An equalizer 70_n shapes the waveform of the data C_n on the basis of a characteristic where coefficients P_na and P_nb are set so as to reduce a peak shift amount L_n, and the equalizer 70_n outputs the reproduced data D_n.例文帳に追加

データＣ_ｎは、イコライザ７０_ｎでピークシフト量Ｌ_ｎが減少するように係数Ｐ_ｎａ，Ｐ_ｎｂが設定された特性に基づいて波形整形され、同イコライザ７０_ｎから再生データＤ_ｎが出力される。 - 特許庁

The semiconductor device has a p-type column region 14 (a column region body part 14a and a stripe part 14b) and an n^--type drift region 12 surrounding the column region 14 in a columnar shape on an n^+-type semiconductor substrate 11.例文帳に追加

本発明は、ｎ型＋の半導体基板１１上にｐ型のコラム領域１４（コラム領域本体部１４ａ及びストライプ部１４ｂ）と、コラム領域１４を囲むｎ−型のドリフト領域１２が柱状に形成される。 - 特許庁

An n-type GaN epitaxial layer 2, n-type GaN nano-columns 3, multiple quantum well nano-columns 4, and p-type GaN nano-columns 5, are successively grown in lamination on a sapphire substrate 1 through the intermediary of a low-temperature buffer layer (Figure 1 (a)).例文帳に追加

サファイア基板１上に、低温バッファ層を介して、ｎ型ＧａＮエピ層２、ｎ型ＧａＮナノコラム３、多重量子井戸ナノコラム４、ｐ型ＧａＮナノコラム５を、順次積層成長させる（図１（ａ））。 - 特許庁

A semiconductor substrate includes an N column region 1 and a P column region 2 in contact with each other formed therein.例文帳に追加

半導体基板内には，互いに接するＮコラム領域１とＰコラム領域２とが形成されている。 - 特許庁

N-Acetylamino acid racemase(AAR) derived from Amycolatopsis orientalis sp. lurida is used.例文帳に追加

アミコラトプシス オリエンタリス亜種ルリダ由来のＮ−アセチルアミノ酸ラセマーゼ（ＡＡＲ）の使用。 - 特許庁

COLLAGEN PRODUCTION INHIBITOR CONTAINING N-SUBSTITUTED ANTHRANILIC ACID DERIVATIVE OR SALT OF THE SAME例文帳に追加

Ｎ−置換アントラニル酸誘導体またはその塩を含有するコラーゲン産生阻害剤 - 特許庁

The storage areas of n pieces are required accordingly for determining the columnar mast.例文帳に追加

したがって、コラムマストを判定するためにｎ個の格納領域が必要である。 - 特許庁

The Ga bonds with the N to form a GaN crystal 5 (Fig.1(c)), and thereby by maintaining this state, a GaN nanocolumn 6 is formed (Fig.1(d)).例文帳に追加

この状態を維持することで、ＧａＮナノコラム６を形成する（図１（ｄ））。 - 特許庁

The diode 1 includes an electrode E1 electrically connected to the P-conductive type column PC1, an electrode E2 electrically connected to the N-conductive type column NC4 and electrodes E31-E33 which are electrically connected to both of the P-conductive type columns PC2-PC4 and N-conductive columns NC1-NC3.例文帳に追加

また、ダイオード１は、Ｐ導電型コラムＰＣ１に電気的に接続される電極Ｅ１、Ｎ導電型コラムＮＣ４に電気的に接続される電極Ｅ２、並びに、Ｐ導電型コラムＰＣ２〜ＰＣ４及びＮ導電型コラムＮＣ１〜ＮＣ３の双方に電気的に接続される電極Ｅ３１〜Ｅ３３を備える。 - 特許庁

On the other hand, sets X_1(n) and and X_2(n) of resample data input from the digital equalizers 511 and 521 are added by an adding part 516 to generate a set X(n).例文帳に追加

一方、デジタルイコライザ５１１、５２１から入力されるリサンプルデータの集合Ｘ_1（ｎ）とＸ_2（ｎ）が加算部５１６にて加算され、集合Ｘ（ｎ）が生成される。 - 特許庁

Diode 1 includes a column layer 10 having P-conductive type columns PC1-PC4 and N-conductive type columns NC1-NC4, which are arranged alternately while being abutted against each other.例文帳に追加

ダイオード１は、互いに当接しつつ交互に配置されるＰ導電型コラムＰＣ１〜ＰＣ４及びＮ導電型コラムＮＣ１〜ＮＣ４を有するコラム層１０を備える。 - 特許庁

In this case, the P-conductive type columns PC1-PC4 and the N-conductive type columns NC1-NC4 are formed of single crystal silicon and are isolated electrically from diffusion layers having conductivity except the column layer 10.例文帳に追加

そして、Ｐ導電型コラムＰＣ１〜ＰＣ４及びＮ導電型コラムＮＣ１〜ＮＣ４は、単結晶シリコンにて形成されており、コラム層１０以外の導電性を有する拡散層と電気的に絶縁されている。 - 特許庁

In the case same defective column addresses exist up to n pieces, the columnar mast is attained without fail, when the defect according to the same column address is present newly; and the accumulation of the row addresses to the row table is dispensed with.例文帳に追加

ｎ個まで同一のコラムアドレスの不良がある場合において、新たに同一のコラムアドレスに従う不良がある場合には、必ずコラムマストとなり、ロウテーブルにロウアドレスを蓄積する必要は無い。 - 特許庁

A collagen-chitosan conjugated fiber-like porous body and a method for producing the collagen-chitosan conjugated fiber-like porous body are provided in which the collagen-chitosan conjugated fiber-like porous body comprises collagen-chitosan conjugated fine fibers which substantially consists of collagen and chitosan having an N-acetylation degree of 60 to 100%.例文帳に追加

前記課題は、実質的に、コラーゲン及びＮ−アセチル化度６０〜１００％のキトサンからなる、コラーゲン・キトサン複合細繊維を含む、コラーゲン・キトサン複合繊維状多孔体、又は前記コラーゲン・キトサン複合繊維状多孔体の製造方法によって解決することができる。 - 特許庁

In the super-junction structure wherein an n-type column and a p-type column are repeated, the width of a column where a carrier passes through is 4.5 μm or less, and the concentration of impurity of the column where the carrier passes through is adjusted to be lower than a concentration satisfying the reduced surface field.例文帳に追加

ｎ型コラムとｐ型コラムが繰返されているスーパージャンクション構造において、キャリアが通過するコラムの幅は４．５μｍ以下であり、かつキャリアが通過するコラムの不純物濃度がリサーフ条件を満たす濃度よりも低濃度に調整する。 - 特許庁

This medicine contains N-(3-carboxy-4-hydroxyphenyl)-3α,7β- dihydroxy-5β-cholane-24-amide) as an active ingredient.例文帳に追加

下記式（Ｉ）で示される、Ｎ−（３−カルボキシ−４−ヒドロキシフェニル）−３α，７β−ジヒドロキシ−５β−コラン−２４−アミド） - 特許庁

The foods and drinks may contain the collagen peptide derived from fishes and N-acetylglucosamine as active ingredients.例文帳に追加

上記飲食品は、魚類由来のコラーゲンペプチドとＮ−アセチルグルコサミンとを有効成分として含有することもできる。 - 特許庁

These gaps 9 and the gap between the columns 5 and the electrode 3 are filled with an N-type amorphous material.例文帳に追加

これらの間隙９及びコラム５と電極３の間の間隙は、アモルファスｎ型物質で充填されている。 - 特許庁

An equalizing circuit 8 has N channel MOS transistors M3, M4, M5 for setting the prescribed pre-charge voltage to a data line.例文帳に追加

イコライズ回路８は、データ線を所定のプリチャージ電圧に設定するためのＮチャネルＭＯＳトランジスタＭ３，Ｍ４，Ｍ５を有する。 - 特許庁

Further, the necessity of removing some nano-columns 2 to form an n-type electrode is eliminated, and the electrode can be formed by a simple technology.例文帳に追加

また、ｎ型電極の作成に一部のナノコラム２を除去する必要はなく、簡便な手法で作成することができる。 - 特許庁

Thereafter, Ga and N are extracted from the Fe particles 4 to grow a GaN nano-column 5 having a (10-11) face (Fig. 1(d)).例文帳に追加

以降、このＦｅ粒４からＧａとＮとを取込ませ、（１０−１１）面を有するＧａＮナノコラム５を成長させる（図１（ｄ））。 - 特許庁

The composition may contain Collagen protein hydrolysate, chondroitin and N-acetylglucosamine.例文帳に追加

当該組成物には、さらにコラーゲン蛋白加水分解物、コンドロイチン、Ｎ−アセチルグルコサミンを配合することができる。 - 特許庁

This low antigenic humectant comprises ≥50 wt.% of a peptide composition having ≤20,000 molecular weight and an amino acid sequence of (Gly-X-Y)n obtained by specifically decomposing a gelatin component or a collagen component with a collagenase enzyme.例文帳に追加

低抗原性保湿剤は、ゼラチン成分またはコラーゲン成分をコラゲナーゼ酵素を用いて特異的に分解して得られる、分子量が２０，０００以下であり、アミノ酸配列が（Ｇｌｙ−Ｘ−Ｙ）_n のペプチド組成物を５０重量％以上含有する。 - 特許庁

A first gate transistor is constituted by permitting the N source region 3, P body region 5, and N column region 1 to face the first gate electrode 6.例文帳に追加

第１ゲート電極６に対し，Ｎソース領域３と，Ｐボディ領域５と，Ｎコラム領域１とが対面して第１ゲートトランジスタを構成している。 - 特許庁

Equalization errors e_1(n) and e_2(n) that occur in adaptive equalizers 51 and 52 are added by an adding part 514 and multiplied by an adjustment factor μ by a ratio adjusting part 515.例文帳に追加

適応型イコライザ５１、５２にて生じる等化誤差ｅ_1（ｎ）、ｅ_2（ｎ）は、加算部５１４にて加算され、比率調整部５１５にて調整係数μが乗じられる。 - 特許庁

The N-channel MOS transistors N8, N12 receive a sense amplifier activation signal S0 for activating the sense amplifier 52 to the gate, and the N-channel MOS transistors N10, N14 receive a column selection signal CSL to the gate.例文帳に追加

ＮチャネルＭＯＳトランジスタＮ８，Ｎ１２は、センスアンプ５２を活性化するセンスアンプ活性化信号Ｓ０をゲートに受け、 ＮチャネルＭＯＳトランジスタＮ１０，Ｎ１４は、コラム選択信号ＣＳＬをゲートに受ける。 - 特許庁

To provide an amorphous composite material having N pieces of different components (where N is an integer not less than 2), i.e., having a laminar structure or a columnar structure and each component is ecellent in mechanical, magnetic, electric, chemical, thermal, electronic or quantum characteristic.例文帳に追加

Ｎ個の（Ｎは２以上の整数）異なる組成、すなわち、機械的、磁気的、電気的、化学的、熱的、電子的、および、量子的に特性の異なる層構造あるいはコラム構造を有する、アモルファス複合材料を作製すること。 - 特許庁

The skin care emulsified composition comprises (A) one or more substances selected from the group consisting of collagen, a collagen derivative and hydrolyzed collagen, preferably atelocollagen and/or hydrolyzed collagen, (B) polyoxyethylene sorbit cerabellina, (C) an N-acylglutaminic acid salt, and (D) a fatty acid ester-type nonionic surfactant.例文帳に追加

（Ａ）コラーゲン、コラーゲン誘導体および加水分解コラーゲンからなる群から選ばれる１種以上、好ましくは、アテロコラーゲンおよび／又は加水分解コラーゲン、（Ｂ）ポリオキシエチレンソルビットミツロウ、（Ｃ）Ｎ−アシルグルタミン酸塩、（Ｄ）脂肪酸エステル型非イオン界面活性剤を含有してなる皮膚用乳化組成物とする。 - 特許庁

In a bit line precharge/equalizing circuit, a bit line precharge transistor P3 and bit line equalizing transistors N7, N8 are configured with complementary transistors of a P-type and an N-type.例文帳に追加

ビット線プリチャージ・イコライズ回路において、ビット線プリチャージトランジスタＰ３と、ビット線イコライズトランジスタＮ７及びＮ８とを、Ｐ型及びＮ型の相補なトランジスタで構成する。 - 特許庁

A control part 15 selects an (N)th pattern among a plurality of equalizer patterns stored in an equalizer pattern storage part 22 in speech recognition processing.例文帳に追加

制御部１５は、音声認識処理時にはイコライザパターン記憶部２２に記憶されている複数のイコライザパターンのうちからＮ番目のパターンを選択する。 - 特許庁

To provide an equalizer for restraining deterioration in an S/N ratio by reducing an attenuation factor when attenuating a digital sound signal in a prestage of equalizing processing.例文帳に追加

イコライジング処理を行う前段階においてデジタル音声信号の減衰する際の減衰率を小さくすることで、Ｓ／Ｎ比の低下を抑えることが可能なイコライザ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a structure which accomplishes a small and sufficient breakdown voltage and on-resistance characteristics in a high voltage resistant semiconductor device in which a n-type column region and a p-type column region are arranged on a semiconductor device alternately.例文帳に追加

本発明はＮ型コラム領域とＰ型コラム領域とが半導体基板上に交互に並ぶ高耐圧半導体装置において、小型で且つ充分な耐圧とオン抵抗特性を達成できる構造を提供する。 - 特許庁

The coating layer 2 is formed by coating gel including collagen and the like modified by a light-sensitive group, chemical compounds having N-alkylamino group and/or N, N-dialkylamino group, and biologically active substance, irradiating the visible light thereon and photocrosslinking it.例文帳に追加

このコーティング層２は、感光基で修飾されたコラーゲン等と、Ｎ−アルキルアミノ基及び／又はＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基を有する化合物と、生理活性物質とを含むゲルをコーティングし、可視光を照射して光架橋させたものである。 - 特許庁

The nano-columns 2 are each formed into a coaxially shaped heterostructure in which a core portion 21 made of an n-type GaN is surrounded by a cylindrical shell portion 22 made of an n-type AlGaN having a bandgap energy larger than that of the n-type GaN, and the core portion 21 itself is used as an active layer.例文帳に追加

ナノコラム２を、ｎ型ＧａＮから成るコア部２１を、それよりバンドギャップエネルギーが大きいｎ型ＡｌＧａＮから成る筒状のシェル部２２で囲んだ同軸形状のヘテロ構造に形成し、コア部２１自体を活性層とする。 - 特許庁

An output signal of a microphone 1 that is valid among microphones 1, 1,... is given to a plurality of band pass filters 25, 25,... in an equalizer section 24 with pass bands in different frequency bands fn (n=1, 2,..., N).例文帳に追加

各マイクロホン１、１、・・・のうち、有効とされたマイクロホン１の出力信号は、イコライザ部２４内にあるそれぞれ異なる周波数帯域ｆ_n （ｎ＝１、２、・・・、Ｎ）に通過帯域を有する複数のバンドパスフィルタ２５、２５、・・・に入力される。 - 特許庁

More concretely, N-pieces of equalizer parameters corresponding to N-pieces of frequency bands as conversion origins are acquired, the frequency characteristics stipulated by them are analyzed for M-pieces of frequency characteristics in which M is different from N, and M-pieces of analysis level values are obtained.例文帳に追加

具体的に、変換元としてＮ個の周波数帯域に対応するＮ個のイコライザパラメータが取得され、それにより規定される周波数特性を、Ｎとは異なるＭ個の周波数帯域について分析してＭ個の分析レベル値を求める。 - 特許庁

The wound healing agent contains a peptide as a degradation product obtained by degrading a collagen or a gelatin by a collagenase and represented by an amino acid sequence of (Gly-X-Y)n (wherein, Gly is a glycine residue; and X and Y are each an arbitrary amino acid residue except the glycine) as an active ingredient.例文帳に追加

コラーゲンまたはゼラチンをコラゲナーゼにより分解して得られる分解物であって、アミノ酸配列が（Ｇｌｙ−Ｘ−Ｙ）n（式中、Ｇｌｙはグリシン残基を表し、ＸおよびＹはグリシン以外の任意のアミノ酸残基を表し、ｎは正の整数を表す）で表されるペプチドを含むものを有効成分とする。 - 特許庁

STEP1 determines whether or not the vehicle is in a non- traveling range, STEP2 determines whether or not the engine is automatically stopped, STEP3 sets the N economy run history flag to be 1 if YES in STEP1 and YES in STEP2, and STEP4 sets the N economy run history flag to be 0 if NO in STEP1 or NO in STEP2.例文帳に追加

ＳＴＥＰ１は非走行レンジか否かを判断し、ＳＴＥＰ２はエンジンが自動停止中か否かを判断し、ＳＴＥＰ３はＳＴＥＰ１がＹＥＳ、ＳＴＥＰ２がＹＥＳのときにＮエコラン履歴フラグを１にし、ＳＴＥＰ４はＳＴＥＰ１がＮＯ、またはＳＴＥＰ２がＮＯのときにＮエコラン履歴フラグを０にする。 - 特許庁

In the apparatus provided with the variable equalizer 10 and for reproducing a digital signal from a track on the recording medium, the variable equalizer 10 has a multiple factor generating means that generates a multiple factor a(n) in response to a first control signal 15 that controls an amplitude as a function of a frequency and a second control signal 16 that controls a delay as a function of a frequency.例文帳に追加

可変イコライザ１０を備えた、記録担体上のトラックからディジタル信号を再生する装置に関し，可変イコライザ１０は、周波数の関数として振幅を制御する第１制御信号１５と、周波数の関数として遅延を制御する第２制御信号１６とに応じて、乗算因数a(n)を発生する乗算因数発生手段を有する。 - 特許庁

At the time of data read-out operation, a word line WL and a column selection signal Y of Vcc voltage are simultaneously activated, minute potential difference is caused in the pair of bit lines, voltage of 1/2 Vcc-Vin is applied to gates of respective N type transistors 63, 64 through respective N type transistors 61, 62 of a reading/writing circuit 6.例文帳に追加

データ読み出し動作時、ワード線ＷＬ及び、Ｖcc電圧のコラム選択信号Ｙが同時に活性化され、前記ビット線対には微小電位差が生じ、読み/書き回路６の各Ｎ型トランジスタ61、62を通じて各Ｎ型トランジスタ63、64のゲートには1/2・Ｖcc−Ｖtnの電圧が印可される。 - 特許庁

This cosmetic is obtained by using a cosmetic base containing a tripeptide which is obtained by specifically decomposing a raw material containing a collagen component or a gelatin component with a collagenase enzyme, contains an N-terminal amino acid converted into glycine and has about 280 molecular weight.例文帳に追加

コラーゲン成分あるいはゼラチン成分を含有する原材料を、コラゲナーゼ酵素を用いて特異的に分解することによって得られる、Ｎ末端アミノ酸をグリシンとした分子量が約２８０のトリペプチドを含む化粧品基材を用いた。 - 特許庁

Consequently, data of the (N)th pattern are inputted to a graphic equalizer 21, which attenuates the level of a signal component in a 100 to 5 kHz frequency band used for the speech recognition larger than signal components in other frequency bands.例文帳に追加

これにより、Ｎ番目のパターンのデータがイコライザ２１に入力され、グラフィックイコライザ２１では音声認識に使用する１００〜５ｋＨｚの周波数帯域の信号成分のレベルを、他の周波数帯域の信号成分よりも大きく減衰させる。 - 特許庁

To improve reliability of a compound semiconductor light-emitting element wherein a nanocolumn is formed on a conductive substrate, insulation between nanololumns and between a p-type layer and an n-type layer is ensured therebetween and an insulator which protects a light-emitting layer is buried.例文帳に追加

導電性基板上にナノコラムが形成され、その間には該ナノコラム間およびｐ型層とｎ型層との絶縁を確保し、発光層を保護する絶縁物が埋込まれて成る化合物半導体発光素子において、素子の信頼性を向上する。 - 特許庁

When the bit line precharge operation is terminated, a bit line equalizing control signal BLEQ is set to an H level, a bit line precharge control signal BLPR is set to an L level, and the P-type bit line precharge transistor P3 and the N-type bit line equalizing transistors N7, N8 are all turned off.例文帳に追加

ビット線プリチャージ動作の終了時には、ビット線イコライズ制御信号ＢＬＥＱをＨレベルに、ビット線プリチャージ制御信号ＢＬＰＲをＬレベルにして、Ｐ型ビット線プリチャージトランジスタＰ３及びＮ型ビット線イコライズトランジスタＮ７、Ｎ８を全てオフする。 - 特許庁