「variable resistive element」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

VARIABLE RESISTIVE ELEMENT AND RECORDING ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

可変抵抗素子およびそれを用いた記録素子 - 特許庁

VARIABLE RESISTIVE ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

可変抵抗素子及びその製造方法 - 特許庁

VARIABLE RESISTIVE ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING SAME例文帳に追加

可変抵抗素子並びにその製造方法 - 特許庁

VARIABLE RESISTIVE ELEMENT, SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE VARIABLE RESISTIVE ELEMENT AND METHOD FOR OPERATING THE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

可変抵抗素子、該可変抵抗素子を含む半導体装置及び該半導体装置の動作方法 - 特許庁

NONVOLATILE MEMORY ELEMENT CONTAINING VARIABLE RESISTIVE MATERIAL例文帳に追加

可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子 - 特許庁

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE EQUIPPED WITH VARIABLE RESISTIVE ELEMENT例文帳に追加

可変抵抗素子を備えた半導体記憶装置 - 特許庁

VARIABLE RESISTIVE ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE EQUIPPED WITH VARIABLE RESISTIVE ELEMENT例文帳に追加

可変抵抗素子及びその製造方法、並びに、当該可変抵抗素子を備えた不揮発性半導体記憶装置 - 特許庁

VARIABLE RESISTIVE ELEMENT AND NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE例文帳に追加

可変抵抗素子、及び、不揮発性半導体記憶装置 - 特許庁

READ CIRCUIT, VARIABLE RESISTIVE ELEMENT DEVICE, AND IMAGING APPARATUS例文帳に追加

読み出し回路、抵抗可変素子装置、及び撮像装置 - 特許庁

The variable inductor 10 is provided with coils 3, 4 and a variable resistive element 6.例文帳に追加

可変インダクタ１０は、コイル３，４と、可変抵抗素子６とを備える。 - 特許庁

VARIABLE RESISTIVE ELEMENT, MAGNETIC REPRODUCING HEAD, AND INFORMATION STORAGE DEVICE例文帳に追加

可変抵抗素子、磁気再生ヘッドおよび情報記憶装置 - 特許庁

The resistance of the variable resistive element 6 can continuously be varied.例文帳に追加

可変抵抗素子６は、その抵抗値が連続的に変えられる。 - 特許庁

VARIABLE RESISTIVE ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD AND STORAGE DEVICE HAVING THE SAME例文帳に追加

可変抵抗素子とその製造方法並びにそれを備えた記憶装置 - 特許庁

Later, a writing voltage pulse for making the resistive state of the variable resistive element an intended writing state is applied to a variable resistive element of the memory cell to be written.例文帳に追加

その後、書き込み動作対象のメモリセルの可変抵抗素子に対して、可変抵抗素子の抵抗状態を所望の書き込み状態とするための書き込み電圧パルスを印加する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE COMPRISING VARIABLE RESISTIVE ELEMENT例文帳に追加

可変抵抗素子を備えた不揮発性半導体記憶装置の製造方法 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory capable of preventing reaction with an insulating layer surrounding a variable resistive element by improving the heat-insulation performance of the variable resistive element, and capable of suppressing the occurrence of leakage from an adjoining variable resistive element.例文帳に追加

抵抗変化素子の保温性能を高め、抵抗変化素子の周囲の絶縁層との反応を防止するとともに、隣接する抵抗変化素子との間でのリークの発生を抑制することができる不揮発性記憶装置を提供する。 - 特許庁

VARIABLE RESISTIVE ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND NONVOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE例文帳に追加

可変抵抗素子とその製造方法及び不揮発性半導体記憶装置 - 特許庁

The variable resistive element comprises a variable resistive layer in which a resistance value changes between a low-resistance state and a high-resistance state.例文帳に追加

可変抵抗素子は、低抵抗状態と高抵抗状態との間で抵抗値を変化させるように構成された可変抵抗層を備える。 - 特許庁

Moreover, it is characterized in that a variable resistor is adopted for the fifth resistive element R5 to make an external supply current I variable.例文帳に追加

さらに、第五の抵抗素子Ｒ５の値を可変とすることにより、外部供給電流Iの値を可変とした。 - 特許庁

To prevent power consumption of a resistive element in a variable resistor during non-operation state.例文帳に追加

非操作時における可変抵抗器の抵抗素子での消費電力を抑えること。 - 特許庁

A memory cell is arranged between first wiring and second wiring and has a variable resistive element.例文帳に追加

メモリセルは、第１配線と第２配線との間に配置され可変抵抗素子を有する。 - 特許庁

A bias condition of a selection transistor connected to the variable resistive element in series is set so that the amount of current flowing to the variable resistive element during forming processing is smaller than a maximum value of the current flowing to the variable resistive element during setting (reduction in resistance).例文帳に追加

フォーミング処理時において可変抵抗素子に流れる電流量が、セット（低抵抗化）時に可変抵抗素子に流れる電流の最大値よりも小さくなるように、可変抵抗素子と直列に接続する選択トランジスタのバイアス条件を設定する。 - 特許庁

Despite a resistive state of a variable resistive element of a memory cell to be rewritten (an erasing and writing operation), an erasing voltage pulse for making the resistive state of the variable resistive element a lowest erasure state is applied thereto.例文帳に追加

書き換え動作（消去および書き込み動作）対象のメモリセルの可変抵抗素子の抵抗状態に拘わらず、当該可変抵抗素子の抵抗状態を抵抗値の最も低い消去状態とするための消去電圧パルスを印加する。 - 特許庁

To provide a variable resistive element capable of relaxing a restriction on an electrode material and easily being produced, and a nonvolatile semiconductor memory device having the variable resistive element.例文帳に追加

電極材料に対する制約が緩和され、製造プロセス上容易な可変抵抗素子、及び、当該可変抵抗素子を備えた不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory element containing a variable resistive material, which is operated without forming a switching element.例文帳に追加

スイッチング素子を形成させずに動作可能な、可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子を提供する。 - 特許庁

The memory cell has a variable resistive element and a non-ohmic element laminated in a lamination direction of the memory cell array where the lamination order of the variable resistive element and the non-ohmic element of a memory cell in a given memory cell layer and the lamination order of the variable resistive element and non-ohmic element of a memory cell in another given memory cell layer are the same.例文帳に追加

前記メモリセルは、前記メモリセルアレイの積層方向に積層された可変抵抗素子及び非オーミック素子を有し、所定の前記メモリセルレイヤのメモリセルの前記可変抵抗素子及び非オーミック素子の積層順と、他の前記メモリセルレイヤのメモリセルの前記可変抵抗素子及び非オーミック素子の積層順が同じであることを特徴とする。 - 特許庁

This reduces the set current and prevents a resistance value of the variable resistive element from becoming too low.例文帳に追加

これにより、セット電流を低減し、可変抵抗素子の抵抗値が低くなりすぎるのを防ぐ。 - 特許庁

CONTROL CIRCUIT FOR FORMING PROCESS ON NONVOLATILE VARIABLE RESISTIVE ELEMENT AND CONTROL METHOD FOR FORMING PROCESS例文帳に追加

不揮発性可変抵抗素子のフォーミング処理の制御回路、並びにフォーミング処理の制御方法 - 特許庁

The semiconductor storage device has a circuit which can apply a reforming voltage pulse for returning each resistive state of a variable resistive element with a deteriorated switching characteristic to an initial resistive state to a memory cell including the variable resistive element whose switching element deteriorates to make a reading margin small as a result of applying a rewriting voltage pulse of several times.例文帳に追加

多数回の書き換え電圧パルスの印加の結果、スイッチング特性が劣化し読み出しマージンが小さくなった可変抵抗素子を含むメモリセルに、スイッチング特性が劣化した可変抵抗素子の各抵抗状態を初期抵抗状態に戻すためのリフォーミング電圧パルスを印加可能な回路を有する。 - 特許庁

A variable resistive element Rvar is provided between first/second output terminals 24, 26.例文帳に追加

第１出力端子２４と第２出力端子２６の間には、可変抵抗素子Ｒｖａｒが設けられる。 - 特許庁

To provide a novel material suitable for a variable resistive material and a storage element using the same.例文帳に追加

可変抵抗素子およびそれを用いた記憶素子として適している新しい材料を提供する。 - 特許庁

In the memory element, a lower electrode 3 is formed on a substrate 4, a variable resistive film 2 is formed on the lower electrode 3, and an upper electrode 1 is formed on the variable resistive film 2.例文帳に追加

記憶素子では、基板４上に下部電極３が形成され、下部電極３上に可変抵抗膜２が形成され、可変抵抗膜２上に上部電極１が形成される。 - 特許庁

To provide a variable attenuator with a high dynamic range by improving a power saturation when an FET is employed for a variable resistive element.例文帳に追加

可変抵抗素子としてＦＥＴを用いた場合の電力飽和特性を改善し、ダイナミックレンジの大きい可変減衰器を提供すること。 - 特許庁

The welding device includes at least two optical sensors mounted in order to detect the breakage condition of the wire and a position detecting sensor which includes an elastic spring and a variable resistive element and detects abrasion degree of the wire according to a change in the resistive value of the variable resistive element caused by a change in the position of the elastic spring.例文帳に追加

また、ワイヤーの切断状態を感知するために設置される少なくとも二つの光センサーと、弾性スプリング及び可変抵抗素子を含み、弾性スプリングの位置の変動による可変抵抗素子の抵抗値の変化によって、ワイヤーの摩耗程度を感知する位置感知センサーとを含む。 - 特許庁

The frequency variable oscillator is an oscillator wherein a negative resistive element 12 and a resonator 11 formes a closed circuit by a feedback circuit.例文帳に追加

周波数可変発振器は、負性抵抗素子１２と共振器１１とを帰還回路で閉じた発振器である。 - 特許庁

In the variable resistive element where an oxynitride of a transition metallic element is applied as the variable resistor, a stable switching operation is shown, a holding property of data is favorable, and a writing current is small.例文帳に追加

遷移金属元素の酸窒化物を可変抵抗体として適用した可変抵抗素子では、安定なスイッチング動作を示し、データの保持特性が良好で、書き込み電流も小さい。 - 特許庁

To provide a variable resistive element configured so that the forming voltage can be reduced while reducing variation in the forming voltage among the elements, and to provide a manufacturing method therefor, and a high integration nonvolatile semiconductor memory device equipped with the variable resistive element.例文帳に追加

フォーミング電圧の素子間ばらつきを低減しつつ、フォーミング電圧を低減できる構成の可変抵抗素子およびその製造方法、並びに当該可変抵抗素子を備えた高集積の不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

The variable resistive element can be formed in a simple process for oxidizing a lower electrode surface which is composed of a conductive nitride, and depositing a variable resistor material.例文帳に追加

また、導電性窒化物からなる下部電極表面を酸化して可変抵抗体材料を成膜するという簡便な工程で可変抵抗素子を形成することができる。 - 特許庁

A control section 60 calculates a matching procedure and an adjustment amount of an impedance variable element (a variable coil 51 and variable capacitors 52, 53) on the basis of detected conductance and resistive components to control them.例文帳に追加

制御部６０は、検出したコンダクタンスおよび抵抗分に基づいてインピーダンス可変要素（可変コイル５１、可変容量５２，５３）の整合手順および調整量を算出し、これらを制御する。 - 特許庁

To provide a variable resistive element which shows excellent endurance characteristics and high process resistance through easy processes, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

容易なプロセスで良好なエンデュランス特性を示し、プロセス耐性の高い可変抵抗素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The variable resistive element 100 includes a parasitic inductive component and the effect of the parasitic inductive component is compensated by the capacitive elements 151, 152.例文帳に追加

可変抵抗素子１００には寄生インダクタンス成分が含まれており、この影響を容量素子１５１、１５２によって補償する。 - 特許庁

Each of the memory cells is disposed at an intersection of the first wire and the second wire in which a rectifier and a variable resistive element are connected in series.例文帳に追加

メモリセルは、第１配線と第２配線との各交差部に配置され、整流素子と可変抵抗素子とを直列接続してなる。 - 特許庁

To realize a reliable semiconductor memory device in which a burden on a variable resistive element is reduced, and a method for rewriting of memory cell.例文帳に追加

可変抵抗素子が受ける負荷が軽減された信頼性の高い半導体記憶装置、及び、メモリセルの書き換え方法を実現する。 - 特許庁

A semiconductor memory comprises a memory cell that is disposed between first wiring and second wiring, and includes a variable resistive element and a switching element connected in series.例文帳に追加

実施の形態の半導体記憶装置は、第１配線と第２配線との間に配置され且つ可変抵抗素子とスイッチング素子を直列接続してなるメモリセルを備える。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor memory device with the variable resistive element for storing data formed between an upper electrode and a lower electrode comprises the steps of sputtering an electrically conductive metallic oxide in an atmosphere including no oxygen, and forming the variable resistive element.例文帳に追加

上部電極と下部電極の間にデータを蓄積するための可変抵抗体を形成してなる半導体記憶装置の製造方法であって、導電性の金属酸化物を、酸素を含まない雰囲気中でスパッタリングし、前記可変抵抗体を形成する可変抵抗体形成工程を実行する。 - 特許庁