a buffer layer 14, an n-type GaN layer 16, an InGaN light emitting layer 18, and a p-type GaN layer 32 formed on a sapphire substrate 12.例文帳に追加

半導体発光素子１０は、サファイア基板１２上に、バッファ層１４と、ｎ型ＧａＮ層１６と、ＩｎＧａＮ発光層１８と、ｐ型ＧａＮ層３２とが積層される。 - 特許庁

An organic EL apparatus 11 includes an organic EL element 10 having a substrate 12, a positive electrode layer 14, a positive hole carrying layer 20, a light emitting layer 22 and a negative electrode layer 18, and a sealing cap 19.例文帳に追加

有機ＥＬ装置１１は、基板１２と、陽極層１４・正孔輸送層２０・発光層２２・陰極層１８を含む有機ＥＬ素子１０と、封止キャップ１９とを備える。 - 特許庁

This thin-film solar cell 10 is provided with a substrate 11, a conductive layer 12, a second semiconductor layer 13, a first semiconductor layer 14, a window layer 15 and a transparent conductive film 16.例文帳に追加

本発明の薄膜太陽電池１０は、基板１１、導電層１２、第２の半導体層１３、第１の半導体層１４、窓層１５および透明導電膜１６を備えている。 - 特許庁

This element has a structure comprising a sapphire substrate 100 overlaid with a GaN buffer layer 101, a bonded polarity inverted layer 102, an Al_xGa_1-xN layer 103 and an n-GaN contact layer 104, as a basis.例文帳に追加

サファイア基板１００上に、ＧａＮバッファ層１０１，ボンド極性反転層１０２，Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層１０３，ｎ−ＧａＮコンタクト層１０４からなる構造を基礎としている。 - 特許庁

Each of the plurality of LED chips 10 has a substrate 11, a seed layer 12, an n-type semiconductor layer 14, a light emitting layer 15, and a p-type semiconductor layer 16.例文帳に追加

複数のＬＥＤチップ１０を構成する各々のＬＥＤチップ１０は、基板１１、シード層１２、ｎ型半導体層１４、発光層１５およびｐ型半導体層１６を備えている。 - 特許庁

The composite sheet is obtained by pasting the adhesive layer surface of a surface protective film composed of a substrate layer, an intermediate layer and an adhesive layer on one surface or both surfaces of a resin sheet.例文帳に追加

基材層、中間層および粘着層から構成される表面保護フィルムの粘着層面を、樹脂シートの片面あるいは両面に貼りあわせることを特徴とする複合シート。 - 特許庁

The laser module 20 includes a photonic crystal laser element 1 comprising a substrate, a first conductivity type clad layer, a light-emitting layer, a second conductivity type clad layer, and a photonic crystal layer.例文帳に追加

レーザモジュール２０は、基板と、第１導電型のクラッド層と、発光層と、第２導電型のクラッド層と、フォトニック結晶層とを含むフォトニック結晶レーザ素子１を備えている。 - 特許庁

To form a porous layer containing a carbon particle and a resin on a top layer of a gas diffusion layer substrate in a relatively short time when manufacturing a gas diffusion layer to be used for a fuel cell.例文帳に追加

燃料電池に用いられるガス拡散層を製造するに際し、比較的短時間で、ガス拡散層基材の表層にカーボン粒子と樹脂とを含む多孔質層を形成する。 - 特許庁

The nitride semiconductor element comprises a distortion suppression layer 110 formed on a silicon substrate 101 via an initial layer 102 and an operation layer 120 formed on the distortion suppression layer.例文帳に追加

窒化物半導体素子は、シリコン基板１０１の上に初期層１０２を介して形成された歪み抑制層１１０と、歪み抑制層の上に形成された動作層１２０とを備えている。 - 特許庁

A first electrode layer 2 and a first organic EL layer are formed in turn on a substrate 1, and on the other hand, a second electrode layer 6 and a second EL layer are formed in turn on a support body 8.例文帳に追加

基材１上に、第一電極層２と第一有機ＥＬ層を順次形成し、一方で支持体８上に、第二電極層６と第二有機ＥＬ層を順次形成する。 - 特許庁

A semiconductor laser element is provided with an Si clad layer 13, an active layer 14, and a Zn clad layer 15, which are successively laminated upon a GaAs (100) substrate 11, and the clad layer 1 is formed in the shape of a mesa stripe.例文帳に追加

半導体レーザ素子は、GaAs(100)基板１１上に順次に積層されたSiクラッド層１３、活性層１４及びZnクラッド層１５を備え、Znクラッド層１５がメサストライプに形成されている。 - 特許庁

On the dielectric layer 5, barrier ribs 6 are formed in the substrate column direction, and on the dielectric layer 5 including the barrier ribs 6, a protective layer 7 and a phosphor layer 8 are formed.例文帳に追加

誘電体層５上には、隔壁６が基板列方向に形成されており、隔壁６を含む誘電体層５上には、保護層７と蛍光体層８が形成されている。 - 特許庁

A sealing frame member 11 is constituted of a two-layer silicon elastomer layer composed of a first layer 11a coming into contact with a substrate which mounts a semiconductor chip and a second layer 11b laminated thereon.例文帳に追加

封止枠部材11は半導体チップを実装する基板に接する第１層11ａと、その上に積層された第２層11ｂとの２層のシリコーンエラストマー層により構成されている。 - 特許庁

After forming the trench portion 111 on the substrate 110, by sequentially depositing the buffer layer 120, the n-contact layer 130, and the active layer 140 on the trench portion 111, the area of light emission of the active layer 140 is increased.例文帳に追加

基板110にトレンチ部111を形成した後、トレンチ部111にバッファ層120、ｎ−コンタクト層130、及び活性層140を順次に蒸着することによって、活性層140の発光面積が増大する。 - 特許庁

An n-type ZnO layer 2, a ZnO light-emitting layer 3 and a p-type ZnO layer 4 as an exemplary second conductive type semiconductor layer are successively stacked on a ZnO substrate 1.例文帳に追加

ＺｎＯ基板１上に、ｎ型ＺｎＯ層２、ＺｎＯ発光層３および第２導電型半導体層の一例としてのｐ型ＺｎＯ層４を順次積層している。 - 特許庁

The semiconductor package 1 is constituted by stacking a first conductive layer 12, a first insulating layer 14, a second conductive layer 15, and a second insulating layer 16 in order on a semiconductor substrate 11.例文帳に追加

本発明の半導体パッケージ１は、半導体基板１１に第一導電層１２、第一絶縁層１４、第二導電層１５、第二絶縁層１６を順に重ねてなる。 - 特許庁

A GaN buffer layer 11, a GaN layer 12, a multiple quantum well (MQW) layer 14 consisting of GaN and GaNP, and a GaN layer 16 are sequentially grown on a substrate 10.例文帳に追加

基板１０上に順次ＧａＮバッファ層１１、ＧａＮ層１２、ＧａＮとＧａＮＰとからなる量子井戸層（ＭＱＷ）層１４、ＧａＮ層１６を順次成長させる。 - 特許庁

The contact plug 14 to be connected with a source/drain region 7 of a silicon substrate 1 is structured of a tungsten layer used as a lower layer plug 15 and a copper layer used as an upper layer plug 16.例文帳に追加

シリコン基板１のソース／ドレイン領域７に接続するコンタクトプラグ１４を、下層プラグ１５としてタングステン層を用い、上層プラグ１６として銅層を用いる構成である。 - 特許庁

An avalanche multiplication layer 3, a p-type InP electric field relaxation layer 4, a light absorption layer 5 and an undoped InP window layer 6 are laminated on the principal plane of an n-type InP substrate 1 in that order.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１の主面上に、アバランシェ増倍層３、ｐ型ＩｎＰ電界緩和層４、光吸収層５、及びアンドープＩｎＰ窓層６が順に積層されている。 - 特許庁

A substrate for a probe card includes an insulating layer 1, a chemical resistance layer 2 buried in a surface part of the insulating layer 1, and a conductor pattern 3 formed on the chemical resistance layer 2.例文帳に追加

プローブカード用基板は、絶縁層１と、絶縁層１の表面部分に埋設された耐薬品性層２と、耐薬品性層２の上に形成されている導体パターン３とを含んでいる。 - 特許庁

An N+-distortion relaxation buffer layer 2, an N--InGaAs light absorbing layer 3, an N-InAsP window layer 4, and an N--InAsP window layer 5 are successively formed on an InP substrate 1 in this sequence for the formation of a photodiode.例文帳に追加

フォトダイオードは、ＩnＰ基板１上に、ｎ^+−歪緩和バッファ層２、ｎ^-−ＩnＧaＡs光吸収層３、ｎ−ＩnＡsＰ窓層４、及び、ｎ^-−ＩnＡsＰ窓層５がこの順に形成される。 - 特許庁

A first layer 101 is formed on a substrate 100, a light absorbing layer 103 is formed on the first layer 101, and the light absorbing layer 103 is selectively irradiated with a laser beam 105.例文帳に追加

基板１００上に第１の層１０１を形成し、第１の層１０１上に光吸収層１０３を形成し、光吸収層１０３に選択的にレーザビーム１０５を照射する。 - 特許庁

There are laminated on a p-type substrate 1 a p-type semiconductor layer 24, an n-type semiconductor layer 23, a p-type semiconductor layer 22, and an n-type semiconductor layer 21 to form a PNPN structure.例文帳に追加

ｐ型基板１上に、ｐ型半導体層２４，ｎ型半導体層２３，ｐ型半導体層２２，ｎ型半導体層２１が積層され、ＰＮＰＮ構造を形成している。 - 特許庁

The point source light emitting diode comprises a substrate 100, an epitaxial structure 102, a first electrode layer 104, an insulating layer 108, a bonding layer 112, a contact layer 110, and a coupling bridge 114.例文帳に追加

点光源発光ダイオードは、基板１００、エピタキシャル構造１０２、第１の電極層１０４、絶縁層１０８、ボンディング層１１２、コンタクト層１１０および連結ブリッジ１１４を備える。 - 特許庁

In the buffer layer 20 and a carrier layer 30 that are formed on a substrate 11, an impurity is intentionally doped only in the superlattice layer 21 in the buffer layer 20, and the other layers are non-doped.例文帳に追加

基板１１上に形成されたバッファ層２０、キャリア層３０中においては、バッファ層２０中の超格子層２１のみに意図的に不純物がドーピングされ、他の層はノンドープである。 - 特許庁

On a surface of a semiconductor substrate 1, there are formed a P^- layer 7 and N^+ layer 8 which constitute a variable capacity diode, and a source layer 10 and a drain layer 11 which constitute an MOS transistor.例文帳に追加

半導体基板１の表面上に可変容量ダイオードを構成するＰ^−層７及びＮ^＋層８、ＭＯＳトランジスタを構成するソース層１０及びドレイン層１１を形成する。 - 特許庁

The group III-V nitride semiconductor laser element 100 includes: an n-type substrate 101; a lower semiconductor layer; an active layer 106; an upper semiconductor layer; and a current blocking layer 115.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体レーザ素子１００は、ｎ型基板１０１と、下部半導体層と、活性層１０６と、上部半導体層と、電流阻止層１１５とを備えている。 - 特許庁

An electric field can be applied in the lamination direction of the substrate 101, the tunnel insulating layer 103, and the p-type semiconductor layer 104 by the electrode layer 105 and the electrode layer 107.例文帳に追加

電極層１０５と電極層１０７とにより、基板１０１，トンネル絶縁層１０３，及びｐ型半導体層１０４に、これらの積層方向へ電場を印加可能とされている。 - 特許庁

A semiconductor layer is formed on a substrate, an ion is doped to the semiconductor layer, the semiconductor layer where the ion is doped is heated, the ion is activated, and the semiconductor layer is hydrogenated after activation.例文帳に追加

基板上に半導体層を形成し、半導体層にイオンをドーピングし、イオンがドーピングした半導体層を加熱して、イオンを活性化し、活性化の後、半導体層を水素化する。 - 特許庁

This photovoltaic element 10 consists of a structure formed by laminating an underlayer 3, a (p) layer 4, an (i) layer 5, an (n) layer 6, and an electrode 7 one by one on the transparent conductive layer 2 of a substrate 1.例文帳に追加

光起電力素子１０は、下地層３、ｐ層４、ｉ層５、ｎ層６および電極７を基板１の透明導電膜２上に順次積層した構造からなる。 - 特許庁

The color filter for a liquid crystal display includes a BM 21b and a colored layer 30 consisting of a red layer 31R, a green layer 32G and a blue layer 33B on a substrate 11.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置用カラーフィルタは、基板１１上にＢＭ２１ｂと、赤色層３１Ｒ、緑色層３２Ｇ、青色層３３Ｂからなる着色層３０と、を含んでいる。 - 特許庁

An acceptance layer 2, an ink-jet layer 3 made of a water base ink, and a clear layer 4 made of a water base paint, and an inorganic coating layer 5 are laminated in turn on the surface of a substrate 1.例文帳に追加

基材１の表面に、受理層２、水性インクで形成されるインクジェット層３、水性塗料で形成されるクリアー層４、無機質塗料層５をこの順に積層する。 - 特許庁

In this intermediate transfer sheet for molten thermal transfer image recording, at least a peel layer, a curable protective layer, an intermediate bonding layer and an image-receiving and bonding layer are provided on a substrate.例文帳に追加

支持体上に、少なくとも剥離層、硬化性保護層、中間接着層、受像兼接着層が設けられた溶融熱転写画像記録用の中間転写シートである。 - 特許庁

A photosensitive layer 13 comprising successively laminated an electric charge generating layer 13a and an electric charge transport layer 13b is laminated on an electrically conductive substrate 1 by way of an intermediate layer 12.例文帳に追加

電荷発生層１３ａおよび電荷輸送層１３ｂが順次積層された感光層１３が、導電性支持体１１上に、中間層１２を介して積層されている。 - 特許庁

This antireflection film is produced by successively forming a first light absorbing layer 3, a first transparent layer 4 having low refractive index, a second light absorbing layer 5 and a second transparent layer 6 having low refractive index on a substrate 2.例文帳に追加

基材２上に、第１の光吸収層３と、第１の低屈折透明層４と、第２の光吸収層５と、第２の低屈折率透明層６とを順次形成する。 - 特許庁

The AlGaInP layer 12 is grown on a substrate 11 of GaAs, and the AlGaAs layer 14 is grown on the AlGaInP layer via a buffer layer 13.例文帳に追加

ＧａＡｓからなる基板１１の上にはＡｌＧａＩｎＰ層１２が形成されており、該ＡｌＧａＩｎＰ層の上には緩衝層１３を介してＡｌＧａＡｓ層１４が形成されている。 - 特許庁

The antireflection film 10 is constituted of a four-layered structure which consists of, in order from a substrate 11 side, thin films of a first layer 12, a second layer 13, a third layer 14, and a fourth layer 15.例文帳に追加

反射防止膜１０は、４層構造で構成されており、基板１１側から順に第１層１２、第２層１３、第３層１４、第４層１５の薄膜が積層されている。 - 特許庁

The lenticular lens sheet 20 of the transmission type screen 10 includes a lenticular lens layer 29, a light shield layer 23, a first diffusion layer 24, a translucent substrate 25, and a second diffusion layer 26.例文帳に追加

この透過型スクリーン１０のレンチキュラーレンズシート２０は、レンチキュラーレンズ層２９と、遮光層２３と、第１拡散層２４と、透光性基板２５と、第２拡散層２６とを備える。 - 特許庁

Then, on s surface of the abrasive grains 14 of the first abrasive layer adhered to the substrate 4, a plating layer 16 of a first abrasive grain layer is formed, and the abrasive grains 14 of the first abrasive grain layer are electrodeposited.例文帳に追加

次に、基材４に付着した第１砥粒層の砥粒１４の表面に、第１砥粒層の鍍金層１６が形成され、第１砥粒層の砥粒１４が電着される。 - 特許庁

In another embodiment, the substrate 22 is eliminated, and the alumina layer 57 and the aluminum layer 55 are directly formed on the lower face of the first-conductivity-type cladding layer 44 with a glass layer 61.例文帳に追加

他の実施の形態では、前記基板２２を除き、第１導電型クラッド層４４の下面に直接前記アルミナ層５７とアルミニウム層５５をガラス層６１と共に形成することもできる。 - 特許庁

A patterned mask 20 is formed on the surface of a sacrifice layer 18, which is a part of a multilayer structure 10 comprising a substrate 12, a conductive layer 14, an insulating layer 16, and the sacrifice layer 18.例文帳に追加

基板１２、導電層１４、絶縁層１６及び犠牲層１８から成る多層構造１０の一部である犠牲層１８の表面上にパターニングされたマスク２０を形成する。 - 特許庁