「two-dimensional electron」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In the electron transit layer 11 side of the interface (hetero junction interface) between the two layers, a two-dimensional electron gas (2DEG) layer 13 is formed.例文帳に追加

これらの界面（ヘテロ接合界面）における電子走行層１１側に、２次元電子ガス（２ＤＥＧ）層１３が形成される。 - 特許庁

To dissolve the generation insufficiency of a two-dimensional electron gas layer near a source electrode.例文帳に追加

ソース電極近傍における２次元電子ガス層の生成不足を解消すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can increase the concentration of two-dimensional electron gas.例文帳に追加

二次元電子ガスの濃度を高めることが可能な半導体装置を提供すること。 - 特許庁

A two-dimensional image of a measurement target object is acquired using a scanning electron microscope.例文帳に追加

走査型電子顕微鏡を用いて、測定対象物の二次元画像を取得する。 - 特許庁

To make two-dimensional electron concentration and electron mobility to be high, and to prevent occurrence of short channel effect in a high electron mobility transistor of a nitride gallium system.例文帳に追加

窒化ガリウム系の高電子移動度トランジスタについて、２次元電子濃度及び電子移動度を高くするとともに、ショートチャネル効果を生じさせない。 - 特許庁

Under this condition, two-dimensional scanning is performed on a designated area of the sample 5 with electron beam.例文帳に追加

そして、この状態で、試料５の所定領域で電子ビームが２次元的に走査される。 - 特許庁

Two-dimensional electron gas is generated on the interface of the Mg_XZnO layer 2 and an Mg_YZnO layer 3.例文帳に追加

Ｍｇ_ＸＺｎＯ層２とＭｇ_ＹＺｎＯ層３の界面で２次元電子ガスが発生する。 - 特許庁

NUCLEAR SPIN MANIPULATING METHOD USING TWO-DIMENSIONAL ELECTRON GAS AND NUCLEAR SPIN MANIPULATION DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

二次元電子ガスによる核スピン操作方法、及び、その方法を用いた核スピン操作装置 - 特許庁

Electron scanning for every line of lines shown by 11, 12, 13,... is executed within an image pickup range I of a two-dimensional image pickup element and the two-dimensional video signals of the blood vessel Ev is outputted.例文帳に追加

Ｉは二次元撮像素子の撮像範囲であり、L1、L2、L3、・・・ で示したラインごとの電子走査が行われ、血管Evの二次元の映像信号を出力する。 - 特許庁

The position of the sample surface and the position in the Z-direction of the probe are revealed based on a two-dimensional electronic signal detected by the two-dimensional scanning of the electron beam.例文帳に追加

電子ビームの２次元走査により検出された２次電子信号に基づき試料表面の位置と探針のＺ方向の位置とが判明する。 - 特許庁

The electron beam irradiation matrix is set to include a plurality of pixels to be irradiated with the electron beam among the pixels included in the two-dimensional pattern, and such that two-dimensional patterns whose number is equal to the number of the pixels included in the two-dimensional pattern are formed into time-series two-dimensional patterns independent from each other.例文帳に追加

この電子線照射行列は、２次元パターンに含まれるピクセルのうち、電子ビームが照射されるピクセルを複数含むように設定されるとともに、２次元パターンに含まれるピクセル数と等しい数の２次元パターンを、互いに独立した２次元パターンの時系列となるように設定される。 - 特許庁

An electron beam irradiation matrix setting part 65 sets an electron beam irradiation matrix indicating a time series of a two-dimensional pattern of the electron beam to be emitted from a projector 8.例文帳に追加

電子線照射行列設定部６５は、プロジェクタ８から出射すべき電子ビームの２次元パターンの時系列を示す電子線照射行列を設定する。 - 特許庁

To improve collapse in a field effect transistor (HEMT) using two-dimensional electron gas.例文帳に追加

２次元電子ガスを使用する電界効果トランジスタ（ＨＥＭＴ）においてコラプスの改善が要求されている。 - 特許庁

To provide a diamond cold cathode electron source possible to be easily made two-dimensional and operable at a low voltage.例文帳に追加

二次元化が容易で、低電圧で動作するダイヤモンド型の冷陰極電子源を提供すること。 - 特許庁

According to the present invention, the concentration of two-dimensional electron gas generated on the interface between the channel layer 14 and the electron supply layer 16 can be increased.例文帳に追加

本発明によれば、チャネル層１４と電子供給層１６との界面に発生する二次元電子ガスの濃度を高めることができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same capable of suppressing reduction in an electron mobility and enhancing confinement of a two-dimensional electron gas.例文帳に追加

電子移動度の低下が抑制され、かつ二次元電子ガスの閉じ込めが高められた半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a gas electron amplifier accurately identifying a two-dimensional position of radiation, and also to provide a radiation detector using the same gas electron amplifier.例文帳に追加

放射線の二次元位置を正確に特定することができるガス電子増幅器及びこれを使用した放射線検出器を提供する。 - 特許庁

A source electrode 151 is buried in a semiconductor substrate in which a two-dimensional electron gas layer 137 at a hetero interface 135 is formed, down to a depth in which a contact part 171 with the two-dimensional electron gas layer 137 is formed.例文帳に追加

ヘテロ界面１３５において２次元電子ガス層１３７を生じている半導体基体に、ソース電極１５１を、２次元電子ガス層１３７との接触部１７１が生じる深さまで埋め込む。 - 特許庁

A two-dimensional electron gas is generated near the heterojunction boundary of the GaN layer 23 and the AlGaN layer 24.例文帳に追加

ＧａＮ層２３とＡｌＧａＮ層２４とのヘテロ接合界面近傍に２次元電子ガスが発生している。 - 特許庁

A two-dimensional electron gas region 16 which becomes a channel at an operation time, is formed at a boundary surface between an electronic transit layer 14 and an electron supply layer 15.例文帳に追加

電子走行層１４における電子供給層１５との界面には動作時にチャネルとなる２次元電子ガス領域１６が形成される。 - 特許庁

To obtain the state analysis of a sample in a two-dimensional image with an improved S/N ratio by the amount of irradiation of electron rays for restraining damage by irradiating the sample with electron rays.例文帳に追加

試料への電子線照射ダメージが抑えられる電子線照射量で、Ｓ／Ｎが良く試料の状態分析を２次元イメージとして得る。 - 特許庁

The electron transit layer 16 and the electron supply layer 12 are formed into a heterojunction structure, and a two-dimensional gas channel 13 can be formed on the junction interface.例文帳に追加

電子走行層１６と電子供給層１２とはヘテロ接合構造とし、接合界面に二次元電子ガスチャネル１３を形成可能とする。 - 特許庁

A high-frequency device comprises a semiconductor laminate structure 3 including a conductive layer for a two-dimensional electron 4, and a plurality of electrodes 7 and 8 that are formed on an edge of the semiconductor laminate structure 3, which is corresponding to one end of the two-dimensional electron conductive layer.例文帳に追加

高周波素子は、二次元電子４の伝導層を含む半導体積層構造３と、二次元電子伝導層の一端に相当する半導体積層構造３の端部に形成された複数の電極７，８とを備える。 - 特許庁

The gallium nitride semiconductor device includes a two-dimensional electron gas 18 formed on an interface between a p-type GaN well layer 7 and an electron supply layer 8, and includes, between the two-dimensional electron gas 18 and an n-type GaN drift layer 6, an MOS type gate inverting the conductivity type of the p-type GaN well layer 7.例文帳に追加

窒化ガリウム半導体装置は、ｐ型ＧａＮウエル層７と電子供給層８との界面に形成された２次元電子ガス１８を有し、２次元電子ガス１８とｎ型ＧａＮドリフト層６との間に、ｐ型ＧａＮウエル層７の導電型を反転させるＭＯＳ型ゲートを有する。 - 特許庁

To this end, the two-dimensional electron gas layer is provided within a mesa 111 (mesa structure) for coupling the bit elements, and the superconducting quantum box electrodes 101, 102 and an electron gas excluding electrode 112 are located on the two-dimensional electron gas layer of the mesa 111 (mesa structure).例文帳に追加

このため、ビット素子間結合用メサ部１１１（メサ構造）内に２次元電子ガス層が備えられ、超伝導量子箱電極１０１、１０２と電子ガス排除電極１１２とがビット素子間結合用メサ部１１１（メサ構造）の２次元電子ガス層上に配置されている。 - 特許庁

To prevent adverse effects due to intrusion of impurity ions in a semiconductor device using a two-dimensional electron gas (2DEG) as a channel.例文帳に追加

２ＤＥＧをチャンネルとして用いる半導体装置において、不純物イオンの侵入による悪影響を排除する。 - 特許庁

To provide a power electronic element which has a 2DEG (two-dimensional electron gas) channel, and also to provide a method of manufacturing the element.例文帳に追加

２ＤＥＧ（２−Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｇａｓ）チャネルを持つ電力電子素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The two-dimensional electron gas is generated by providing more than one layer 28 arranged all over the barrier layer 26.例文帳に追加

バリア層２６上にわたって配置された１つ以上の層２８を設けることによって二次元電子ガスを発生させる。 - 特許庁

The nitride gallium based semiconductor layer 13 and the first barrier layer 15 form the heterojunction 21 for two-dimensional electron gas.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体層１３と第１のバリア層１５とは、二次元電子ガスのためのヘテロ接合２１を形成する。 - 特許庁

The electron transit layer 17 and the electron supply layer 15 are formed into a heterojunction structure, and is set to be HEMT, where a two-dimensional gas channel 16 can be formed at the junction interface.例文帳に追加

電子走行層１７と電子供給層１５とはヘテロ接合構造とし、接合界面に二次元電子ガスチャネル１６を形成可能なＨＥＭＴとする。 - 特許庁

A scanning of one line is performed in the main scanning direction by deflecting an electron beam, and a two-dimensional scanning is performed by moving a mask substrate irradiated by the electron beam in the sub scanning direction.例文帳に追加

電子線を偏向させて主走査方向に１ラインの走査を行い、電子線が照射されるマスク基板を副走査方向に移動して二次元走査が行われる。 - 特許庁

To form two-dimensional electron gas (2DEG) effectively while facilitating formation of a semiconductor device in which an inversion type high electron mobility transistor (HEMT) is configured of a nitride semiconductor.例文帳に追加

窒化物半導体により、反転型のＨＥＭＴが構成された半導体装置において、半導体装置の形成を容易としつつ２ＤＥＧを効果的に形成する。 - 特許庁

The electron beam of the X-ray tube is deflected in two-dimensional directions and the focus of the X-ray tube is made movable in an optional direction.例文帳に追加

Ｘ線管の電子線を２次元方向で偏向して、Ｘ線管の焦点を任意の方向へ移動可能にする。 - 特許庁

Thereby, in a two-dimensional electron gas region 2g, carrier mobility is further enhanced while a carrier concentration is further lowered.例文帳に追加

これにより、二次元電子ガス領域２ｇにおけるキャリア移動度はより高められるとともに、キャリア濃度がより低減される。 - 特許庁

To prevent the lowering of the maximum drain current in MIS-HEMT wherein a gate recess portion is formed penetrating through a 2DEG (two-dimensional electron gas) layer.例文帳に追加

ゲートリセス部が2DEG（２次元電子ガス)層を貫通して形成されたMIS-HEMTにおいて、最大ドレイン電流の低下を防止する。 - 特許庁

To achieve an equivalent electron incidence sensitivity (radiation detection accuracy) in an X-direction and a Y-direction of two-dimensional strips.例文帳に追加

２次元ストリップのＸ方向とＹ方向とで同等の電子入射感度（放射線検出精度）を実現できるようにする。 - 特許庁

The multipole electrode for generating two-dimensional high frequencies, the magnetic field generation means and the electron source 403 are arranged in the ion source.例文帳に追加

２次元高周波発生用多重極電極、磁場発生手段、及び、電子源４０３は、イオン源の内部に配置される。 - 特許庁

To provide HEMT which has a small contact resistance between a source and a drain electrode and 2DEG (two-dimensional electron gas) and has a large electron density for 2DEG, by depositing an electron supplying layer and an electron traveling layer in a [000-1] direction.例文帳に追加

電子供給層および電子走行層を［０００−１］方向に堆積させるため、ソース電極およびドレイン電極と２ＤＥＧの接触抵抗が小さく、かつ２ＤＥＧの電子濃度の大きいＨＥＭＴを提供することができる。 - 特許庁

The high-frequency device forms an edge channel 9 along the edge of the two-dimensional electron conductive layer by application of a magnetic field B to the two-dimensional electron conductive layer, and generates edge magnetoplasmons propagating in the edge channel 9 by application of voltage to the electrodes 7 and 8.例文帳に追加

高周波素子は、二次元電子伝導層に磁場Ｂが印加されることにより、二次元電子伝導層の端に沿ってエッジチャネル９を形成し、複数の電極７，８に電圧が印加されることにより、エッジチャネル９を伝搬するエッジマグネトプラズモンを生成する。 - 特許庁

Also, a two-dimensional electron gas removal region 260A abuts on the outer side in the longer direction of the two-dimensional electron gas removal region 260B, and extends in the short direction along a source electrode connection part 214 from the end part 212A of the source electrode 212.例文帳に追加

また、２次元電子ガス除去領域２６０Ａは、２次元電子ガス除去領域２６０Ｂの長手方向外方に隣接すると共にソース電極２１２の一端部２１２Ａからソース電極接続部２１４に沿って短手方向に延在している。 - 特許庁

Superconductor electrodes 1 and 2 are connected with a two-dimensional electron gas 3 having a region 5 opened for capturing a magnetic flux, thereby a junction of the superconductor, the two-dimensional electron gas and the superconductor can be used as the highly sensitive superconducting quantum interference element.例文帳に追加

磁束を捕捉するための領域５を開けた二次元電子ガス３に超伝導体電極１，２を接続することにより、超伝導体−二次元電子ガス−超伝導体接合を超高感度な超伝導量子干渉素子として利用することができる。 - 特許庁

To provide an electrode for hole discharge such that an increase in electric resistance of a two-dimensional electron gas layer is suppressed for an HEMT.例文帳に追加

ＨＥＭＴにおいて、２次元電子ガス層の電気抵抗の増加が抑制された正孔排出用電極を提供すること。 - 特許庁

To realize a high frequency device wherein, while the concentration of a two-dimensional electron gas is improved in a high-electron-mobility transistor, the ON-state resistance thereof can be reduced and the insertion loss thereof is small.例文帳に追加

高電子移動度トランジスタにおける２次元電子ガスの濃度を向上させながら、オン抵抗を低減でき、且つ挿入損失が小さい高周波デバイスを実現できるようにする。 - 特許庁

In this structure, an electrostatic capacity between the two-dimensional electron gas and the ground is variably controlled by setting a voltage to the electron gas excluding electrode 112 at a suitable level and applying the voltage thereto.例文帳に追加

この構造では、電子ガス排除電極１１２へ電圧を適当に設定して印加することにより、２次元電子ガスとグランドとの間の静電容量が可変制御される。 - 特許庁

At a side of the n-GaN layer 12 on an interface of the AlN film 13 and the n-GaN layer 12, a two-dimensional (2D) electron gas layer 15 is formed.例文帳に追加

ＡｌＮ膜１３とｎ−ＧａＮ層１２との界面のｎ−ＧａＮ層１２側には、２次元電子ガス層１５が形成されている。 - 特許庁