「transistor array」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

The organic electroluminescent element has a dual-plate structure constructed by jointing the organic light emission part formed on a second substrate to the thin film transistor array part formed on a first substrate.例文帳に追加

本発明による有機電界発光素子は、第１基板に薄膜トランジスタアレイ部を構成して、第１基板と合着される第２基板に有機発光部を構成するデュアルプレート構造である。 - 特許庁

The semiconductor memory device includes a memory cell array which includes a plurality of unit memory cells, where each of the unit memory cells comprises complementary first and second floating body transistor capacitor-less memory cells.例文帳に追加

半導体メモリ装置は複数の単位メモリセルを具備し、各単位メモリセルは相補的な第１及び第２フローティングボディートランジスタ型キャパシタレスメモリセルを具備するメモリセルアレイを具備する。 - 特許庁

To provide a TFT liquid crystal display device such that a thin-film transistor array substrate and a color filter substrate can securely be bonded together in parallel, and a manufacturing method therefor.例文帳に追加

薄膜トランジスタアレイ基板とカラーフィルター基板とが確実に且つ平行に接着させることができるＴＦＴ液晶ディスプレイ装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A back gate is formed in or by the doped layer, and a recessed channel array transistor is formed in the first region, and source and drain regions are formed in or by the doped layer.例文帳に追加

ドープ層内またはこの近傍にバックゲートを形成し、第１の領域にリセスチャネルアレイトランジスタを形成し、ドープ層内またはその近傍にソース領域およびドレイン領域を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit for preventing breakdown by the antenna effects of a gate insulating film of a transistor, provided inside a circuit for selecting a row of a memory cell array.例文帳に追加

メモリセルアレイ内の行を選択するための回路内のトランジスタのゲート絶縁膜がアンテナ効果によって破壊されることを防止することが可能な半導体集積回路を提供する。 - 特許庁

To provide an active matrix substrate and its manufacturing method equipped with a thin film transistor array capable of stabilizing the quality by preventing arc discharge upon film formation with use of a plasma CVD.例文帳に追加

プラズマＣＶＤを使用して成膜するとき、アーク放電を防止して品質を安定させることができる薄膜トランジスタアレイを備えるアクティブマトリックス基板と、その製造方法を提供する。 - 特許庁

The thin film transistor array substrate includes a short ring wiring line 3 electrically connected to at least one of a gate wiring line 1 and a source wiring line 2 via a resistor 4.例文帳に追加

本発明に係る薄膜トランジスタアレイ基板は、ゲート配線１及びソース配線２の少なくとも一方と、抵抗体４を介して電気的に接続されるショートリング配線３を備える。 - 特許庁

The semiconductor storage device is formed by splitting a memory array into a plurality of mats 11, and a transistor element 18 is arranged between cell counter electrode plates 17 of each mat split as a switching device.例文帳に追加

半導体記憶装置はメモリアレイが複数のマット１１に分割形成されてなり、分割された各マットのセル対極プレート１７間にトランジスタ素子１８をスイッチ素子として配置する。 - 特許庁

Since the color filter is directly formed on the thin film transistor array, alignment is easily obtained for display assembly, which results in an aperture ratio increased and improved picture quality of the display.例文帳に追加

カラーフィルタは薄膜トランジスタアレイに直接作製されるので、従って、ディスプレイアセンブリは容易にアラインメントが得られるようになり、開口率は増大し、ディスプレイの画質は改善される。 - 特許庁

To provide a thin film transistor array panel and a method of manufacturing the same, capable of minimizing an RC delay value difference due to a resistance difference caused by a length difference between signal applying lines.例文帳に追加

信号印加線間の長さ差によって発生する抵抗差によるＲＣ遅延値の差を最少化することができる薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor array substrate having high light resistance without bringing about increase in manufacturing steps and reduction in a numerical aperture of a pixel aperture part, to provide a liquid crystal panel and to provide a liquid crystal projector.例文帳に追加

製造工程の増加や画素開口部の開口率の低下を起こすことなく、高耐光性を持つ薄膜トランジスタアレイ基板、液晶パネルおよび液晶プロジェクタを提供する。 - 特許庁

To provide an upper-part light-emission type organic electroluminescent element manufactured by jointing a thin film transistor array part and a light-emission part which are independently formed on respective substrates, and also to provide a manufacturing method of the same.例文帳に追加

薄膜トランジスタアレイ部と発光部を別途の基板に構成した後、これを合着した上部発光方式の有機電界発光素子とその製造方法を提案する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a liquid crystal display element, which can reduce the loading effect of dry etching in an array process for forming a TFT thin film transistor of a liquid crystal display device.例文帳に追加

液晶表示装置のＴＦＴ薄膜トランジスタ形成のアレー工程において、ドライエッチングのローディング効果を低減できる液晶表示素子の製造方法を提案する - 特許庁

To provide a thin film transistor array having a high throughput and desired alignment accuracy, even if a printing method is applied in forming an organic semiconductor layer, also having high on/off ratio and further having reduced variation between components.例文帳に追加

有機半導体層の形成に印刷法を適用しても高スループットでアライメント精度良く、高いオンオフ比を有し、素子間でのばらつきが小さい薄膜トランジスタアレイを提供する。 - 特許庁

To obtain high productivity, high mobility and less variations when a semiconductor thin film for use in a thin-film transistor array of a liquid crystal display is crystallized.例文帳に追加

液晶ディスプレイの薄膜トランジスタアレイに用いられる半導体薄膜をレーザアニールによって結晶化させる際に、生産性を高く、移動度を高くかつバラツキを少なくすることを目的とする。 - 特許庁

To provide a thin film transistor array substrate of which aperture efficiency is improved by preventing reduction in effective pixel areas in a pixel region, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

本発明の目的は画素領域の有効画素面積が縮まることを防止して開口率を進めることができる薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法を提供するのにある。 - 特許庁

To provide a thin film transistor array substrate having a repairing method preventing a leakage current caused by unnecessary particles existing between an upper electrode and a lower electrode of a storage capacitor.例文帳に追加

蓄積コンデンサの上部電極と下部電極との間に存在する無用な粒子に起因する漏洩電流を防止する修復方法を有する薄膜トランジスタアレイ基板を提供する。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor array substrate wherein contact holes which can surely establish conduction with a semiconductor layer can be effectively formed, and to provide its manufacturing method and a display device.例文帳に追加

半導体層と確実にコンタクトをとることができるコンタクトホールを効果的に形成することが可能な薄膜トランジスタアレイ基板、その製造方法、及び表示装置を提供すること - 特許庁

The controller 5 recognizes that double-gate transistors 20 corresponding to pixels P1 and P2 of the image obtained in the double-gate transistor array 2 are defective, and rewrites grayscale data of the pixels P1 and P2 to zero.例文帳に追加

コントローラ５は、ダブルゲートトランジスタアレイ２で得た画像の画素Ｐ１，Ｐ２に対応したダブルゲートトランジスタ２０，２０が欠陥であると認識し、画素Ｐ１，Ｐ２の階調データをゼロに書き換える。 - 特許庁

To provide a thin film transistor array substrate having a pixel structure capable of repairing a white defect by an independent wiring system having independent storage capacitor wiring.例文帳に追加

独立的に保持容量用配線を有する独立配線方式でホワイト不良を修理することができる画素構造を有する薄膜トランジスタアレイ基板を提供することにある。 - 特許庁

To provide a new deep trench(DT) collar process which reduces disturbance of strap diffusion to an array metal oxide semiconductor field effect transistor(MOSFET) of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスのアレイ金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）に対するストラップ拡散の侵害を低減する、新しいディープ・トレンチ（ＤＴ）カラー・プロセスを提供する。 - 特許庁

To provide an active matrix type liquid crystal display device capable of securing a specified display quality even when the characteristics of a transistor vary depending on the way of an array of the crystal particles.例文帳に追加

結晶粒の配列の仕方によりトランジスタの特性が変化する場合であっても一定の表示品質を確保することができるアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

The structure of an image sensor pixel in an image detecting array is based on a vertical punch-through transistor where a junction gate surrounded by a MOS gate is connected with a source while surrounding it.例文帳に追加

画像検出アレイにおける画像センサピクセルの構造は縦型パンチスルートランジスタに基づいたものであり、ＭＯＳゲートで囲まれた接合ゲートがソースを囲む状態でソースに接続される。 - 特許庁

On a TFT (thin film transistor) array substrate 10 of a liquid crystal device 100, an identification symbol 40 read from the rear side of the TFT array substrate 10 is attached to a position overlapping planarly on an area for performing inter-substrate conduction with the opposite substrate 20 through an inter-substrate conducting material 106.例文帳に追加

液晶装置１００のＴＦＴアレイ基板１０には、対向基板２０と基板間導通材１０６を介して基板間導通を行う領域と平面的に重なる位置にＴＦＴアレイ基板１０の裏面側から読み取られる識別記号４０が付されている。 - 特許庁

The diode (226) of the photodiode (226) array does not contact the first metalized layer (214) or the second metalized layer (218) directly but can contact the first metalized layer (214) and/or the second metalized layer (218) via a third metalized layer (222) added to the thin film transistor array.例文帳に追加

フォトダイオード（２２６）・アレイのダイオード（２２６）は、第一の金属化層（２１４）又は第二の金属化層（２１８）に直接接触せずに薄膜トランジスタ・アレイに加えられた第三の金属化層（２２２）を介して第一の金属化層（２１４）及び／又は第二の金属化層（２１８）に接触することができる。 - 特許庁

A first sealing material 52a having a first glass transition temp. and a second sealing material 52b having a second glass transition temp. lower than the first glass transition temp. are disposed in the sealing region 202 for the gap between a thin film transistor(TFT) array substrate 10 and a counter substrate using a microlens array.例文帳に追加

ＴＦＴアレイ基板１０とマイクロレンズアレイを使用した対向基板２０との間隙のシール領域２０２には第１のガラス転移温度を有する第１シール材５２ａと、これより低い第２のガラス転移温度を有する第２シール材５２ｂとが配設されている。 - 特許庁

In this dual panel type organic electroluminescent element, an array elemenet and an organic electric field light emitting diode are formed on mutually different substrates, and a driving thin-film transistor of the array element is connected to a second electrode of the organic electric field light emitting diode element through a different electric connection electrode.例文帳に追加

アレイ素子と有機電界発光ダイオードを相互に異なる基板に形成して、アレイ素子の駆動薄膜トランジスタと、有機電界発光ダイオード素子の第２電極を別途の電気的連結電極を通じて連結したデュアルパネルタイプ（Dual Panel Type）有機電界発光素子とする。 - 特許庁

The display device is an active matrix FED display device whose pixel has an individual extraction gate electrode, an emitter array, a driving transistor which is connected to the emitter array in series, a potential control circuit which controls the potential of the extraction gate electrode, and a circuit which includes a switching element and a voltage holding element.例文帳に追加

アクティブ型ＦＥＤ表示装置であって、画素は、独立された引き出しゲート電極と、エミッタアレイと、エミッタアレイに直列に接続された駆動トランジスタと、引き出しゲート電極の電位を制御する電位制御回路と、スイッチ素子と電圧保持素子を含む回路を有する。 - 特許庁

The transistor array is provided with (1) multiple LSB transistors arranged in a region in a diagonal direction in the center of the array composed of multiple rows and multiple columns, and (2) multiple MSB transistors arranged in a region in a diagonal direction in the upper part and the lower part of the foregoing multiple LSB transistors respectively.例文帳に追加

複数個のローと複数個のコラムで構成されたアレイの真ん中の対角線方向の領域に配置された複数個のＬＳＢトランジスタ、及び前記複数個のＬＳＢトランジスタの上部と下部との対角線方向の領域に各々配置された複数個のＭＳＢトランジスタ、を備える。 - 特許庁

To provide a TFT-LCD array substrate, wherein the array substrate includes a plurality of gate lines and a plurality of data lines, formed on a substrate; a plurality of pixel regions are defined by the gate lines and the data lines; and each of the pixel regions comprises a pixel electrode and a thin-film transistor serving as a switching element.例文帳に追加

基板に形成された複数のゲートライン及び複数のデータラインを含み、ゲートラインとデータラインにより複数の画素領域が画定され、画素領域ごとに画素電極及びスイッチング素子としての薄膜トランジスタが形成されるＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film transistor array substrate or the like which enables a resistor having a resistance value necessary for inspection of the array substrate to be formed in a simple process without adding new resistance materials and is free from a problem caused by cutting processing of the resistor.例文帳に追加

アレイ基板の検査を実施する上で必要な抵抗値を有する抵抗体を、新たな抵抗材料を追加すること無く、簡単なプロセスにより形成でき、抵抗体における切断処理により問題が生じることの無い薄膜トランジスタアレイ基板等を提供する。 - 特許庁

The tips (33aa) and (33bb) of these contact holes are positioned at mutually different heights along the thickness direction of a TFT (Thin Film Transistor) array substrate (10) with reference to the substrate surface of the TFT array substrate (10), and only the tip (33aa) is electrically connected to the relay layer (7).例文帳に追加

これらコンタクトホールの先端部（３３ａａ）及び（３３ｂｂ）は、ＴＦＴアレイ基板（１０）の基板面を基準にしてＴＦＴアレイ基板（１０）の厚み方向に沿って相互に異なる高さに位置しており、先端部（３３ａａ）のみが中継層（７）に電気的に接続されている。 - 特許庁

To provide a thin film transistor which can be protected against deterioration due to heat generation by suppressing the temperature rise thereof, and to enhance the reliability of a liquid crystal display and an organic EL display by forming an array substrate using the thin film transistor.例文帳に追加

薄膜トランジスタの温度上昇を抑制して、発熱による劣化を防ぐことができる薄膜トランジスタを提供し、また、それを用いてアレイ基板を形成することにより、液晶表示装置及び有機ＥＬ表示装置の信頼性を向上させることを目的とする。 - 特許庁

A metal silicide film is formed only on the surface of the gate electrode out of the source, drain diffusion layer, and gate electrode of the first transistor of a memory cell array, and a metal silicide film is formed on the surfaces of the source, drain diffusion layer, and gate electrode of the second transistor of a logic circuit.例文帳に追加

また、メモリセルアレイ部の第１のトランジスタは、ソース、ドレイン拡散層及びゲート電極のうちゲート電極の表面のみに金属シリサイド膜が形成され、ロジック回路部の第２のトランジスタは、ソース、ドレイン拡散層及びゲート電極の表面に金属シリサイド膜が形成される。 - 特許庁

To provide an E-ink display panel capable of utilizing a production line of an existing bottom gate type thin film transistor by adopting the bottom gate type thin film transistor for an active element array type substrate and capable of overcoming a top gate phenomenon which may be generated by voltage applied to a pixel electrode in conventional technology.例文帳に追加

アクティブ素子アレイ型基板でボトムゲート型薄膜トランジスタを採用することで、既存のボトムゲート型薄膜トランジスタの生産ラインを活用させ、かつ従来技術における画素電極に印加する電圧により生じるトップゲート現象を克服できる電子インク表示パネルを提供する。 - 特許庁

In the DRAM 1, the gate insulating film (not shown in the figure) of each transistor in a memory cell array block 11 and an I/O circuit block (I/O circuit area) 13 constituting the memory cell area of the DRAM 1 is formed thicker in thickness than the gate insulating film of each transistor in the peripheral circuit block (peripheral circuit area) 12.例文帳に追加

ＤＲＡＭ１において、メモリセル領域を構成するメモリセルアレイブロック１１およびＩ／Ｏ回路ブロック１３（Ｉ／Ｏ回路領域）の各トランジスタのゲート絶縁膜（図示せず）を、周辺回路ブロック１２（周辺回路領域）のトランジスタのゲート絶縁膜よりも厚く形成したものである。 - 特許庁

An output section 7 of a current output type source driver of an organic EL display device 1 includes a reference current source 11, an output control circuit 12, a transistor cell array section 13, a switch SW1 to SW13, a Miller transistor NTK for distribution, and a output terminal OUT.例文帳に追加

有機ＥＬ表示装置１の電流出力型ソースドライバの出力部７には、基準電流源１１、出力コントロール回路１２、トランジスタセルアレイ部１３、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３１、分配用ミラートランジスタＮＴＫ、及び出力端子ＯＵＴが設けられている。 - 特許庁

The common line control means 22 applies a voltage at reading a data, to the common line, which is higher than the gate application voltage of a selection memory transistor and lower than a threshold voltage Vth (W) in its writing state, so that a bypass transistor in a non- selection cell in a selection NAND array is conductive.例文帳に追加

共通線制御手段２２は、データ読み出し時に選択メモリトランジスタのゲート印加電圧より高く、その書き込み状態のしきい値電圧Ｖth(W) より低い電圧を共通線に印加して、選択ＮＡＮＤ列の非選択セル内のバイパストランジスタを導通にする。 - 特許庁

To provide a thin film transistor capable of preventing itself from being deteriorated by heating by suppressing the temperature rise of the transistor and to improve the reliability of a liquid crystal display device and an organic EL display device by forming an array substrate by using the same.例文帳に追加

薄膜トランジスタの温度上昇を抑制して、発熱による劣化を防ぐことができる薄膜トランジスタを提供し、また、それを用いてアレイ基板を形成することにより、液晶表示装置及び有機EL表示装置の信頼性を向上させることを目的とする。 - 特許庁

A memory cell comprises a ferroelectric gate type dual-gate thin-film transistor, wherein a thin transistor is provided on both surfaces of a ferroelectric thin film 1, a plurality of the memory cells are connected in series to constitute a memory block, and a plurality of memory blocks are arranged to form a memory cell array.例文帳に追加

強誘電体薄膜１の両面に薄膜トランジスタを設けた強誘電体ゲート型デュアルゲート薄膜トランジスタによりメモリセルを構成し、このメモリセルを複数個直列接続してメモリブロックを構成し、このメモリブロックを複数個配置してメモリセルアレイを構成する。 - 特許庁

To provide a highly reliable thin-film transistor which reduces leak current due to a failure of a gate insulation film or the like or short-circuiting when the gate insulation film is formed from a solution, and to provide a manufacturing method thereof, a thin-film transistor array, and an image display.例文帳に追加

ゲート絶縁膜を溶液から形成する場合において、ゲート絶縁膜の欠陥などに起因するリーク電流やショートの発生を低減することができ、信頼性の高い薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、薄膜トランジスタアレイ及び画像表示装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a thin film transistor array substrate equipped with a thin film transistor in which a drain electrode to be worked from the lamination of metallic layers in upper and lower layers containing aluminum is also used as a reflecting electrode, and the contact resistance of a drain electrode and a pixel electrode is low without adding the number of masks.例文帳に追加

アルミを含んだ上層と下層金属層との積層から加工されるドレイン電極は反射電極を兼ねており、しかも、ドレイン電極と画素電極とのコンタクト抵抗が低い薄膜トランジスタを備えた薄膜トランジスタアレイ基板をマスク枚数を追加することなく提供する。 - 特許庁

The device is made by sticking a pair of TFT(Thin Film Transistor) array substrates (10) and an opposing substrate (20) together with a sealing material (52) such as photo setting resin and sealing a liquid crystal layer (50) in between the both substrates.例文帳に追加

電気光学装置は、一対のＴＦＴアレイ基板（１０）及び対向基板（２０）が光硬化性樹脂等のシール材（５２）で貼り合わされ、両基板間に液晶層（５０）が封入されてなる。 - 特許庁

The thin film transistor array is configured on a first substrate, and a light emitting part is configured on a second substrate which faces the first substrate.例文帳に追加

本発明は有機電界発光素子に係り、第１基板には薄膜トランジスタアレー部が構成されて、第１基板と向かい合う第２基板には発光部が構成された有機電界発光素子に関する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element having a recessed channel region which can prevent generation of moats, when a hard mask oxide film is removed in an RCAT (Recessed Channel Array Transistor) step.例文帳に追加

本発明は、ＲＣＡＴ工程の際、ハードマスク酸化膜を除去する時にモートの発生を防止することができるリセスチャネル領域を備えた半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁