「transistor array」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a thin film transistor array substrate capable of repairing a disconnected data line without signal delay by shortening the path of a repaired structure in a large-size liquid crystal display device.例文帳に追加

大型の液晶表示装置における修理構造の経路を短縮し、信号遅延なく断線したデータ線を修理する。 - 特許庁

ORGANIC THIN FILM, METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC THIN FILM, FIELD-EFFECT TRANSISTOR, ORGANIC LIGHT-EMITTING ELEMENT, SOLAR CELL, ARRAY FOR DISPLAY DEVICE, AND DISPLAY DEVICE例文帳に追加

有機薄膜、有機薄膜の製造方法、電界効果トランジスタ、有機発光素子、太陽電池、表示装置用アレイ及び表示装置 - 特許庁

Each spacer abuts against at least one end part of a gate layer line and a source layer line on the thin-film transistor array substrate.例文帳に追加

該スペーサは、薄膜トランジスタアレイ基板上の少なくともゲート層線とソース層線との内の一つの縁部に対して当接している。 - 特許庁

In active mode, the transistor is turned "ON" and then turned "OFF" when a sense amplifier array is inactivated (in bit line precharge operation or in standby mode).例文帳に追加

アクティブモードではトランジスタは「オン」にされ、センスアンプアレイが（ビット線プリチャージ動作またはスタンバイモード中に）非活動化されると「オフ」にされる。 - 特許庁

MEMORY CIRCUIT USING SPIN MOSFET, PATH TRANSISTOR CIRCUIT WITH MEMORY FUNCTION, SWITCHING BOX CIRCUIT, SWITCHING BLOCK CIRCUIT, AND FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY例文帳に追加

スピンＭＯＳＦＥＴを用いたメモリ回路、メモリ機能付きパストランジスタ回路、スイッチングボックス回路、スイッチングブロック回路、およびフィールドプログラマブルゲートアレイ - 特許庁

To provide a thin film transistor array substrate for a flat panel display, an organic light-emitting display having the same and a method for manufacturing thereof.例文帳に追加

平板表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板、それを備える有機発光表示装置、及びそれらの製造方法を提供する。 - 特許庁

A first transistor 12 and a first resistor R1 are provided in series between the second terminal P2 of the LED array 2 and a reference voltage terminal P3 on the driving route of the LED array 2.例文帳に追加

第１トランジスタ１２および第１抵抗Ｒ１は、ＬＥＤアレイ２の駆動経路上であって、ＬＥＤアレイ２の第２端子Ｐ２と基準電圧端子Ｐ３の間に直列に設けられる。 - 特許庁

In a TFT (thin film transistor) array substrate 10 of a liquid crystal device 100, an identification code 40 to be read from the back of the TFT array substrate 10 is provided on an area faced to a counter substrate 20.例文帳に追加

液晶装置１００のＴＦＴアレイ基板１０では、対向基板２０と対向する領域にＴＦＴアレイ基板１０の裏面側から読み取られる識別コード４０が付されている。 - 特許庁

In a phase change memory 40, a memory cell array is prepared, which consists of a memory cell portion in which a plurality of memory cells are connected in series, to which a memory transistor and a phase change film are connected in parallel, and a select transistor portion.例文帳に追加

相変化メモリ４０では、メモリトランジスタと相変化膜が並列接続されるメモリセルが複数個直列接続されたメモリセル部とセレクトトランジスタ部から構成されるメモリセルアレイが設けられる。 - 特許庁

A DRAM array comprising DRAM cells employing the vertical transistor increases electrical reliability and reduces the bitline capacitance by the use of an asymmetric structure in connection between a wordline 310 and the transistor.例文帳に追加

垂直トランジスタを用いるＤＲＡＭセルを有するＤＲＡＭアレイは、ワード線３１０とトランジスタとの間の接続に非対称構造を用いることによって電気的信頼性を高め、ビット線キャパシタンスを減らす。 - 特許庁

An array element 164 includes a switch transistor 172 and a temperature sensor element 110 having an impedance varying according to a temperature, and the temperature sensor element is connected with a source and a drain of the switch transistor in parallel.例文帳に追加

アレイ素子１６４は、スイッチトランジスタ１７２と、温度に応じて変動するインピーダンスを有する温度センサ素子１１０とを含み、温度センサ素子は、スイッチトランジスタのソースおよびドレインに並列接続されている。 - 特許庁

The solid state imaging device has such a layout as a photodiode array of 2 horizontal pixels and 4×n vertical pixels (n is a positive integer) sharing at least a reset transistor and an amplifier transistor is one common unit.例文帳に追加

画素トランジスタのうち、少なくともリセットトランジスタ及び増幅トランジスタを共有する横２画素、縦４×ｎ画素（ｎは正の整数）のフォトダイオード配列を１共有単位としたレイアウトを有する。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor array in which the electrical resistance increase in the electrodes and difficulty of manufacturing are suppressed, while reducing feedthrough of a thin-film transistor which uses interdigital electrodes.例文帳に追加

本発明は、クシ型電極を用いた薄膜トランジスタのフィードスルーを低減しつつ、電極の電気抵抗の増大や作製の難しさを改善した薄膜トランジスタアレイを提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide laser annealing method, device and micro lens array, capable of configuring the micro lens array, having a large pitch different from a pitch of a planned transistor formation area on an amorphous silicon film, and capable of forming a fine polysilicon film area on the amorphous silicon film by laser annealing, with a pitch smaller than the array pitch of the micro lens array.例文帳に追加

アモルファスシリコン膜におけるトランジスタ形成予定領域のピッチと異なる大きなピッチでマイクロレンズアレイを構成することができ、また、マイクロレンズアレイの配列ピッチよりも小さいピッチでアモルファスシリコン膜にレーザアニールによる微小ポリシリコン膜領域を形成することができるレーザアニール方法、装置及びマイクロレンズを提供する。 - 特許庁

To solve the problem on the cost aspect that it is necessary to add a process for forming reflecting electrodes and ruggedness layers for scattering reflected light to the manufacturing process of a transmission type thin film transistor array substrate in manufacturing a thin film transistor array substrate for a reflection type or a semi-transmission type liquid crystal display device.例文帳に追加

反射型や半透過型の液晶表示装置用薄膜トランジスタのアレイ基板を作成するには、透過型の薄膜トランジスタアレイ基板の製造工程に反射電極や反射光散乱用の凹凸層を形成する工程を追加する必要があり、コスト面で大きな課題となる。 - 特許庁

The organic electroluminescent device has such dual plate structure that a first connection electrode formed in a thin-film transistor array part and a second electrode of a luminescent part are brought into contact with each other and a signal of the this film transistor array part is transmitted to the luminescent part through this connection electrode.例文帳に追加

本発明の有機電界発光素子は、二重プレイト(dual plate)構造において、薄膜トランジスタアレー部に構成された第1連結電極と発光部の第2電極が接触されるようにし、前記連結電極を通して薄膜トランジスタアレー部の信号が前記発光部に伝達されるようにする。 - 特許庁

To provide a thin film transistor array substrate which has a substrate structure capable of enhancing a manufacturing yield by reducing the generation of particles during manufacturing, and to provide a light-emitting panel using the thin film transistor array substrate, a manufacturing method thereof, and an electronic device mounted with the light-emitting panel.例文帳に追加

製造中のパーティクルの発生を低減して、歩留まりを改善することができる基板構造を有する薄膜トランジスタアレイ基板、該薄膜トランジスタアレイ基板を適用した発光パネル及びその製造方法、並びに、該発光パネルを実装した電子機器を提供する。 - 特許庁

The image display system containing a thin-film transistor array substrate includes the substrate having a thin-film transistor array; and at least one light-sensing element which includes an amorphous silicon layer formed on the substrate and has an electric current flowing, in a direction parallel to the substrate.例文帳に追加

薄膜トランジスタアレイ基板を含む画像表示システムであって、薄膜トランジスタアレイを有する基板、及び前記基板上に形成されたアモルファスシリコン層を含む、少なくとも１つの前記基板に平行の方向に流れる電流を有する受光素子を含む画像表示システム。 - 特許庁

A memory cell array is configured three-dimensionally by arranging a plurality of memory cells comprising a transistor formed on a semiconductor substrate and a variable resistor element connected between the source and drain terminals of the transistor and the resistance value of which varies at voltage application in the longitudinal direction and in an array.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたトランジスタと前記トランジスタのソース・ドレイン端子間に接続された電圧印加によって抵抗値が変化する可変抵抗素子とを備えてなるメモリセルを縦方向、さらにアレイ状に複数個配置して３次元的にメモリセルアレイを構成する。 - 特許庁

This organic electroluminescent element is characterized by forming a luminescent part and a thin film transistor array part on substrates separated from each other, by forming the absorption layer on the luminescent part or the thin film transistor array part, and and by further forming a protection layer on the absorption layer by including it.例文帳に追加

本発明による有機電界発光素子は、発光部と薄膜トランジスタアレイ部とを別途の基板に構成して、発光部または薄膜トランジスタアレイ部に吸収層を構成し、吸収層の上部にこれを含む保護層をさらに構成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor capable of controlling the gradation of an organic LED device by discretely controlling the current level, a method for manufacturing the thin-film transistor, an array substrate including the thin-film transistor, a display device and a driving system therefor.例文帳に追加

電流レベルを離散的に制御することにより有機ＬＥＤ素子の階調を制御することが可能な薄膜トランジスタ、該薄膜トランジスタの製造方法、該薄膜トランジスタを含むアレイ基板、表示装置および該表示装置の駆動方式を提供する。 - 特許庁

By varying the potential of the extraction gate electrode in accordance with Vgs of the driving transistor, the active matrix driving method is performed by connecting a driving transistor Tr1 to the emitter array in series and voltage which is applied to the driving transistor Tr1 can be reduced.例文帳に追加

引き出しゲート電極の電位を駆動トランジスタのＶｇｓに従って変化させることで、エミッタアレイに駆動トランジスタＴｒ１を直列に接続してアクティブマトリクス駆動を行ないつつ、駆動トランジスタＴｒ１にかかる電圧を低くすることができる。 - 特許庁

A unit pixel of an array substrate of the display device with the built-in photosensor includes a thin film transistor for pixel switching and a thin film transistor for photodetection formed on a glass substrate 1 and a pixel electrode 9 controlled by the thin film transistor for pixel switching.例文帳に追加

光センサ内蔵表示装置のアレイ基板に於ける単位画素は、ガラス基板１上に形成された画素スイッチング用薄膜トランジスタ及び光検出用薄膜トランジスタと、画素スイッチング用薄膜トランジスタによって制御される画素電極９とを含んでいる。 - 特許庁

A unit pixel on an array substrate of the display device incorporating the optical sensor includes a thin film transistor for switching and a thin film transistor for optical detection, which are formed on a glass substrate, and a pixel electrode 9 controlled by the thin film transistor for switching.例文帳に追加

光センサ内蔵表示装置のアレイ基板に於ける単位画素は、ガラス基板１上に形成されたスイッチング用薄膜トランジスタ及び光検出用薄膜トランジスタと、スイッチング用薄膜トランジスタによって制御される画素電極９とを含んでいる。 - 特許庁

To provide a light receiving element having a small number of metal lines on a thin film transistor array substrate to improve an aperture ratio of a liquid crystal display device.例文帳に追加

薄膜トランジスタアレイ基板上に少ない金属ラインを有する受光素子を提供し、液晶表示装置の開口率を向上させる。 - 特許庁

After the entire layer structure of the thin film transistor array is formed, an opening is formed at a desired position in a protective insulating film 19 in the uppermost layer.例文帳に追加

薄膜トランジスタアレイにおける全ての層構造を形成後、最上層の保護絶縁膜１９の所望の位置に開口部を設ける。 - 特許庁

CONTACT PORTION OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL FOR DISPLAYING DEVICE INCLUDING THE CONTACT PORTION AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

半導体素子の接触部及びその製造方法とそれを含む表示装置用薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法 - 特許庁

Scan lines X and supply lines Z in a horizontal direction as well as signal lines Y in a vertical direction are arranged on the transistor array board 50.例文帳に追加

トランジスタアレイ基板５０には、水平方向の走査線Ｘ及び供給線Ｚ並びに垂直方向の信号線Ｙが敷設されている。 - 特許庁

To provide a thin film transistor array substrate capable of forming spacers without sacrificing an aperture ratio and a fabricating method thereof.例文帳に追加

本発明は開口率を減少させずにスペーサを形成することができる薄膜トランジスタ・アレイ基板及びその製造方法に関するものである。 - 特許庁

A sense node SA is connected to a selected bit line BL of a memory cell array 1 through a NMOS transistor QN1 for clamp and a column 2.例文帳に追加

センスノードＳＡは、クランプ用ＮＭＯＳトランジスタＱＮ１を介し、カラム２を介して、メモリセルアレイ１の選択されたビット線ＢＬに接続される。 - 特許庁

In the thin-film transistor optical sensor, a light shielding film is arranged above the backlight, and an array substrate is arranged on it.例文帳に追加

本発明による薄膜トランジスタ型光センサーではバックライト上部に光遮断フィルムが配置され、その上にアレー基板が配置されている。 - 特許庁

THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY AND ITS MANUFACTURING METHOD, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD AS WELL AS ELECTROLUMINESCENCE DISPLAY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法、液晶表示装置及びその製造方法とエレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 - 特許庁

Scanning lines X, supply lines Z in the horizontal direction and signal lines Y in the perpendicular direction are laid on the transistor array substrate 50.例文帳に追加

トランジスタアレイ基板５０には、水平方向の走査線Ｘ及び供給線Ｚ並びに垂直方向の信号線Ｙが敷設されている。 - 特許庁

The first read transfer transistor Qrx1 is used in common between at least two SRAM cells MC1 and MC2 in the memory cell array.例文帳に追加

第１の読み出し転送トランジスタＱｒｘ１は、メモリセルアレイ内の少なくとも２つのＳＲＡＭセルＭＣ１、ＭＣ２の間で共有される。 - 特許庁

This optoelectronic device is provided with pixel electrodes 9a on a TFT (thin film transistor) array substrate 10 and a counter electrode 21 on a counter electrode 20.例文帳に追加

電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板１０上に画素電極９ａを備え、対向基板２０上に対向電極２１を備える。 - 特許庁

The ink barrier layer is formed on the thin film transistor array and constitutes transparent regions on electric controlling circuits and opaque regions as a black matrix.例文帳に追加

インク隔離層は薄膜トランジスタアレイに形成され、電気制御回路上に透明領域および不透明領域のブラックマトリクスを構成する。 - 特許庁

Each pixel 2 of a pixel array section 1 includes an auxiliary capacitor Csub connected between the source S and bias line BS of the drive transistor Trd.例文帳に追加

画素アレイ部１の各画素２は、ドライブトランジスタＴｒｄのソースＳとバイアス線ＢＳとの間に接続した補助容量Ｃｓｕｂを含む。 - 特許庁

To provide a thin film transistor array substrate simplifying processes and reducing costs and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

本発明の目的は、工程を単純化すると共に、コストを低減できる薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法を提供するところにある。 - 特許庁

To provide an array substrate with which damage on a TFT(thin film transistor) caused by wet etching during contact hole formation in the array substrate is prevented and to provide a method used for manufacturing the same which are used for the flat display device etc.例文帳に追加

平面表示装置等に用いられるアレイ基板及びその製造方法において、コンタクトホール形成の際のウェットエッチングに起因するＴＦＴの損傷を防止することのできるアレイ基板を提供する。 - 特許庁

The solid state imaging device consists of a pixel array wherein there are arranged a plurality of unit pixels each including a photodiode and an insulating gate field-effect transistor for photoelectric charge detection, and of a control circuit for controlling the operation of the pixel array.例文帳に追加

固体撮像装置は、フォトダイオードと光電荷検出用の絶縁ゲート型電界効果トランジスタとを有する単位画素が複数配列された画素アレイと、画素アレイの動作を制御する制御回路とを備える。 - 特許庁

To provide an array substrate for liquid crystal display device and its manufacture method in which a mask process is simplified by applying a top gate type thin film transistor to an array part and the yield is improved by shortening the process time.例文帳に追加

トップゲート型薄膜トランジスタをアレイ部に適用することでマスク工程を単純化し、工程時間の短縮による収率の改善できる液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a TFT (thin film transistor) array increased in pixel aperture ratio (open area ratio) and reduced in crosstalk originating in capacitance and to provide an active matrix liquid crystal display with the TFT array and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

ピクセル口径比（開口率）を増大し、静電容量性クロストークを減少させたＴＦＴアレイ、およびそのＴＦＴアレイを有するアクティブ・マトリックス方式の液晶ディスプレイ、および製造方法を提供すること。 - 特許庁

Furthermore, a target for positioning the nano-meter carbon tube at one time being on a wafer of a large area is achieved, and a nano-meter carbon tube memory and a transistor array are completed by a positioning array system for the catalyst points.例文帳に追加

触媒点の位置配列方式により、更に大面積のウエハー上にあって一回でナノメータカーボンチューブを位置決めする目標を達成し、並びにナノメータカーボンチューブメモリとトランジスタアレイを完成することができる。 - 特許庁

A TFT(Thin Film Transistor) array substrate has a dummy signal line 36 as a short-circuit wire so as to prevent a short circuit due to electrostatic destruction to a gate line as a low-layer wire.例文帳に追加

ＴＦＴ（Thin Film Transistor）アレイ基板は、上層配線である信号線３３と、下層配線であるゲート線３４との間の静電破壊による短絡を防止するために、短絡配線であるダミー信号線３６を有する。 - 特許庁

Thereafter, a tunnel insulating film 7 for the nonvolatile memory transistor is formed on the silicon substrate 1, it is left in the cell array region and removed and a gate insulation film 10 for the high-voltage system transistor is formed in a peripheral circuit region.例文帳に追加

その後、シリコン基板１に、不揮発性メモリトランジスタ用のトンネル絶縁膜７を形成し、これセルアレイ領域に残して除去して、周辺回路領域に高電圧系トランジスタ用のゲート絶縁膜１０を形成する。 - 特許庁