| 例文 |
transistor arrayの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 760件
Or the thin film transistor liquid crystal display device which uses the reset signal by shifting the phase of the gate driving pulses in the gate line direction according to the clock cycles while at least one or more 1-bit shift registers are integrated uses the reset signal of the shift register positioned at the final stage of the shift register array as an input signal for the driving pulses.例文帳に追加
あるいは、少なくとも１つ以上のシフトレジスタを集積した状態でクロック周期に従ってゲート駆動パルスをゲートライン方向に位相偏移させてリセット信号を使用する薄膜トランジスタ液晶表示装置において、前記シフトレジスタ列の最後の段に位置したシフトレジスタのリセット信号を、駆動パルスの入力信号として使用する - 特許庁
The post spacers on the black matrix are disposed at both sides of the horizontal or longitudinal lines at the intersections of the horizontal lines with the longitudinal lines of the black matrix, and are disposed at both sides of the data scanning lines at the intersections of the gate scanning lines with the data scanning lines after a color filter substrate is disposed opposite a thin film transistor array substrate.例文帳に追加
ブラックマトリクスにおける柱状スペーサは、ブラックマトリクス上の横方向ラインと縦方向ラインの交差位置であって、横方向ライン又は縦方向ラインの両側に位置し、カラーフィルタ基板を薄膜トランジスタアレイ基板と対向して配置した後、柱状スペーサは、ゲート走査ラインのデータ走査ラインとの交差位置であって、データ走査ラインの両側にも位置する。 - 特許庁
The memory array has nonvolatile memory cells, in which a write voltage is applied from a write selection word line according to an address signal in the write operation and also a write current is supplied from a transistor (TR6) switching controlled by a write selection bit line and the parallel write restriction circuit according to logical values of write data.例文帳に追加
メモリアレイは、書き込み動作においてアドレス信号に従って書き込み選択とされるワード線から書き込み電圧が印加され、且つ、書き込みデータの論理値に従って書き込み選択ビット線と並列書き込み制限回路によりスイッチ制御されるトランジスタ（ＴＲ６）から書き込み電流が供給される不揮発性メモリセルを有する。 - 特許庁
A CMOS image sensor includes a plurality of pixels arranged in the form of a two-dimensional array, and each pixel includes a photodiode PD for receiving light and generating charge, a capacitive element FD, and a transistor M1 for transfer connected between the photodiode PD and the capacitive element FD, wherein the capacity of the capacitive element FD is smaller than that of the photodiode PD.例文帳に追加
ＣＭＯＳイメージセンサは、２次元アレイ状に配列された複数の画素を含み、各画素は、光を受光して電荷を生成するフォトダイオードＰＤと、容量素子ＦＤと、フォトダイオードＰＤと容量素子ＦＤとの間に接続された転送用トランジスタＭ１とを含み、かつフォトダイオードＰＤの容量よりも容量素子ＦＤの容量が小さい。 - 特許庁
To prevent an interval between ReRAM elements from becoming against the rule, by adding a simple alteration to the arrangement structure of electrodes(vias) and the ReRAM elements concerning a ReRAM, by working by applying a predefined working rule to a memory cell selection transistor array to be refined, and also by working by applying another working rule to the ReRAM elements.例文帳に追加
ＲｅＲＡＭに関し、電極（ビア）及びＲｅＲＡＭ素子の配置構造に簡単な改変を加え、微細化すべきメモリセル選択トランジスタアレイには所要の加工ルールを適用して加工し、且つ、ＲｅＲＡＭ素子には別の加工ルールを適用して加工することを可能にし、ＲｅＲＡＭ素子の間隔がルール違反にならないようにする。 - 特許庁
To provide a method of discriminating a combination of an electrode and an organic semiconductor which have improved electron injection efficiency and hole injection efficiency in an organic TFT, to achieve two kinds of n-channel and p-type TFTs, and to provide a complementary organic thin film transistor (organic CTFT) and a complementary organic TFT array forming a desired circuit configuration using the organic CTFT.例文帳に追加
有機ＴＦＴにおいて、電子注入効率とホール注入効率を改善した電極と有機半導体の組み合わせをそれぞれ判別する手法を提供し、また、ｎ型チャネルＴＦＴとｐ型チャネルＦＥＴの２種類のＴＦＴを実現し、相補型有機薄膜トランジスタ（有機ＣＴＦＴ）および、有機ＣＴＦＴによる所望の任意回路構成を形成する相補型有機ＴＦＴアレイを提供する。 - 特許庁
In the display device including the optical sensor, each pixel part of a TFT (TFT: thin film transistor) array substrate 40a is provided with: a pixel driving TFT 22 composed of a fine crystal silicon TFT; a first photoelectric conversion TFT 20 composed of fine crystal silicon TFT; and a second photoelectric conversion TFT 21 composed of an amorphous silicon TFT and connected to the first photoelectric conversion TFT 20 in parallel.例文帳に追加
この光センサ内蔵表示装置は、ＴＦＴ（ＴＦＴ：薄膜トランジスタ）アレイ基板４０ａの各画素部に、微結晶シリコンＴＦＴで構成された画素駆動用ＴＦＴ２２と、微結晶シリコンＴＦＴで構成された第１の光電変換用ＴＦＴ２０と、非晶質シリコンＴＦＴで構成され、第１の光電変換用ＴＦＴ２０と並列接続された第２の光電変換用ＴＦＴ２１とを備える。 - 特許庁
To provide techniques for discriminating combinations of electrodes and organic semiconductors of organic TFTs which are improved in electron injection efficiency and hole injection efficiency, to actualize two kinds of TFTs which are n-channel TFTs and p-channel TFTs, and further to provide complementary organic thin film transistor (organic CTFT) and an organic CTFT array forming desired arbitrary circuit constitution with organic CTFTs.例文帳に追加
有機ＴＦＴにおいて、電子注入効率とホール注入効率を改善した電極と有機半導体の組み合わせをそれぞれ判別する手法を提供し、また、ｎ型チャネルＴＦＴとｐ型チャネルＦＥＴの２種類のＴＦＴを実現し、さらに、相補型有機薄膜トランジスタ（有機ＣＴＦＴ）および、有機ＣＴＦＴによる所望の任意回路構成を形成する有機ＣＴＦＴアレイを提供する。 - 特許庁
The liquid crystal display panel 10A which has an array substrate AR having an inverted stagger type a-SiTFT formed as a switching element on a transparent substrate 11 is characterized in that a refracting means of refracting light from a backlight source not to reach a thin film transistor is formed on the surface of the transparent substrate 11 on the opposite side from the surface where the TFT is formed to overlap with the TFT in plan view.例文帳に追加
透明基板１１上にスイッチング素子として逆スタガ型ａ−ＳｉＴＦＴが形成されたアレイ基板ＡＲを有する液晶表示パネル１０Ａにおいて、前記透明基板１１のＴＦＴが形成されている面とは反対側の面に、平面視で前記ＴＦＴと重複する位置に、バックライト光源からの光を前記薄膜トランジスタから反らすように屈折させる屈折手段を形成したことを特徴とする。 - 特許庁
The transistor array substrate is provided with first pixel electrodes 61 arranged in respective pixels and second pixel electrodes 62 arranged in respective pixels in a state of electric conduction to the first pixel electrodes, and the first pixel electrodes 61 and the second pixel electrodes 62 are formed in mutually different layers, and respective one-side edge parts 61a and 62a of the first and second pixel electrodes 61 and 62 overlap the drain lines 6.例文帳に追加
トランジスタアレイ基板は、画素ごとに配された第１の画素電極６１と、第１の画素電極６１に対し電気的に導通した状態で画素ごとに配された第２の画素電極６２とを、備え、第１の画素電極６１と第２の画素電極６２とが互いに異なる層に形成されており、第１の画素電極６１及び第２の画素電極６２の各一側縁部６１ａ，６２ａが、ドレインライン６に重複している。 - 特許庁
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